JPH0249237B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、レーザ光、電子線等のエネルギービ
ームにより画像、音声信号あるいは電子計算機等
の情報を直接実時間で記録することの出来る情報
記録用部材に関する。 近年、レージ光等のエネルギービームにより各
種情報の書込み、読み出しを行なう方法が注目を
集めている。これは高い記録密度で情報の蓄積が
可能であり、また情報の書込み、読み出しが非接
触、即ち書き込み、読み出しの過程で情報記録用
部材を破壊することなく、且つ高密度で行なえる
等幾つかの利点があるためである。 この種の情報記録方式に関しては、例えば
IEEE Spectrum AUGUST1978に提示された
「Optical disk systems emerge」他に詳細に記
載されているが、第１図に基づき簡単に原理を説
明する。第１図中、１１は回転基板である。基板
１１上には情報記録膜１２が形成されている。こ
の情報記録用部材に光学レンズ２を所定の距離迄
接近させた後、レーザ光発生装置３より記録すべ
き情報に対応したパルス状レーザ光を照射する。
この様な操作を行なうと、上記情報記録膜のうち
レーザ光を照射された部分は、レーザ光により加
熱された熔解若しくは蒸発し、孔部若しくは凹部
が形成される。即ち情報が記録されたことにな
る。次に、レーザ光発生装置３より低出力のレー
ザ光をレンズ２を介して照射し、例えばその反射
光をハーフミラー４を介し、光検出器５で受ける
と、孔部若しくは凹部が形成されている部分は、
レーザ光の照射を受けなかつた部分に比べ、光の
反射率が変化しているため、反射光の強度変化と
して孔部若しくは凹部の有無、位置等が検出可能
であり、これにより情報が読取られることにな
る。 ところで上記情報記録膜に必要とされる特性は
色々のものがあるが、重要度の高いものとして以
下の２点が挙げられる。第１は耐蝕性の高いこと
であり、第２は低出力レーザビームで書き込みの
可能なこと、即ち記録感度の高いことである。情
報記録用部材は数年から数10年の長期間に渡る、
記録情報の読み出し、誤り情報の訂正、新規情報
の書き込みに耐えることが要求される。従つて、
部材に使用される記録膜は長期間に渡り、大気中
の水分や酸素に対して安定なものでなければなら
ない。そこでこの目的にはAu，Ag，Ph，Pt等
の貴金属が適している。公知例としては米国特許
3474457号があり、Phが記録膜として使用されて
いる。しかし、これら貴金属を記録膜とした情報
記録用部材の欠点は書込みに大出力のレーザを必
要とすることである。上記米国特許でも書き込み
には出力1Wのアルゴンレーザを用いている。こ
れは、これら貴金属の融点、沸点が高いと言う熱
的性質及び光の反射率が高く、吸収率が低いた
め、照射した光のエネルギーの極く一部しか加熱
に供せられないと言う光学的性質に起因してい
る。大出力のレーザが必要と言うことは、本情報
記録用部材を用いる情報処理装置が大形かつ高価
になることであり、本情報処理装置を広く普及す
る上での障害となる。 一方記録感度の高い記録膜としてはTe，Bi等
の半金属が知られている。記録感度の値は例えば
Teを記録膜とした場合、数ｍＷのレーザ出力で
数100ｍsec程度照射しただけで書込みが可能であ
る。数ｍＷ程度の出力レベルは、現在実用化しつ
つある半導体レーザから引出せるレベルの値であ
る。半導体レーザを用いることの利点は、先に挙
げたガスレーザと異なり、極めて小形高効率であ
り、更に直接変調が可能で、その結果本情報記録
用部材を用いる情報処理装置を著しく小形化、軽
量化出来、実用上の利点が著しく増加することで
ある。これら半金属の特徴は、貴金属の場合とは
逆に、低融点、低沸点であること、即ち記録温度
が低いと言う熱的性質及び光の吸収率が30〜40％
と高く、先のエネルギーが効率良く熱エネルギー
に変換されると言う光学的性質に起因している。
しかし、その半面これらの半金属は先の貴金属と
異なり、大気中の水分、酸素と反応して、比較的
容易に劣化すると言う欠点がある。また、この劣
化は、通常高い記録感度を維持するため記録膜の
厚さを数100Å程度と著しく薄くすることからよ
り促進される。従つてこれらの半金属を記録膜と
した情報記録用部材は実用化されるに到つていな
い。Te、Bi等半金属記録膜を用いた情報記録用
部材の耐蝕性を向上させる手段として、例えば記
録膜上に有機物からなる保護層を設ける方法が知
られている。しかし、有機物は無機物に比べ透水
性、通気性が大であり、耐蝕性を向上させる効果
は認められるものの、保護手段として不完全なも
のである。 本発明の目的は、かかる従来の情報記録用部材
の欠点を除去し、実用上充分な長期間の使用に耐
えられ、且つ、半導体レーザで供しうる程度の低
出力のレーザビームで書き込み可能な情報記録用
部材を提供することにある。 本発明の情報記録用部材の情報記録膜は２種類
の薄膜より構成される。第１の薄膜はエネルギー
ビームの照射により400℃以下の温度で揮発性の
成分を遊離する薄膜であり、第２の薄膜は耐蝕性
金属からなる薄膜であり、第１と第２の薄膜はこ
の順に基板上に積層形成される。 本発明によれば、第２の薄膜によつて大気中の
水分や酸素に対する安定性が確保される。またエ
ネルギービームを照射したとき第１の薄膜が比較
的低温で揮発性成分を遊離し、この成分は第２の
薄膜に孔を形成して放出される結果、書き込みに
要するエネルギービームの低出力化が図られる。 第２図は本発明の情報記録用部材の基本構成で
ある。第２図中２１は基板、２２は400℃以下の
温度で揮発性の成分を遊離する第１の薄膜、２３
は耐食性金属からなる第２の薄膜である。第１の
薄膜としては、窒素との結合が弱い金属窒化物な
いし酸窒化物が適しており、このような化合物は
Te−Ｎ，Te−Ｏ−Ｎ，Ag−Ｎ，Ag−Ｏ−Ｎ，
Au−Ｎ，Au−Ｏ−Ｎ系から得られる。これらの
系から得られる化合物はいずれも100〜400℃の間
の温度においてN2ガスを遊離するが、特にTe−
Ｎ系、Te−Ｏ−Ｎ系から得られる薄膜が好適で
ある。これらの化合物は、いずれも窒素プラズマ
による当該金属のスパツタリングにて作製するこ
とが出来る。第２の薄膜としては沸点が2000℃以
上の金属、即ちAu，Ag，Pt，Pd，Ph，Ir，等
の貴金属やCu，Nb，Ta，Ti，Os，Zr，Hf等の
遷移金属、Alが適しており、特に好適なものは
Au，Agである。 このような情報記録部材において、第２の薄膜
２３側よりレーザビームを照射した場合、照射光
の一部は反射され、一部は吸収されて熱に変換さ
れ、記録膜を加熱する。その結果、第１の薄膜２
２よりN2ガスが遊離し、このN2ガスは第２の薄
膜２３が蒸発融解しないような低温度においても
第２の薄膜２３に孔部を形成して放出される。つ
まり耐蝕性が良好であると言う長所はあるもの
の、書き込みに過大なエネルギーを要するとして
実用化が困難であつた貴金属や遷移金属膜を用い
て半導体レーザから引出せる程度の数ｍＷの出力
で記録することが出来る。 第３図は本発明の情報記録用部材の別の構成例
である。第３図中３１1，３１2は透明基板、３２
１，３２2は400℃以下の温度において揮発生の成
分を遊離する第１の薄膜、３３1，３３2は沸点
2000℃以上の金属からなる第２の薄膜である。３
４は記録膜の形成された２枚の基板を所定間隔を
おいて接着一体化するスペーサである。第１、第
２の薄膜は第２図に示した情報記録用部材と同様
のものが使用出来る。この情報記録用部材に基板
側よりレーザビームを照射した場合、第２図に示
した情報記録用部材と同様、第１の薄膜３２1ま
たは３２2より遊離したN2ガスは第２の薄膜３３
１または３３2が蒸発、融解しないような低温度に
おいても第２の薄膜３３1または３３2に孔部を形
成して放出される。この情報記録用部材の長所
は、記録膜が大気中のホコリや操作中に生じ得る
キズに対して保護されていること、および両面記
録が可能なことである。 第２図、第３図に示した情報記録用部材の場
合、沸点が2000℃以上と極めて高く、且つ耐蝕性
の良い貴金属、遷移金属にも数ｍＷのレーザ出力
で記録出来るのは第１の薄膜の存在によるもの
で、これら耐蝕性の良い金属膜単体では膜厚を
100Å以下に薄くしても数ｍＷのレーザ出力で記
録することは出来ない。これは膜厚を薄くした場
合、照射したレーザビームは大部分が透過してし
まい、吸収される割合が著しく少なく、結果とし
て記録膜が殆ど加熱されなくなつてしまうことに
よる。また、第１の薄膜に融点、沸点が低く記録
感度の高いTe，Bi等の半金属を使用し、さらに
貴金属や遷移金属からなる耐蝕性の良い第２の記
録膜を積層した場合、Te，Bi等の半金属膜は加
熱に伴なつて遊離する成分がなく、半金属膜自体
の沸点ないし融点迄加熱されない限り記録出来な
い。従つて第１の薄膜として、比較的低温で揮発
性成分を遊離するものを用いることが不可欠であ
る。 第１の薄膜から遊離成分の遊離する温度を400
℃以下に限定した理由は、400℃より遊離温度が
高い場合、前述したような沸点2000℃以上の第２
の薄膜に対して数ｍＷのレーザ出力で記録出来な
いことである。次に第１と第２の薄膜の膜厚につ
いて説明すると、第２の薄膜の膜厚は300Å以下
が望ましい。これは300Åよりも厚い場合照射さ
れたレーザビームの大部分は第２の薄膜表面で反
射されるか、第２の薄膜自体に吸収され、第１の
薄膜迄透過せず、従つて、第２の薄膜が加熱され
ず、半導体レーザから供し得る程度の低出力のレ
ーザビームでは記録出来ないためである。しかし
余りに薄い場合には、第２の薄膜の形成目的であ
る耐蝕性の向上が期待出来ない。以上から、第２
の薄膜の膜厚として最適な範囲は50〜200Åの間
であつた。第１の薄膜の膜厚は300Å以上が望ま
しい。これは第１の薄膜は第２の薄膜と異なり、
照射されたレーザビームを吸収することのみを目
的として形成されていることによる。即ち、第１
の薄膜が300Åより薄い場合、第２の薄膜を透過
して照射されたレーザビームが第１の薄膜におい
ても充分吸収されず、更に第１の薄膜をも透過し
てしまい、第１の薄膜の形成目的である遊離成分
の効率良い遊離が期待出来なくなつてしまう。 以下具体的な実施例について説明する。 実施例 １ 真空容器の圧力を10-7Torrに排気後、H2Oガ
スを10-5Torrになるよう導入した。次いで、N2
ガスを５×10-3Torrになるよう導入し、電極間
に高周波電界を印加し、プラズマを発生してTe
のターゲツトをスパツタし、アクリル基板上に
Te40O56N4なる組成の第１の薄膜を形成した。第
１の薄膜の膜厚は4000Åである。次に、再度真空
容器を10-7Torrに排気後、Arガスを10-4Torrに
なるよう導入し、電極間に高周波電界を印加し、
プラズマを発生させAuターゲツトをスパツタし、
第１の薄膜上に第２の薄膜を形成した。膜厚は
100Åである。 次に比較例としてアルゴンプラズマにてスパツ
タしたTe膜を記録膜とする情報記録用部材を製
作した。これらの情報記録用部材を以下の方法で
評価した。 先ずこれらの情報記録用部材に同一記録情報に
対応させパルス変調したレーザビームを照射し、
記録を行なつた。レーザは半導体レーザで（波長
830nｍ）、ビーム径は約1μｍφである。記録用レ
ーザビームの出力は１〜10ｍＷとなるよう変化さ
せた。読出しは0.5ｍＷのレーザビームで行ない、
反射光の強度変化として行なつた。上記記録読出
し過程から以下の方法で記録感度を求めた。反射
光の強度をImax、孔部からの反射光強度をImin
とし、変調度Ｍを下式で定義した。 Ｍ＝Imax−Imin／Imax＋Imin 記録用レーザビーム出力と変調度Ｍとの関係は
第１表のようであつた。
ームにより画像、音声信号あるいは電子計算機等
の情報を直接実時間で記録することの出来る情報
記録用部材に関する。 近年、レージ光等のエネルギービームにより各
種情報の書込み、読み出しを行なう方法が注目を
集めている。これは高い記録密度で情報の蓄積が
可能であり、また情報の書込み、読み出しが非接
触、即ち書き込み、読み出しの過程で情報記録用
部材を破壊することなく、且つ高密度で行なえる
等幾つかの利点があるためである。 この種の情報記録方式に関しては、例えば
IEEE Spectrum AUGUST1978に提示された
「Optical disk systems emerge」他に詳細に記
載されているが、第１図に基づき簡単に原理を説
明する。第１図中、１１は回転基板である。基板
１１上には情報記録膜１２が形成されている。こ
の情報記録用部材に光学レンズ２を所定の距離迄
接近させた後、レーザ光発生装置３より記録すべ
き情報に対応したパルス状レーザ光を照射する。
この様な操作を行なうと、上記情報記録膜のうち
レーザ光を照射された部分は、レーザ光により加
熱された熔解若しくは蒸発し、孔部若しくは凹部
が形成される。即ち情報が記録されたことにな
る。次に、レーザ光発生装置３より低出力のレー
ザ光をレンズ２を介して照射し、例えばその反射
光をハーフミラー４を介し、光検出器５で受ける
と、孔部若しくは凹部が形成されている部分は、
レーザ光の照射を受けなかつた部分に比べ、光の
反射率が変化しているため、反射光の強度変化と
して孔部若しくは凹部の有無、位置等が検出可能
であり、これにより情報が読取られることにな
る。 ところで上記情報記録膜に必要とされる特性は
色々のものがあるが、重要度の高いものとして以
下の２点が挙げられる。第１は耐蝕性の高いこと
であり、第２は低出力レーザビームで書き込みの
可能なこと、即ち記録感度の高いことである。情
報記録用部材は数年から数10年の長期間に渡る、
記録情報の読み出し、誤り情報の訂正、新規情報
の書き込みに耐えることが要求される。従つて、
部材に使用される記録膜は長期間に渡り、大気中
の水分や酸素に対して安定なものでなければなら
ない。そこでこの目的にはAu，Ag，Ph，Pt等
の貴金属が適している。公知例としては米国特許
3474457号があり、Phが記録膜として使用されて
いる。しかし、これら貴金属を記録膜とした情報
記録用部材の欠点は書込みに大出力のレーザを必
要とすることである。上記米国特許でも書き込み
には出力1Wのアルゴンレーザを用いている。こ
れは、これら貴金属の融点、沸点が高いと言う熱
的性質及び光の反射率が高く、吸収率が低いた
め、照射した光のエネルギーの極く一部しか加熱
に供せられないと言う光学的性質に起因してい
る。大出力のレーザが必要と言うことは、本情報
記録用部材を用いる情報処理装置が大形かつ高価
になることであり、本情報処理装置を広く普及す
る上での障害となる。 一方記録感度の高い記録膜としてはTe，Bi等
の半金属が知られている。記録感度の値は例えば
Teを記録膜とした場合、数ｍＷのレーザ出力で
数100ｍsec程度照射しただけで書込みが可能であ
る。数ｍＷ程度の出力レベルは、現在実用化しつ
つある半導体レーザから引出せるレベルの値であ
る。半導体レーザを用いることの利点は、先に挙
げたガスレーザと異なり、極めて小形高効率であ
り、更に直接変調が可能で、その結果本情報記録
用部材を用いる情報処理装置を著しく小形化、軽
量化出来、実用上の利点が著しく増加することで
ある。これら半金属の特徴は、貴金属の場合とは
逆に、低融点、低沸点であること、即ち記録温度
が低いと言う熱的性質及び光の吸収率が30〜40％
と高く、先のエネルギーが効率良く熱エネルギー
に変換されると言う光学的性質に起因している。
しかし、その半面これらの半金属は先の貴金属と
異なり、大気中の水分、酸素と反応して、比較的
容易に劣化すると言う欠点がある。また、この劣
化は、通常高い記録感度を維持するため記録膜の
厚さを数100Å程度と著しく薄くすることからよ
り促進される。従つてこれらの半金属を記録膜と
した情報記録用部材は実用化されるに到つていな
い。Te、Bi等半金属記録膜を用いた情報記録用
部材の耐蝕性を向上させる手段として、例えば記
録膜上に有機物からなる保護層を設ける方法が知
られている。しかし、有機物は無機物に比べ透水
性、通気性が大であり、耐蝕性を向上させる効果
は認められるものの、保護手段として不完全なも
のである。 本発明の目的は、かかる従来の情報記録用部材
の欠点を除去し、実用上充分な長期間の使用に耐
えられ、且つ、半導体レーザで供しうる程度の低
出力のレーザビームで書き込み可能な情報記録用
部材を提供することにある。 本発明の情報記録用部材の情報記録膜は２種類
の薄膜より構成される。第１の薄膜はエネルギー
ビームの照射により400℃以下の温度で揮発性の
成分を遊離する薄膜であり、第２の薄膜は耐蝕性
金属からなる薄膜であり、第１と第２の薄膜はこ
の順に基板上に積層形成される。 本発明によれば、第２の薄膜によつて大気中の
水分や酸素に対する安定性が確保される。またエ
ネルギービームを照射したとき第１の薄膜が比較
的低温で揮発性成分を遊離し、この成分は第２の
薄膜に孔を形成して放出される結果、書き込みに
要するエネルギービームの低出力化が図られる。 第２図は本発明の情報記録用部材の基本構成で
ある。第２図中２１は基板、２２は400℃以下の
温度で揮発性の成分を遊離する第１の薄膜、２３
は耐食性金属からなる第２の薄膜である。第１の
薄膜としては、窒素との結合が弱い金属窒化物な
いし酸窒化物が適しており、このような化合物は
Te−Ｎ，Te−Ｏ−Ｎ，Ag−Ｎ，Ag−Ｏ−Ｎ，
Au−Ｎ，Au−Ｏ−Ｎ系から得られる。これらの
系から得られる化合物はいずれも100〜400℃の間
の温度においてN2ガスを遊離するが、特にTe−
Ｎ系、Te−Ｏ−Ｎ系から得られる薄膜が好適で
ある。これらの化合物は、いずれも窒素プラズマ
による当該金属のスパツタリングにて作製するこ
とが出来る。第２の薄膜としては沸点が2000℃以
上の金属、即ちAu，Ag，Pt，Pd，Ph，Ir，等
の貴金属やCu，Nb，Ta，Ti，Os，Zr，Hf等の
遷移金属、Alが適しており、特に好適なものは
Au，Agである。 このような情報記録部材において、第２の薄膜
２３側よりレーザビームを照射した場合、照射光
の一部は反射され、一部は吸収されて熱に変換さ
れ、記録膜を加熱する。その結果、第１の薄膜２
２よりN2ガスが遊離し、このN2ガスは第２の薄
膜２３が蒸発融解しないような低温度においても
第２の薄膜２３に孔部を形成して放出される。つ
まり耐蝕性が良好であると言う長所はあるもの
の、書き込みに過大なエネルギーを要するとして
実用化が困難であつた貴金属や遷移金属膜を用い
て半導体レーザから引出せる程度の数ｍＷの出力
で記録することが出来る。 第３図は本発明の情報記録用部材の別の構成例
である。第３図中３１1，３１2は透明基板、３２
１，３２2は400℃以下の温度において揮発生の成
分を遊離する第１の薄膜、３３1，３３2は沸点
2000℃以上の金属からなる第２の薄膜である。３
４は記録膜の形成された２枚の基板を所定間隔を
おいて接着一体化するスペーサである。第１、第
２の薄膜は第２図に示した情報記録用部材と同様
のものが使用出来る。この情報記録用部材に基板
側よりレーザビームを照射した場合、第２図に示
した情報記録用部材と同様、第１の薄膜３２1ま
たは３２2より遊離したN2ガスは第２の薄膜３３
１または３３2が蒸発、融解しないような低温度に
おいても第２の薄膜３３1または３３2に孔部を形
成して放出される。この情報記録用部材の長所
は、記録膜が大気中のホコリや操作中に生じ得る
キズに対して保護されていること、および両面記
録が可能なことである。 第２図、第３図に示した情報記録用部材の場
合、沸点が2000℃以上と極めて高く、且つ耐蝕性
の良い貴金属、遷移金属にも数ｍＷのレーザ出力
で記録出来るのは第１の薄膜の存在によるもの
で、これら耐蝕性の良い金属膜単体では膜厚を
100Å以下に薄くしても数ｍＷのレーザ出力で記
録することは出来ない。これは膜厚を薄くした場
合、照射したレーザビームは大部分が透過してし
まい、吸収される割合が著しく少なく、結果とし
て記録膜が殆ど加熱されなくなつてしまうことに
よる。また、第１の薄膜に融点、沸点が低く記録
感度の高いTe，Bi等の半金属を使用し、さらに
貴金属や遷移金属からなる耐蝕性の良い第２の記
録膜を積層した場合、Te，Bi等の半金属膜は加
熱に伴なつて遊離する成分がなく、半金属膜自体
の沸点ないし融点迄加熱されない限り記録出来な
い。従つて第１の薄膜として、比較的低温で揮発
性成分を遊離するものを用いることが不可欠であ
る。 第１の薄膜から遊離成分の遊離する温度を400
℃以下に限定した理由は、400℃より遊離温度が
高い場合、前述したような沸点2000℃以上の第２
の薄膜に対して数ｍＷのレーザ出力で記録出来な
いことである。次に第１と第２の薄膜の膜厚につ
いて説明すると、第２の薄膜の膜厚は300Å以下
が望ましい。これは300Åよりも厚い場合照射さ
れたレーザビームの大部分は第２の薄膜表面で反
射されるか、第２の薄膜自体に吸収され、第１の
薄膜迄透過せず、従つて、第２の薄膜が加熱され
ず、半導体レーザから供し得る程度の低出力のレ
ーザビームでは記録出来ないためである。しかし
余りに薄い場合には、第２の薄膜の形成目的であ
る耐蝕性の向上が期待出来ない。以上から、第２
の薄膜の膜厚として最適な範囲は50〜200Åの間
であつた。第１の薄膜の膜厚は300Å以上が望ま
しい。これは第１の薄膜は第２の薄膜と異なり、
照射されたレーザビームを吸収することのみを目
的として形成されていることによる。即ち、第１
の薄膜が300Åより薄い場合、第２の薄膜を透過
して照射されたレーザビームが第１の薄膜におい
ても充分吸収されず、更に第１の薄膜をも透過し
てしまい、第１の薄膜の形成目的である遊離成分
の効率良い遊離が期待出来なくなつてしまう。 以下具体的な実施例について説明する。 実施例 １ 真空容器の圧力を10-7Torrに排気後、H2Oガ
スを10-5Torrになるよう導入した。次いで、N2
ガスを５×10-3Torrになるよう導入し、電極間
に高周波電界を印加し、プラズマを発生してTe
のターゲツトをスパツタし、アクリル基板上に
Te40O56N4なる組成の第１の薄膜を形成した。第
１の薄膜の膜厚は4000Åである。次に、再度真空
容器を10-7Torrに排気後、Arガスを10-4Torrに
なるよう導入し、電極間に高周波電界を印加し、
プラズマを発生させAuターゲツトをスパツタし、
第１の薄膜上に第２の薄膜を形成した。膜厚は
100Åである。 次に比較例としてアルゴンプラズマにてスパツ
タしたTe膜を記録膜とする情報記録用部材を製
作した。これらの情報記録用部材を以下の方法で
評価した。 先ずこれらの情報記録用部材に同一記録情報に
対応させパルス変調したレーザビームを照射し、
記録を行なつた。レーザは半導体レーザで（波長
830nｍ）、ビーム径は約1μｍφである。記録用レ
ーザビームの出力は１〜10ｍＷとなるよう変化さ
せた。読出しは0.5ｍＷのレーザビームで行ない、
反射光の強度変化として行なつた。上記記録読出
し過程から以下の方法で記録感度を求めた。反射
光の強度をImax、孔部からの反射光強度をImin
とし、変調度Ｍを下式で定義した。 Ｍ＝Imax−Imin／Imax＋Imin 記録用レーザビーム出力と変調度Ｍとの関係は
第１表のようであつた。
【表】
第１の表から判るように、本実施例の情報記録
用部材はTeを記録膜とした情報記録用部材に比
べ同等以上の記録感度が得られている。 次にこれらの情報記録用部材を80℃、80％RH
の恒温・恒湿槽に入れ、耐蝕性の評価を行なた。
Teを記録膜とした記録用部材は200時間後に記録
膜が酸化され一部透明化したのに対し、本実施例
の記録用部材では、何ら変化が認められなかつ
た。またこの時点での記録、読出し特性は８ｍＷ
のレーザビーム出力に対し0.8の変調度が得られ、
記録感度の劣化も認められなかつた。 実施例 ２ 実施例１と同一の方法で製作したTe40O56N4な
る組成の第１の薄膜の上に、Ag，Cu，pt，Ir，
Nb，Ta，Ti，Pd，Os，Zr，Hf，Alからなる第
２の薄膜を夫々100Åの厚さになるよう蒸着法な
いしスパツタ法にて形成した。これらの情報記録
用部材の記録感度を実施例１と同様の方法で測定
したところ、8mWの記録用レーザビーム出力に
対し、第２の薄膜がAgの場合Ｍ＝0.7、Ptまたは
Phの場合Ｍ＝0.6、Cu，Ir，Ti，Pd，Alの場合
Ｍ＝0.5，Nb，Ta，Os，Zrの場合Ｍ＝0.4なる変
調度が得られた。 実施例 ３ 真空容器の圧力を10-6Torrに排気後、N2ガス
を圧力10-4Torr以上になるように導入し、その
後電極間に高周波電界を印加してプラズマ発生さ
せ、Teのターゲツトスパツタしてアクリル基板
上にTe80O2N18なる組成の第１の薄膜を形成し
た。次に再度真空容器を10-6Torrに排気後、Ar
ガスを導入し、電極間に高周波電界を印加して、
プラズマを発生させ、Auターゲツトをスパツタ
して第２の薄膜を形成した。本情報記録用部材の
記録感度を実施例１と同様の方法で測定したとこ
ろ、８ｍＷの記録用レーザビームに出力に対し、
0.6なる変調度が得られた。 実施例 ４ 真空容器の圧力を10-7Torrに排気後、N2ガス
を圧力が10-2Torrになるよう導入した。次いで、
真空容器内に高周波電界を印加してプラズマを発
生させAgターゲツトをスパツタしてアクリル基
板上にAg95N5なる組成の第１の薄膜を形成した。
次いで真空容器を再度10-5Torrに排気後、Agを
第１の薄膜上にアルゴンガスプラズマでスパツタ
して第２の薄膜を形成した。本情報記録用部材の
記録感度を実施例１の方法で測定したところ、10
ｍＷのレーザビーム出力に対し0.3なる変調度が
得られた。 実施例 ５ 真空容器の圧力を10-7Torrに排気後、N2ガス
を圧力が10-2Torrになるよう導入した。次いで、
真空容器内に高周波電界を印加してプラズマを発
生させ、Auターゲツトをスパツタしてアクリル
基板上にAu90N10なる組成の第１の薄膜を形成し
た。次いで真空容器を再度10-5Torrに排気後、
Auを第１の薄膜上にアルゴンガスプラズマでス
パツタして第２の薄膜を形成した。本情報記録用
部材の記録感度を実施例１の方法で測定したとこ
ろ10ｍＷのレーザビーム出力に対し0.3なる変調
度が得られた。 上述した如く、本発明の情報記録用部材は、従
来より耐蝕性良く情報記録用部材の記録膜として
好適な性質を有しながらその高い光の反射率ない
し高い融点、沸点の故、高出力のレーザを使用し
なければ記録が出来なかつた貴金属や遷移金属膜
を記録膜として用い、半導体レーザから供しうる
程度の低出力のレーザビームで記録することが出
来る。これは本発明において、これらの耐蝕性金
属を第２の薄膜とし、第１の薄膜として400℃以
下の比較的低い温度で構成成分を遊離するような
薄膜を設けたことによるものである。また本発明
の情報記録用部材においては、第２の薄膜に比較
的光の反射率の高い材料が選定されているため、
読出しに際して第１の薄膜の反射光が低い場合で
も充分良好な変調度を得ることが出来る。
用部材はTeを記録膜とした情報記録用部材に比
べ同等以上の記録感度が得られている。 次にこれらの情報記録用部材を80℃、80％RH
の恒温・恒湿槽に入れ、耐蝕性の評価を行なた。
Teを記録膜とした記録用部材は200時間後に記録
膜が酸化され一部透明化したのに対し、本実施例
の記録用部材では、何ら変化が認められなかつ
た。またこの時点での記録、読出し特性は８ｍＷ
のレーザビーム出力に対し0.8の変調度が得られ、
記録感度の劣化も認められなかつた。 実施例 ２ 実施例１と同一の方法で製作したTe40O56N4な
る組成の第１の薄膜の上に、Ag，Cu，pt，Ir，
Nb，Ta，Ti，Pd，Os，Zr，Hf，Alからなる第
２の薄膜を夫々100Åの厚さになるよう蒸着法な
いしスパツタ法にて形成した。これらの情報記録
用部材の記録感度を実施例１と同様の方法で測定
したところ、8mWの記録用レーザビーム出力に
対し、第２の薄膜がAgの場合Ｍ＝0.7、Ptまたは
Phの場合Ｍ＝0.6、Cu，Ir，Ti，Pd，Alの場合
Ｍ＝0.5，Nb，Ta，Os，Zrの場合Ｍ＝0.4なる変
調度が得られた。 実施例 ３ 真空容器の圧力を10-6Torrに排気後、N2ガス
を圧力10-4Torr以上になるように導入し、その
後電極間に高周波電界を印加してプラズマ発生さ
せ、Teのターゲツトスパツタしてアクリル基板
上にTe80O2N18なる組成の第１の薄膜を形成し
た。次に再度真空容器を10-6Torrに排気後、Ar
ガスを導入し、電極間に高周波電界を印加して、
プラズマを発生させ、Auターゲツトをスパツタ
して第２の薄膜を形成した。本情報記録用部材の
記録感度を実施例１と同様の方法で測定したとこ
ろ、８ｍＷの記録用レーザビームに出力に対し、
0.6なる変調度が得られた。 実施例 ４ 真空容器の圧力を10-7Torrに排気後、N2ガス
を圧力が10-2Torrになるよう導入した。次いで、
真空容器内に高周波電界を印加してプラズマを発
生させAgターゲツトをスパツタしてアクリル基
板上にAg95N5なる組成の第１の薄膜を形成した。
次いで真空容器を再度10-5Torrに排気後、Agを
第１の薄膜上にアルゴンガスプラズマでスパツタ
して第２の薄膜を形成した。本情報記録用部材の
記録感度を実施例１の方法で測定したところ、10
ｍＷのレーザビーム出力に対し0.3なる変調度が
得られた。 実施例 ５ 真空容器の圧力を10-7Torrに排気後、N2ガス
を圧力が10-2Torrになるよう導入した。次いで、
真空容器内に高周波電界を印加してプラズマを発
生させ、Auターゲツトをスパツタしてアクリル
基板上にAu90N10なる組成の第１の薄膜を形成し
た。次いで真空容器を再度10-5Torrに排気後、
Auを第１の薄膜上にアルゴンガスプラズマでス
パツタして第２の薄膜を形成した。本情報記録用
部材の記録感度を実施例１の方法で測定したとこ
ろ10ｍＷのレーザビーム出力に対し0.3なる変調
度が得られた。 上述した如く、本発明の情報記録用部材は、従
来より耐蝕性良く情報記録用部材の記録膜として
好適な性質を有しながらその高い光の反射率ない
し高い融点、沸点の故、高出力のレーザを使用し
なければ記録が出来なかつた貴金属や遷移金属膜
を記録膜として用い、半導体レーザから供しうる
程度の低出力のレーザビームで記録することが出
来る。これは本発明において、これらの耐蝕性金
属を第２の薄膜とし、第１の薄膜として400℃以
下の比較的低い温度で構成成分を遊離するような
薄膜を設けたことによるものである。また本発明
の情報記録用部材においては、第２の薄膜に比較
的光の反射率の高い材料が選定されているため、
読出しに際して第１の薄膜の反射光が低い場合で
も充分良好な変調度を得ることが出来る。
第１図は光学式の情報記録再生方法を示す図、
第２図および第３図は本発明の情報記録用部材の
構成例を示す図である。 ２１，３１1，３１2……基板、２２，３２1，
３２2……第１の薄膜、２３，３３1，３３2……
第２の薄膜、３４……スペーサ。
第２図および第３図は本発明の情報記録用部材の
構成例を示す図である。 ２１，３１1，３１2……基板、２２，３２1，
３２2……第１の薄膜、２３，３３1，３３2……
第２の薄膜、３４……スペーサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に情報記録膜が形成され、エネルギー
ビームの照射により前記情報記録膜の光学的特性
を変化させて情報の書き込みを行なう情報記録用
部材において、前記情報記録膜が、金属及び揮発
性の成分からなり400℃以下の温度で該揮発性の
成分を遊離する第１の薄膜と、この上に形成され
た耐蝕性金属からなる第２の薄膜とから構成され
ていることを特徴とする情報記録用部材。 ２ 第１の薄膜は400℃以下の温度でN2ガスを遊
離するTe−Ｎ，Te−Ｏ−Ｎ，Ag−Ｎ，Ag−Ｏ
−Ｎ，Au−Ｎ，Au−Ｏ−Ｎ系の中から選ばれた
１種であり、第２の薄膜はAu，Ag，Cu，Pt，
Ph，Ir，Nb，Ta，Ti，Pd，Os，Zr，Al，Hfよ
り選ばれた１種であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の情報記録用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4289281A JPS57157790A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Information recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4289281A JPS57157790A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Information recording member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57157790A JPS57157790A (en) | 1982-09-29 |
| JPH0249237B2 true JPH0249237B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=12648677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4289281A Granted JPS57157790A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Information recording member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57157790A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119550A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | 情報記録用部材 |
| JPS59119549A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | 情報記録用部材 |
| JPS62266746A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Teijin Ltd | 光記録媒体及びその製造方法 |
| FR2809856B1 (fr) * | 2000-05-30 | 2002-07-12 | Commissariat Energie Atomique | Supports d'enregistrement optique irreversible |
| JP4647241B2 (ja) | 2003-08-04 | 2011-03-09 | シャープ株式会社 | 光記録媒体原盤の製造方法、光記録媒体スタンパの製造方法、及び光記録媒体の製造方法 |
-
1981
- 1981-03-24 JP JP4289281A patent/JPS57157790A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57157790A (en) | 1982-09-29 |
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