JPH0248432A - 熱線遮へい板とその製造方法 - Google Patents
熱線遮へい板とその製造方法Info
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- JPH0248432A JPH0248432A JP19949888A JP19949888A JPH0248432A JP H0248432 A JPH0248432 A JP H0248432A JP 19949888 A JP19949888 A JP 19949888A JP 19949888 A JP19949888 A JP 19949888A JP H0248432 A JPH0248432 A JP H0248432A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は自動車や建築物の窓などに用いられる熱線遮へ
い板、特に高い可視光線透過率を有し、さらに単板の状
態で使用可能な耐久性を有する熱線遮へい板と、その製
造方法に関するものである。
い板、特に高い可視光線透過率を有し、さらに単板の状
態で使用可能な耐久性を有する熱線遮へい板と、その製
造方法に関するものである。
従来この種の熱線遮へい板としては、第6図および第7
図に示すものがあった。第6図に示したものは熱線遮へ
い膜94を付着したガラス基板11と、もう−枚のガラ
ス基板11とを中間樹脂膜95で接着した合せガラス9
6である。また第7図に示したものは熱線遮へい膜94
を付着したガラス基板11と、もう−枚のガラス基板1
1とを空間96を介してセパレータ97により結合した
複層ガラス98である。これらの合せガラス96および
複層ガラス98に用いられている熱線遮へい膜94.9
5は、第8図に示されるようにガラス基板11の上に順
次膜厚30〜40nmの透明誘電体膜98、膜厚7〜1
5nmのAg膜99、膜厚30〜40nmの透明誘電体
膜100の3層を積層してなるのが普通である。ここで
よく用いられる透明誘電体膜としては酸化亜鉛、酸化ス
ズおよび酸化ビスマスなどがある。これら従来の製品は
Ag膜99の持つ優れた光学特性、ずなわち高い可視光
線透過率と低い日射透過率を利用し、更にAg膜99の
上下に設けられた透明誘電体膜98,100がAg膜9
9とガラス基板11または空気あるいは中間樹脂膜95
との間の反射防止膜として働くことにより、可視光線透
過率をより向上させまた同時にこの透明誘電体膜がAg
膜の腐蝕をある程度防いでいた。また本発明と類似の発
明としては、特公昭62−369°79に記載されたも
のがあるが、それは窒化チタン膜中にAuを添加させた
ものである。
図に示すものがあった。第6図に示したものは熱線遮へ
い膜94を付着したガラス基板11と、もう−枚のガラ
ス基板11とを中間樹脂膜95で接着した合せガラス9
6である。また第7図に示したものは熱線遮へい膜94
を付着したガラス基板11と、もう−枚のガラス基板1
1とを空間96を介してセパレータ97により結合した
複層ガラス98である。これらの合せガラス96および
複層ガラス98に用いられている熱線遮へい膜94.9
5は、第8図に示されるようにガラス基板11の上に順
次膜厚30〜40nmの透明誘電体膜98、膜厚7〜1
5nmのAg膜99、膜厚30〜40nmの透明誘電体
膜100の3層を積層してなるのが普通である。ここで
よく用いられる透明誘電体膜としては酸化亜鉛、酸化ス
ズおよび酸化ビスマスなどがある。これら従来の製品は
Ag膜99の持つ優れた光学特性、ずなわち高い可視光
線透過率と低い日射透過率を利用し、更にAg膜99の
上下に設けられた透明誘電体膜98,100がAg膜9
9とガラス基板11または空気あるいは中間樹脂膜95
との間の反射防止膜として働くことにより、可視光線透
過率をより向上させまた同時にこの透明誘電体膜がAg
膜の腐蝕をある程度防いでいた。また本発明と類似の発
明としては、特公昭62−369°79に記載されたも
のがあるが、それは窒化チタン膜中にAuを添加させた
ものである。
またAgを含有する窒化ジルコニウム膜の製造法として
は、スパッタリング法が用いられ1ていた。
は、スパッタリング法が用いられ1ていた。
その場合Agを含有する窒化ジルコニウムをターゲット
とし、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガスでスパッタリ
ングする方法が通常実施されるが、そのような場合ター
ゲットの製造方法が極めて困難で一般的に容易に入手で
きず、また窒化ジルコニウム膜中のAgの含有量を変え
たい場合には、その都度ターゲットを作成する必要があ
るという不便さがあった。また、かかる非能率を回避す
るために八gとジルコニウムの2つのターゲソトヲ用い
て、同一の真空槽内の窒素を含む雰囲気ガス中において
Agとジルコニウムを同時にスパッタリングして、Ag
を含む窒化ジルコニウム膜を基体6ご被覆する方法があ
るが、この方法ではAgが窒化して膜中に窒化銀が混入
するという重大な欠点をイ]する。前述した欠点は一般
的に貴金属を含有する金属窒化物の被膜を従来技術で被
覆するときに住じやすい。
とし、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガスでスパッタリ
ングする方法が通常実施されるが、そのような場合ター
ゲットの製造方法が極めて困難で一般的に容易に入手で
きず、また窒化ジルコニウム膜中のAgの含有量を変え
たい場合には、その都度ターゲットを作成する必要があ
るという不便さがあった。また、かかる非能率を回避す
るために八gとジルコニウムの2つのターゲソトヲ用い
て、同一の真空槽内の窒素を含む雰囲気ガス中において
Agとジルコニウムを同時にスパッタリングして、Ag
を含む窒化ジルコニウム膜を基体6ご被覆する方法があ
るが、この方法ではAgが窒化して膜中に窒化銀が混入
するという重大な欠点をイ]する。前述した欠点は一般
的に貴金属を含有する金属窒化物の被膜を従来技術で被
覆するときに住じやすい。
しかしながら、上記した構成の熱線痙へい膜94は直接
外気にさらされるような単板の状態では、短期間のうち
に腐蝕してしま′うので合せガラス96や複層ガラス9
8のような状態で使用せざるを得ない。一方前記した窒
化チタン膜中にAuが添加されたものは、窒化チタン膜
およびAu膜とも可視光線の波長の範囲において、吸収
率が大きいため70%以上の可視光線透過率を維持しな
がら、日射透過率を効果的に遮−・いすることは難しい
という欠点を有する。
外気にさらされるような単板の状態では、短期間のうち
に腐蝕してしま′うので合せガラス96や複層ガラス9
8のような状態で使用せざるを得ない。一方前記した窒
化チタン膜中にAuが添加されたものは、窒化チタン膜
およびAu膜とも可視光線の波長の範囲において、吸収
率が大きいため70%以上の可視光線透過率を維持しな
がら、日射透過率を効果的に遮−・いすることは難しい
という欠点を有する。
高い可視光線透過率を有L7、太陽光下で自動車等の車
内で熱暑惑をおさえるためには、1」射透過率が55%
以下という特性を有し、かつ中板の状態で使用可能な熱
線遮へい板が強く:望まれている。
内で熱暑惑をおさえるためには、1」射透過率が55%
以下という特性を有し、かつ中板の状態で使用可能な熱
線遮へい板が強く:望まれている。
本発明は高い可視光線透過率、をj’i’ !、、−1
さらに熱線遮へい性能をあわせもつと同時に単板で使用
できる耐久性を()った熱線遮・−い板を提供するもの
である。さらに、貴金属を含有する金属窒化物の被膜の
製造方法において、従来技術が有していた不便さや非能
率の問題点を解決するとともに、6gの如き貴金属を窒
化させずに窒化ジルコニウムの如き金属窒化物の膜中に
貴金属の状態で確実に含有させることがCきる方法を提
供するものである。
さらに熱線遮へい性能をあわせもつと同時に単板で使用
できる耐久性を()った熱線遮・−い板を提供するもの
である。さらに、貴金属を含有する金属窒化物の被膜の
製造方法において、従来技術が有していた不便さや非能
率の問題点を解決するとともに、6gの如き貴金属を窒
化させずに窒化ジルコニウムの如き金属窒化物の膜中に
貴金属の状態で確実に含有させることがCきる方法を提
供するものである。
本発明者らは鋭意研究の結果、窒化ジルコニウム膜中に
適当量のAgを含有させることにより、窒化ジルコニウ
ム膜の有する優れた耐久性を損うことなく、可視光線透
過率が高く熱線遮−・、い効果を有する特性が得られる
ことを見い出した。すなわち窒化ジルコニウム膜に含有
されるAgの量を、膜厚が約12nmの場合において、
5重量%から50重量%まで増加させたとき、被膜の化
学的および物理的耐久性を損うことなく可視光線透過率
が向上しかつ日射透過率が低下するので、高い可視光線
透過率をもち熱線遮へい板として優れた特性になること
を見い出した。
適当量のAgを含有させることにより、窒化ジルコニウ
ム膜の有する優れた耐久性を損うことなく、可視光線透
過率が高く熱線遮−・、い効果を有する特性が得られる
ことを見い出した。すなわち窒化ジルコニウム膜に含有
されるAgの量を、膜厚が約12nmの場合において、
5重量%から50重量%まで増加させたとき、被膜の化
学的および物理的耐久性を損うことなく可視光線透過率
が向上しかつ日射透過率が低下するので、高い可視光線
透過率をもち熱線遮へい板として優れた特性になること
を見い出した。
窒化ジルコニウム膜に含有されるべきAg膜量は、5重
量%に満たないとAgの含有による光学特性の良化効果
が認められず、一方50重量%を越えると被膜の化学的
および物理的耐久性が低下するので、窒化ジルコニウム
膜に含有されるべきAgの量は5重量%以上50重量%
以下が好ましい。また基体上に直接Agを含有する窒化
ジルコニウム膜を形成しても良いが、基体上にまず適当
な厚みの透明誘電体膜を形成し、その後Agを含有する
窒化ジルコニウム膜を形成しても良い。またAgを含有
する窒化ジルコニウム膜の上に第3層として適当な厚み
の透明誘電体膜を被覆して、反射色調や透過色調を調整
することができる。この目的に用いら。
量%に満たないとAgの含有による光学特性の良化効果
が認められず、一方50重量%を越えると被膜の化学的
および物理的耐久性が低下するので、窒化ジルコニウム
膜に含有されるべきAgの量は5重量%以上50重量%
以下が好ましい。また基体上に直接Agを含有する窒化
ジルコニウム膜を形成しても良いが、基体上にまず適当
な厚みの透明誘電体膜を形成し、その後Agを含有する
窒化ジルコニウム膜を形成しても良い。またAgを含有
する窒化ジルコニウム膜の上に第3層として適当な厚み
の透明誘電体膜を被覆して、反射色調や透過色調を調整
することができる。この目的に用いら。
れる可視光の波長域で透明な膜としては酸化タンタル、
酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸
化インジウムや酸化錫をドープした酸化インジウム膜な
どの酸化物の膜のいずれか1つまたはそれらの混合物が
好んで用いられる。また波長が550nmでの屈折率が
1.6以上の透明な誘電体膜も適用できる。
酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸
化インジウムや酸化錫をドープした酸化インジウム膜な
どの酸化物の膜のいずれか1つまたはそれらの混合物が
好んで用いられる。また波長が550nmでの屈折率が
1.6以上の透明な誘電体膜も適用できる。
前記したAgを含む窒化ジルコニウム膜を基板に付着さ
せる方法として、同一真空槽内に2つの被膜形成用蒸発
源を設置し、その1つをスパッタリングカソードとし他
の1つを真空アーク蒸着用カソードとし、Agをアルゴ
ンの如き不活性ガスと窒素の混合ガスによるグロー放電
を生起させる方法によりAgのターゲットから被膜化す
ると同時に、窒化ジルコニウムをジルコニウムの真空ア
ーク蒸着用のジルコニウムターゲットから前記の雰囲気
ガスのアーク放電により被膜化することにより、実施す
る方法を見い出した。
せる方法として、同一真空槽内に2つの被膜形成用蒸発
源を設置し、その1つをスパッタリングカソードとし他
の1つを真空アーク蒸着用カソードとし、Agをアルゴ
ンの如き不活性ガスと窒素の混合ガスによるグロー放電
を生起させる方法によりAgのターゲットから被膜化す
ると同時に、窒化ジルコニウムをジルコニウムの真空ア
ーク蒸着用のジルコニウムターゲットから前記の雰囲気
ガスのアーク放電により被膜化することにより、実施す
る方法を見い出した。
すなわちスパッタリングによる金属被膜の形成と真空ア
ーク蒸着による金属窒化物の被膜の形成を同時に同一真
空槽で実施することは、これまで不可能と考えられてい
たが、スパッタリングによる被膜を形成するときのター
ゲットがAgのような貴金属である場合、真空アーク放
電で同時に形成される金属窒化物の膜の中に、貴金属を
窒化させることなく金属の状態で含有させることができ
る。
ーク蒸着による金属窒化物の被膜の形成を同時に同一真
空槽で実施することは、これまで不可能と考えられてい
たが、スパッタリングによる被膜を形成するときのター
ゲットがAgのような貴金属である場合、真空アーク放
電で同時に形成される金属窒化物の膜の中に、貴金属を
窒化させることなく金属の状態で含有させることができ
る。
真空アーク蒸着法においてはスパッタリング法に比較し
て、ターゲット材料に用いられる金属はその蒸発の過程
でイオン化する確率が高いため、反応性ガスと極めて化
合物膜を形成し易く、したがってジルコニウムが窒化ジ
ルコニウム膜になるのに必要とする雰囲気ガス中の窒素
ガスの割合は、スパックリング法に比較し7て極めて少
くてよいことを見い出した。すなわちスパッタリング法
においてはほぼ100体積%の窒素ガ・スが必要である
のに対し、真空アーク蒸着法では30体積%以下にでき
る。このように窒素ガスの混合割合が小さい雰囲気ガス
のもとでは、Agの如き一般に反応活性にとぼしい貴金
属は、スパッタリングによっても被膜は窒化物になるこ
とはなく、金属としての光学特性を被膜の状態で保持す
ることができる。
て、ターゲット材料に用いられる金属はその蒸発の過程
でイオン化する確率が高いため、反応性ガスと極めて化
合物膜を形成し易く、したがってジルコニウムが窒化ジ
ルコニウム膜になるのに必要とする雰囲気ガス中の窒素
ガスの割合は、スパックリング法に比較し7て極めて少
くてよいことを見い出した。すなわちスパッタリング法
においてはほぼ100体積%の窒素ガ・スが必要である
のに対し、真空アーク蒸着法では30体積%以下にでき
る。このように窒素ガスの混合割合が小さい雰囲気ガス
のもとでは、Agの如き一般に反応活性にとぼしい貴金
属は、スパッタリングによっても被膜は窒化物になるこ
とはなく、金属としての光学特性を被膜の状態で保持す
ることができる。
また、本発明によれば窒化ジルコニウム膜中のAgの含
有量は、スパッタリングターゲットもしくはアーク蒸着
用ターゲットのいずれかあるいは両者に印加する電力を
調整することにより、極めて容易に変化させることがで
き、被膜の光学的特性を能率よ(変えることができる。
有量は、スパッタリングターゲットもしくはアーク蒸着
用ターゲットのいずれかあるいは両者に印加する電力を
調整することにより、極めて容易に変化させることがで
き、被膜の光学的特性を能率よ(変えることができる。
Agを含む窒化ジルコニウム膜は第4図で示されるよう
な被膜を被覆すべき基板が固定して設置され、それに対
向してスパッタリング用カソードおよび真空アーク蒸着
用カソードが同じ真空槽内に設置されている場合はもち
ろんのこと、第5図に示されるようにスパッタリング用
カソードと、真空アーク蒸着用カソードが、これらのそ
れぞれに取付けられたターゲットの表面が平行であるよ
うに並べて設置され、それぞれのターゲットに対向する
空間を基板を通過させるときに被膜を被覆する装置にお
いて実施できる。このときは基板の移送速度を高速に移
送させ、1回のスパッタリング用カソードおよび真空ア
ーク蒸着用カソードの通過により被覆される被膜の厚み
を小さ(し、基板を繰返しカソードの上部を通過させる
ことにより、微視的には層状の構造を有する被膜となる
が、被膜の光学的特性、耐久性から第4図の装置で得ら
れる膜と同等の光学特性および耐久性を有する巨視的に
みてAgを含む窒化ジルコニウム膜である被膜が得られ
る。
な被膜を被覆すべき基板が固定して設置され、それに対
向してスパッタリング用カソードおよび真空アーク蒸着
用カソードが同じ真空槽内に設置されている場合はもち
ろんのこと、第5図に示されるようにスパッタリング用
カソードと、真空アーク蒸着用カソードが、これらのそ
れぞれに取付けられたターゲットの表面が平行であるよ
うに並べて設置され、それぞれのターゲットに対向する
空間を基板を通過させるときに被膜を被覆する装置にお
いて実施できる。このときは基板の移送速度を高速に移
送させ、1回のスパッタリング用カソードおよび真空ア
ーク蒸着用カソードの通過により被覆される被膜の厚み
を小さ(し、基板を繰返しカソードの上部を通過させる
ことにより、微視的には層状の構造を有する被膜となる
が、被膜の光学的特性、耐久性から第4図の装置で得ら
れる膜と同等の光学特性および耐久性を有する巨視的に
みてAgを含む窒化ジルコニウム膜である被膜が得られ
る。
本発明に係る貴金属を含有する金属窒化物の被膜を形成
することができるAg以外の貴金属とじては、Pt、
Rh、 Pdが適用でき、また金属窒化物としては窒化
チタニウム、窒化ハウニウムの如き周期律表で第4A族
の金属の窒化物が適用できる。また、貴金属を含む金属
窒化物の被膜としては前記した貴金属と金属窒化物の組
合せがもちろん適用できる。
することができるAg以外の貴金属とじては、Pt、
Rh、 Pdが適用でき、また金属窒化物としては窒化
チタニウム、窒化ハウニウムの如き周期律表で第4A族
の金属の窒化物が適用できる。また、貴金属を含む金属
窒化物の被膜としては前記した貴金属と金属窒化物の組
合せがもちろん適用できる。
[作用]
本発明によれば窒化ジルコニウム膜が適当な量のAgを
含有しているため、耐腐蝕性を損うことなく日射透過率
を効果的に低下させるように作用する。またAgを含有
する窒化ジルコニウムを被覆する前あるいは後に被覆す
る透明誘電体膜は、可視光線の反射率を低下させあるい
は可視光線透過率を高め、さらに反射色調や透過の色調
を光の干渉効果により変える作用を有する。
含有しているため、耐腐蝕性を損うことなく日射透過率
を効果的に低下させるように作用する。またAgを含有
する窒化ジルコニウムを被覆する前あるいは後に被覆す
る透明誘電体膜は、可視光線の反射率を低下させあるい
は可視光線透過率を高め、さらに反射色調や透過の色調
を光の干渉効果により変える作用を有する。
また真空装置内の窒素を含む雰囲気ガスにより真空アー
ク蒸着用ターゲットの表面に生起するアーク放電は、該
金属ターゲットの蒸発に際しその反応性により金属の窒
化作用を有し、−労咳雰囲気により同時にスパッタリン
グ用ターゲットの表面上に生起されるグロー放電は、ス
パッタリングターゲットに用いられる貴金属がスパッタ
され被膜が形成される過程で窒化作用をもたず、金属の
状態で基板に被膜を形成する作用をもつ。
ク蒸着用ターゲットの表面に生起するアーク放電は、該
金属ターゲットの蒸発に際しその反応性により金属の窒
化作用を有し、−労咳雰囲気により同時にスパッタリン
グ用ターゲットの表面上に生起されるグロー放電は、ス
パッタリングターゲットに用いられる貴金属がスパッタ
され被膜が形成される過程で窒化作用をもたず、金属の
状態で基板に被膜を形成する作用をもつ。
実施例1
以下本発明の実施例を添付図面に基いて説明する。第4
図は本発明を実現するために使用された装置の1例であ
り、真空槽41は真空排気ポンプ(図示しない)に接続
され、その内部を減圧された雰囲気ガスでガス導入管5
4のバルブ55により調節される。基板支持台53の上
に5鰭の厚みのガラス基板52をセットし、真空槽41
内を1O−3Paに真空排気後、ガス導入管54から窒
素ガス30体積%アルゴンガス70体積%の混合ガスを
導入し、0.5 Paの圧力に調節する。電気絶縁体5
6により真空槽41から電気的に隔離されたスパッタリ
ングカソード42の表面に設置されたAgのターゲット
43に、電a44からスイッチ45を閉にして0.5
Aの直流電流を印加した。同時に、真空槽41から絶縁
体56により電気的に隔離されている真空アーク蒸着用
カソード46の表面に設置されたジルコニウムのターゲ
ット47に、電源48からスイッチ51を閉にしてかつ
、スイッチ50を閉にして放電励起用トリガー電極49
によりアーク放電を発生させ、Agターゲット43およ
びジルコニウムターゲット47から同時にガラス基板5
2に被膜を3分間付着させた。スイッチ45,50.5
1を開にし、真空槽41を大気圧に戻し、被膜のついた
ガラスを取り出した。
図は本発明を実現するために使用された装置の1例であ
り、真空槽41は真空排気ポンプ(図示しない)に接続
され、その内部を減圧された雰囲気ガスでガス導入管5
4のバルブ55により調節される。基板支持台53の上
に5鰭の厚みのガラス基板52をセットし、真空槽41
内を1O−3Paに真空排気後、ガス導入管54から窒
素ガス30体積%アルゴンガス70体積%の混合ガスを
導入し、0.5 Paの圧力に調節する。電気絶縁体5
6により真空槽41から電気的に隔離されたスパッタリ
ングカソード42の表面に設置されたAgのターゲット
43に、電a44からスイッチ45を閉にして0.5
Aの直流電流を印加した。同時に、真空槽41から絶縁
体56により電気的に隔離されている真空アーク蒸着用
カソード46の表面に設置されたジルコニウムのターゲ
ット47に、電源48からスイッチ51を閉にしてかつ
、スイッチ50を閉にして放電励起用トリガー電極49
によりアーク放電を発生させ、Agターゲット43およ
びジルコニウムターゲット47から同時にガラス基板5
2に被膜を3分間付着させた。スイッチ45,50.5
1を開にし、真空槽41を大気圧に戻し、被膜のついた
ガラスを取り出した。
ガラス基板52上の被膜の厚さを触針針で測定して12
nmを得た。また蛍光X線分析装置を用いて膜中のAg
量を測定したところ35重量%であった。
nmを得た。また蛍光X線分析装置を用いて膜中のAg
量を測定したところ35重量%であった。
Agターゲット43およびジルコニウムターゲット47
に印加する電力を調節して、種々のAg量を含有する窒
化ジルコニウムの被膜を得た。いずれも膜厚は12nm
で、その可視光線透過率および日射透過率を測定して第
3図を得た。Agが5重量%から50重量%のすべての
範囲にわたって可視光線透過率が大きくなり、日射透過
率が低下するという高可視光線透過率の熱線遮へい板と
しての特性が向上する効果が認められた。
に印加する電力を調節して、種々のAg量を含有する窒
化ジルコニウムの被膜を得た。いずれも膜厚は12nm
で、その可視光線透過率および日射透過率を測定して第
3図を得た。Agが5重量%から50重量%のすべての
範囲にわたって可視光線透過率が大きくなり、日射透過
率が低下するという高可視光線透過率の熱線遮へい板と
しての特性が向上する効果が認められた。
次にAgを含有する窒化ジルコニウム膜と透明誘電体膜
の3層構成からなる熱線遮へい板の製造の実施例につい
て述べる。
の3層構成からなる熱線遮へい板の製造の実施例につい
て述べる。
実施例2
第5図は本発明を実現するために使用された装置の他の
1例であり、この装置は5室62,63゜64.65.
66からなる一体のアースされた真空槽61を基礎構造
とし、真空槽の第2の部屋63の底部には電気絶縁体6
7を介してスパッタリングカソード68.69が設置さ
れ、直流電源70.71がスイッチ72.73を介して
接続されている。また同じく底部を貫通してバルブ74
を備えたガス供給管75が設置されている。さらに真空
槽の第4の部屋65の底部には、電気絶縁体67を介し
てスパッタリングカソード76とアーク蒸着用カソード
77が設置され、直流電源78.79がスイッチ80.
81を介してそれぞれ接続されている。また同じく底部
を貫通してバルブ82を備えたガス供給管83が設置さ
れている。加えてアーク蒸着用カソード77にはアーク
放電を生起させるためのトリガー84がスイッチ85を
介して直流電源79に接続されている。真空槽の内部に
は搬送ベルト85が設置されており、5 mnの厚みの
ガラス基板86が搬送ベルトに乗って各カソード上を通
過する間に被膜が形成される。
1例であり、この装置は5室62,63゜64.65.
66からなる一体のアースされた真空槽61を基礎構造
とし、真空槽の第2の部屋63の底部には電気絶縁体6
7を介してスパッタリングカソード68.69が設置さ
れ、直流電源70.71がスイッチ72.73を介して
接続されている。また同じく底部を貫通してバルブ74
を備えたガス供給管75が設置されている。さらに真空
槽の第4の部屋65の底部には、電気絶縁体67を介し
てスパッタリングカソード76とアーク蒸着用カソード
77が設置され、直流電源78.79がスイッチ80.
81を介してそれぞれ接続されている。また同じく底部
を貫通してバルブ82を備えたガス供給管83が設置さ
れている。加えてアーク蒸着用カソード77にはアーク
放電を生起させるためのトリガー84がスイッチ85を
介して直流電源79に接続されている。真空槽の内部に
は搬送ベルト85が設置されており、5 mnの厚みの
ガラス基板86が搬送ベルトに乗って各カソード上を通
過する間に被膜が形成される。
形成すべき被膜の厚味は搬送ベルト85の移動速度とカ
ソードに印加する電力を調節することによって調節され
る。各室間の移動はゲートバルブ87.88,89.9
0を開閉することによって可能となるような機構が備え
られている。
ソードに印加する電力を調節することによって調節され
る。各室間の移動はゲートバルブ87.88,89.9
0を開閉することによって可能となるような機構が備え
られている。
以−ヒのような構成の真空成膜装置を用いて、本発明の
高い可視光線透過率を有する熱線遮へい板を製造する方
法を述べる。スパッタリングカソード68.69のト面
には錫91をスパッタリングターゲットとして取付けた
。またスパッタリングカソード76の上面にはAg92
をスパッタリングターゲットとして取付け、アーク蒸着
用カソードの上面にはジルコニウム93をアーク蒸着層
ターゲントとして取付けた。真空槽の第1の部屋62に
ガラス基板86をセットした。真空槽のそれぞれの部屋
を真空ポンプ(図示しない)により10弓Paまで減圧
した後、ゲートバルブ87.88は開に、ゲートバルブ
89は閉とした。次いでバルブ74を開にしてガス供給
管75より80容積%の酸素ガスを含むアルゴンガスを
供給し、真空槽の第2の部屋63の圧力が0.5Paに
なるようにバッフルバルブ(図示しない)を調節した。
高い可視光線透過率を有する熱線遮へい板を製造する方
法を述べる。スパッタリングカソード68.69のト面
には錫91をスパッタリングターゲットとして取付けた
。またスパッタリングカソード76の上面にはAg92
をスパッタリングターゲットとして取付け、アーク蒸着
用カソードの上面にはジルコニウム93をアーク蒸着層
ターゲントとして取付けた。真空槽の第1の部屋62に
ガラス基板86をセットした。真空槽のそれぞれの部屋
を真空ポンプ(図示しない)により10弓Paまで減圧
した後、ゲートバルブ87.88は開に、ゲートバルブ
89は閉とした。次いでバルブ74を開にしてガス供給
管75より80容積%の酸素ガスを含むアルゴンガスを
供給し、真空槽の第2の部屋63の圧力が0.5Paに
なるようにバッフルバルブ(図示しない)を調節した。
そしてスイッチ72.73をオンにし、て錫ターゲット
に400Vの電圧を印加し、2.5Aの電流を流してス
パッタリングを開始した。搬送ベルト85を200mm
/分の速度で走行し、カソード68゜69の上方を通過
させて第3の部屋64まで送った。そして搬送を終了し
スイッチ72.73をオフにしてスパッタリングを終了
し、バルブ74を閉とした。このようにしてガラス基板
上に酸化錫の膜を形成した。次にゲートバルブ88を閉
とし、ゲートバルブ89.90を開とした。そうして、
バルブ82を開けてガス供給管83より窒素ガス30体
積%を含むアルゴンガスを供給し、バッフルバルブ(図
示しない)を調節して圧力が0.5Paになるように調
節した。そしてスイッチ80をオンにしてカソード76
に0.8 Aの電流を流しスパッタリングを開始した。
に400Vの電圧を印加し、2.5Aの電流を流してス
パッタリングを開始した。搬送ベルト85を200mm
/分の速度で走行し、カソード68゜69の上方を通過
させて第3の部屋64まで送った。そして搬送を終了し
スイッチ72.73をオフにしてスパッタリングを終了
し、バルブ74を閉とした。このようにしてガラス基板
上に酸化錫の膜を形成した。次にゲートバルブ88を閉
とし、ゲートバルブ89.90を開とした。そうして、
バルブ82を開けてガス供給管83より窒素ガス30体
積%を含むアルゴンガスを供給し、バッフルバルブ(図
示しない)を調節して圧力が0.5Paになるように調
節した。そしてスイッチ80をオンにしてカソード76
に0.8 Aの電流を流しスパッタリングを開始した。
さらにスイッチ81をオンにしトリガー84のスイッチ
85をオンにして、カソード77に100Aの電滓を流
しアーク放電を生起させた。その後搬送ヘルド85を6
00018/分の速度で走行し、ガラス基板86をカソ
ード76および77の上方を5回通過させ真空槽の第5
の部屋66に送った。そうして搬送ベルトの走行を停止
し、カソード76.77のスイッチ80゜81をオフに
して放電を停止し、バルブ82を閉にした。このように
して酸化錫膜上にAgを含む窒化ジルコニウムの膜を形
成した。次に搬送ベルト85を走行しガラス基板86を
真空槽の第3の部屋64に送り、ゲートバルブ89を閉
め、ゲートバルブ87.88を開とした。そうして上述
したのと全く同じ条件で再び酸化錫の膜をAgを含む窒
化ジルコニウムの膜の上にスパッタリングにより成膜し
た。
85をオンにして、カソード77に100Aの電滓を流
しアーク放電を生起させた。その後搬送ヘルド85を6
00018/分の速度で走行し、ガラス基板86をカソ
ード76および77の上方を5回通過させ真空槽の第5
の部屋66に送った。そうして搬送ベルトの走行を停止
し、カソード76.77のスイッチ80゜81をオフに
して放電を停止し、バルブ82を閉にした。このように
して酸化錫膜上にAgを含む窒化ジルコニウムの膜を形
成した。次に搬送ベルト85を走行しガラス基板86を
真空槽の第3の部屋64に送り、ゲートバルブ89を閉
め、ゲートバルブ87.88を開とした。そうして上述
したのと全く同じ条件で再び酸化錫の膜をAgを含む窒
化ジルコニウムの膜の上にスパッタリングにより成膜し
た。
このような手順により第1図に示すようなガラス基板1
1」二に順次厚味が60nmの酸化錫膜12゜17nm
のAgを含む窒化ジルコニウム膜13と60nmの酸化
錫膜14を形成した。このようにして得られた熱線遮へ
い板の分光透過率を第2図に第5図で示される従来技術
による熱線遮へい板と比較して示した。可視光線透過率
は78.5%、日射透過率は50.3%でありAgを含
有させない場合に比べて、可視光線透過率は4.5%増
加し日射透過率は4.4%減少し、明らかに高い可視光
線透過率を有する熱線遮へい板として優れた光学特性を
示した。
1」二に順次厚味が60nmの酸化錫膜12゜17nm
のAgを含む窒化ジルコニウム膜13と60nmの酸化
錫膜14を形成した。このようにして得られた熱線遮へ
い板の分光透過率を第2図に第5図で示される従来技術
による熱線遮へい板と比較して示した。可視光線透過率
は78.5%、日射透過率は50.3%でありAgを含
有させない場合に比べて、可視光線透過率は4.5%増
加し日射透過率は4.4%減少し、明らかに高い可視光
線透過率を有する熱線遮へい板として優れた光学特性を
示した。
さらに耐酸性、耐アルカリ性、往復摩耗のテストにより
被膜の化学的、物理的耐久性を調べたところ第1表に示
すような結果を得た。
被膜の化学的、物理的耐久性を調べたところ第1表に示
すような結果を得た。
第
表
次に蛍光X″!tlA!tlA装置中のAgの定量を行
なったところ35重量%であった。一方、第8図で示さ
れるAg膜99を透明誘電体膜98,100ではさんだ
従来技術からなる熱線遮へい板を、単板の状態にして第
1表に示すテストを実施したところ、被膜はほとんど消
失してしまった。以上の結果、本発明にかかる熱線遮へ
い膜はきわめて強い耐酸、耐アルカリ、耐摩耗性を有し
ていることが分る。
なったところ35重量%であった。一方、第8図で示さ
れるAg膜99を透明誘電体膜98,100ではさんだ
従来技術からなる熱線遮へい板を、単板の状態にして第
1表に示すテストを実施したところ、被膜はほとんど消
失してしまった。以上の結果、本発明にかかる熱線遮へ
い膜はきわめて強い耐酸、耐アルカリ、耐摩耗性を有し
ていることが分る。
本発明によれば窒化ジルコニウム膜が適当な量のAgを
含有しているため、可視光&lil重過率く熱線遮へい
性能を有し、かつ被膜が直接外気にさらされる単板の状
態での使用に耐える性能を有する熱線遮へい板を得るこ
とができる。さらにAgを含有する窒化ジルコニウム膜
の被覆に先立ち、または後で透明誘電体膜を被覆するこ
とにより反射色調や透過色調が多様な熱線遮へい板が得
られる。
含有しているため、可視光&lil重過率く熱線遮へい
性能を有し、かつ被膜が直接外気にさらされる単板の状
態での使用に耐える性能を有する熱線遮へい板を得るこ
とができる。さらにAgを含有する窒化ジルコニウム膜
の被覆に先立ち、または後で透明誘電体膜を被覆するこ
とにより反射色調や透過色調が多様な熱線遮へい板が得
られる。
さらに、本発明の製造方法によれば、窒化ジルコニウム
膜中に含有されるAgを金属状態にすることができ、か
つAgの含有量を容易に調節することができるので、可
視光線透過率および熱線遮へい性能が異なる被膜をター
ゲット材料を変更することなくしたがって能率よく製造
することができる。
膜中に含有されるAgを金属状態にすることができ、か
つAgの含有量を容易に調節することができるので、可
視光線透過率および熱線遮へい性能が異なる被膜をター
ゲット材料を変更することなくしたがって能率よく製造
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によって得られた熱線遮へい板の1実施
例の断面図、第2図は本発明および従来技術によって得
られた熱線遮へい板の分光透過率曲線、第3図はAgを
含む窒化ジルコニウム膜の光学特性に及ぼす膜中のAg
含有量の効果を示す図、第4図および第5図は本発明を
実施するために使用した装置の概略断面図、第6図およ
び第7図は従来技術からなる熱線遮へい板の使用例の概
略断面図、第8図は従来技術からなる熱線遮へい板の膜
構成を示す図である。 11ニガラス基板、12:酸化錫膜、13:Agを含む
窒化ジルコニウム膜、14:酸化錫膜、21:本発明に
かかる熱線遮へい板の分光透過率曲線、22:従来技術
による熱線遮へい板の分光透過率曲線、41:真空槽、
42ニスバツタリングカソード、46:真空アーク蒸着
用カソード、43:Agターゲット、47:ジルコニウ
ムターゲット、44ニスバツタリング用電源、48:真
空アーク蒸着用電源、49ニドリガー、52ニガラス基
板、54:ガス導入管、61:真空槽、68゜69.7
6:スパッタリングカソード、7071.78ニスバツ
タリング用電源、75.83:ガス供給管、85:搬送
ベルト、86:ガラス基板、87,88,89.90:
ゲートバルブ、91:錫ターゲット、92:Agターゲ
ット、93:ジルコニウムターゲット、94:熱線遮へ
い膜、95:中間樹脂膜、96:空間、97:セパレー
ター、98.ioo:透明誘電体膜、99:Ag膜。 a11″″′−〜− Ag含有量 (重量%) 可視光線透過率 日射透過率 第 図
例の断面図、第2図は本発明および従来技術によって得
られた熱線遮へい板の分光透過率曲線、第3図はAgを
含む窒化ジルコニウム膜の光学特性に及ぼす膜中のAg
含有量の効果を示す図、第4図および第5図は本発明を
実施するために使用した装置の概略断面図、第6図およ
び第7図は従来技術からなる熱線遮へい板の使用例の概
略断面図、第8図は従来技術からなる熱線遮へい板の膜
構成を示す図である。 11ニガラス基板、12:酸化錫膜、13:Agを含む
窒化ジルコニウム膜、14:酸化錫膜、21:本発明に
かかる熱線遮へい板の分光透過率曲線、22:従来技術
による熱線遮へい板の分光透過率曲線、41:真空槽、
42ニスバツタリングカソード、46:真空アーク蒸着
用カソード、43:Agターゲット、47:ジルコニウ
ムターゲット、44ニスバツタリング用電源、48:真
空アーク蒸着用電源、49ニドリガー、52ニガラス基
板、54:ガス導入管、61:真空槽、68゜69.7
6:スパッタリングカソード、7071.78ニスバツ
タリング用電源、75.83:ガス供給管、85:搬送
ベルト、86:ガラス基板、87,88,89.90:
ゲートバルブ、91:錫ターゲット、92:Agターゲ
ット、93:ジルコニウムターゲット、94:熱線遮へ
い膜、95:中間樹脂膜、96:空間、97:セパレー
ター、98.ioo:透明誘電体膜、99:Ag膜。 a11″″′−〜− Ag含有量 (重量%) 可視光線透過率 日射透過率 第 図
Claims (6)
- (1)ガラスの如く透明板の一方の表面に、銀を含有す
る窒化ジルコニウム被膜が形成された熱線遮へい板。 - (2)該窒化ジルコニウム被膜中の銀の含有量が5重量
%乃至50重量%である特許請求の範囲第1項記載の熱
線遮へい板。 - (3)該窒化ジルコニウム被膜の上および該窒化ジルコ
ニウム被膜と透明板との間の少くとも1つの側に、透明
誘電体膜が形成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載の熱線遮へい板。 - (4)該可視光線透過率が70%以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか1つ
に記載された熱線遮へい板。 - (5)減圧された不活性ガスおよび窒素ガスとからなる
雰囲気ガスの調節が可能な真空槽内で、貴金属をターゲ
ットとするグロー放電と、金属をターゲットとするアー
ク放電とを同時に生じさせ、該貴金属のターゲットと該
金属のターゲットに対向しているガラスの如き透明板の
表面に、貴金属を含有する金属窒化物の被膜を形成する
熱線遮へい板の製造方法。 - (6)雰囲気ガスの組成が30体積%以下の窒素ガスと
、70%以上の不活性ガスであることを特徴とする特許
請求の範囲第5項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949888A JPH0248432A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 熱線遮へい板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949888A JPH0248432A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 熱線遮へい板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248432A true JPH0248432A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16408824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19949888A Pending JPH0248432A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 熱線遮へい板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248432A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009068110A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sandvik Intellectual Property Ab | 基材上に被膜を堆積させる方法および装置 |
| WO2023120047A1 (ja) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付き透明基板、調理器用トッププレート、加熱調理器用窓ガラス、及びカバーガラス |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931147A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 可視光透過性熱線しやへい膜およびその製造方法 |
| JPS6236979A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | フアクシミリ送信装置 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19949888A patent/JPH0248432A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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