JPH0249211A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0249211A JPH0249211A JP19788188A JP19788188A JPH0249211A JP H0249211 A JPH0249211 A JP H0249211A JP 19788188 A JP19788188 A JP 19788188A JP 19788188 A JP19788188 A JP 19788188A JP H0249211 A JPH0249211 A JP H0249211A
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- layer
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に、保護
層の成膜が好適に行われる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関する。
層の成膜が好適に行われる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関する。
〔従来技術］
薄膜磁気ヘッドは、フェライト或いはサファイア等の耐
摩耗性材料によって設けられる基板上に、センダスト、
アモルファス等により形成した複数の磁性層１、導電性
金属から成るコイル導体層及び絶縁層等を順次成膜及び
エツチングを繰返して所定の形状にパターニングし、最
後に記録媒体の走行による摩耗等から前記磁性層を保護
する目的で保護層を形成して設けられている。
摩耗性材料によって設けられる基板上に、センダスト、
アモルファス等により形成した複数の磁性層１、導電性
金属から成るコイル導体層及び絶縁層等を順次成膜及び
エツチングを繰返して所定の形状にパターニングし、最
後に記録媒体の走行による摩耗等から前記磁性層を保護
する目的で保護層を形成して設けられている。
前記保護層は窒化物或いは酸化物等により成膜され、下
層に形成される段差上に積層されると共に、テープ摺動
性、耐偏摩耗の点から所定厚、例えば２０〜４０μｍ程
度の厚みを有して設けられている。
層に形成される段差上に積層されると共に、テープ摺動
性、耐偏摩耗の点から所定厚、例えば２０〜４０μｍ程
度の厚みを有して設けられている。
処で、従来、この保護層は電子ビーム蒸着法或いはスパ
ッタ法等の方法により膜が堆積されている。
ッタ法等の方法により膜が堆積されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の成膜方法において、電子ビーム蒸
着法では段差部の良好なステップカバレージが得に（く
、しかも、膜組成（窒素或いは酸素含有率）が安定しな
いと云う欠点を有している。
着法では段差部の良好なステップカバレージが得に（く
、しかも、膜組成（窒素或いは酸素含有率）が安定しな
いと云う欠点を有している。
また、スパッタ法はステップカバレージは良いものの、
成膜速度が遅く薄膜磁気ヘッドの製造効率が悪いと云う
欠点を有している。
成膜速度が遅く薄膜磁気ヘッドの製造効率が悪いと云う
欠点を有している。
本発明の目的は、上記欠点を解消して、大きな段差部上
にステップカバレージの良い厚膜の保護層を効率良く形
成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
にステップカバレージの良い厚膜の保護層を効率良く形
成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
［課ユを解消するための手段］
すなわち、本発明の上記目的は、基板上に磁性層、コイ
ル導体層及び絶縁層を順次形成して所定形状にパターニ
ングし、保護層が前記磁性層上に積層される薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記保護層は基板を保持した
電極を負電位として少なくとも酸素又は窒素を含む雰囲
気中で発生されるグロー放電下で被窒化物又は被酸化物
が蒸着されて設けられることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
トの製造方法により達成される。
ル導体層及び絶縁層を順次形成して所定形状にパターニ
ングし、保護層が前記磁性層上に積層される薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記保護層は基板を保持した
電極を負電位として少なくとも酸素又は窒素を含む雰囲
気中で発生されるグロー放電下で被窒化物又は被酸化物
が蒸着されて設けられることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
トの製造方法により達成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に基づいて製作された薄膜磁気ヘッド
゛の構造を示す断面図であり、製造プロセスに従って説
明する。
゛の構造を示す断面図であり、製造プロセスに従って説
明する。
図において、フェライト基板１０上に下部磁性層１１、
非磁性絶縁層１２．コイル導体層１３．ギャップ層１４
．上部磁性層１５を公知の方法により形成する。
非磁性絶縁層１２．コイル導体層１３．ギャップ層１４
．上部磁性層１５を公知の方法により形成する。
次に、本発明の要部である保護層１６を上部磁性層１５
上に形成する。
上に形成する。
第２図は、前記保護層１６を形成するための装置の１実
施例である。
施例である。
反応容器１００内の上方には、一対の対向電極１０１、
１０２が配置されている。後述する蒸着材料１０６から
遠い位置の電極上には保護層を形成する直前の基板１０
が配置されると共に、この電極１０１はコンデンサＣを
介して高周波電源１０３と接続されている。他方の電極
１０２は容器１００を介して接地され、アース電位に設
けられると共に、板面に貫通した孔１０４を有している
。前記アース電極１０２の下方側で容器の底部近くには
るつぼ１０５に収容された蒸着材料１０６が配置されて
おり、該蒸着材料１０６は通電によって加熱するフイラ
メンｌ−１０７により蒸発される。
１０２が配置されている。後述する蒸着材料１０６から
遠い位置の電極上には保護層を形成する直前の基板１０
が配置されると共に、この電極１０１はコンデンサＣを
介して高周波電源１０３と接続されている。他方の電極
１０２は容器１００を介して接地され、アース電位に設
けられると共に、板面に貫通した孔１０４を有している
。前記アース電極１０２の下方側で容器の底部近くには
るつぼ１０５に収容された蒸着材料１０６が配置されて
おり、該蒸着材料１０６は通電によって加熱するフイラ
メンｌ−１０７により蒸発される。
なお、本発明における前記蒸着方法は、蒸着材料に電子
ビームを当て局所的に加熱を行う電子ビーム蒸着法又は
誘導加熱蒸着法であっても良い。
ビームを当て局所的に加熱を行う電子ビーム蒸着法又は
誘導加熱蒸着法であっても良い。
前記容器１００は放電ガスが導入されるガス供給孔１０
８と、容器内を真空に排気するための排気孔１０９を設
けている。
８と、容器内を真空に排気するための排気孔１０９を設
けている。
次に、この装置を用い、放電ガスとして、不活性なへ！
ガスに活性な窒素を混ぜた混合ガスが導入され、かつ蒸
着材料としてＡｆが適用されて被窒化物の保護層が形成
される場合について説明する。
ガスに活性な窒素を混ぜた混合ガスが導入され、かつ蒸
着材料としてＡｆが適用されて被窒化物の保護層が形成
される場合について説明する。
前述のように構成された装置の基板側電極１０１に高周
波バイアスが印加されると、電極間にグロー放電が発生
し、かつ基板側電極１０１にアース電極１０２よりも低
い負のバイアス電位が誘起される。
波バイアスが印加されると、電極間にグロー放電が発生
し、かつ基板側電極１０１にアース電極１０２よりも低
い負のバイアス電位が誘起される。
これによって窒素イオンＮ＋が基板側に加速されて基板
表面を窒化する。同時に蒸着材料のＡｌ１は加熱されて
蒸発し、アルミ原子がアース電極１０２の孔１０４を通
過して基板面に堆積される。これにより基板の磁性膜上
に窒化アルミ膜が成膜される。
表面を窒化する。同時に蒸着材料のＡｌ１は加熱されて
蒸発し、アルミ原子がアース電極１０２の孔１０４を通
過して基板面に堆積される。これにより基板の磁性膜上
に窒化アルミ膜が成膜される。
なお、改質をよくするために、従来と同様に反応前の容
器内は高真空に排気される。
器内は高真空に排気される。
基板側電極１０１に負のバイアス電位を加え、アース電
極１０２よりも低く設定することで、基板に堆積した膜
が一部スバッタエツチングされなから成膜が進行する。
極１０２よりも低く設定することで、基板に堆積した膜
が一部スバッタエツチングされなから成膜が進行する。
これによりステップカバレージが良くなる。
本方法によって形成された窒化アルミニウムは堆積速度
がスパッタ法と比べて１００倍程度（３μｍ／分）得ら
れ、またステップカバレージは電子ビーム蒸着と比べて
著しい改善が得られた。
がスパッタ法と比べて１００倍程度（３μｍ／分）得ら
れ、またステップカバレージは電子ビーム蒸着と比べて
著しい改善が得られた。
第３図は前記保護層を形成する装置の他の実施例である
。
。
この装置は、複数枚の基板が載置できる構造から成って
いる。
いる。
蒸着を行う部分については、先の第２図の装置と同一構
成であり、従って、この部分については同一符号を付し
て説明を省略する。
成であり、従って、この部分については同一符号を付し
て説明を省略する。
第３図において、基板側電極１０１は、基板面に堆積さ
れる膜が均質に設けられるために回転されている。
れる膜が均質に設けられるために回転されている。
Ａ２に酸素を混ぜた混合ガスを供給すると共に、蒸着材
料１０６としてるつぼ１０５内に収容されたＳｉＯは電
子銃２０１により電子ビームが照射されて蒸発される。
料１０６としてるつぼ１０５内に収容されたＳｉＯは電
子銃２０１により電子ビームが照射されて蒸発される。
このようなマグネトロンスパッタ法を併用することによ
り、速い堆積速度で成膜でき、かつ残留不純物の影響の
少ない高品質の膜が得られる。
り、速い堆積速度で成膜でき、かつ残留不純物の影響の
少ない高品質の膜が得られる。
本方法によって、スパッタ法の５０倍以上の堆積速度（
１μｍ／分）でスパッタ法と同等のステップカバレージ
をもったＳｉＯ□膜が得られた。
１μｍ／分）でスパッタ法と同等のステップカバレージ
をもったＳｉＯ□膜が得られた。
以上記載したとおり、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、均質でかつステップカバレージの良い厚膜
の保護層が効率良く設けられる。
法によれば、均質でかつステップカバレージの良い厚膜
の保護層が効率良く設けられる。
第１図は、本発明に基づいて製作された薄膜磁気ヘッド
の断面構造図、第２図はその保護層を形成するための１
実施例による装置構成図、第３図は他の実施例により保
護層を形成するための装置構成図である。 １０：基板、１１：下部磁性層。 １２．１４：非磁性絶縁層。 １５：上部磁性層、１６：保護層。 １００７反応容器、 １０１：基板側電極。 １０２：アース電極、１０３：高周波電源。 １０５：るつぼ、 １０６：蒸着材料。 １０７：フイラメンｌ−，２０１：電子銃筒 １ 図 第 ３ 図 第 ２ 図
の断面構造図、第２図はその保護層を形成するための１
実施例による装置構成図、第３図は他の実施例により保
護層を形成するための装置構成図である。 １０：基板、１１：下部磁性層。 １２．１４：非磁性絶縁層。 １５：上部磁性層、１６：保護層。 １００７反応容器、 １０１：基板側電極。 １０２：アース電極、１０３：高周波電源。 １０５：るつぼ、 １０６：蒸着材料。 １０７：フイラメンｌ−，２０１：電子銃筒 １ 図 第 ３ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に磁性層、コイル導体層及び絶縁層を順次形
成して所定形状にパターニングし、保護層が前記磁性層
上に積層される薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前
記保護層は基板を保持した電極を負電位として少なくと
も酸素又は窒素を含む雰囲気中で発生されるグロー放電
下で被窒化物又は被酸化物が蒸着されて設けられること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２）基板側電極が高周波電源と接続され、他方電極が接
地されている第１項記載の製造方法。 ３）蒸着材料が抵抗加熱法又は電子ビーム加熱によって
蒸発される第１項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19788188A JPH0249211A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19788188A JPH0249211A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249211A true JPH0249211A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16381859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19788188A Pending JPH0249211A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249211A (ja) |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP19788188A patent/JPH0249211A/ja active Pending
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