JPH0249317B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/3804—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)] not used, see subgroups
- C07F9/3826—Acyclic unsaturated acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/40—Esters thereof
- C07F9/4003—Esters thereof the acid moiety containing a substituent or a structure which is considered as characteristic
- C07F9/4015—Esters of acyclic unsaturated acids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
純粋なビニルホスホン酸は、ビニルホスホン酸
ジクロライドから得られることはよく知られてい
ることである。しかしながら、純ビニルホスホン
酸ジクロライドの合成は、技術的に複雑である。
従つて、工業級の品質の粗ビニルホスホン酸を得
る簡単な方法が今や求められている。
ジクロライドから得られることはよく知られてい
ることである。しかしながら、純ビニルホスホン
酸ジクロライドの合成は、技術的に複雑である。
従つて、工業級の品質の粗ビニルホスホン酸を得
る簡単な方法が今や求められている。
驚くべきことには、本発明者らは、一般式
(上式中、Rは1〜4個、好ましくは1〜2個の
炭素原子を有するアルキル基を意味する)で表わ
される2−アセトキシエタンホスホン酸ジアルキ
ルエステルを、酸性または塩基性の触媒の存在下
に、150〜270℃、好ましくは170〜230℃の温度に
加熱し、その際一般式 CH3COOR (上式中、Rは上記の意味を有する)で表わされ
る酢酸アルキルを脱離せしめそして次いで残りの
反応混合物を130〜230℃、好ましくは140〜175℃
の温度において水を用いて加水分解し、その際、
生成した一般式ROH(ここにRは前記の意味を有
する)で表わされるアルコールを同時に留去する
ことによつて簡単なそして経済的な方法でビニル
ホスホン酸を製造しうることを見出した。
炭素原子を有するアルキル基を意味する)で表わ
される2−アセトキシエタンホスホン酸ジアルキ
ルエステルを、酸性または塩基性の触媒の存在下
に、150〜270℃、好ましくは170〜230℃の温度に
加熱し、その際一般式 CH3COOR (上式中、Rは上記の意味を有する)で表わされ
る酢酸アルキルを脱離せしめそして次いで残りの
反応混合物を130〜230℃、好ましくは140〜175℃
の温度において水を用いて加水分解し、その際、
生成した一般式ROH(ここにRは前記の意味を有
する)で表わされるアルコールを同時に留去する
ことによつて簡単なそして経済的な方法でビニル
ホスホン酸を製造しうることを見出した。
酢酸アルキルの脱離の際に得られるビニルホス
ホン酸の各種誘導体の混合物が前記の温度範囲に
おいて加水分解すると実質的にビニルホスホン酸
を与えることは、驚くべきことである。
ホン酸の各種誘導体の混合物が前記の温度範囲に
おいて加水分解すると実質的にビニルホスホン酸
を与えることは、驚くべきことである。
出発物質としては、例えば2−アセトキシエタ
ンホスホン酸のジメチル−、ジエチル−、ジイソ
プロピル−およびジ−n−ブチルエステルが適当
である。特に好ましいものは、2−アセトキシエ
タンホスホン酸ジメチルエステルである。
ンホスホン酸のジメチル−、ジエチル−、ジイソ
プロピル−およびジ−n−ブチルエステルが適当
である。特に好ましいものは、2−アセトキシエ
タンホスホン酸ジメチルエステルである。
酸性または塩基性触媒としては、多数の化合物
が用いられる。酸性触媒として、下記のものを使
用することができる: (A) 硫酸またはリン酸、 (B) 2.5以下のPka値を有するハロゲン含有カル
ボン酸、例えば、ジクロル酢酸、トリクロル酢
酸またはトリフルオル酢酸、 (C) 2.5以下のPka値を有する芳香族スルホン酸、
例えば、ベンゼンスルホン酸またはp−トルエ
ンスルホン酸、 (D) 2ないし18個の炭素原子を有する好ましいホ
スフイン酸、例えばジメチルホスフイン酸、メ
チルエチルホスフイン酸、ジオクチルホスフイ
ン酸、メチルフエニルホスフイン酸またはジフ
エニルホスフイン酸、 (E) 1ないし18個の炭素原子を有する特に好まし
いホスホン酸およびアルコール残基中に1ない
し4個の炭素原子を有するそれらの半エステ
ル、例えば、メタンホスホン酸、プロパンホス
ホン酸、プロパンホスホン酸モノメチルエステ
ル、オクタデカンホスホン酸、2−アセトキシ
エタンホスホン酸、2−アセトキシエタンホス
ホン酸モノメチルエステル、ビニルホスホン
酸、ビニルホスホン酸モノメチルエステル、ビ
ニルホスホン酸モノエチルエステルまたはベン
ゼンホスホン酸、 (F) 同様に、特に好ましいピロホスホン酸または
それらの半エステル、例えば、メタンピロホス
ホン酸、ベンゼンピロホスホン酸、ビニルピロ
ホスホン酸、ビニルピロホスホン酸モノエチル
エステル、 (G) 本発明による方法において生成された酸性反
応混合物もまた極めて好適である。
が用いられる。酸性触媒として、下記のものを使
用することができる: (A) 硫酸またはリン酸、 (B) 2.5以下のPka値を有するハロゲン含有カル
ボン酸、例えば、ジクロル酢酸、トリクロル酢
酸またはトリフルオル酢酸、 (C) 2.5以下のPka値を有する芳香族スルホン酸、
例えば、ベンゼンスルホン酸またはp−トルエ
ンスルホン酸、 (D) 2ないし18個の炭素原子を有する好ましいホ
スフイン酸、例えばジメチルホスフイン酸、メ
チルエチルホスフイン酸、ジオクチルホスフイ
ン酸、メチルフエニルホスフイン酸またはジフ
エニルホスフイン酸、 (E) 1ないし18個の炭素原子を有する特に好まし
いホスホン酸およびアルコール残基中に1ない
し4個の炭素原子を有するそれらの半エステ
ル、例えば、メタンホスホン酸、プロパンホス
ホン酸、プロパンホスホン酸モノメチルエステ
ル、オクタデカンホスホン酸、2−アセトキシ
エタンホスホン酸、2−アセトキシエタンホス
ホン酸モノメチルエステル、ビニルホスホン
酸、ビニルホスホン酸モノメチルエステル、ビ
ニルホスホン酸モノエチルエステルまたはベン
ゼンホスホン酸、 (F) 同様に、特に好ましいピロホスホン酸または
それらの半エステル、例えば、メタンピロホス
ホン酸、ベンゼンピロホスホン酸、ビニルピロ
ホスホン酸、ビニルピロホスホン酸モノエチル
エステル、 (G) 本発明による方法において生成された酸性反
応混合物もまた極めて好適である。
塩基性触媒として下記のものを使用することが
できる。
できる。
(A) 3ないし18個の炭素原子を有する第三脂肪族
および芳香族アミンおよびホスフイン、例え
ば、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、
トリブチルアミン、トリフエニルアミン、トリ
メチルホスフイン、トリエチルホスフイン、ト
リプロピルホスフイン、トリブチルホスフイ
ン、トリフエニルホスフインおよびトリス−
(p−ジメチルアミノフエニル)−ホスフイン、
ならびに対応する混合アミン、ホスフイン、ホ
スホランおよびホスホレン、例えばジメチルエ
チルアミン、ジエチルブチルアミン、N−ジメ
チルアニリン、4−メチル−N−ジメチルアニ
リン、N−ジエチルアニリン、N,N−テトラ
メチルフエニルジアミンまたはN−メチルピロ
リジン;メチルジエチルホスフイン、ジメチル
プロピルホスフイン、ジエチルベンジルホスフ
イン、1−メチルホスホレン−3および1−エ
チル−3−メチルホスホレン−3、 (B) 3ないし18個の炭素原子を有する第四アンモ
ニウム塩およびホスホニウム塩、例えばテトラ
メチルアンモニウムクロライド、テトラメチル
アンモニウムブロマイドまたはテトラエチルホ
スホニウムクロライド、トリメチルベンジルア
ンモニウムクロライド、トリエチルベンジルア
ンモニウムクロライド、トリエチルベンジルア
ンモニウムブロマイド、トリメチルベンジルホ
スホニウムクロライドまたはトリフエニルエチ
ルホスホニウム−2,4−ジアミノベンゾスル
ホネート、 (C) 芳香族性を有する複素環式化合物、例えばピ
リジン、キノリン、それらの各種アルキルおよ
びジアルキル、好ましくはメチルまたはジメチ
ル誘導体、イミダゾール、N−ビニルイミダゾ
ール、ベンゾチアゾール、2−アミノ−6−エ
トキシベンゾチアゾールおよび更にホスフアベ
ンゾール、 (D) 酸アミド、例えばジメチルホルムアミド、N
−ジメチルアセトアミド、N−ジエチルプロピ
オンアミド、N−ジメチルベンズアミド、N−
メチルピロリドンまたはN,N′−テトラメチ
ルテレフタル酸ジアミド、または尿素、例えば
テトラメチル尿素およびトリメチルフエニル尿
素、 (E) 3よりも大きなN−原子またはp−原子の原
子価数を有するその他の窒素化合物またはリン
化合物、例えばピリジン−N−オキサイド、ト
リメチルホスフインオキサイド、トリブチルホ
スフインオキサイド、トリヘキシルホスフイン
オキサイド、トリフエニルホスフインオキサイ
ド、ジメチルフエニルホスフインオキサイド、
ジメチルフエニルホスフインサルフアイド、ジ
メチルクロルメチルホスフインオキサイド、ジ
メチルエイコシルホスフインオキサイド、ジメ
チルドデシルホスフインオキサイド、ジメチル
ホスフインオキサイド、ジメチルピロリジニル
−1−メチルホスフインオキサイド、トリフエ
ニルホスフインジクロライド、ジメチルドデシ
ルホスフインサルフアイド、トリフエニルホス
フインイミン、ジメチルクロルメチルホスフイ
ンジクロライド、N−2−ジメチルホスフイニ
ルエチル−メチル−アセトアミド、N−2−ジ
メチルホスフイニル−エチル−メチル−アミ
ン、ホスホレン−オキサイド、例えば1−メチ
ルホスホレン−1−オキサイドおよび1−エチ
ル−3−メチル−ホスホレン−1−オキサイ
ド、 (F) 亜ホスフイン酸および亜ホスホン酸のアミド
およびホスフイン酸およびホスホン酸のアミド
ならびにそれらのチオ同族体、例えばエタンホ
スホン酸−ビス−ジエチルアミド、メタン−ブ
タン−亜ホスフイン酸−ジメチルアミド、ジエ
チル亜ホスフイン酸イソブチルアミド。更に、
リン酸およびチオリン酸のトリアミド、例えば
ヘキサメチルリン酸トリアミド。
および芳香族アミンおよびホスフイン、例え
ば、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、
トリブチルアミン、トリフエニルアミン、トリ
メチルホスフイン、トリエチルホスフイン、ト
リプロピルホスフイン、トリブチルホスフイ
ン、トリフエニルホスフインおよびトリス−
(p−ジメチルアミノフエニル)−ホスフイン、
ならびに対応する混合アミン、ホスフイン、ホ
スホランおよびホスホレン、例えばジメチルエ
チルアミン、ジエチルブチルアミン、N−ジメ
チルアニリン、4−メチル−N−ジメチルアニ
リン、N−ジエチルアニリン、N,N−テトラ
メチルフエニルジアミンまたはN−メチルピロ
リジン;メチルジエチルホスフイン、ジメチル
プロピルホスフイン、ジエチルベンジルホスフ
イン、1−メチルホスホレン−3および1−エ
チル−3−メチルホスホレン−3、 (B) 3ないし18個の炭素原子を有する第四アンモ
ニウム塩およびホスホニウム塩、例えばテトラ
メチルアンモニウムクロライド、テトラメチル
アンモニウムブロマイドまたはテトラエチルホ
スホニウムクロライド、トリメチルベンジルア
ンモニウムクロライド、トリエチルベンジルア
ンモニウムクロライド、トリエチルベンジルア
ンモニウムブロマイド、トリメチルベンジルホ
スホニウムクロライドまたはトリフエニルエチ
ルホスホニウム−2,4−ジアミノベンゾスル
ホネート、 (C) 芳香族性を有する複素環式化合物、例えばピ
リジン、キノリン、それらの各種アルキルおよ
びジアルキル、好ましくはメチルまたはジメチ
ル誘導体、イミダゾール、N−ビニルイミダゾ
ール、ベンゾチアゾール、2−アミノ−6−エ
トキシベンゾチアゾールおよび更にホスフアベ
ンゾール、 (D) 酸アミド、例えばジメチルホルムアミド、N
−ジメチルアセトアミド、N−ジエチルプロピ
オンアミド、N−ジメチルベンズアミド、N−
メチルピロリドンまたはN,N′−テトラメチ
ルテレフタル酸ジアミド、または尿素、例えば
テトラメチル尿素およびトリメチルフエニル尿
素、 (E) 3よりも大きなN−原子またはp−原子の原
子価数を有するその他の窒素化合物またはリン
化合物、例えばピリジン−N−オキサイド、ト
リメチルホスフインオキサイド、トリブチルホ
スフインオキサイド、トリヘキシルホスフイン
オキサイド、トリフエニルホスフインオキサイ
ド、ジメチルフエニルホスフインオキサイド、
ジメチルフエニルホスフインサルフアイド、ジ
メチルクロルメチルホスフインオキサイド、ジ
メチルエイコシルホスフインオキサイド、ジメ
チルドデシルホスフインオキサイド、ジメチル
ホスフインオキサイド、ジメチルピロリジニル
−1−メチルホスフインオキサイド、トリフエ
ニルホスフインジクロライド、ジメチルドデシ
ルホスフインサルフアイド、トリフエニルホス
フインイミン、ジメチルクロルメチルホスフイ
ンジクロライド、N−2−ジメチルホスフイニ
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ン、ホスホレン−オキサイド、例えば1−メチ
ルホスホレン−1−オキサイドおよび1−エチ
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ド、 (F) 亜ホスフイン酸および亜ホスホン酸のアミド
およびホスフイン酸およびホスホン酸のアミド
ならびにそれらのチオ同族体、例えばエタンホ
スホン酸−ビス−ジエチルアミド、メタン−ブ
タン−亜ホスフイン酸−ジメチルアミド、ジエ
チル亜ホスフイン酸イソブチルアミド。更に、
リン酸およびチオリン酸のトリアミド、例えば
ヘキサメチルリン酸トリアミド。
上記の触媒は、0.01ないし10重量%、好ましく
は0.1ないし5重量%の量で使用される。ビニル
ホスホン酸そのモノアルキルエステルまたはすで
に得られた酸性反応混合物を使用する場合には、
10ないし50重量%という比較的多い量もまた使用
されうる。
は0.1ないし5重量%の量で使用される。ビニル
ホスホン酸そのモノアルキルエステルまたはすで
に得られた酸性反応混合物を使用する場合には、
10ないし50重量%という比較的多い量もまた使用
されうる。
この方法は、一般に、出発物質を触媒と混合
し、そしてこの混合物を150ないし270℃、好まし
くは170ないし230℃という必要な反応温度まで加
熱することによつて行なわれる。
し、そしてこの混合物を150ないし270℃、好まし
くは170ないし230℃という必要な反応温度まで加
熱することによつて行なわれる。
より高い温度も可能であるが、なんら利益をも
たらさない。何故ならば、副生成物の生成が増加
しまた重合が起るおそれが生ずるからである。
たらさない。何故ならば、副生成物の生成が増加
しまた重合が起るおそれが生ずるからである。
脱離する酢酸アルキルは、次いで少量のアルカ
ノールおよびジアルキルエーテルと一緒に留去さ
れる。蒸留は、常圧下に、場合によつては、例え
ば窒素のような不活性ガスの使用のもとに行なわ
れる。しかしながら、特定の場合には、真空中で
留去することが有利である。酢酸アルキルの脱離
は、2ないし約35時間後に終了する。その後、反
応温度のみならず、またより高い温度において更
に1ないし4時間攪拌を続けるのが有利である。
この方法は、また連続的に実施することもでき
る。
ノールおよびジアルキルエーテルと一緒に留去さ
れる。蒸留は、常圧下に、場合によつては、例え
ば窒素のような不活性ガスの使用のもとに行なわ
れる。しかしながら、特定の場合には、真空中で
留去することが有利である。酢酸アルキルの脱離
は、2ないし約35時間後に終了する。その後、反
応温度のみならず、またより高い温度において更
に1ないし4時間攪拌を続けるのが有利である。
この方法は、また連続的に実施することもでき
る。
例えば、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチ
ルエーテルまたはフエノチアジンのような重合抑
制剤を添加することが有利でありうる。
ルエーテルまたはフエノチアジンのような重合抑
制剤を添加することが有利でありうる。
その製造時から少量の対応するモノエステルで
汚染されている2−アセトキシエタンホスホン酸
ジエステルを出発物質として使用した場合には、
触媒を更に添加することは必ずしも必要というわ
けではない。その際、反応を約250℃において開
始するのが有利である。実際上、脱離のための触
媒としても作用する酸性の反応生成物が十分に生
成された場合には、この方法は、比較的低い温度
において、例えば180ないし220℃において続ける
ことができる。
汚染されている2−アセトキシエタンホスホン酸
ジエステルを出発物質として使用した場合には、
触媒を更に添加することは必ずしも必要というわ
けではない。その際、反応を約250℃において開
始するのが有利である。実際上、脱離のための触
媒としても作用する酸性の反応生成物が十分に生
成された場合には、この方法は、比較的低い温度
において、例えば180ないし220℃において続ける
ことができる。
この脱離反応において生成した反応混合物は、
本質的にビニルホスホン酸誘導体、ビニルピロホ
スホン酸誘導体、オリゴマー性ピロホスホン酸誘
導体および2−ヒドロキシエタンホスホン酸の誘
導体をリン酸誘導体と共に含有する。この反応混
合物は、次にそれが得られた形態のままで、必要
な反応温度において水と反応せしめられ、その際
生じたアルコールは、有利には一つの塔を経て留
去される。その際、少量のジアルキルエーテルお
よびオレフイン類が生成することがある。水との
反応は、アルコールがもはや脱離されなくなつた
時に完了する。この反応においては、反応の末期
により多量の水を使用し、そして未反応の水の一
部をアルコールと一緒に留去することが有利であ
る。この方法に従つて選択される圧力は、重要な
ことではないが、この方法は、ほぼ大気圧におい
て行なうことが好ましい。
本質的にビニルホスホン酸誘導体、ビニルピロホ
スホン酸誘導体、オリゴマー性ピロホスホン酸誘
導体および2−ヒドロキシエタンホスホン酸の誘
導体をリン酸誘導体と共に含有する。この反応混
合物は、次にそれが得られた形態のままで、必要
な反応温度において水と反応せしめられ、その際
生じたアルコールは、有利には一つの塔を経て留
去される。その際、少量のジアルキルエーテルお
よびオレフイン類が生成することがある。水との
反応は、アルコールがもはや脱離されなくなつた
時に完了する。この反応においては、反応の末期
により多量の水を使用し、そして未反応の水の一
部をアルコールと一緒に留去することが有利であ
る。この方法に従つて選択される圧力は、重要な
ことではないが、この方法は、ほぼ大気圧におい
て行なうことが好ましい。
この反応段階における反応温度は、130〜230℃
である。この反応は、230℃以上において行なう
こともできるが、その時にはビニルホスホン酸の
分解が次第に増大することが予想される。この反
応は、好ましくは140ないし175℃の温度範囲にお
いて行なわれる。水との反応は、連続的に実施す
ることもできる。得られるビニルホスホン酸は、
2−ヒドロキシエタンホスホン酸または2−ヒド
ロキシエタンホスホン酸の誘導体のほかに特にリ
ン酸もまた含有する。得られるビニルホスホン酸
は、水性系中の腐食防止剤として好適である。そ
れは特に、難燃剤の製造における中間生成物とし
て使用するのに適している。例えば、ビニルホス
ホン酸をビニルホスホン酸ジクロライドおよび/
またはプロパンホスホン酸ジクロライドと反応せ
しめそして得られた反応物質を更に酸化エチレン
と反応せしめるならば、興味ある難燃剤が得られ
る。ビニルホスホン酸をその塩を経て副生成物か
ら、特にリン酸から分離することもまた可能であ
る。
である。この反応は、230℃以上において行なう
こともできるが、その時にはビニルホスホン酸の
分解が次第に増大することが予想される。この反
応は、好ましくは140ないし175℃の温度範囲にお
いて行なわれる。水との反応は、連続的に実施す
ることもできる。得られるビニルホスホン酸は、
2−ヒドロキシエタンホスホン酸または2−ヒド
ロキシエタンホスホン酸の誘導体のほかに特にリ
ン酸もまた含有する。得られるビニルホスホン酸
は、水性系中の腐食防止剤として好適である。そ
れは特に、難燃剤の製造における中間生成物とし
て使用するのに適している。例えば、ビニルホス
ホン酸をビニルホスホン酸ジクロライドおよび/
またはプロパンホスホン酸ジクロライドと反応せ
しめそして得られた反応物質を更に酸化エチレン
と反応せしめるならば、興味ある難燃剤が得られ
る。ビニルホスホン酸をその塩を経て副生成物か
ら、特にリン酸から分離することもまた可能であ
る。
例 1
2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル100gを攪拌下に220〜230℃に2時間加熱し、
一方2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエ
ステル200gおよび4−(ジメチルアミノ)−ピリ
ジン3gの混合物を滴加した。同時に酢酸メチル
を留去した。反応バツチを210℃において更に3.5
時間保ち、次いで最後に200〜210℃において更に
30分間保ち、その間酢酸メチルを留去し続けた。
全部で112gの酢酸メチルが留去され、5gのジ
メチルエーテルがこの装置の下流のコールドトラ
ツプに捕集された。生成したビニルホスホン酸誘
導体の混合物に160℃において攪拌下に水を約4
時間に亘つて配量し、その間銀で被覆されたジヤ
ケツトを備えた塔を経てメタノールを留去した。
メタノールの脱離が終つた後に、混合物を90℃に
冷却し、そして反応バツチ中に溶解した状態でな
お存在する水をこの温度において0.5mmHgの減圧
下に留去した。最後に、反応生成物164gが得ら
れ、このものは、 31P−NMR−スペクトル中の
リンシグナルの全量に関して、ビニルホスホン酸
77%、下記構造 を有する2−ヒドロキシエタンホスホン酸のビニ
ルホスホン酸エステル5.1%、2−ヒドロキシエ
タンホスホン酸4.1%およびリン酸8%を含有し
ていた。
テル100gを攪拌下に220〜230℃に2時間加熱し、
一方2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエ
ステル200gおよび4−(ジメチルアミノ)−ピリ
ジン3gの混合物を滴加した。同時に酢酸メチル
を留去した。反応バツチを210℃において更に3.5
時間保ち、次いで最後に200〜210℃において更に
30分間保ち、その間酢酸メチルを留去し続けた。
全部で112gの酢酸メチルが留去され、5gのジ
メチルエーテルがこの装置の下流のコールドトラ
ツプに捕集された。生成したビニルホスホン酸誘
導体の混合物に160℃において攪拌下に水を約4
時間に亘つて配量し、その間銀で被覆されたジヤ
ケツトを備えた塔を経てメタノールを留去した。
メタノールの脱離が終つた後に、混合物を90℃に
冷却し、そして反応バツチ中に溶解した状態でな
お存在する水をこの温度において0.5mmHgの減圧
下に留去した。最後に、反応生成物164gが得ら
れ、このものは、 31P−NMR−スペクトル中の
リンシグナルの全量に関して、ビニルホスホン酸
77%、下記構造 を有する2−ヒドロキシエタンホスホン酸のビニ
ルホスホン酸エステル5.1%、2−ヒドロキシエ
タンホスホン酸4.1%およびリン酸8%を含有し
ていた。
例 2
2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル100gを攪拌下230℃において2時間加熱し、
その間2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチル
エステル200gとビニルホスホン酸30gとの混合
物を滴加した。同時に酢酸メチルを留去した。
200℃において1時間攪拌を続けた。得られたビ
ニルホスホン酸誘導体の混合物に攪拌下160℃に
おいて水を2.5時間に亘つて配量し、その間銀で
被覆されたジヤケツトを備えた塔を経てメタノー
ルを留去した。反応生成物202gが得られ、この
ものは、約4%の水を含有していた。この反応生
成物は、更に、 31P−NMR−スペクトル中のリ
ンシグナルの全量に関して、ビニルホスホン酸76
%、下記構造 を有する2−ヒドロキシエタンホスホン酸のビニ
ルホスホン酸エステル5%、2−ヒドロキシエタ
ンホスホン酸3.2%およびリン酸9%を含有して
いた。
テル100gを攪拌下230℃において2時間加熱し、
その間2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチル
エステル200gとビニルホスホン酸30gとの混合
物を滴加した。同時に酢酸メチルを留去した。
200℃において1時間攪拌を続けた。得られたビ
ニルホスホン酸誘導体の混合物に攪拌下160℃に
おいて水を2.5時間に亘つて配量し、その間銀で
被覆されたジヤケツトを備えた塔を経てメタノー
ルを留去した。反応生成物202gが得られ、この
ものは、約4%の水を含有していた。この反応生
成物は、更に、 31P−NMR−スペクトル中のリ
ンシグナルの全量に関して、ビニルホスホン酸76
%、下記構造 を有する2−ヒドロキシエタンホスホン酸のビニ
ルホスホン酸エステル5%、2−ヒドロキシエタ
ンホスホン酸3.2%およびリン酸9%を含有して
いた。
例 3
2−アセトキシエタンホスホン酸ジエチルエス
テル80gおよびビニルホスホン酸30gを混合し、
そして攪拌下に180℃に加熱した。2−アセトキ
シエタンホスホン酸ジエチルエステル400gをま
ず175〜180℃において5時間、次いで185〜190℃
において19時間に亘つて徐々に滴加した。次いで
200℃に1時間保つた。全反応時間の間、酢酸エ
チルを全部で190g留去した。装置の下流のコー
ルドトラツプで2gが捕集された。ビニルホスホ
ン酸誘導体混合物192gが得られた。この混合物
149gを攪拌下に160℃に加熱し、そして水を徐々
に5時間に亘つて滴加し、その間銀で被覆された
ジヤケツトを備えた塔を経てメタノールを留去さ
れた。反応生成物143gが得られ、このものは、
31P−NMR−スペクトル中のリンシグナルの全
量に関して、ビニルホスホン酸72%、下記構造 を有する2−ヒドロキシエタンホスホン酸のビニ
ルホスホン酸エステル7.3%、2−ヒドロキシエ
タンホスホン酸5.5%およびリン酸7.3%を含有し
ていた。
テル80gおよびビニルホスホン酸30gを混合し、
そして攪拌下に180℃に加熱した。2−アセトキ
シエタンホスホン酸ジエチルエステル400gをま
ず175〜180℃において5時間、次いで185〜190℃
において19時間に亘つて徐々に滴加した。次いで
200℃に1時間保つた。全反応時間の間、酢酸エ
チルを全部で190g留去した。装置の下流のコー
ルドトラツプで2gが捕集された。ビニルホスホ
ン酸誘導体混合物192gが得られた。この混合物
149gを攪拌下に160℃に加熱し、そして水を徐々
に5時間に亘つて滴加し、その間銀で被覆された
ジヤケツトを備えた塔を経てメタノールを留去さ
れた。反応生成物143gが得られ、このものは、
31P−NMR−スペクトル中のリンシグナルの全
量に関して、ビニルホスホン酸72%、下記構造 を有する2−ヒドロキシエタンホスホン酸のビニ
ルホスホン酸エステル7.3%、2−ヒドロキシエ
タンホスホン酸5.5%およびリン酸7.3%を含有し
ていた。
例 4
2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル200gおよびトリフエニルホスフイン10gを
攪拌下に210ないし225℃に加熱した。酢酸メチル
71g(理論量の94%)が3.5時間の経過中に留去
された。反応温度において1時間攪拌を続けた。
反応生成物124gが残存し、これを例1に対応す
る方法で170℃において水と反応せしめた。粗ビ
ニルホスホン酸112gが得られた。
テル200gおよびトリフエニルホスフイン10gを
攪拌下に210ないし225℃に加熱した。酢酸メチル
71g(理論量の94%)が3.5時間の経過中に留去
された。反応温度において1時間攪拌を続けた。
反応生成物124gが残存し、これを例1に対応す
る方法で170℃において水と反応せしめた。粗ビ
ニルホスホン酸112gが得られた。
例 5
その製造方法に起因して2−アセトキシエタン
ホスホン酸モノメチルエステル1gを含有してい
た2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル300gを攪拌下に246℃に1時間加熱し、次い
で220〜230℃において3時間加熱した。メタノー
ル2.4%およびジメチルエーテル2.5%を含有する
酢酸メチル108gを一つの塔を介して留去した。
この装置の下流のコールドトラツプ中に酢酸メチ
ル6.5gおよびジメチルエーテル3gが捕集され
た。210ないし230℃において1時間攪拌を続け
た。更に6gの低沸点成分がこの装置の下流のコ
ールドトラツプにおいて捕集された。反応混合物
170gが残存し、これを例1に対応する方法で160
℃において水と反応せしめた。粗ビニルホスホン
酸165gが得られた。
ホスホン酸モノメチルエステル1gを含有してい
た2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル300gを攪拌下に246℃に1時間加熱し、次い
で220〜230℃において3時間加熱した。メタノー
ル2.4%およびジメチルエーテル2.5%を含有する
酢酸メチル108gを一つの塔を介して留去した。
この装置の下流のコールドトラツプ中に酢酸メチ
ル6.5gおよびジメチルエーテル3gが捕集され
た。210ないし230℃において1時間攪拌を続け
た。更に6gの低沸点成分がこの装置の下流のコ
ールドトラツプにおいて捕集された。反応混合物
170gが残存し、これを例1に対応する方法で160
℃において水と反応せしめた。粗ビニルホスホン
酸165gが得られた。
例 6
2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル300gおよびリン酸トリスジメチルアミド6
gを攪拌下に200ないし220℃に7時間加熱した。
その間、一つの塔を経て酢酸メチル105gが留去
された。この装置の下流のコールドトラツプ中に
8gの低沸点成分が捕集された。反応混合物182
gが得られ、このものは例1に相当する方法で
165℃において水と反応せしめられた。粗ビニル
ホスホン酸163gが得られた。
テル300gおよびリン酸トリスジメチルアミド6
gを攪拌下に200ないし220℃に7時間加熱した。
その間、一つの塔を経て酢酸メチル105gが留去
された。この装置の下流のコールドトラツプ中に
8gの低沸点成分が捕集された。反応混合物182
gが得られ、このものは例1に相当する方法で
165℃において水と反応せしめられた。粗ビニル
ホスホン酸163gが得られた。
例 7
2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル300gおよびトリメチルホスフインオキシド
3gを攪拌下に200ないし220℃において8.5時間
加熱した。その間、酢酸メチル93gが留去され
た。この装置の下流のコールドトラツプ中に低沸
点生成物7.5gが捕集された。215℃において1時
間攪拌を続けた。反応混合物180gを得、このも
のを例1に相当する方法で155℃において水と反
応せしめた。粗ビニルホスホン酸167gが得られ
た。
テル300gおよびトリメチルホスフインオキシド
3gを攪拌下に200ないし220℃において8.5時間
加熱した。その間、酢酸メチル93gが留去され
た。この装置の下流のコールドトラツプ中に低沸
点生成物7.5gが捕集された。215℃において1時
間攪拌を続けた。反応混合物180gを得、このも
のを例1に相当する方法で155℃において水と反
応せしめた。粗ビニルホスホン酸167gが得られ
た。
例 8
2−アセトキシエタンホスホン酸ジメチルエス
テル300gおよびジメチルホルムアミド6gを攪
拌下に215℃に加熱した。5時間35分の経過中に
一つの塔を経て酢酸メチル104gを留去した。こ
の装置の下流のコールドトラツプ中に低沸点生成
物7.5gが捕集された。反応混合物180gを得、こ
のものを例1に相当する方法で160℃において水
と反応せしめた。粗ビニルホスホン酸167gが得
られた。
テル300gおよびジメチルホルムアミド6gを攪
拌下に215℃に加熱した。5時間35分の経過中に
一つの塔を経て酢酸メチル104gを留去した。こ
の装置の下流のコールドトラツプ中に低沸点生成
物7.5gが捕集された。反応混合物180gを得、こ
のものを例1に相当する方法で160℃において水
と反応せしめた。粗ビニルホスホン酸167gが得
られた。
例 9
ビニルホスホン酸100gおよび2−アセトキシ
エタンホスホン酸ジメチルエステル150gの混合
物を攪拌下に175℃に加熱し、その際、酢酸メチ
ルの留去を始めた。2−アセトキシエタンホスホ
ン酸ジメチルエステル3000gを180℃において34
時間に亘つて滴加し、その間、同時に酢酸メチル
を留去し、そして得られた反応混合物を次に205
℃において更に3時間加熱した。反応混合物を次
いで155〜160℃において水と反応せしめ、その
間、生成したメタノールを銀で被覆されたジヤケ
ツトを備えた一つの塔を経て留去した。粗ビニル
ホスホン酸1760gが得られ、このものは、 31P−
NMR−スペクトル中のリンシグナルの全量に関
して、ビニルホスホン酸82%、下記構造 で表わされる2−ヒドロキシエタンホスホン酸の
ビニルホスホン酸エステル3.9%、2−ヒドロキ
シエタンホスホン酸1.3%およびリン酸10%を含
有している。
エタンホスホン酸ジメチルエステル150gの混合
物を攪拌下に175℃に加熱し、その際、酢酸メチ
ルの留去を始めた。2−アセトキシエタンホスホ
ン酸ジメチルエステル3000gを180℃において34
時間に亘つて滴加し、その間、同時に酢酸メチル
を留去し、そして得られた反応混合物を次に205
℃において更に3時間加熱した。反応混合物を次
いで155〜160℃において水と反応せしめ、その
間、生成したメタノールを銀で被覆されたジヤケ
ツトを備えた一つの塔を経て留去した。粗ビニル
ホスホン酸1760gが得られ、このものは、 31P−
NMR−スペクトル中のリンシグナルの全量に関
して、ビニルホスホン酸82%、下記構造 で表わされる2−ヒドロキシエタンホスホン酸の
ビニルホスホン酸エステル3.9%、2−ヒドロキ
シエタンホスホン酸1.3%およびリン酸10%を含
有している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中、Rは1〜4個の炭素原子を有するアル
キル基を意味する)で表わされる2−アセトキシ
エタンホスホン酸ジアルキルエステルを、酸性ま
たは塩基性の触媒の存在下に、酢酸アルキルを脱
離せしめつつ150ないし270℃に加熱し、そして残
つた反応混合物を次いで130ないし230℃の温度に
おいて水で加水分解し、生成したアルコールを同
時に留去することを特徴とする、ビニルホスホン
酸の製造方法。 2 酢酸アルキルの脱離を170〜230℃において行
ないそして加水分解を140〜175℃において行なう
特許請求の範囲第1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813110975 DE3110975A1 (de) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57165395A JPS57165395A (en) | 1982-10-12 |
| JPH0249317B2 true JPH0249317B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=6127851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041802A Granted JPS57165395A (en) | 1981-03-20 | 1982-03-18 | Manufacture of vinyl phosphonic acid |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4386036A (ja) |
| EP (1) | EP0061115B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57165395A (ja) |
| CA (1) | CA1181417A (ja) |
| DE (2) | DE3110975A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3622786A1 (de) * | 1986-07-07 | 1988-02-04 | Benckiser Knapsack Gmbh | Verfahren zur herstellung von vinyldiphosphonsaeure und ihren salzen |
| DE3707149A1 (de) * | 1987-03-06 | 1988-09-15 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeuredialkylestern |
| DE4014483A1 (de) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeurederivaten |
| US5386038A (en) * | 1990-12-18 | 1995-01-31 | Albright & Wilson Limited | Water treatment agent |
| DE102008003677A1 (de) | 2008-01-09 | 2009-07-16 | Archimica Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Phosphonsäureanhydriden |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1018528A (fr) * | 1949-07-02 | 1953-01-08 | Auto Accessori Suboga | Enjoliveur ou disque de roue pour roues de véhicules automobiles |
| US2708204A (en) * | 1950-08-11 | 1955-05-10 | Shell Dev | Halogen- and phosphorus-containing compounds |
| NL257211A (ja) * | 1959-10-29 | |||
| DE2344332C3 (de) * | 1973-09-03 | 1981-11-26 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von Vinylphosphinsäuren |
| NL7510054A (nl) * | 1974-08-31 | 1976-03-02 | Hoechst Ag | Werkwijze voor het bereiden van fosfon- en fos- finzuren. |
| DE2646582C2 (de) * | 1976-10-15 | 1985-10-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von Alkenylphosphinsäuren |
| DE3001894A1 (de) * | 1980-01-19 | 1981-07-23 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von vinyphophonsaeurederivaten |
-
1981
- 1981-03-20 DE DE19813110975 patent/DE3110975A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-03-15 EP EP82102084A patent/EP0061115B1/de not_active Expired
- 1982-03-15 DE DE8282102084T patent/DE3260188D1/de not_active Expired
- 1982-03-18 JP JP57041802A patent/JPS57165395A/ja active Granted
- 1982-03-18 US US06/359,234 patent/US4386036A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-03-19 CA CA000398869A patent/CA1181417A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3260188D1 (en) | 1984-07-05 |
| DE3110975A1 (de) | 1982-09-30 |
| EP0061115A3 (en) | 1982-11-03 |
| US4386036A (en) | 1983-05-31 |
| EP0061115A2 (de) | 1982-09-29 |
| JPS57165395A (en) | 1982-10-12 |
| EP0061115B1 (de) | 1984-05-30 |
| CA1181417A (en) | 1985-01-22 |
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