JPH0247886B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0247886B2 JPH0247886B2 JP57204283A JP20428382A JPH0247886B2 JP H0247886 B2 JPH0247886 B2 JP H0247886B2 JP 57204283 A JP57204283 A JP 57204283A JP 20428382 A JP20428382 A JP 20428382A JP H0247886 B2 JPH0247886 B2 JP H0247886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- saw
- electrodes
- substrate
- interdigital transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧電基板表面にインタデイジタル・ト
ランスジユーサ電極を付着して前記基板表面に励
起する弾性表面波（SAW）或は表面直下のバル
ク内を伝播する波（SSBW）等を利用する共振デ
バイスの周波数微細調整方法に関する。
ランスジユーサ電極を付着して前記基板表面に励
起する弾性表面波（SAW）或は表面直下のバル
ク内を伝播する波（SSBW）等を利用する共振デ
バイスの周波数微細調整方法に関する。
従来、圧電基板表面にインタデイジタル・トラ
ンスジユーサ電極を付着し前記基板表面又はバル
ク内に励起した音響的波動を利用するSAW或は
SSBWデバイスの共振周波数の微細調整方法とし
てはウエツト・エツチングと称しエツチング液中
で付着電極を溶出したりイオン或はプラズマ・エ
ツチングと称してガス中でイオン化したガス微粒
子又はプラズマを高速で電極に衝突させ電極を削
り取る等してデバイス表面に付着した電極質量を
減少せしめたり、陽極酸化法と称して付着電極を
酸化せしめ結合した酸素の質量分だけ電極質量を
増大させて共振周波数を微細に調整することが行
なわれている。
ンスジユーサ電極を付着し前記基板表面又はバル
ク内に励起した音響的波動を利用するSAW或は
SSBWデバイスの共振周波数の微細調整方法とし
てはウエツト・エツチングと称しエツチング液中
で付着電極を溶出したりイオン或はプラズマ・エ
ツチングと称してガス中でイオン化したガス微粒
子又はプラズマを高速で電極に衝突させ電極を削
り取る等してデバイス表面に付着した電極質量を
減少せしめたり、陽極酸化法と称して付着電極を
酸化せしめ結合した酸素の質量分だけ電極質量を
増大させて共振周波数を微細に調整することが行
なわれている。
しかしながらこれらはいずれも所定の装置を必
要とする上、ウエツト・エツチング、プラズマ・
エツチング等は共振周波数をモニタしながら調整
作業を行うことが不可能である為、能率が悪く実
用的ではないという欠点があつた。又、斯るデバ
イスの表面に誘電体物質を蒸着するという手法も
提案されてはいるが、誘電体物質は一般に融点が
高く蒸発せしめるのに工夫を要する為、格別の装
置を必要とするという欠点があつた。
要とする上、ウエツト・エツチング、プラズマ・
エツチング等は共振周波数をモニタしながら調整
作業を行うことが不可能である為、能率が悪く実
用的ではないという欠点があつた。又、斯るデバ
イスの表面に誘電体物質を蒸着するという手法も
提案されてはいるが、誘電体物質は一般に融点が
高く蒸発せしめるのに工夫を要する為、格別の装
置を必要とするという欠点があつた。
本発明は上述の如きSAWデバイス等に対する
周波数調整方法の欠点を除去する為になされたも
のであつて、SAWデバイス等の圧電基板表面、
電極付着全面或は所要の部分に金属を当該デバイ
スの共振周波数をモニタしながら或か統計的に蒸
着条件を確定した上でバツチ処理で蒸着すること
によつてその共振周波数を調整する周波数微細調
整方法を提供せんとするものである。
周波数調整方法の欠点を除去する為になされたも
のであつて、SAWデバイス等の圧電基板表面、
電極付着全面或は所要の部分に金属を当該デバイ
スの共振周波数をモニタしながら或か統計的に蒸
着条件を確定した上でバツチ処理で蒸着すること
によつてその共振周波数を調整する周波数微細調
整方法を提供せんとするものである。
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図及び第２図は夫々SAWを利用した共振
器及びフイルタの構造を示す図である。
器及びフイルタの構造を示す図である。
SAW共振器或はフイルタは周知の如く水晶、
リチウムナトリウムアベイト或はリチウムタンタ
レイトの如き圧電基板１上に所要のインタデイジ
タル・トランスジユーサ電極２，２，……を、更
に必要ならば前記電極によつて励起したSAWを
反射して共振器のＱを高める反射器３，３，…等
を付着したもので、その製造法は先ず前記圧電基
板の表面に均一の厚さにアルミニウム等を全面蒸
着し然る後にフオトエツチングによつて所望の電
極パターンを形成するものである。
リチウムナトリウムアベイト或はリチウムタンタ
レイトの如き圧電基板１上に所要のインタデイジ
タル・トランスジユーサ電極２，２，……を、更
に必要ならば前記電極によつて励起したSAWを
反射して共振器のＱを高める反射器３，３，…等
を付着したもので、その製造法は先ず前記圧電基
板の表面に均一の厚さにアルミニウム等を全面蒸
着し然る後にフオトエツチングによつて所望の電
極パターンを形成するものである。
このような構造を有するSAWデバイス等の共
振周波数を微細に調整する為例えばウエツト・エ
ツチングによつて電極を溶解せしめその質量を減
少させるといつた従来の手法では周波数のモニタ
リング下にこれを行うことが不可能である等の欠
点があつたこと前述のとうりである。
振周波数を微細に調整する為例えばウエツト・エ
ツチングによつて電極を溶解せしめその質量を減
少させるといつた従来の手法では周波数のモニタ
リング下にこれを行うことが不可能である等の欠
点があつたこと前述のとうりである。
そこで本発明に於いては共振器又はフイルタに
対し直接その全面或は所定部分に金属を蒸着して
周波数の微細な調整を行なうものである。
対し直接その全面或は所定部分に金属を蒸着して
周波数の微細な調整を行なうものである。
第３図及び第４図は夫々SAW共振器及びフイ
ルタに本発明に係る周波数微細調整方法を適用す
る場合の説明図である。
ルタに本発明に係る周波数微細調整方法を適用す
る場合の説明図である。
即ち、第３図及び第４図は夫々前記反射器３，
３を備えたSAW共振器及び入出力電極を備えた
SAWフイルタに金属を付加蒸着し周波数の微細
な調整を行なうべくこれらの表面波が閉じ込めら
れる部分、あるいは表面波が伝搬する部分に相当
する面のみを開放したマスク４を用いて、上記部
分にのみ質量を付加すれば良い。このとき必ずし
も、マスクを用いる必要はないが、封止後の後工
程を考慮するとマスクを使用した方が良い。
３を備えたSAW共振器及び入出力電極を備えた
SAWフイルタに金属を付加蒸着し周波数の微細
な調整を行なうべくこれらの表面波が閉じ込めら
れる部分、あるいは表面波が伝搬する部分に相当
する面のみを開放したマスク４を用いて、上記部
分にのみ質量を付加すれば良い。このとき必ずし
も、マスクを用いる必要はないが、封止後の後工
程を考慮するとマスクを使用した方が良い。
斯くして周波数の微細調整を行うデバイスが共
振器であればこれを発振器に、フイルタであれば
その伝送特性計測装置に接続した上で真空蒸着槽
に収容し、共振周波数或は伝送特性をモニタしつ
つ金属を付加蒸着し、共振周波数或は伝送特性が
所望の値となつたところで蒸着を停止すればよ
い。
振器であればこれを発振器に、フイルタであれば
その伝送特性計測装置に接続した上で真空蒸着槽
に収容し、共振周波数或は伝送特性をモニタしつ
つ金属を付加蒸着し、共振周波数或は伝送特性が
所望の値となつたところで蒸着を停止すればよ
い。
蒸着すべき金属材料としてはAg、Au、Cr、
Ni……等加熱蒸着可能なものであれば種類は問
わない。
Ni……等加熱蒸着可能なものであれば種類は問
わない。
尚、導電性の高い金属をインタデイジタル・ト
ランスジユーサ電極上に付加蒸着すれば電極指間
で短絡が生じ、このデバイスが機能を失うことが
懸念されるが、そもそもこの付加蒸着量は僅かで
あつて、蒸着金属は弧立した微細な点状に付着す
るから上述の如き短絡の生ずる虞はない。
ランスジユーサ電極上に付加蒸着すれば電極指間
で短絡が生じ、このデバイスが機能を失うことが
懸念されるが、そもそもこの付加蒸着量は僅かで
あつて、蒸着金属は弧立した微細な点状に付着す
るから上述の如き短絡の生ずる虞はない。
もつとも蒸着金属材料としてアルミニウムを用
いるのは危険が多ので避けた方がよい。溶融アル
ミニウムは表面張力が極めて小さくインタデイジ
タル・トランスジユーサ電極間に広がる如く付着
するからである。
いるのは危険が多ので避けた方がよい。溶融アル
ミニウムは表面張力が極めて小さくインタデイジ
タル・トランスジユーサ電極間に広がる如く付着
するからである。
従つて、蒸着物質としてアルミニウム或はこれ
と同様基板との『濡れ』が良い物質を用いる必要
がある場合には前記インタデイジタル・トランス
ジユーサ電極部２，２への蒸着を避け例えば反射
器３，３又は波動の伝搬部のみに蒸着するように
すればよい。
と同様基板との『濡れ』が良い物質を用いる必要
がある場合には前記インタデイジタル・トランス
ジユーサ電極部２，２への蒸着を避け例えば反射
器３，３又は波動の伝搬部のみに蒸着するように
すればよい。
尚、以上述べた如き物質の微量付加蒸着によつ
てもデバイスの主要な係数、例えばＱ、等価イン
ダクタンスは殆んど影響を受けないことが確認さ
れた。
てもデバイスの主要な係数、例えばＱ、等価イン
ダクタンスは殆んど影響を受けないことが確認さ
れた。
本発明に係る周波数微細調整方法は上述の如く
行なうので通常の蒸着設備以外の格別な装置を必
要とせずしかも周波数又は伝送特性をモニタしな
がら調整作業をなしうるので安価かつ高能率にし
かもデバイスの特性を実質的に変えることなく
SAWデバイス等の周波数微細調整を行う上で著
しい効果を発揮する。
行なうので通常の蒸着設備以外の格別な装置を必
要とせずしかも周波数又は伝送特性をモニタしな
がら調整作業をなしうるので安価かつ高能率にし
かもデバイスの特性を実質的に変えることなく
SAWデバイス等の周波数微細調整を行う上で著
しい効果を発揮する。
更に、本発明に係る周波数微細調整方法は必ず
しも周波数をモニタしながら行うべきことを絶対
的要件とするものではない。
しも周波数をモニタしながら行うべきことを絶対
的要件とするものではない。
今日、SAWデバイス等は一般に大面積圧電基
板上に多数のフオト・エツチング用マスクを整列
せしめてバツチ処理で一挙に大量のデバイスを製
造する。従つて周波数微細調整もバツチ処理で行
うことが可能であつて、この為には付加蒸着条件
と周波数調整量との関係を統計的に把握しておけ
ばよいことはいうまでもあるまい。
板上に多数のフオト・エツチング用マスクを整列
せしめてバツチ処理で一挙に大量のデバイスを製
造する。従つて周波数微細調整もバツチ処理で行
うことが可能であつて、この為には付加蒸着条件
と周波数調整量との関係を統計的に把握しておけ
ばよいことはいうまでもあるまい。
尚、本発明はSAWデバイスに限らずインタデ
イジタル・トランスジユーサ電極にて励起しうる
全ての波動、例えば前述のSSBW（Surface
Skimming Bulk Wave）の他ラブ波、SH波、
ブルースタイン−グーリエ−清水波等を利用する
デバイスにも同様に適用可能である。
イジタル・トランスジユーサ電極にて励起しうる
全ての波動、例えば前述のSSBW（Surface
Skimming Bulk Wave）の他ラブ波、SH波、
ブルースタイン−グーリエ−清水波等を利用する
デバイスにも同様に適用可能である。
第１図及び第２図は夫々本発明に係る周波数微
細調整方法を適用するSAW共振器及びSAWフイ
ルタの構造を示す図、第３図及び第４図は夫々
SAW共振器及びSAWフイルタに金属を付加蒸着
する際の手法を説明する図である。
細調整方法を適用するSAW共振器及びSAWフイ
ルタの構造を示す図、第３図及び第４図は夫々
SAW共振器及びSAWフイルタに金属を付加蒸着
する際の手法を説明する図である。
Claims (1)
- １ 圧電基板上にインタデイジタル・トランスジ
ユーサ電極を付着して前記基板表面上或はバルク
内に所望の周波数の音響的波動を生ぜしめるデバ
イスに於いて、該デバイス基板表面の全面又は所
定の一部分に金属を付加蒸着して前記デバイスの
共振周波数を所望の値に調整することを特徴とす
る周波数微細調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20428382A JPS5994910A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 周波数微細調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20428382A JPS5994910A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 周波数微細調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994910A JPS5994910A (ja) | 1984-05-31 |
| JPH0247886B2 true JPH0247886B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=16487912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20428382A Granted JPS5994910A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 周波数微細調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994910A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611922U (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-08 | 関西日本電気株式会社 | 弾性表面波装置 |
| GB2199985B (en) * | 1986-12-22 | 1991-09-11 | Raytheon Co | Surface acoustic wave device |
| JPH02268505A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 |
| US5716042A (en) * | 1996-04-15 | 1998-02-10 | Derviller; Peter Reginald John | Springing means for suspension systems |
| JP2009130806A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851448B2 (ja) * | 1979-02-20 | 1983-11-16 | 日本ビクター株式会社 | 弾性表面波装置 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20428382A patent/JPS5994910A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5994910A (ja) | 1984-05-31 |
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