JPH0248432A - Heat ray-shielding plate and production thereof - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229940062049 nitrogen 70 % Drugs 0.000 claims description 2
- 230000008685 targeting Effects 0.000 claims 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- -1 and at the same time Chemical compound 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- DTPQZKZONQKKSU-UHFFFAOYSA-N silver azanide silver Chemical compound [NH2-].[Ag].[Ag].[Ag+] DTPQZKZONQKKSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-NJFSPNSNSA-N zirconium-93 Chemical compound [93Zr] QCWXUUIWCKQGHC-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は自動車や建築物の窓などに用いられる熱線遮へ
い板、特に高い可視光線透過率を有し、さらに単板の状
態で使用可能な耐久性を有する熱線遮へい板と、その製
造方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention is a heat ray shielding plate used for windows of automobiles and buildings, which has particularly high visible light transmittance and can be used in the form of a single plate. The present invention relates to a durable heat ray shielding plate and a method for manufacturing the same.
従来この種の熱線遮へい板としては、第6図および第7
図に示すものがあった。第6図に示したものは熱線遮へ
い膜94を付着したガラス基板11と、もう−枚のガラ
ス基板11とを中間樹脂膜95で接着した合せガラス9
6である。また第7図に示したものは熱線遮へい膜94
を付着したガラス基板11と、もう−枚のガラス基板1
1とを空間96を介してセパレータ97により結合した
複層ガラス98である。これらの合せガラス96および
複層ガラス98に用いられている熱線遮へい膜94.9
5は、第8図に示されるようにガラス基板11の上に順
次膜厚30〜40nmの透明誘電体膜98、膜厚7〜1
5nmのAg膜99、膜厚30〜40nmの透明誘電体
膜100の3層を積層してなるのが普通である。ここで
よく用いられる透明誘電体膜としては酸化亜鉛、酸化ス
ズおよび酸化ビスマスなどがある。これら従来の製品は
Ag膜99の持つ優れた光学特性、ずなわち高い可視光
線透過率と低い日射透過率を利用し、更にAg膜99の
上下に設けられた透明誘電体膜98,100がAg膜9
9とガラス基板11または空気あるいは中間樹脂膜95
との間の反射防止膜として働くことにより、可視光線透
過率をより向上させまた同時にこの透明誘電体膜がAg
膜の腐蝕をある程度防いでいた。また本発明と類似の発
明としては、特公昭62−369°79に記載されたも
のがあるが、それは窒化チタン膜中にAuを添加させた
ものである。Conventionally, this type of heat ray shielding plate is shown in Figures 6 and 7.
There was something shown in the figure. What is shown in FIG. 6 is a laminated glass 9 in which a glass substrate 11 to which a heat ray shielding film 94 is attached and another glass substrate 11 are bonded together with an intermediate resin film 95.
It is 6. Also, what is shown in FIG. 7 is a heat ray shielding film 94.
The glass substrate 11 with
1 is combined with a separator 97 via a space 96 to form a double-glazed glass 98. Heat ray shielding film 94.9 used in these laminated glass 96 and double-glazed glass 98
5, a transparent dielectric film 98 with a thickness of 30 to 40 nm and a transparent dielectric film 98 with a thickness of 7 to 1
It is usually formed by laminating three layers: a 5 nm thick Ag film 99 and a 30 to 40 nm thick transparent dielectric film 100. Transparent dielectric films often used here include zinc oxide, tin oxide, and bismuth oxide. These conventional products utilize the excellent optical properties of the Ag film 99, namely high visible light transmittance and low solar transmittance. Ag film 9
9 and glass substrate 11 or air or intermediate resin film 95
By acting as an anti-reflection film between
The corrosion of the membrane was prevented to some extent. Further, an invention similar to the present invention is described in Japanese Patent Publication No. 62-369°79, in which Au is added to a titanium nitride film.
またAgを含有する窒化ジルコニウム膜の製造法として
は、スパッタリング法が用いられ1ていた。Furthermore, a sputtering method has been used as a method for manufacturing a zirconium nitride film containing Ag.
その場合Agを含有する窒化ジルコニウムをターゲット
とし、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガスでスパッタリ
ングする方法が通常実施されるが、そのような場合ター
ゲットの製造方法が極めて困難で一般的に容易に入手で
きず、また窒化ジルコニウム膜中のAgの含有量を変え
たい場合には、その都度ターゲットを作成する必要があ
るという不便さがあった。また、かかる非能率を回避す
るために八gとジルコニウムの2つのターゲソトヲ用い
て、同一の真空槽内の窒素を含む雰囲気ガス中において
Agとジルコニウムを同時にスパッタリングして、Ag
を含む窒化ジルコニウム膜を基体6ご被覆する方法があ
るが、この方法ではAgが窒化して膜中に窒化銀が混入
するという重大な欠点をイ]する。前述した欠点は一般
的に貴金属を含有する金属窒化物の被膜を従来技術で被
覆するときに住じやすい。In this case, sputtering using a mixed gas of inert gas and nitrogen gas using zirconium nitride containing Ag as a target is usually carried out, but in such cases the target manufacturing method is extremely difficult and is generally not easy. It was not available, and if it was desired to change the Ag content in the zirconium nitride film, it was inconvenient that a target had to be prepared each time. In addition, in order to avoid such inefficiency, Ag and zirconium are sputtered simultaneously in an atmospheric gas containing nitrogen in the same vacuum chamber using two targets of 8g and zirconium.
There is a method of coating the substrate 6 with a zirconium nitride film containing Ag, but this method has the serious drawback that Ag is nitrided and silver nitride is mixed into the film. The aforementioned disadvantages are generally prevalent when metal nitride coatings containing noble metals are coated by prior art techniques.
しかしながら、上記した構成の熱線痙へい膜94は直接
外気にさらされるような単板の状態では、短期間のうち
に腐蝕してしま′うので合せガラス96や複層ガラス9
8のような状態で使用せざるを得ない。一方前記した窒
化チタン膜中にAuが添加されたものは、窒化チタン膜
およびAu膜とも可視光線の波長の範囲において、吸収
率が大きいため70%以上の可視光線透過率を維持しな
がら、日射透過率を効果的に遮−・いすることは難しい
という欠点を有する。However, if the heat ray constrictive membrane 94 having the above-mentioned structure is in a single-panel state that is directly exposed to the outside air, it will corrode within a short period of time.
I have no choice but to use it in conditions like 8. On the other hand, the above-mentioned titanium nitride film to which Au is added has a high absorption rate in the visible light wavelength range. It has the disadvantage that it is difficult to effectively block the transmittance.
高い可視光線透過率を有L7、太陽光下で自動車等の車
内で熱暑惑をおさえるためには、1」射透過率が55%
以下という特性を有し、かつ中板の状態で使用可能な熱
線遮へい板が強く:望まれている。L7 has a high visible light transmittance, and in order to suppress the heat inside a car under sunlight, the 1" light transmittance is 55%.
A heat ray shielding plate that has the following properties and can be used in the form of a medium plate is strongly desired.
本発明は高い可視光線透過率、をj’i’ !、、−1
さらに熱線遮へい性能をあわせもつと同時に単板で使用
できる耐久性を()った熱線遮・−い板を提供するもの
である。さらに、貴金属を含有する金属窒化物の被膜の
製造方法において、従来技術が有していた不便さや非能
率の問題点を解決するとともに、6gの如き貴金属を窒
化させずに窒化ジルコニウムの如き金属窒化物の膜中に
貴金属の状態で確実に含有させることがCきる方法を提
供するものである。The present invention has high visible light transmittance! ,,-1
Furthermore, the present invention provides a heat ray shielding board that has heat ray shielding performance and at the same time is durable enough to be used as a single board. Furthermore, in the manufacturing method of a metal nitride film containing a noble metal, it solves the problems of inconvenience and inefficiency that the conventional technology had, and it also solves the problem of inconvenience and inefficiency that existed in the conventional technology. The purpose of the present invention is to provide a method that can reliably contain C in a noble metal state in a film of a material.
本発明者らは鋭意研究の結果、窒化ジルコニウム膜中に
適当量のAgを含有させることにより、窒化ジルコニウ
ム膜の有する優れた耐久性を損うことなく、可視光線透
過率が高く熱線遮−・、い効果を有する特性が得られる
ことを見い出した。すなわち窒化ジルコニウム膜に含有
されるAgの量を、膜厚が約12nmの場合において、
5重量%から50重量%まで増加させたとき、被膜の化
学的および物理的耐久性を損うことなく可視光線透過率
が向上しかつ日射透過率が低下するので、高い可視光線
透過率をもち熱線遮へい板として優れた特性になること
を見い出した。As a result of intensive research, the present inventors have found that by incorporating an appropriate amount of Ag into the zirconium nitride film, it can achieve high visible light transmittance and heat ray shielding without impairing the excellent durability of the zirconium nitride film. It has been found that properties with good effects can be obtained. In other words, the amount of Ag contained in the zirconium nitride film, when the film thickness is about 12 nm, is
When increasing the amount from 5% to 50% by weight, the visible light transmittance improves and the solar transmittance decreases without impairing the chemical and physical durability of the coating, so it has a high visible light transmittance. It was discovered that it has excellent properties as a heat ray shielding plate.
窒化ジルコニウム膜に含有されるべきAg膜量は、5重
量%に満たないとAgの含有による光学特性の良化効果
が認められず、一方50重量%を越えると被膜の化学的
および物理的耐久性が低下するので、窒化ジルコニウム
膜に含有されるべきAgの量は5重量%以上50重量%
以下が好ましい。また基体上に直接Agを含有する窒化
ジルコニウム膜を形成しても良いが、基体上にまず適当
な厚みの透明誘電体膜を形成し、その後Agを含有する
窒化ジルコニウム膜を形成しても良い。またAgを含有
する窒化ジルコニウム膜の上に第3層として適当な厚み
の透明誘電体膜を被覆して、反射色調や透過色調を調整
することができる。この目的に用いら。If the amount of Ag film that should be contained in the zirconium nitride film is less than 5% by weight, the effect of improving optical properties due to the inclusion of Ag will not be recognized, while if it exceeds 50% by weight, the chemical and physical durability of the film will be affected. Therefore, the amount of Ag that should be contained in the zirconium nitride film is 5% by weight or more and 50% by weight.
The following are preferred. Alternatively, a zirconium nitride film containing Ag may be formed directly on the substrate, or a transparent dielectric film of an appropriate thickness may be formed on the substrate first, and then a zirconium nitride film containing Ag may be formed. . Further, by coating the Ag-containing zirconium nitride film with a transparent dielectric film having an appropriate thickness as a third layer, the reflected color tone and transmitted color tone can be adjusted. Used for this purpose.
れる可視光の波長域で透明な膜としては酸化タンタル、
酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸
化インジウムや酸化錫をドープした酸化インジウム膜な
どの酸化物の膜のいずれか1つまたはそれらの混合物が
好んで用いられる。また波長が550nmでの屈折率が
1.6以上の透明な誘電体膜も適用できる。Films that are transparent in the visible light wavelength range include tantalum oxide,
Any one of oxide films such as titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, tin oxide, indium oxide, or an indium oxide film doped with tin oxide, or a mixture thereof is preferably used. Further, a transparent dielectric film having a refractive index of 1.6 or more at a wavelength of 550 nm can also be used.
前記したAgを含む窒化ジルコニウム膜を基板に付着さ
せる方法として、同一真空槽内に2つの被膜形成用蒸発
源を設置し、その1つをスパッタリングカソードとし他
の1つを真空アーク蒸着用カソードとし、Agをアルゴ
ンの如き不活性ガスと窒素の混合ガスによるグロー放電
を生起させる方法によりAgのターゲットから被膜化す
ると同時に、窒化ジルコニウムをジルコニウムの真空ア
ーク蒸着用のジルコニウムターゲットから前記の雰囲気
ガスのアーク放電により被膜化することにより、実施す
る方法を見い出した。As a method for attaching the above-mentioned Ag-containing zirconium nitride film to a substrate, two film-forming evaporation sources are installed in the same vacuum chamber, one of which is used as a sputtering cathode and the other one as a vacuum arc evaporation cathode. , Ag is formed into a film from an Ag target by a method of generating a glow discharge using a mixed gas of an inert gas such as argon and nitrogen, and at the same time, zirconium nitride is coated from a zirconium target for vacuum arc evaporation of zirconium by an arc of the above atmospheric gas. We have found a method to implement this by forming a film using electrical discharge.
すなわちスパッタリングによる金属被膜の形成と真空ア
ーク蒸着による金属窒化物の被膜の形成を同時に同一真
空槽で実施することは、これまで不可能と考えられてい
たが、スパッタリングによる被膜を形成するときのター
ゲットがAgのような貴金属である場合、真空アーク放
電で同時に形成される金属窒化物の膜の中に、貴金属を
窒化させることなく金属の状態で含有させることができ
る。In other words, it was previously considered impossible to form a metal film by sputtering and a metal nitride film by vacuum arc evaporation at the same time in the same vacuum chamber. When the metal is a noble metal such as Ag, the noble metal can be contained in a metal state without being nitrided in the metal nitride film simultaneously formed by vacuum arc discharge.
真空アーク蒸着法においてはスパッタリング法に比較し
て、ターゲット材料に用いられる金属はその蒸発の過程
でイオン化する確率が高いため、反応性ガスと極めて化
合物膜を形成し易く、したがってジルコニウムが窒化ジ
ルコニウム膜になるのに必要とする雰囲気ガス中の窒素
ガスの割合は、スパックリング法に比較し7て極めて少
くてよいことを見い出した。すなわちスパッタリング法
においてはほぼ100体積%の窒素ガ・スが必要である
のに対し、真空アーク蒸着法では30体積%以下にでき
る。このように窒素ガスの混合割合が小さい雰囲気ガス
のもとでは、Agの如き一般に反応活性にとぼしい貴金
属は、スパッタリングによっても被膜は窒化物になるこ
とはなく、金属としての光学特性を被膜の状態で保持す
ることができる。In the vacuum arc evaporation method, compared to the sputtering method, the metal used as the target material has a higher probability of being ionized during the evaporation process, so it is extremely easy to form a compound film with the reactive gas, and therefore zirconium is more likely to form a zirconium nitride film. It has been found that the proportion of nitrogen gas in the atmospheric gas required to achieve this is extremely small compared to the spuckling method. That is, while the sputtering method requires approximately 100% by volume of nitrogen gas, the vacuum arc evaporation method can reduce the amount to 30% by volume or less. In such an atmospheric gas with a small mixing ratio of nitrogen gas, the coating of a noble metal such as Ag, which generally has low reaction activity, will not become a nitride even by sputtering, and the optical properties of the metal will remain in the state of the coating. can be held in
また、本発明によれば窒化ジルコニウム膜中のAgの含
有量は、スパッタリングターゲットもしくはアーク蒸着
用ターゲットのいずれかあるいは両者に印加する電力を
調整することにより、極めて容易に変化させることがで
き、被膜の光学的特性を能率よ(変えることができる。Further, according to the present invention, the content of Ag in the zirconium nitride film can be extremely easily changed by adjusting the power applied to either the sputtering target or the arc evaporation target, or both, and The optical properties of can be changed efficiently.
Agを含む窒化ジルコニウム膜は第4図で示されるよう
な被膜を被覆すべき基板が固定して設置され、それに対
向してスパッタリング用カソードおよび真空アーク蒸着
用カソードが同じ真空槽内に設置されている場合はもち
ろんのこと、第5図に示されるようにスパッタリング用
カソードと、真空アーク蒸着用カソードが、これらのそ
れぞれに取付けられたターゲットの表面が平行であるよ
うに並べて設置され、それぞれのターゲットに対向する
空間を基板を通過させるときに被膜を被覆する装置にお
いて実施できる。このときは基板の移送速度を高速に移
送させ、1回のスパッタリング用カソードおよび真空ア
ーク蒸着用カソードの通過により被覆される被膜の厚み
を小さ(し、基板を繰返しカソードの上部を通過させる
ことにより、微視的には層状の構造を有する被膜となる
が、被膜の光学的特性、耐久性から第4図の装置で得ら
れる膜と同等の光学特性および耐久性を有する巨視的に
みてAgを含む窒化ジルコニウム膜である被膜が得られ
る。The zirconium nitride film containing Ag is prepared by fixing a substrate to be coated with the film as shown in Fig. 4, and facing it, a cathode for sputtering and a cathode for vacuum arc evaporation are set in the same vacuum chamber. Of course, as shown in Figure 5, a sputtering cathode and a vacuum arc evaporation cathode are installed side by side so that the surfaces of the targets attached to each are parallel, and each target is This can be carried out in an apparatus that coats a film when the substrate passes through a space facing the substrate. At this time, the substrate is transferred at a high speed to reduce the thickness of the coating coated by passing the sputtering cathode and the vacuum arc evaporation cathode once (by passing the substrate repeatedly over the cathode). Microscopically, the film has a layered structure, but from a macroscopic point of view, Ag has the same optical properties and durability as the film obtained using the apparatus shown in Figure 4. A coating is obtained which is a zirconium nitride film containing.
本発明に係る貴金属を含有する金属窒化物の被膜を形成
することができるAg以外の貴金属とじては、Pt、
Rh、 Pdが適用でき、また金属窒化物としては窒化
チタニウム、窒化ハウニウムの如き周期律表で第4A族
の金属の窒化物が適用できる。また、貴金属を含む金属
窒化物の被膜としては前記した貴金属と金属窒化物の組
合せがもちろん適用できる。Examples of noble metals other than Ag that can form the metal nitride film containing noble metals according to the present invention include Pt,
Rh and Pd can be used, and as the metal nitride, nitrides of metals in Group 4A of the periodic table such as titanium nitride and haunium nitride can be used. Furthermore, as the metal nitride coating containing a noble metal, the above-described combination of a noble metal and a metal nitride can of course be applied.
[作用]
本発明によれば窒化ジルコニウム膜が適当な量のAgを
含有しているため、耐腐蝕性を損うことなく日射透過率
を効果的に低下させるように作用する。またAgを含有
する窒化ジルコニウムを被覆する前あるいは後に被覆す
る透明誘電体膜は、可視光線の反射率を低下させあるい
は可視光線透過率を高め、さらに反射色調や透過の色調
を光の干渉効果により変える作用を有する。[Function] According to the present invention, since the zirconium nitride film contains an appropriate amount of Ag, it acts to effectively reduce solar transmittance without impairing corrosion resistance. In addition, the transparent dielectric film coated before or after coating zirconium nitride containing Ag reduces the reflectance of visible light or increases the transmittance of visible light, and further changes the reflected color tone and transmitted color tone due to the interference effect of light. It has the effect of changing.
また真空装置内の窒素を含む雰囲気ガスにより真空アー
ク蒸着用ターゲットの表面に生起するアーク放電は、該
金属ターゲットの蒸発に際しその反応性により金属の窒
化作用を有し、−労咳雰囲気により同時にスパッタリン
グ用ターゲットの表面上に生起されるグロー放電は、ス
パッタリングターゲットに用いられる貴金属がスパッタ
され被膜が形成される過程で窒化作用をもたず、金属の
状態で基板に被膜を形成する作用をもつ。In addition, the arc discharge generated on the surface of the target for vacuum arc evaporation by the nitrogen-containing atmospheric gas in the vacuum apparatus has a nitriding effect on the metal due to its reactivity when the metal target is evaporated. The glow discharge generated on the surface of the target does not have a nitriding effect during the process in which the noble metal used in the sputtering target is sputtered to form a film, but has the effect of forming a film on the substrate in a metal state.
実施例1
以下本発明の実施例を添付図面に基いて説明する。第4
図は本発明を実現するために使用された装置の1例であ
り、真空槽41は真空排気ポンプ(図示しない)に接続
され、その内部を減圧された雰囲気ガスでガス導入管5
4のバルブ55により調節される。基板支持台53の上
に5鰭の厚みのガラス基板52をセットし、真空槽41
内を1O−3Paに真空排気後、ガス導入管54から窒
素ガス30体積%アルゴンガス70体積%の混合ガスを
導入し、0.5 Paの圧力に調節する。電気絶縁体5
6により真空槽41から電気的に隔離されたスパッタリ
ングカソード42の表面に設置されたAgのターゲット
43に、電a44からスイッチ45を閉にして0.5
Aの直流電流を印加した。同時に、真空槽41から絶縁
体56により電気的に隔離されている真空アーク蒸着用
カソード46の表面に設置されたジルコニウムのターゲ
ット47に、電源48からスイッチ51を閉にしてかつ
、スイッチ50を閉にして放電励起用トリガー電極49
によりアーク放電を発生させ、Agターゲット43およ
びジルコニウムターゲット47から同時にガラス基板5
2に被膜を3分間付着させた。スイッチ45,50.5
1を開にし、真空槽41を大気圧に戻し、被膜のついた
ガラスを取り出した。Example 1 Examples of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Fourth
The figure shows an example of a device used to realize the present invention, in which a vacuum chamber 41 is connected to a vacuum evacuation pump (not shown), and a reduced pressure atmosphere is supplied to the inside of the chamber 41 through a gas inlet pipe 5.
It is adjusted by the valve 55 of No. 4. A glass substrate 52 with a thickness of five fins is set on a substrate support stand 53, and the vacuum chamber 41 is
After evacuating the inside to 10-3 Pa, a mixed gas of 30% by volume nitrogen gas and 70% by volume argon gas is introduced from the gas introduction pipe 54, and the pressure is adjusted to 0.5 Pa. Electrical insulator 5
6, an electric current A44 is applied to the Ag target 43 installed on the surface of the sputtering cathode 42, which is electrically isolated from the vacuum chamber 41 by closing the switch 45.
A direct current of A was applied. At the same time, the power source 48 connects the zirconium target 47 installed on the surface of the vacuum arc evaporation cathode 46, which is electrically isolated from the vacuum chamber 41 by an insulator 56, to close the switch 51 and close the switch 50. Trigger electrode 49 for discharge excitation
to generate an arc discharge, and the glass substrate 5 is simultaneously removed from the Ag target 43 and the zirconium target 47.
The coating was applied to No. 2 for 3 minutes. Switch 45, 50.5
1 was opened, the vacuum chamber 41 was returned to atmospheric pressure, and the coated glass was taken out.
ガラス基板52上の被膜の厚さを触針針で測定して12
nmを得た。また蛍光X線分析装置を用いて膜中のAg
量を測定したところ35重量%であった。The thickness of the coating on the glass substrate 52 was measured using a stylus needle.
nm was obtained. Furthermore, using a fluorescent X-ray analyzer, we measured the Ag content in the film.
When the amount was measured, it was 35% by weight.
Agターゲット43およびジルコニウムターゲット47
に印加する電力を調節して、種々のAg量を含有する窒
化ジルコニウムの被膜を得た。いずれも膜厚は12nm
で、その可視光線透過率および日射透過率を測定して第
3図を得た。Agが5重量%から50重量%のすべての
範囲にわたって可視光線透過率が大きくなり、日射透過
率が低下するという高可視光線透過率の熱線遮へい板と
しての特性が向上する効果が認められた。Ag target 43 and zirconium target 47
By adjusting the power applied to the zirconium nitride films containing various amounts of Ag, films of zirconium nitride were obtained. The film thickness is 12 nm in both cases.
Then, the visible light transmittance and solar transmittance were measured, and FIG. 3 was obtained. It was observed that the visible light transmittance increased over the entire range of 5% to 50% by weight of Ag, and the solar transmittance decreased, which was the effect of improving the properties as a heat ray shielding plate with high visible light transmittance.
次にAgを含有する窒化ジルコニウム膜と透明誘電体膜
の3層構成からなる熱線遮へい板の製造の実施例につい
て述べる。Next, an example of manufacturing a heat ray shielding plate having a three-layer structure of a zirconium nitride film containing Ag and a transparent dielectric film will be described.
実施例2
第5図は本発明を実現するために使用された装置の他の
1例であり、この装置は5室62,63゜64.65.
66からなる一体のアースされた真空槽61を基礎構造
とし、真空槽の第2の部屋63の底部には電気絶縁体6
7を介してスパッタリングカソード68.69が設置さ
れ、直流電源70.71がスイッチ72.73を介して
接続されている。また同じく底部を貫通してバルブ74
を備えたガス供給管75が設置されている。さらに真空
槽の第4の部屋65の底部には、電気絶縁体67を介し
てスパッタリングカソード76とアーク蒸着用カソード
77が設置され、直流電源78.79がスイッチ80.
81を介してそれぞれ接続されている。また同じく底部
を貫通してバルブ82を備えたガス供給管83が設置さ
れている。加えてアーク蒸着用カソード77にはアーク
放電を生起させるためのトリガー84がスイッチ85を
介して直流電源79に接続されている。真空槽の内部に
は搬送ベルト85が設置されており、5 mnの厚みの
ガラス基板86が搬送ベルトに乗って各カソード上を通
過する間に被膜が形成される。Embodiment 2 FIG. 5 shows another example of the apparatus used to realize the present invention, and this apparatus has five chambers 62, 63°, 64.65°.
The basic structure is an integral grounded vacuum chamber 61 consisting of 66, and an electrical insulator 6 at the bottom of the second chamber 63 of the vacuum chamber.
A sputtering cathode 68.69 is installed via 7 and a DC power supply 70.71 is connected via a switch 72.73. Similarly, the valve 74 is inserted through the bottom.
A gas supply pipe 75 is installed. Further, at the bottom of the fourth chamber 65 of the vacuum chamber, a sputtering cathode 76 and an arc evaporation cathode 77 are installed via an electrical insulator 67, and a DC power source 78,79 is connected to a switch 80.
81, respectively. Similarly, a gas supply pipe 83 with a valve 82 is installed through the bottom. In addition, a trigger 84 for causing arc discharge is connected to the DC power source 79 via a switch 85 on the arc evaporation cathode 77 . A conveyor belt 85 is installed inside the vacuum chamber, and a film is formed while a glass substrate 86 having a thickness of 5 mm passes over each cathode on the conveyor belt.
形成すべき被膜の厚味は搬送ベルト85の移動速度とカ
ソードに印加する電力を調節することによって調節され
る。各室間の移動はゲートバルブ87.88,89.9
0を開閉することによって可能となるような機構が備え
られている。The thickness of the coating to be formed is adjusted by adjusting the moving speed of the conveyor belt 85 and the electric power applied to the cathode. Movement between each chamber is via gate valves 87.88, 89.9
A mechanism is provided that enables this by opening and closing 0.
以−ヒのような構成の真空成膜装置を用いて、本発明の
高い可視光線透過率を有する熱線遮へい板を製造する方
法を述べる。スパッタリングカソード68.69のト面
には錫91をスパッタリングターゲットとして取付けた
。またスパッタリングカソード76の上面にはAg92
をスパッタリングターゲットとして取付け、アーク蒸着
用カソードの上面にはジルコニウム93をアーク蒸着層
ターゲントとして取付けた。真空槽の第1の部屋62に
ガラス基板86をセットした。真空槽のそれぞれの部屋
を真空ポンプ(図示しない)により10弓Paまで減圧
した後、ゲートバルブ87.88は開に、ゲートバルブ
89は閉とした。次いでバルブ74を開にしてガス供給
管75より80容積%の酸素ガスを含むアルゴンガスを
供給し、真空槽の第2の部屋63の圧力が0.5Paに
なるようにバッフルバルブ(図示しない)を調節した。A method for manufacturing a heat ray shielding plate having high visible light transmittance according to the present invention will be described using a vacuum film forming apparatus configured as described below. Tin 91 was attached as a sputtering target to the top surface of the sputtering cathodes 68 and 69. Furthermore, the upper surface of the sputtering cathode 76 is made of Ag92.
was attached as a sputtering target, and zirconium 93 was attached as an arc evaporation layer target on the upper surface of the cathode for arc evaporation. A glass substrate 86 was set in the first chamber 62 of the vacuum chamber. After reducing the pressure in each chamber of the vacuum chamber to 10 Pa using a vacuum pump (not shown), gate valves 87 and 88 were opened and gate valve 89 was closed. Next, the valve 74 is opened and argon gas containing 80% by volume oxygen gas is supplied from the gas supply pipe 75, and a baffle valve (not shown) is opened so that the pressure in the second chamber 63 of the vacuum chamber becomes 0.5 Pa. adjusted.
そしてスイッチ72.73をオンにし、て錫ターゲット
に400Vの電圧を印加し、2.5Aの電流を流してス
パッタリングを開始した。搬送ベルト85を200mm
/分の速度で走行し、カソード68゜69の上方を通過
させて第3の部屋64まで送った。そして搬送を終了し
スイッチ72.73をオフにしてスパッタリングを終了
し、バルブ74を閉とした。このようにしてガラス基板
上に酸化錫の膜を形成した。次にゲートバルブ88を閉
とし、ゲートバルブ89.90を開とした。そうして、
バルブ82を開けてガス供給管83より窒素ガス30体
積%を含むアルゴンガスを供給し、バッフルバルブ(図
示しない)を調節して圧力が0.5Paになるように調
節した。そしてスイッチ80をオンにしてカソード76
に0.8 Aの電流を流しスパッタリングを開始した。Then, switches 72 and 73 were turned on, a voltage of 400 V was applied to the tin target, and a current of 2.5 A was applied to start sputtering. Transport belt 85 is 200mm
It traveled at a speed of 1/min and passed over the cathode 68° 69 to the third chamber 64. After the conveyance was completed, the switches 72 and 73 were turned off to complete the sputtering and the valve 74 was closed. In this way, a tin oxide film was formed on the glass substrate. Next, the gate valve 88 was closed and the gate valves 89 and 90 were opened. Then,
The valve 82 was opened and argon gas containing 30% by volume of nitrogen gas was supplied from the gas supply pipe 83, and the pressure was adjusted to 0.5 Pa by adjusting the baffle valve (not shown). Then, turn on the switch 80 and the cathode 76
A current of 0.8 A was applied to start sputtering.
さらにスイッチ81をオンにしトリガー84のスイッチ
85をオンにして、カソード77に100Aの電滓を流
しアーク放電を生起させた。その後搬送ヘルド85を6
00018/分の速度で走行し、ガラス基板86をカソ
ード76および77の上方を5回通過させ真空槽の第5
の部屋66に送った。そうして搬送ベルトの走行を停止
し、カソード76.77のスイッチ80゜81をオフに
して放電を停止し、バルブ82を閉にした。このように
して酸化錫膜上にAgを含む窒化ジルコニウムの膜を形
成した。次に搬送ベルト85を走行しガラス基板86を
真空槽の第3の部屋64に送り、ゲートバルブ89を閉
め、ゲートバルブ87.88を開とした。そうして上述
したのと全く同じ条件で再び酸化錫の膜をAgを含む窒
化ジルコニウムの膜の上にスパッタリングにより成膜し
た。Further, the switch 81 was turned on, and the switch 85 of the trigger 84 was turned on, and 100 A of electric slag was applied to the cathode 77 to generate an arc discharge. After that, transfer the transport heald 85 to 6
The glass substrate 86 is passed over the cathodes 76 and 77 five times, and the fifth
I sent him to room 66. Then, the conveyor belt stopped running, the switches 80 and 81 of the cathodes 76 and 77 were turned off to stop the discharge, and the valve 82 was closed. In this way, a zirconium nitride film containing Ag was formed on the tin oxide film. Next, the conveyor belt 85 was run to send the glass substrate 86 to the third chamber 64 of the vacuum chamber, the gate valve 89 was closed, and the gate valves 87 and 88 were opened. Then, a tin oxide film was again formed by sputtering on the Ag-containing zirconium nitride film under exactly the same conditions as described above.
このような手順により第1図に示すようなガラス基板1
1」二に順次厚味が60nmの酸化錫膜12゜17nm
のAgを含む窒化ジルコニウム膜13と60nmの酸化
錫膜14を形成した。このようにして得られた熱線遮へ
い板の分光透過率を第2図に第5図で示される従来技術
による熱線遮へい板と比較して示した。可視光線透過率
は78.5%、日射透過率は50.3%でありAgを含
有させない場合に比べて、可視光線透過率は4.5%増
加し日射透過率は4.4%減少し、明らかに高い可視光
線透過率を有する熱線遮へい板として優れた光学特性を
示した。Through these steps, a glass substrate 1 as shown in FIG.
1. 2. Tin oxide film with a thickness of 60 nm, 12° and 17 nm.
A zirconium nitride film 13 containing Ag and a 60 nm tin oxide film 14 were formed. The spectral transmittance of the thus obtained heat ray shielding plate is shown in FIG. 2 in comparison with that of the conventional heat ray shielding plate shown in FIG. The visible light transmittance was 78.5% and the solar transmittance was 50.3%, and compared to the case without Ag, the visible light transmittance increased by 4.5% and the solar transmittance decreased by 4.4%. , it showed excellent optical properties as a heat ray shielding plate with clearly high visible light transmittance.
さらに耐酸性、耐アルカリ性、往復摩耗のテストにより
被膜の化学的、物理的耐久性を調べたところ第1表に示
すような結果を得た。Furthermore, the chemical and physical durability of the coating was investigated by acid resistance, alkali resistance, and reciprocating abrasion tests, and the results shown in Table 1 were obtained.
第
表
次に蛍光X″!tlA!tlA装置中のAgの定量を行
なったところ35重量%であった。一方、第8図で示さ
れるAg膜99を透明誘電体膜98,100ではさんだ
従来技術からなる熱線遮へい板を、単板の状態にして第
1表に示すテストを実施したところ、被膜はほとんど消
失してしまった。以上の結果、本発明にかかる熱線遮へ
い膜はきわめて強い耐酸、耐アルカリ、耐摩耗性を有し
ていることが分る。Table 8 Next, the amount of Ag in the fluorescent When the test shown in Table 1 was carried out on the heat ray shielding plate made from the technology as a single plate, the film almost completely disappeared.As a result, the heat ray shielding film according to the present invention has extremely strong acid resistance, It can be seen that it has alkali resistance and wear resistance.
本発明によれば窒化ジルコニウム膜が適当な量のAgを
含有しているため、可視光&lil重過率く熱線遮へい
性能を有し、かつ被膜が直接外気にさらされる単板の状
態での使用に耐える性能を有する熱線遮へい板を得るこ
とができる。さらにAgを含有する窒化ジルコニウム膜
の被覆に先立ち、または後で透明誘電体膜を被覆するこ
とにより反射色調や透過色調が多様な熱線遮へい板が得
られる。According to the present invention, since the zirconium nitride film contains an appropriate amount of Ag, it has visible light & lil coverage ratio and heat ray shielding performance, and can be used in the state of a single plate where the film is directly exposed to the outside air. It is possible to obtain a heat ray shielding plate that has the ability to withstand. Furthermore, by coating with a transparent dielectric film before or after coating with the Ag-containing zirconium nitride film, a heat ray shielding plate with various reflected and transmitted colors can be obtained.
さらに、本発明の製造方法によれば、窒化ジルコニウム
膜中に含有されるAgを金属状態にすることができ、か
つAgの含有量を容易に調節することができるので、可
視光線透過率および熱線遮へい性能が異なる被膜をター
ゲット材料を変更することなくしたがって能率よく製造
することができる。Furthermore, according to the manufacturing method of the present invention, Ag contained in the zirconium nitride film can be made into a metallic state, and the content of Ag can be easily adjusted. Coatings with different shielding properties can therefore be produced efficiently without changing the target material.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によって得られた熱線遮へい板の1実施
例の断面図、第2図は本発明および従来技術によって得
られた熱線遮へい板の分光透過率曲線、第3図はAgを
含む窒化ジルコニウム膜の光学特性に及ぼす膜中のAg
含有量の効果を示す図、第4図および第5図は本発明を
実施するために使用した装置の概略断面図、第6図およ
び第7図は従来技術からなる熱線遮へい板の使用例の概
略断面図、第8図は従来技術からなる熱線遮へい板の膜
構成を示す図である。
11ニガラス基板、12:酸化錫膜、13:Agを含む
窒化ジルコニウム膜、14:酸化錫膜、21:本発明に
かかる熱線遮へい板の分光透過率曲線、22:従来技術
による熱線遮へい板の分光透過率曲線、41:真空槽、
42ニスバツタリングカソード、46:真空アーク蒸着
用カソード、43:Agターゲット、47:ジルコニウ
ムターゲット、44ニスバツタリング用電源、48:真
空アーク蒸着用電源、49ニドリガー、52ニガラス基
板、54:ガス導入管、61:真空槽、68゜69.7
6:スパッタリングカソード、7071.78ニスバツ
タリング用電源、75.83:ガス供給管、85:搬送
ベルト、86:ガラス基板、87,88,89.90:
ゲートバルブ、91:錫ターゲット、92:Agターゲ
ット、93:ジルコニウムターゲット、94:熱線遮へ
い膜、95:中間樹脂膜、96:空間、97:セパレー
ター、98.ioo:透明誘電体膜、99:Ag膜。
a11″″′−〜−
Ag含有量 (重量%)
可視光線透過率
日射透過率
第
図[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of a heat ray shielding plate obtained by the present invention, and FIG. 2 is a spectral transmittance curve of a heat ray shielding plate obtained by the present invention and the prior art. Figure 3 shows the effect of Ag in the film on the optical properties of a zirconium nitride film containing Ag.
Figures 4 and 5 are schematic sectional views of the apparatus used to carry out the present invention, and Figures 6 and 7 are diagrams showing the effect of the content, and Figures 6 and 7 are examples of the use of conventional heat shielding plates. A schematic cross-sectional view, FIG. 8, is a diagram showing the film structure of a heat ray shielding plate according to the prior art. 11: Glass substrate, 12: Tin oxide film, 13: Zirconium nitride film containing Ag, 14: Tin oxide film, 21: Spectral transmittance curve of heat ray shielding plate according to the present invention, 22: Spectral spectrum of heat ray shielding plate according to conventional technology Transmittance curve, 41: Vacuum chamber,
42 varnish buttering cathode, 46: vacuum arc evaporation cathode, 43: Ag target, 47: zirconium target, 44 varnish buttering power supply, 48: vacuum arc evaporation power supply, 49 Nidoriger, 52 Niglass substrate, 54: gas introduction tube, 61: Vacuum chamber, 68°69.7
6: Sputtering cathode, 7071.78 Varnish buttering power supply, 75.83: Gas supply pipe, 85: Conveyor belt, 86: Glass substrate, 87, 88, 89.90:
Gate valve, 91: Tin target, 92: Ag target, 93: Zirconium target, 94: Heat ray shielding film, 95: Intermediate resin film, 96: Space, 97: Separator, 98. ioo: transparent dielectric film, 99: Ag film. a11″″′-~- Ag content (wt%) Visible light transmittance solar transmittance chart
Claims (6)
る窒化ジルコニウム被膜が形成された熱線遮へい板。(1) A heat ray shielding plate in which a zirconium nitride film containing silver is formed on one surface of a transparent plate like glass.
%乃至50重量%である特許請求の範囲第1項記載の熱
線遮へい板。(2) The heat ray shielding plate according to claim 1, wherein the content of silver in the zirconium nitride coating is 5% to 50% by weight.
ニウム被膜と透明板との間の少くとも1つの側に、透明
誘電体膜が形成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載の熱線遮へい板。(3) A transparent dielectric film is formed on the zirconium nitride film and on at least one side between the zirconium nitride film and the transparent plate, or The heat ray shielding plate according to item 2.
とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか1つ
に記載された熱線遮へい板。(4) The heat ray shielding plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the visible light transmittance is 70% or more.
雰囲気ガスの調節が可能な真空槽内で、貴金属をターゲ
ットとするグロー放電と、金属をターゲットとするアー
ク放電とを同時に生じさせ、該貴金属のターゲットと該
金属のターゲットに対向しているガラスの如き透明板の
表面に、貴金属を含有する金属窒化物の被膜を形成する
熱線遮へい板の製造方法。(5) Glow discharge targeting precious metals and arc discharge targeting metals are simultaneously generated in a vacuum chamber where the atmospheric gas consisting of reduced pressure inert gas and nitrogen gas can be adjusted. A method for manufacturing a heat ray shielding plate, comprising forming a coating of a metal nitride containing a noble metal on the surface of a noble metal target and a transparent plate such as glass facing the metal target.
、70%以上の不活性ガスであることを特徴とする特許
請求の範囲第5項記載の製造方法。(6) The manufacturing method according to claim 5, wherein the composition of the atmospheric gas is 30% by volume or less of nitrogen gas and 70% or more of inert gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949888A JPH0248432A (en) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | Heat ray-shielding plate and production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949888A JPH0248432A (en) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | Heat ray-shielding plate and production thereof |
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|---|---|
| JPH0248432A true JPH0248432A (en) | 1990-02-19 |
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ID=16408824
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19949888A Pending JPH0248432A (en) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | Heat ray-shielding plate and production thereof |
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