JPH0247939A - デジタル多重化装置のモジュール構造 - Google Patents
デジタル多重化装置のモジュール構造Info
- Publication number
- JPH0247939A JPH0247939A JP19716388A JP19716388A JPH0247939A JP H0247939 A JPH0247939 A JP H0247939A JP 19716388 A JP19716388 A JP 19716388A JP 19716388 A JP19716388 A JP 19716388A JP H0247939 A JPH0247939 A JP H0247939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- board
- circuit
- shield case
- module
- boards
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
デジタル多重化装置のモジュール構造に関し、モジュー
ルをコンパクトに構成し、高密度実装を図ると共に、取
扱いの容易なデジタル多重化装置のモジュール構造を得
ることを目的とし、第1の回路基板の一方の面の中央部
にマルチプレクサ用大型集積回路を実装すると共に他方
の面の周囲部にシールドケース付オシレータを配置し、
第2の回路基板の一方の面に回路を構成する小型部品を
実装すると共に他方の面の中央部にシールドケース付フ
ィルタを配置し、上記オシレータの中央部空間にフィル
タが入り込むよう第1、第2の回路基板をそれらの他方
の面どおし向かい合わせに相互に近接して平行に配置し
、更に第1、第2の回路基板の回路間を電気的に接続し
てモジュール基板上に直立させて接続搭載し金属ケース
で覆ってなることを特徴とするデジタル多重化装置のモ
ジュール構造を構成する。
ルをコンパクトに構成し、高密度実装を図ると共に、取
扱いの容易なデジタル多重化装置のモジュール構造を得
ることを目的とし、第1の回路基板の一方の面の中央部
にマルチプレクサ用大型集積回路を実装すると共に他方
の面の周囲部にシールドケース付オシレータを配置し、
第2の回路基板の一方の面に回路を構成する小型部品を
実装すると共に他方の面の中央部にシールドケース付フ
ィルタを配置し、上記オシレータの中央部空間にフィル
タが入り込むよう第1、第2の回路基板をそれらの他方
の面どおし向かい合わせに相互に近接して平行に配置し
、更に第1、第2の回路基板の回路間を電気的に接続し
てモジュール基板上に直立させて接続搭載し金属ケース
で覆ってなることを特徴とするデジタル多重化装置のモ
ジュール構造を構成する。
本発明は電子機器、通信機器等のモジュール構造、特に
デジタル多重化装置のモジュール構造に関する。
デジタル多重化装置のモジュール構造に関する。
上記機器に使用する例えば1.5 MHz帯である1次
群から45MHz帯の3次群に多重変換するデジタル多
重化装置(M13型マルチプレクサ、または逆の分離化
装置デマルチプレクサ)は、加入者系のデジタル化(交
換局を通さずに小容量規模での直接通信)、大容量光伝
送路の導入等により需要が増加している。この種のデジ
タル多重化装置は、通常、低次群(即ち低周波数域を扱
う低速群)のユニットと、高次群(即ち高周波数域を扱
う高速群)のユニットに分けて扱われる。このように、
低次群と高次群を含むデジタル多重化装置は、低次群と
高次群の装置や部品が互いに電気的或いは機械的な干渉
を起こすことなく、高密度に実装して装置の小型化を図
ることが要求される。
群から45MHz帯の3次群に多重変換するデジタル多
重化装置(M13型マルチプレクサ、または逆の分離化
装置デマルチプレクサ)は、加入者系のデジタル化(交
換局を通さずに小容量規模での直接通信)、大容量光伝
送路の導入等により需要が増加している。この種のデジ
タル多重化装置は、通常、低次群(即ち低周波数域を扱
う低速群)のユニットと、高次群(即ち高周波数域を扱
う高速群)のユニットに分けて扱われる。このように、
低次群と高次群を含むデジタル多重化装置は、低次群と
高次群の装置や部品が互いに電気的或いは機械的な干渉
を起こすことなく、高密度に実装して装置の小型化を図
ることが要求される。
第8図は従来のデジタル多重化装置(M13型マルチプ
レクサ)を前面から見た外観図であり、同M13型マル
チプレクサの1システムを構成するものである0図は規
格化されたシェルフ型筐体で、紙面の背面に延びており
背面のバックボードに対して前面からプリント板を挿入
しプラグイン接続し、その前面に前面板を取付けた状態
を示しである。
レクサ)を前面から見た外観図であり、同M13型マル
チプレクサの1システムを構成するものである0図は規
格化されたシェルフ型筐体で、紙面の背面に延びており
背面のバックボードに対して前面からプリント板を挿入
しプラグイン接続し、その前面に前面板を取付けた状態
を示しである。
第8図のA部分は低次群(M12−例えば1.5 MH
z帯の1次、6 MHz帯の2次変換)ユニットを示し
、縦実装されるプリント板パッケージ(第9図)を横方
向に並列に7枚の同一のパッケージで構成され、各1つ
のパッケージはそれぞれ4チヤンネル(C旧〜CH4,
CH5〜CH8,・・・)を構成し、1システムで合計
28チヤンネルを構成する。1つのパッケージを配置す
る間隔、即ちパッケージのピッチをT(T=15.24
m)で示している。このピッチTは各プリント板パッ
ケージに搭載される部品の最大高さH(H=8.5■■
)に応じた寸法が必要なことにより定めている。
z帯の1次、6 MHz帯の2次変換)ユニットを示し
、縦実装されるプリント板パッケージ(第9図)を横方
向に並列に7枚の同一のパッケージで構成され、各1つ
のパッケージはそれぞれ4チヤンネル(C旧〜CH4,
CH5〜CH8,・・・)を構成し、1システムで合計
28チヤンネルを構成する。1つのパッケージを配置す
る間隔、即ちパッケージのピッチをT(T=15.24
m)で示している。このピッチTは各プリント板パッ
ケージに搭載される部品の最大高さH(H=8.5■■
)に応じた寸法が必要なことにより定めている。
第8図でB部分は予備の低次群パフケージ収容部であり
、C部分は高次群のプリント板パッケージが2板収容さ
れている。D部分は電源のパッケージ収容部で、電源は
二重化されて2つのパッケージからなる。E部分はコン
トロール部であって、制御用の操作部品、表示部品、ア
ラーム等とともに回路パンケージが収容されている。
、C部分は高次群のプリント板パッケージが2板収容さ
れている。D部分は電源のパッケージ収容部で、電源は
二重化されて2つのパッケージからなる。E部分はコン
トロール部であって、制御用の操作部品、表示部品、ア
ラーム等とともに回路パンケージが収容されている。
低次群のプリント板パンケージの側面図を第9図に示す
。パッケージlの基板はプリント板であり、前面側には
前面板に覗き測定器に接続される4個の弾器ジャック2
と、背面側に向ってそれぞれ4個のB/Uユニット3、
メカニカルフィルタ(FIL)4、電圧制御オ゛シレー
タ(VCO) 5が順次縦列に配置され、さらに1個の
LSI 6が実装されている。
。パッケージlの基板はプリント板であり、前面側には
前面板に覗き測定器に接続される4個の弾器ジャック2
と、背面側に向ってそれぞれ4個のB/Uユニット3、
メカニカルフィルタ(FIL)4、電圧制御オ゛シレー
タ(VCO) 5が順次縦列に配置され、さらに1個の
LSI 6が実装されている。
7はバックボードにプラグイン接続するプラグインコネ
クタ、8はパッケージ1をシェルフから引き出すための
梃子式の抜き具である。
クタ、8はパッケージ1をシェルフから引き出すための
梃子式の抜き具である。
第8図、第9図に示すように、1つの構成単位が1枚の
プリント板パッケージからなり、かつ7枚のパッケージ
で1つのシステムを構成する従来のデジタル多重化装置
では、実装効率を上げるためには各パッケージ間のピッ
チTをできるだけ小さくすべきであるが、このピッチは
1つのパッケージに搭載する部品の最大高さによって定
まるという制限があるので、実装効率を上げることは困
難であった。また、低次群(M12)用のみに7個の同
一のプリント板パッケージを要としていた。
プリント板パッケージからなり、かつ7枚のパッケージ
で1つのシステムを構成する従来のデジタル多重化装置
では、実装効率を上げるためには各パッケージ間のピッ
チTをできるだけ小さくすべきであるが、このピッチは
1つのパッケージに搭載する部品の最大高さによって定
まるという制限があるので、実装効率を上げることは困
難であった。また、低次群(M12)用のみに7個の同
一のプリント板パッケージを要としていた。
そこで、本発明は、デジタル多重化装置における、例え
ば低次群(M12−1次、2次変換)をモジュール化し
てコンパクトに構成し、高密度実装を図ると共に、取扱
いの容易なデジタル多重化装置のモジュール構造を得る
ことを目的とする。
ば低次群(M12−1次、2次変換)をモジュール化し
てコンパクトに構成し、高密度実装を図ると共に、取扱
いの容易なデジタル多重化装置のモジュール構造を得る
ことを目的とする。
第1の回路基板の一方の面の中央部にマルチプレクサ用
大型集積回路を実装すると共に他方の面の周囲部にシー
ルドケース付オシレータを配置し、第2の回路基板の一
方の面に回路を構成する小型部品を実装すると共に他方
の面の中央部にシールドケース付フィルタを配置し、上
記オシレータの中央部空間にフィルタが入り込むよう第
1、第2の回路基板をそれらの他方の面どおし向かい合
わせに相互に近接して平行に配置し、更に第1、第2の
回路基板の回路間を電気的に接続してモジュール基板上
に直立させて接続搭載し金属ケースで覆ってなることを
特徴とするデジタル多重化装置のモジュール構造を提供
される。
大型集積回路を実装すると共に他方の面の周囲部にシー
ルドケース付オシレータを配置し、第2の回路基板の一
方の面に回路を構成する小型部品を実装すると共に他方
の面の中央部にシールドケース付フィルタを配置し、上
記オシレータの中央部空間にフィルタが入り込むよう第
1、第2の回路基板をそれらの他方の面どおし向かい合
わせに相互に近接して平行に配置し、更に第1、第2の
回路基板の回路間を電気的に接続してモジュール基板上
に直立させて接続搭載し金属ケースで覆ってなることを
特徴とするデジタル多重化装置のモジュール構造を提供
される。
本発明によれば、互いに電気的・機械的に干渉を及ぼし
合わないシールドケース付オシレータとシールドケース
付フィルタとが互いに相手側基板の空き領域を形成して
配置されるので、金属ケース内の空間が有効に利用され
、実装効率が向上する。また、このようにして構成され
たモジュールを同一のプリント板に複数個搭載して1つ
のパッケージを構成することにより、従来、複数のプリ
ント板パッケージで1システムを構成していたちのを、
本発明では1枚のバフケージで1システムを構成するこ
とが可能である。
合わないシールドケース付オシレータとシールドケース
付フィルタとが互いに相手側基板の空き領域を形成して
配置されるので、金属ケース内の空間が有効に利用され
、実装効率が向上する。また、このようにして構成され
たモジュールを同一のプリント板に複数個搭載して1つ
のパッケージを構成することにより、従来、複数のプリ
ント板パッケージで1システムを構成していたちのを、
本発明では1枚のバフケージで1システムを構成するこ
とが可能である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の実施例にかかるデジタル多重化装置の
1つのモジュール、即ち低次群(M12−1次、2次変
換)モジュールのブロック図、及び第2図は同モジュー
ルを構成する2つの基板、即ちセラミック基板■と樹脂
基板■に実装する部品の配置図である。この実施例は、
例えばチャンネル単位に1.5 MHz帯を用いる1次
群(低速)側の基板■として樹脂基板を使用し、多重化
して6MHz帯を用いる2次群(高速)側の基板■とし
てセラミック基板を使用し、lモジュールで4チヤンネ
ルを構成する。
1つのモジュール、即ち低次群(M12−1次、2次変
換)モジュールのブロック図、及び第2図は同モジュー
ルを構成する2つの基板、即ちセラミック基板■と樹脂
基板■に実装する部品の配置図である。この実施例は、
例えばチャンネル単位に1.5 MHz帯を用いる1次
群(低速)側の基板■として樹脂基板を使用し、多重化
して6MHz帯を用いる2次群(高速)側の基板■とし
てセラミック基板を使用し、lモジュールで4チヤンネ
ルを構成する。
樹脂基板■は例えば板厚が1.6鰭程度のガラス繊維入
り・エポキシまたはテフロン樹脂製基板からなり、一方
の面(A)には4チヤンネルの同一の回路B101〜B
/U4のブロックが単位毎に形成され、各回路領域には
種々のチップ部品SMDが実装される。他方の面(B)
の中央部には4個の同一のシールドケース付のメカニカ
ルフィルタFILL〜FIL4がチャンネルに対応して
配置される。チップ部品SMDは表面がモールドされた
いわゆる表面実装部品であり、リード等を有しておらず
、従って基板のスルーホールを使用せずに基板表面の回
路パターンに半田等で直接実装されるものである。一方
、メカニカルフィルタFILI〜FIL4は第3図に示
すように外側を金属製シールドケース10で覆われたシ
ールド部品で、複数のリード11〜14を有する。従っ
て、基板のスルーホール15を使用してA面の回路に接
続実装される。樹脂基板■のA面の中央部(メカニカル
フィルタの反対側)にはチップ部品SMDやパターン以
外のものはないので、メカニカルフィルタFILI〜F
IL4は他の部品に妨げられることなくスルーホール1
5を利用して実装できる。なお、チップ部品SMDはメ
カニカルフィルタを実装するためのスルーホール15以
外の領域に適切に配置することができる。
り・エポキシまたはテフロン樹脂製基板からなり、一方
の面(A)には4チヤンネルの同一の回路B101〜B
/U4のブロックが単位毎に形成され、各回路領域には
種々のチップ部品SMDが実装される。他方の面(B)
の中央部には4個の同一のシールドケース付のメカニカ
ルフィルタFILL〜FIL4がチャンネルに対応して
配置される。チップ部品SMDは表面がモールドされた
いわゆる表面実装部品であり、リード等を有しておらず
、従って基板のスルーホールを使用せずに基板表面の回
路パターンに半田等で直接実装されるものである。一方
、メカニカルフィルタFILI〜FIL4は第3図に示
すように外側を金属製シールドケース10で覆われたシ
ールド部品で、複数のリード11〜14を有する。従っ
て、基板のスルーホール15を使用してA面の回路に接
続実装される。樹脂基板■のA面の中央部(メカニカル
フィルタの反対側)にはチップ部品SMDやパターン以
外のものはないので、メカニカルフィルタFILI〜F
IL4は他の部品に妨げられることなくスルーホール1
5を利用して実装できる。なお、チップ部品SMDはメ
カニカルフィルタを実装するためのスルーホール15以
外の領域に適切に配置することができる。
セラミック基板Iは例えば板厚が0.8mm程度で、一
方の面(A)の中央部に1個のマルチプレクサ用大型集
積回路LSIが実装され、他方の面(B)の周囲部には
4個の電圧制御オシレータVCOI〜VCO4が各々角
部分に位置するように配置される。大型集積回路LSI
もチップ部品であり、リードを有しておらず、従って
基板のスルーホールを使用せずに半田等で直接基板上の
回路パターンに実装される。
方の面(A)の中央部に1個のマルチプレクサ用大型集
積回路LSIが実装され、他方の面(B)の周囲部には
4個の電圧制御オシレータVCOI〜VCO4が各々角
部分に位置するように配置される。大型集積回路LSI
もチップ部品であり、リードを有しておらず、従って
基板のスルーホールを使用せずに半田等で直接基板上の
回路パターンに実装される。
一方、シールドケース付電圧制御オシレータVCOI〜
VCO4は、メカニカルフィルタと同様、第3図に示す
ように外側を金属製シールドケース10で覆われたシー
ルド部品で、複数のリード11〜14を有する。従って
、反対側の大型集積回路LSIを避けた周辺部の位置に
基板のスルーホール16を利用してA面の回路に接続実
装される。なお、セラミック基板rのA面の大型集積回
路LSIの周囲にも種々のチップ部品SMDが配置され
ている。
VCO4は、メカニカルフィルタと同様、第3図に示す
ように外側を金属製シールドケース10で覆われたシー
ルド部品で、複数のリード11〜14を有する。従って
、反対側の大型集積回路LSIを避けた周辺部の位置に
基板のスルーホール16を利用してA面の回路に接続実
装される。なお、セラミック基板rのA面の大型集積回
路LSIの周囲にも種々のチップ部品SMDが配置され
ている。
第3図は前述のメカニカルフィルタFILL−FIL4
又は電圧制御オシレータVCOI〜VCO4を示すもの
で、IOはシールド用の金属ケース、11−14はリー
ドで、例えば11は入力用、12は出力用、13は接地
用として使用され、基板■、■に実装後は、各基板I、
■の回路の信号、電源パターンやグランドパターン(図
示せず)に接続される。このようなリード部品は全て同
一のサイズ、例えば20X20X10 (高さ)flと
することができるが、他の表面実装用のチップ部品SM
Dと比べるとかなり大きく、かつ高さもある。
又は電圧制御オシレータVCOI〜VCO4を示すもの
で、IOはシールド用の金属ケース、11−14はリー
ドで、例えば11は入力用、12は出力用、13は接地
用として使用され、基板■、■に実装後は、各基板I、
■の回路の信号、電源パターンやグランドパターン(図
示せず)に接続される。このようなリード部品は全て同
一のサイズ、例えば20X20X10 (高さ)flと
することができるが、他の表面実装用のチップ部品SM
Dと比べるとかなり大きく、かつ高さもある。
そこで、メカニカルフィルタFILL〜FIL4と電圧
制御オシレータvcoi〜VCO4は、第4図に示すよ
うに、基板■、■を双方の8面どおしを内側に向けて、
例えば間隔を12〜13+n程度開けて平行に配置した
とき、互いの空間に入り込みかつ干渉しないように配列
しである。
制御オシレータvcoi〜VCO4は、第4図に示すよ
うに、基板■、■を双方の8面どおしを内側に向けて、
例えば間隔を12〜13+n程度開けて平行に配置した
とき、互いの空間に入り込みかつ干渉しないように配列
しである。
第4図は実施例のモジュールの断面図、第5図は基板■
、■の接続を示す図、第6図は実施例のモジュールの組
立状態の分解斜視図である。基板■、■の回路、即ち2
次群(高速)側の回路と1次群(低速)側の回路との間
は硬質の接続リードピン20にて接続される。また、第
1図におけるチャンネルCIA及びCIIBとの間は硬
質の入出力り一ドビン21で接続される。これらの入出
力リード21は基板■上のパターン22を介してフレキ
シブルプリント板挿入穴23に接続され、フレキシブル
プリント板24を介してモジュール基板であるコネクタ
ハウジング25の端子26に接続される。そして、基板
■、■はモジュール基板に取着される金属ケース30で
覆われ、例えば、幅20m1+、長さ100鰭、高さ4
4龍の大きさのモジュール40に構成される。
、■の接続を示す図、第6図は実施例のモジュールの組
立状態の分解斜視図である。基板■、■の回路、即ち2
次群(高速)側の回路と1次群(低速)側の回路との間
は硬質の接続リードピン20にて接続される。また、第
1図におけるチャンネルCIA及びCIIBとの間は硬
質の入出力り一ドビン21で接続される。これらの入出
力リード21は基板■上のパターン22を介してフレキ
シブルプリント板挿入穴23に接続され、フレキシブル
プリント板24を介してモジュール基板であるコネクタ
ハウジング25の端子26に接続される。そして、基板
■、■はモジュール基板に取着される金属ケース30で
覆われ、例えば、幅20m1+、長さ100鰭、高さ4
4龍の大きさのモジュール40に構成される。
第7図は上記のように構成したモジュール40を複数個
、例えば7個をプリント板パッケージ50に垂直に実装
して、1システム28チヤンネルのデジタル多重化装置
を構成したものである。このプリント板パッケージ50
は例えば220 x230 amの第9図の従来とほぼ
同じ大きさである。プリント板パッケージ上の空き領域
は本発明のモジュール40からさらに3次群の多重化す
るための高次群主信号部や高次群スイッチ(SW)部等
の回路が分けて実装され1システムが構成される。また
、1システム分のモジュール化された電源も実装される
。このパフケージ50はシェルフ(図示せず)に挿入・
プラグイン実装される。なお、第7図において、51は
パッケージ50を挿入したときシェルフ側マザーボード
(図示せず)に嵌合するコネクタ、52はシェルフ(図
示せず)への挿脱を容易にする梃子式の抜き具、53は
パンケージ50に設けられモジュール40をプラグイン
接続しねじ止め固定するための台座である。なお、上記
実施例では、4チヤンネルのモジュール40を7個パッ
ケージ50上に搭載しているが、1モジユールあたりの
チャンネル数や1パツケージに搭載するモジュール数は
多重化装置の仕様に合わせて適宜選択しうろことはいう
までもない。
、例えば7個をプリント板パッケージ50に垂直に実装
して、1システム28チヤンネルのデジタル多重化装置
を構成したものである。このプリント板パッケージ50
は例えば220 x230 amの第9図の従来とほぼ
同じ大きさである。プリント板パッケージ上の空き領域
は本発明のモジュール40からさらに3次群の多重化す
るための高次群主信号部や高次群スイッチ(SW)部等
の回路が分けて実装され1システムが構成される。また
、1システム分のモジュール化された電源も実装される
。このパフケージ50はシェルフ(図示せず)に挿入・
プラグイン実装される。なお、第7図において、51は
パッケージ50を挿入したときシェルフ側マザーボード
(図示せず)に嵌合するコネクタ、52はシェルフ(図
示せず)への挿脱を容易にする梃子式の抜き具、53は
パンケージ50に設けられモジュール40をプラグイン
接続しねじ止め固定するための台座である。なお、上記
実施例では、4チヤンネルのモジュール40を7個パッ
ケージ50上に搭載しているが、1モジユールあたりの
チャンネル数や1パツケージに搭載するモジュール数は
多重化装置の仕様に合わせて適宜選択しうろことはいう
までもない。
パッケージ50は、第8図に示した従来のA、B、C,
D部分の機能を具えている。従って該A−D部分のスペ
ースにピッチを50鶴として実装することにより多数シ
ステムを1シエルフに搭載実装することができる。この
ことは極めて高密度実装が可能となったことを意味する
。
D部分の機能を具えている。従って該A−D部分のスペ
ースにピッチを50鶴として実装することにより多数シ
ステムを1シエルフに搭載実装することができる。この
ことは極めて高密度実装が可能となったことを意味する
。
以上に説明したような、本発明によれば、デジタル多重
化装置のモジュールをコンパクトにかつ高密度に構成す
ることができる。例えば、第8図に示した従来のM12
型デジタル多重化装置と比較すると、従来は1モジユー
ルを1つのプリント板パッケージで構成し、■パッケー
ジあたりシェルフの幅Tが15.24龍、必要であり、
7パツケージ実装するには7倍の約100鶴必要である
が、本発明の実施例では、7パツケ一ジ分を1つのパッ
ケージに実装することができ、1つのパンケージ分はモ
ジュール40の高さに相当する44m−強しか必要とし
ないため、1システムのM12型デジタル多重化装置を
構成するためのスペースが少なくて済み、高密度化を達
成できる。また、パッケージ50に実装された1システ
ムごとにシェルフに挿脱しうるので、取扱が容易となる
。また、本発明では、1モジユールにつき1次群側と2
次群側とを2つの基板I、■に分は基板間を離間させ回
路パターンA面側をシールドケース40に接近させたの
で、信号の漏話も起こしに<<、特性劣化のない高性能
なデジタル多重化装置が得られる。8面を要部以外全面
アースパターンとすればさらに良いものとなる。本発明
の基板は、樹脂基板、セラミック基板に限らず任意の組
合せで実施し得る。
化装置のモジュールをコンパクトにかつ高密度に構成す
ることができる。例えば、第8図に示した従来のM12
型デジタル多重化装置と比較すると、従来は1モジユー
ルを1つのプリント板パッケージで構成し、■パッケー
ジあたりシェルフの幅Tが15.24龍、必要であり、
7パツケージ実装するには7倍の約100鶴必要である
が、本発明の実施例では、7パツケ一ジ分を1つのパッ
ケージに実装することができ、1つのパンケージ分はモ
ジュール40の高さに相当する44m−強しか必要とし
ないため、1システムのM12型デジタル多重化装置を
構成するためのスペースが少なくて済み、高密度化を達
成できる。また、パッケージ50に実装された1システ
ムごとにシェルフに挿脱しうるので、取扱が容易となる
。また、本発明では、1モジユールにつき1次群側と2
次群側とを2つの基板I、■に分は基板間を離間させ回
路パターンA面側をシールドケース40に接近させたの
で、信号の漏話も起こしに<<、特性劣化のない高性能
なデジタル多重化装置が得られる。8面を要部以外全面
アースパターンとすればさらに良いものとなる。本発明
の基板は、樹脂基板、セラミック基板に限らず任意の組
合せで実施し得る。
第1図は本発明の実施例に係るデジタル多重化装置の1
つのモジュールのブロック図、第2図は同モジュールを
構成する2つの基板上の部品の配置図、第3図はメカニ
カルフィルタや電圧制御用オシレータのようなシールド
ケース付リード部品の斜視図、第4図は実施例のモジュ
ールの断面図、第5図はモジュールを構成する2つの基
板I、■の接続を示す図、第6図は実施例のモジュール
の組立状態とした分解斜視図、第7図は実施例のモジュ
ールを使用したデジタル多重化装置を示す図、第8図は
従来のデジタル多重化装置を前面から見た図、第9図は
従来の低次群パンケージの側面図である。 ■・・・セラミック基板(第1の回路基板)、■・・・
樹脂基板(第2図の回路基板)、LSI・・・マルチプ
レクサ用大型集積回路、ILL・・・シールドケース付
メカニカルフィルタ、vCO・・・シールドケース付電
圧制御用オシレータ、SMD・・・チップ部品、 lO
・・・金属製シールドケース、■1〜14・・・リード
、 15.16・・・スルーホール、20・・・接続
リードピン、21・・・入力用リードビン、22・・・
パターン、 23・・・フレキシブルプリント板挿入穴、24・・・
フレキシブルプリント板、 25・・・コンタクトハウジング、 26・・・端子、 30・・・金属ケース、4
0・・・モジュール、50・・・パッケージ。 実施例のモジュールの断面図 第4図 基板1.[1の接続 第5図 モノニ ルの分解図 第 図 +17CO・・・電圧制御用オシレ タ 40山モノエ 50・・・パノケ ノ 従来の多重化装置の前面図 第 囚
つのモジュールのブロック図、第2図は同モジュールを
構成する2つの基板上の部品の配置図、第3図はメカニ
カルフィルタや電圧制御用オシレータのようなシールド
ケース付リード部品の斜視図、第4図は実施例のモジュ
ールの断面図、第5図はモジュールを構成する2つの基
板I、■の接続を示す図、第6図は実施例のモジュール
の組立状態とした分解斜視図、第7図は実施例のモジュ
ールを使用したデジタル多重化装置を示す図、第8図は
従来のデジタル多重化装置を前面から見た図、第9図は
従来の低次群パンケージの側面図である。 ■・・・セラミック基板(第1の回路基板)、■・・・
樹脂基板(第2図の回路基板)、LSI・・・マルチプ
レクサ用大型集積回路、ILL・・・シールドケース付
メカニカルフィルタ、vCO・・・シールドケース付電
圧制御用オシレータ、SMD・・・チップ部品、 lO
・・・金属製シールドケース、■1〜14・・・リード
、 15.16・・・スルーホール、20・・・接続
リードピン、21・・・入力用リードビン、22・・・
パターン、 23・・・フレキシブルプリント板挿入穴、24・・・
フレキシブルプリント板、 25・・・コンタクトハウジング、 26・・・端子、 30・・・金属ケース、4
0・・・モジュール、50・・・パッケージ。 実施例のモジュールの断面図 第4図 基板1.[1の接続 第5図 モノニ ルの分解図 第 図 +17CO・・・電圧制御用オシレ タ 40山モノエ 50・・・パノケ ノ 従来の多重化装置の前面図 第 囚
Claims (1)
- 1、第1の回路基板( I )の一方の面(A)の中央部
にマルチプレクサ用大型集積回路(LSI)を実装する
と共に他方の面(B)の周囲部にシールドケース付オシ
レータ(VC@O@)を配置し、第2の回路基板(II)
の一方の面(A)に回路を構成する小型部品(SMD)
を実装すると共に他方の面(B)の中央部にシールドケ
ース付フィルタ(FIL)を配置し、上記オシレータ(
VC@O@)の中央部空間にフィルタ(FIL)が入り
込むよう第1、第2の回路基板をそれらの他方の面(B
)どおし向かい合わせに相互に近接して平行に配置し、
更に第1、第2の回路基板の回路間を電気的に接続して
モジュール基板(25)上に直立させて接続搭載し金属
ケース(30)で覆ってなることを特徴とするデジタル
多重化装置のモジュール構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19716388A JPH0247939A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | デジタル多重化装置のモジュール構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19716388A JPH0247939A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | デジタル多重化装置のモジュール構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247939A true JPH0247939A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16369826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19716388A Pending JPH0247939A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | デジタル多重化装置のモジュール構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247939A (ja) |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19716388A patent/JPH0247939A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100719427B1 (ko) | 차폐형 헤더 | |
| US11616279B2 (en) | Stackable RF filter for a receiver or transmitter | |
| CA1143862A (en) | High performance semiconductor package assembly | |
| US5331505A (en) | Multi-coplanar capacitor for electrical connector | |
| US4126840A (en) | Filter connector | |
| US4903170A (en) | Housing arrangements for electrical or electronic equipment | |
| US5430615A (en) | Printed circuit board assembly | |
| KR19980701445A (ko) | 전자 회로 구조체(electronic circuit structure) | |
| JP2004523908A (ja) | プラスチックリード付きチップキャリア(plcc)および他の表面実装技術(smt)チップキャリアのためのアダプタ | |
| CN1299388C (zh) | 集成滤波器结构 | |
| US7725095B2 (en) | RF circuit with stacked printed circuit boards | |
| US4764122A (en) | Data bus connector | |
| US6399898B1 (en) | Technique for coupling signals between circuit boards | |
| JPH0247939A (ja) | デジタル多重化装置のモジュール構造 | |
| US4928208A (en) | Housing and connection device for electronic modules | |
| US6872962B1 (en) | Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate | |
| JPH03121501A (ja) | 制御装置 | |
| US3940666A (en) | Circuit module with recess for receiving a coupling coil | |
| JP7832548B2 (ja) | 電子部品パッケージ | |
| US6881895B1 (en) | Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate | |
| US6873228B1 (en) | Buried self-resonant bypass capacitors within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate | |
| KR920004008B1 (ko) | 크로스토킹을 배제한 고밀도 컨넥터의 다층다선 보조카드 | |
| JPH03195092A (ja) | フイルター実装装置 | |
| JPH09116510A (ja) | インターフェイスモジュール | |
| JPS5825608Y2 (ja) | 方向濾波器の構造 |