JPH0249308A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPH0249308A JPH0249308A JP63200626A JP20062688A JPH0249308A JP H0249308 A JPH0249308 A JP H0249308A JP 63200626 A JP63200626 A JP 63200626A JP 20062688 A JP20062688 A JP 20062688A JP H0249308 A JPH0249308 A JP H0249308A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁器コンデンサ等に使用される高誘電率磁器
組成物に係り、特にＪＩＳのＦ特性を満たす積層磁器コ
ンデンサの製造に適する高誘電率磁器組成物に関する。
組成物に係り、特にＪＩＳのＦ特性を満たす積層磁器コ
ンデンサの製造に適する高誘電率磁器組成物に関する。
ＪＩＳのＦ特性の規格は、誘電率の温度変化が、−２５
℃〜＋８５℃の温度範囲において、＋２０℃を基準温度
として、＋３０％〜−８０％以内であることを定めてい
る。
℃〜＋８５℃の温度範囲において、＋２０℃を基準温度
として、＋３０％〜−８０％以内であることを定めてい
る。
従来、このＦ特性用として実用化されている高誘電率磁
器組成物として、例えばＢａＴｉ０ｚ −ＢａＺｒ０３
−ＢａＳｎ０３−ＣａＴｉ０３系の組成物が存在する。
器組成物として、例えばＢａＴｉ０ｚ −ＢａＺｒ０３
−ＢａＳｎ０３−ＣａＴｉ０３系の組成物が存在する。
しかし、この組成物を用いて積層コンデンサを形成した
場合、歩留まりが悪く、また、破壊電圧も低いという欠
点があった。
場合、歩留まりが悪く、また、破壊電圧も低いという欠
点があった。
この原因は、高誘電率磁器の結晶粒径が１０〜２０μｍ
と大きいことにある。積層コンデンサは、磁器の薄層と
内部電極となる２０〜３０μｍ程の厚さの銀電極層とを
積層し、焼成して作成されるが、磁器の結晶粒径が銀電
極層の厚さ程度に大きい場合には、焼成中に磁器素地と
銀電極層との間にハガレが生ずる。これをデラミネーシ
ョンというが、このデラミネーションが歩留まりの悪化
および破壊電圧の低下をもたらしている。
と大きいことにある。積層コンデンサは、磁器の薄層と
内部電極となる２０〜３０μｍ程の厚さの銀電極層とを
積層し、焼成して作成されるが、磁器の結晶粒径が銀電
極層の厚さ程度に大きい場合には、焼成中に磁器素地と
銀電極層との間にハガレが生ずる。これをデラミネーシ
ョンというが、このデラミネーションが歩留まりの悪化
および破壊電圧の低下をもたらしている。
本発明は、ＪＩＳのＦ特性規格を満たすとともに、結晶
粒径が平均５μｍ以下となるよう組成を選定することに
より、従来品の持つ上記欠点を改善した、誘電率が８０
００〜１３０００程度の高誘電率磁器組成物を提供する
ことを目的としている。
粒径が平均５μｍ以下となるよう組成を選定することに
より、従来品の持つ上記欠点を改善した、誘電率が８０
００〜１３０００程度の高誘電率磁器組成物を提供する
ことを目的としている。
本発明は上記課題を解決するため、
ＢａＴｉＯｓ ９７．０〜９８．２５ｍｏＪ％Ｎｂｚ
Ｏｓ ０．７５〜１．５０ ｍｏ４２％Ｄｙｚ○
ｙ ０．５０〜２．００ ｍｏ ｊ！％からなる
主成分に対して、主成分の０．２〜０．８ｗｔ％のＣｅ
Ｏ２を添加して高誘電率磁器組成物を得た。
Ｏｓ ０．７５〜１．５０ ｍｏ４２％Ｄｙｚ○
ｙ ０．５０〜２．００ ｍｏ ｊ！％からなる
主成分に対して、主成分の０．２〜０．８ｗｔ％のＣｅ
Ｏ２を添加して高誘電率磁器組成物を得た。
また、上記高誘電率磁器組成物に、更に、主成分の０．
０１〜０，３ｗｔ％のＭｎＯを添加して高誘電率磁器組
成物を得た。
０１〜０，３ｗｔ％のＭｎＯを添加して高誘電率磁器組
成物を得た。
そして、これらの組成範囲の高誘電率磁器組成物は、本
発明の目的とするＪＩＳのＦ特性を満たすとともに、結
晶粒径が微細化していることが判明した。
発明の目的とするＪＩＳのＦ特性を満たすとともに、結
晶粒径が微細化していることが判明した。
本発明を実施例にもとづき詳細に説明する。
出発原料としてＢａＣｏ：ｌ 、ＴｔＯｚ 、ＮｂｚＯ
ｓ、ＤＶｚＯｓ 、ＣＥ１０２及びＭｎＣＯ５を用いて
第１表に示す組成比になるように計量し、これをボット
ミルで混合、脱水、乾燥したのち、仮プレスし、１１０
０℃〜１２００℃で２時間仮焼成した。次いで、粉砕、
脱水、乾燥後、ポリビニルアルコールをバインダーとし
て加え顆粒にし、これを約３ｔＯｎ／ｃＩ１１２の成型
圧力でプレスし直径１６．５關φ、厚さ０．６ ｍの円
板状成型物を作成した。この成型体を空気中で１２８０
°Ｃ〜１３６０℃、２時間焼成し、得られた素体に銀電
極を焼き付けて試料を作成した。
ｓ、ＤＶｚＯｓ 、ＣＥ１０２及びＭｎＣＯ５を用いて
第１表に示す組成比になるように計量し、これをボット
ミルで混合、脱水、乾燥したのち、仮プレスし、１１０
０℃〜１２００℃で２時間仮焼成した。次いで、粉砕、
脱水、乾燥後、ポリビニルアルコールをバインダーとし
て加え顆粒にし、これを約３ｔＯｎ／ｃＩ１１２の成型
圧力でプレスし直径１６．５關φ、厚さ０．６ ｍの円
板状成型物を作成した。この成型体を空気中で１２８０
°Ｃ〜１３６０℃、２時間焼成し、得られた素体に銀電
極を焼き付けて試料を作成した。
このようにして得た試料について、それぞれ電気特性を
測定した結果を第１表に示す。
測定した結果を第１表に示す。
ここで、誘電率Ｅｓ及び誘電体損失ｔａｎδは室温２０
°Ｃ１周波数Ｉ ＫＨ２で測定した。また、誘電率の温
度変化率Ｔ−Ｃは、＋２０℃を基準として、２５°Ｃ〜
＋８５℃の誘電率の温度変化率（％）を求めた。
°Ｃ１周波数Ｉ ＫＨ２で測定した。また、誘電率の温
度変化率Ｔ−Ｃは、＋２０℃を基準として、２５°Ｃ〜
＋８５℃の誘電率の温度変化率（％）を求めた。
第１表中試料番号１．２．５．８．１０．１３．１４．
１５．１９．２０．２４は本発明の組成範囲外のもので
あり、試料番号３．４．６．７．９．１１．１２．１６
．１７．１８．２２．２３は、本発明の組成範囲内のも
のである。
１５．１９．２０．２４は本発明の組成範囲外のもので
あり、試料番号３．４．６．７．９．１１．１２．１６
．１７．１８．２２．２３は、本発明の組成範囲内のも
のである。
以下余白
本発明において組成範囲を比定した理由は次の通りであ
る。
る。
ＢａＴｉＯ２が９７．０ｍｏ １２％未満では誘電率が
小さくなり、９８．２５ ｍｏｊ！％を超えると焼結性
が悪くなる。
小さくなり、９８．２５ ｍｏｊ！％を超えると焼結性
が悪くなる。
同様に、Ｄ ｙｚ Ｏ３が０．５０ ｍｏｌ％未満では
、誘電体損失ｔａｎδが大きくなり焼結性も悪く、絶縁
抵抗も悪くなる。２．０ｍｏ！！％を超えると誘電率が
小さくなり温度８５℃における誘電率温度変化率が大き
くなる。Ｎｂ２Ｏ５が０．７５ ｍｏｂ％未満では焼結
性が悪＜ １．５０ ｍｏｌ％を超えると誘電率が小
さくなる。第１図は本発明の主成分の組成範囲を示して
いる。第１図において試料番号１４〜２４が図示されて
いないのは、三元図上は試料番号７と同一位置にある。
、誘電体損失ｔａｎδが大きくなり焼結性も悪く、絶縁
抵抗も悪くなる。２．０ｍｏ！！％を超えると誘電率が
小さくなり温度８５℃における誘電率温度変化率が大き
くなる。Ｎｂ２Ｏ５が０．７５ ｍｏｂ％未満では焼結
性が悪＜ １．５０ ｍｏｌ％を超えると誘電率が小
さくなる。第１図は本発明の主成分の組成範囲を示して
いる。第１図において試料番号１４〜２４が図示されて
いないのは、三元図上は試料番号７と同一位置にある。
また、ＣｅＯ，は、キュリーポイントを一側へ移動させ
る即ちシフターの役割をしている。添加量が主成分の０
．２ｗ ｔ％未満ではキュリーポイントが常温以上とな
り誘電体損失ｔａｎδが悪く、誘電率も小さい。
る即ちシフターの役割をしている。添加量が主成分の０
．２ｗ ｔ％未満ではキュリーポイントが常温以上とな
り誘電体損失ｔａｎδが悪く、誘電率も小さい。
一方、Ｑ、３ｗｔ％を超えるとキュリーポイントが常温
以下となり誘電率が低くなり誘電率温度変化率が温度＋
８５℃でＪＩＳのＦ特性規格をはずれる。
以下となり誘電率が低くなり誘電率温度変化率が温度＋
８５℃でＪＩＳのＦ特性規格をはずれる。
ＭｎＯの添加量が主成分の０．０１ｗｔ％未満では焼結
性が悪く、絶縁抵抗も低くなる。一方、０．３ｗｔ％を
超えると誘電率が低くなり実用的でなくなる。
性が悪く、絶縁抵抗も低くなる。一方、０．３ｗｔ％を
超えると誘電率が低くなり実用的でなくなる。
第２図は高誘電率磁器焼結体の表面の結晶構造を３００
０倍に拡大した顕微鏡写真であり、（Ａ）は従来品、（
Ｂ）は本発明のＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ３Ｎ ｂ ｔＯｓ
ＤＶｚＯｓ Ｃｅ０ｚ −ＭｎＯ系高誘電率磁器を
示している。同図から明らかなように本発明に係る高誘
電率磁器の結晶粒径は平均５μｍ以下となっている。
０倍に拡大した顕微鏡写真であり、（Ａ）は従来品、（
Ｂ）は本発明のＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ３Ｎ ｂ ｔＯｓ
ＤＶｚＯｓ Ｃｅ０ｚ −ＭｎＯ系高誘電率磁器を
示している。同図から明らかなように本発明に係る高誘
電率磁器の結晶粒径は平均５μｍ以下となっている。
また、第１表から明らかなように、本発明の高誘電率磁
器組成物は、誘電率が約８０００〜１３０００、誘電率
温度変化率も一２５℃〜＋８５℃の温度範囲で、２０℃
を基準として＋３０％〜−８０％以内にある。
器組成物は、誘電率が約８０００〜１３０００、誘電率
温度変化率も一２５℃〜＋８５℃の温度範囲で、２０℃
を基準として＋３０％〜−８０％以内にある。
本発明に係る高誘電率磁器組成物は誘電率が高く、誘電
率温度変化率もＪ Ｉ ＳのＦ特性を満足している。ま
た、積層コンデンサに応用した場合、結晶粒径の微細化
によりデラミネーションが防止でき、歩留まりの向上、
破壊電圧の上昇等が図れ、実用的価値が大きい。
率温度変化率もＪ Ｉ ＳのＦ特性を満足している。ま
た、積層コンデンサに応用した場合、結晶粒径の微細化
によりデラミネーションが防止でき、歩留まりの向上、
破壊電圧の上昇等が図れ、実用的価値が大きい。
第１図は本発明に係る高誘電率磁器組成物の主成分を示
す三成分系図、第２図は焼結体の表面の結晶構造を示す
拡大写真であり、同図＜Ａ）は従来品、同図（Ｂ）は本
発明の磁器を示す。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 ｂｚ Ｏｓ
す三成分系図、第２図は焼結体の表面の結晶構造を示す
拡大写真であり、同図＜Ａ）は従来品、同図（Ｂ）は本
発明の磁器を示す。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 ｂｚ Ｏｓ
Claims (1)
- （１）ＢａＴｉＯ＿３９７．０〜９８．２５ｍｏｌ％Ｎ
ｂ＿２Ｏ＿５０．７５〜１．５０ｍｏｌ％Ｄｙ＿２Ｏ＿
３０．５０〜２．００ｍｏｌ％からなる主成分に対して
、主成分の０．２〜０．８ｗｔ％のＣｅＯ＿２及び、主
成分の０．０１〜０．３ｗｔ％のＭｎＯを添加したこと
を特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200626A JP2654113B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200626A JP2654113B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249308A true JPH0249308A (ja) | 1990-02-19 |
| JP2654113B2 JP2654113B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16427507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200626A Expired - Lifetime JP2654113B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654113B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05270905A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05270906A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05270907A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05270904A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2021031380A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200626A patent/JP2654113B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05270905A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05270906A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05270907A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05270904A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2021031380A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| US12444536B2 (en) | 2019-08-20 | 2025-10-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2654113B2 (ja) | 1997-09-17 |
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