JPH0249384B2 - - Google Patents

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JPH0249384B2
JPH0249384B2 JP61158755A JP15875586A JPH0249384B2 JP H0249384 B2 JPH0249384 B2 JP H0249384B2 JP 61158755 A JP61158755 A JP 61158755A JP 15875586 A JP15875586 A JP 15875586A JP H0249384 B2 JPH0249384 B2 JP H0249384B2
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Yoshifumi Oota
Hiroki Yamada
Michio Ishikawa
Noriaki Tani
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/10—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of nickel or cobalt or alloys based thereon

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Description

【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野） 本発明は、マグネトロンスパツタに適用し得る
Co基合金ターゲツトに関する。 （従来の技術） 従来のCo基合金スパツタターゲツトは、Co基
合金材を高温にて溶融した後鋳造してFCC単相
の領域より冷却してマルテンサイト変態を生ぜし
めその１部がHCP相となつたものであり、鋳造
した後放冷するか、熱間加工後放冷するかにより
製造されたものがマグネトロンスパツタに使用さ
れている。 マグネトロンスパツタは、ターゲツト表面に漏
洩磁界を発生させてプラズマをターゲツト表面に
集中させるようにしているが、従来の上記によつ
て製造されたCo基合金のような磁性体をターゲ
ツトとして使用する場合、磁束がターゲツト内部
を通過し易いので、表面に漏洩磁界をつくるため
には、飽和磁化を考慮し、ターゲツトの厚さを薄
くしたものを使用する必要があつた。 （発明が解決しようとする問題点） 従来の上記Co基合金スパツタターゲツトは、
肉薄であるため、使用寿命が短かく、又エロージ
ヨンの進行に伴ないエロージヨン内の磁界が大き
くなり、プラズマがエロージヨン内に集中して、
ターゲツトが局部的に消耗し、使用効率が悪いと
いう欠点を有している。 従つて、Co基合金スパツタターゲツトとして、
従来のものに比し肉厚のものが使用できるように
することが望ましい。 （問題点を解決するための手段） 本発明者等は、かゝる観点に立ち、ターゲツト
の磁気特性と表面漏洩磁界やエロージヨン形状と
の関係について、種々検討した結果、表面の磁界
は、従来考えられていたように、ターゲツト材料
の飽和磁化に依存するものではなく、透磁率に依
存することを知見した。而して、飽和磁化の大き
いCo基合金でも透磁率を小さくすることにより、
漏洩磁界を強くすることができることが分つた。
而して、この透磁率の大きさには、Co基合金の
場合、FCC相とHCP相の量比が最も影響を与え
ることを見出した。即ち、Co基合金のHCP相は
非常に大きい結晶磁気異方性を有して居る１方
FCC相は結晶磁気異方性が小さい。従つてHCP
相の量を多くすると透磁率が減少し、ターゲツト
表面に漏洩磁界がそれだけ発生し易くなることが
分つた。更に、Coに、Ni，Cr，Pt，Ｗ，Ｖ，Ti
等の元素の添加量を多くすると、飽和磁化が減少
するにも拘らず、透磁率が大きくなり、漏洩磁界
が弱くなることも分つた。 このFCC相とHCP相の量比の見地より、この
従来の製造法によるCo基合金スパツタターゲツ
トのFCC相を少なくしHCP相を多くして、FCC
相／HCP相の量比の値を小さくすることができ
れば、それだけ透磁率を減少し、従つてターゲツ
ト表面に漏洩磁界の発生を増大せしめることがで
き、従つてこのことは、Co基合金ターゲツトの
厚さを従来のものに比し厚くしたものが使用でき
使用寿命の増大、使用効率の向上ができる。又、
従来と同じ厚さのものを使用した場合は、磁界発
生装置の縮小、消費電力の節約をもたらすことが
できる。所で、FCC相とHCP相の量比を容積比
で求めることは困難である。従つて、この容積比
と比例関係にあるＸ線回折ピークの強度比を求め
ることが考えられる。この場合、FCC相のＸ線
ピークとHCP相の回折ピークは、多くが重なつ
ているが、FCC相の（200）ピークとHCP相の
（101）ピークは重なつていないことを利用し、
IFCC(200)／IHCP(101)の強度比を測定することにより、
両相の混合比を相対値として求めることができ
る。 本発明者等は、従来の製造法によつて、得られ
たCo基合金、即ち、Co基合金材を溶解した後鋳
型に流入しそのまゝ冷却したもの、或はその加熱
したものの冷却過程で熱間加工して常温まで冷却
したものに、即ち、冷却によりマルテンサイト変
態をしたCo基合金に、冷間加工により歪を与え
ることにより、HCP相に変らずに残つている
FCC相の１部を更にHCP相に変態せしめて、Co
基合金のFCC相（200）／HCP相（101）の強度
比が、その冷間加工を施す前のその値よりも小さ
い値を示す。従つて透磁率の値もそれに応じて低
下したCo基合金スパツタターゲツトを提供し、
従来の前記の不都合を解消し、従来のものに比
し、肉厚にしたものとして使用して、使用寿命の
延長した而も使用効率の向上したCo基合金スパ
ツタターゲツトをもたらすものである。即ち、本
発明のFCC相／HCP相の比を減少せしめたので、
これに伴ないその透過率も低下し、従つて表面漏
洩磁界を発生し易くなるので、スパツタターゲツ
トを厚くでき、又エロージヨン領域を大きくとる
ことができ、それだけ、ターゲツトの使用効率を
増大し得る。 尚、冷間加工は、圧延、引抜き、スウエージン
グ、鍛造、一般プレス加工など従来行なわれてい
る任意の冷間加工手段をとることができるが、こ
の場合、加工率として、断面積収縮率として約５
％以上が特に好ましい。 （実施例） 次に本発明の実施例を説明する。 Co基合金材は、Coを基材とし、これに、Ni，
Cr，Pt，Ｗなどの添加金属の少くとも１種を所
望の割合添加した各種配合組成から成る全ての
Co基合金材が使用できる。この配合組成のCo基
合金を溶融物としたものを、所定の鋳型に注入し
そのまゝ常温まで冷却したり、或は常温まで冷却
する前の熱いうちに熱間加工を行ない所定の厚さ
の板状とする。かくして、その冷却過程でFCC
相の１部はHCP相に変るいわゆるマルテンサイ
ト変態する。このように製造したものの
IFCC(200)／HCP(101)のＸ線回折ピーク強度比は、例え
ば、下記表１に示すように、Co―20at％Ni―
10at％Crから成るCo基合金（試料No.１），Co―
16at％Crから成るCo基合金（試料No.５），Co―
20at％Ni―10at％Ptから成るCo基合金（試料No.
７），及びCo―25at％Niから成るCo基合金（試
料No.９）は、夫々1.75，1.90，1.65及び2.03であ
つた。本発明によれば、これらの試料の夫々に、
冷間加工を例えば冷間圧延を施した。この時その
断面積収縮率が５％以上となるように圧縮した。
その結果、表１に示す本発明の夫々のCo基合金
スパツタターゲツトのIFCC(200)／FHCP(101)の強度比
は、試料No.１の冷間加工品については、５％の断
面積収縮率で、1.21と低下した（試料No.２）。そ
の断面積収縮率を10％，15％と増大すると、これ
に伴ないその強度比も、0.39，0.30と低下した
（試料No.３，No.４）。試料No.５，No.７及びNo.９に
つ
いてもその冷間加工品の前記の強度比は、1.90
（No.５）が0.45（試料No.６）に、1.65（No.７）が0.3
5
（試料No.８）に、2.03（No.９）が0.42（試料No.10）
に夫々低下していた。該強度比と透磁率の測定
は、各試料は、製作したターゲツトから小片を切
り出し、王水で表面をエツチングして切り出しに
よつて生じた加工層をとり除いた後測定した。
夫々の透磁率についても表１に示すように、冷間
加工により夫々著しく低下することが確認され
た。 次に、これらの各試料について、５インチ×８
インチの大きさのDCマグネトロンカソードを用
いて、その夫々のターゲツト特性を検べた。表
中、相対ターゲツトの厚さとは、磁極間中心位置
で600Gの平行磁界が発生しているカソード上に、
各種試料ターゲツトを設置して、250Gの漏洩磁
界が表面に発生するときのターゲツトの厚さであ
る。表１の各試料の相対的厚さの値から分かるよ
うに、冷間加工した場合の本発明の各Co基合金
ターゲツト試料は冷間加工しない試料に比し、そ
の厚さを著しく増大できることが分る。又、各試
料につき、５mm厚の夫々のターゲツトを設置し
て、表面漏洩磁界が250Gになるようにカソード
を調節した後、使用しプラズマがエロージヨン内
に集中してターゲツトが局部的に消費しその局部
での最大エロージヨン部の厚さが０となつたとき
のターゲツト使用効率を測定した。その結果は、
表１に示す通りで、本発明の冷間加工処理したタ
ーゲツトは冷間加工しないターゲツトに比しその
使用効率が著しく向上することが分る。
【表】 第１図及び第２図は、Co―20at％Ni―10at％
Crのターゲツトを代表例として、Ｘ線回折ピー
ク強度比IFCC(200)／IHCP(101)と前記相対ターゲツト
厚さとの関係及び前記ターゲツト使用効率との関
係を夫々示したもので該強度比が小さくなるに従
いターゲツト厚さ及びターゲツト使用効率は夫々
増大することが分る。 第３図は、仝様に、Co―20at Ni―10at％Crの
ターゲツトを代表例として、Ｘ線回折ピーク強度
比IFCC(200)／IHCP(101)とターゲツトの断面積収縮率
を示したもので、該収縮率が大きくなるに従い該
強度比が小さくなることが分る。尚、実施例では
DCマグネトロンスパツタの場合を述べたが、他
のスパツタ法、例えば、RFマグネトロン、同軸
マグネトロン、３極マグネトロン等の磁界を用い
てプラズマを制御する型のすべてのスパツタ法に
適用できる。 （発明の効果） 本発明によれば、Co基合金材を高温のFCC相
単相より冷却しその１部をHCP相を生ぜしめて
いわゆるマルテンサイト変態を生ぜしめたものに
冷間歪を生ぜしめてＸ線回折ピーク強度比
IFCC(200)／IHCP(101)の値を低下せしめたものをスパ
ツタターゲツトとしたので、冷間加工を施さない
ものに比し、その厚さを厚くしても表面漏洩磁界
を容易に発生せしめることができると共にその肉
厚としたものに伴ないターゲツトの使用効率を向
上でき、又その厚さを同じものとした場合は、磁
界発生装置或は消費電力を必要に応じ小さくでき
る等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、Co基合金スパツタターゲツトのＸ
線回折ピーク強度比IFCC(200)／IHCP(101)とターゲツ
トの厚さとの関係を示すグラフ、第２図は仝強度
比とターゲツト使用効率との関係を示グラフ、第
３図は仝強度比と断面積収縮率との関係を示すグ
ラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ Co基合金スパツタターゲツトにおいて、そ
    のＸ線回折のFCC（200）ピークとHCP（101）ピ
    ークの強度比IFCC(200)／IHCP(101)の値が、その合金
    を高温のFCC単相領域より常温まで冷却した時
    点における値よりも小さい値を有することを特徴
    とするCo基合金スパツタターゲツト。 ２ Co基合金材を高温のFCC単相領域より冷却
    したものを冷間加工することを特徴とするCo基
    合金スパツタターゲツトの製造法。
JP61158755A 1986-07-08 1986-07-08 Ｃｏ基合金スパツタタ−ゲツトおよびその製造法 Granted JPS6314864A (ja)

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