JPH024967A - 薄膜形成装置及び方法 - Google Patents
薄膜形成装置及び方法Info
- Publication number
- JPH024967A JPH024967A JP1029573A JP2957389A JPH024967A JP H024967 A JPH024967 A JP H024967A JP 1029573 A JP1029573 A JP 1029573A JP 2957389 A JP2957389 A JP 2957389A JP H024967 A JPH024967 A JP H024967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- ion source
- substrate
- support
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 73
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 140
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 105
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 86
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 75
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 68
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 38
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 36
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 11
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 48
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 26
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 25
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229960005196 titanium dioxide Drugs 0.000 description 4
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004157 plasmatron Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- AZCUJQOIQYJWQJ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) titanium(4+) trihydrate Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4].O.O.O AZCUJQOIQYJWQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical class [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000029305 taxis Effects 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0047—Activation or excitation of reactive gases outside the coating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0073—Reactive sputtering by exposing the substrates to reactive gases intermittently
- C23C14/0078—Reactive sputtering by exposing the substrates to reactive gases intermittently by moving the substrates between spatially separate sputtering and reaction stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Catching Or Destruction (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＤＣマグネトロンスパッタリング処理と、こ
れに関連する装置とに関する。本発明は、特に、超硬合
金及び／又は耐火性の酸化物、窒化物、水素化物、炭素
含有化合物及びその他の化合物並びにその様な金属の合
金などの薄膜を高速で一様に付着形成させる装置及び方
法、並びに複合膜の付着形成に関する。本発明の方法及
び装置は、光学被膜についての厳しい要件を満たす様に
設計されているので、もっと要件の緩やかな他の被膜用
途にも適用することが出来る。
れに関連する装置とに関する。本発明は、特に、超硬合
金及び／又は耐火性の酸化物、窒化物、水素化物、炭素
含有化合物及びその他の化合物並びにその様な金属の合
金などの薄膜を高速で一様に付着形成させる装置及び方
法、並びに複合膜の付着形成に関する。本発明の方法及
び装置は、光学被膜についての厳しい要件を満たす様に
設計されているので、もっと要件の緩やかな他の被膜用
途にも適用することが出来る。
（従来技術とその問題点）
近年、誘電性材料、特に金属酸化物、及び酸化物半導体
、特にインジウム錫酸化物、の層を形成する技術として
ＤＣマグネトロン反応スパッタリング法が開発された。
、特にインジウム錫酸化物、の層を形成する技術として
ＤＣマグネトロン反応スパッタリング法が開発された。
この技術は、誘電性材料を直接スパッタリングするＲＦ
マグネトロン技術に較べると、付着速度利得を実現する
ことが出来ると共に、製造装置が割安で安全であり、ま
た制御し易いという点で、勝っている。
マグネトロン技術に較べると、付着速度利得を実現する
ことが出来ると共に、製造装置が割安で安全であり、ま
た制御し易いという点で、勝っている。
Ｄ、Ｃ，マグネトロンスパンタリング技術の利点を十分
に利用し、且つその潜在的欠点を避けるためには、基板
及びスパッタリングカソードを分圧分離しなければなら
ないことは、被膜技術の分野では広く知られていること
である。分圧分離を実行する方法が幾つか提案されてい
る。例えば、Ｈａｒｔｓｏｕｇｈの米国特許第４，４２
０，３８５号： ５ｃｈｉｌｌｅｒ外の著作「マグネト
ロン−プラズマトロン法及び設備での高速スパッタリン
グにおける進歩」（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｈｉｇｈ
Ｒａｔｅ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｗｉｔｈＭａｇｎ
ｅｔｒｏｎ−Ｐｌａｓｍａｔｒｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉ
ｎｇ ａｎｄＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ 、
ＴＳＦ ６４ （１９７９） ４５５ ６７ ；５ｃｈ
ｅｒｅｒ外の著作「酸化物の反応高速ＤＣスパンタリン
グ」 （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｈｉｇｈ Ｒａｔｅ Ｓｐ
ｕｔｔｅｒｉｎｇＯｘｉｄｅｓ 、 （１９８４） ）
及びＳｃｈ ｉ １１ ｅｒ外の著作「５酸化チタン及
び２酸化チタンフイルムに対するマグネトロン−プラズ
マトロンでの反応ＤＣＣスパッタング」（“Ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ＤＣＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｗｉｔｈ ｔｈｅ
Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ−Ｐｌａｍａｔｒｏｎ ｆｏｒ Ｔ
ｉｔａｎｉｕｍ Ｐｅｎｔｏｘｉｄｅａｎｄ Ｔｉｔａ
ｎｉｕｍ Ｄｉｏｘｉｄｅ Ｆｉｌｍｓ 、 ＴＳＦ
６３ （１９７９）３６９−３７３ ）を参照された
い。
に利用し、且つその潜在的欠点を避けるためには、基板
及びスパッタリングカソードを分圧分離しなければなら
ないことは、被膜技術の分野では広く知られていること
である。分圧分離を実行する方法が幾つか提案されてい
る。例えば、Ｈａｒｔｓｏｕｇｈの米国特許第４，４２
０，３８５号： ５ｃｈｉｌｌｅｒ外の著作「マグネト
ロン−プラズマトロン法及び設備での高速スパッタリン
グにおける進歩」（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｈｉｇｈ
Ｒａｔｅ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｗｉｔｈＭａｇｎ
ｅｔｒｏｎ−Ｐｌａｓｍａｔｒｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉ
ｎｇ ａｎｄＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ 、
ＴＳＦ ６４ （１９７９） ４５５ ６７ ；５ｃｈ
ｅｒｅｒ外の著作「酸化物の反応高速ＤＣスパンタリン
グ」 （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｈｉｇｈ Ｒａｔｅ Ｓｐ
ｕｔｔｅｒｉｎｇＯｘｉｄｅｓ 、 （１９８４） ）
及びＳｃｈ ｉ １１ ｅｒ外の著作「５酸化チタン及
び２酸化チタンフイルムに対するマグネトロン−プラズ
マトロンでの反応ＤＣＣスパッタング」（“Ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ＤＣＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｗｉｔｈ ｔｈｅ
Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ−Ｐｌａｍａｔｒｏｎ ｆｏｒ Ｔ
ｉｔａｎｉｕｍ Ｐｅｎｔｏｘｉｄｅａｎｄ Ｔｉｔａ
ｎｉｕｍ Ｄｉｏｘｉｄｅ Ｆｉｌｍｓ 、 ＴＳＦ
６３ （１９７９）３６９−３７３ ）を参照された
い。
５ｃｈｅｒｅｒの技術は、スパッタリングゾーンの直上
に酸化ゾーンを形成する様にバッフルを設けたカソード
を使用する。その他の全ての点に関して、この技術は本
発明と直接関連するものではない。
に酸化ゾーンを形成する様にバッフルを設けたカソード
を使用する。その他の全ての点に関して、この技術は本
発明と直接関連するものではない。
それは、材料を一回で蒸着させる様に設計されており、
また、金属蒸気が蒸着中に酸化するからである。５ｃｈ
ｉｌｌｅｒ及びＨａｒｔｓｏｕｇｈの技術は、基板をス
パッタリングカソードと活性ガス吸着ゾーンと交互に配
置するが、これは圧力分離を達成する一層有効な技術で
ある。この分圧技術に関するもっと完全な解説がＨａｒ
ｔｓｏｕｇｈの特許文献に包含されている。Ｈａｒｔｓ
ｏｕｇｈの特許文献は、ディスクを単一のスパッタリン
グ蒸着ゾーン及び単一の酸化ゾーンを通して回転させて
該ディスク上に非光学的質の対摩耗性アルミニウム酸化
物を形成する方法を開示している。該スパッタリングゾ
ーン外の容積は全て反応ゾーン又は酸化ゾーンとして使
われ、斯くしてその二つのゾーンの境界は互いに接する
。活性ガスが蒸着ゾーンへ入り込むのを防止するために
、非常に洩れの少ないバッフルをスパッタリングカソー
ドと基板支持体との間に設けなければならない。そのた
めに、酸化のために利用可能な圧力が制限される。また
、この方法により可能な蒸着速度は本来的に酸化速度に
より制限される。即ち、カソードへの電力を増やして金
属スパッタリング速度を高めてゆくに従って、接着ゾー
ン内に最適な厚みの材料が蒸着される様にテーブル回転
速度を高めてゆかなければならない。しかし、テーブル
の並進速度を高めるに従って、酸化ゾーン内でのドウエ
ル時間が次第に減少してゆき、その結果として、限界内
で金属層を反応ゾーンの中で完全に酸化するにはドウエ
ル時間が不十分と成る。上記の分圧技術は、別の重大な
欠点を少なくとも三つ持っている。第１に、同じ装置内
で同じ真空サイクルで他の材料を蒸着するために一つ以
上の別のスパッタリングカソードを必要とする場合には
、１並進サイクル当りの反応時間が、その追加のカソー
ドの数に比例して減少する。
また、金属蒸気が蒸着中に酸化するからである。５ｃｈ
ｉｌｌｅｒ及びＨａｒｔｓｏｕｇｈの技術は、基板をス
パッタリングカソードと活性ガス吸着ゾーンと交互に配
置するが、これは圧力分離を達成する一層有効な技術で
ある。この分圧技術に関するもっと完全な解説がＨａｒ
ｔｓｏｕｇｈの特許文献に包含されている。Ｈａｒｔｓ
ｏｕｇｈの特許文献は、ディスクを単一のスパッタリン
グ蒸着ゾーン及び単一の酸化ゾーンを通して回転させて
該ディスク上に非光学的質の対摩耗性アルミニウム酸化
物を形成する方法を開示している。該スパッタリングゾ
ーン外の容積は全て反応ゾーン又は酸化ゾーンとして使
われ、斯くしてその二つのゾーンの境界は互いに接する
。活性ガスが蒸着ゾーンへ入り込むのを防止するために
、非常に洩れの少ないバッフルをスパッタリングカソー
ドと基板支持体との間に設けなければならない。そのた
めに、酸化のために利用可能な圧力が制限される。また
、この方法により可能な蒸着速度は本来的に酸化速度に
より制限される。即ち、カソードへの電力を増やして金
属スパッタリング速度を高めてゆくに従って、接着ゾー
ン内に最適な厚みの材料が蒸着される様にテーブル回転
速度を高めてゆかなければならない。しかし、テーブル
の並進速度を高めるに従って、酸化ゾーン内でのドウエ
ル時間が次第に減少してゆき、その結果として、限界内
で金属層を反応ゾーンの中で完全に酸化するにはドウエ
ル時間が不十分と成る。上記の分圧技術は、別の重大な
欠点を少なくとも三つ持っている。第１に、同じ装置内
で同じ真空サイクルで他の材料を蒸着するために一つ以
上の別のスパッタリングカソードを必要とする場合には
、１並進サイクル当りの反応時間が、その追加のカソー
ドの数に比例して減少する。
第２に、各材料の蒸着速度が、それに比例して減少する
。上記技術では、常に有効な反応空間は一つだけであり
、それ故に、２種類の金属酸化物又はその他の化合物又
は純金属及び化合物を同時に蒸着させることは不可能で
ある。
。上記技術では、常に有効な反応空間は一つだけであり
、それ故に、２種類の金属酸化物又はその他の化合物又
は純金属及び化合物を同時に蒸着させることは不可能で
ある。
最後に、環状回転構造であるがために、特別の形状のマ
グネトロンスパッタリングターゲットが必要であり、そ
のために、達成可能な膜厚の均一性に厳しい制限が課さ
れ、光学的薄膜については上記装置の使用可能な部分は
狭い環状領域となる。
グネトロンスパッタリングターゲットが必要であり、そ
のために、達成可能な膜厚の均一性に厳しい制限が課さ
れ、光学的薄膜については上記装置の使用可能な部分は
狭い環状領域となる。
従って、適度な実用的体積の多層光学フィルター装置の
製造には、上記従来技術の方法は不適当であることは明
らかである。また、この方法は、上記の様な欠点を持っ
ているので、多層光学装置の実際の製造に適用された場
合には、その処理量は、普通に作動させた同じ寸法及び
形態のＲＦマグネトロン装置の処理量より多くはない。
製造には、上記従来技術の方法は不適当であることは明
らかである。また、この方法は、上記の様な欠点を持っ
ているので、多層光学装置の実際の製造に適用された場
合には、その処理量は、普通に作動させた同じ寸法及び
形態のＲＦマグネトロン装置の処理量より多くはない。
（発明の概要）
Ａ、蕉 ゾーン び ゾーンの
本発明と従来技術の基本的差異は、本発明では蒸着と反
応とが共に、移動する基板支持体の周辺部の細長い軸方
向ゾーンで為されることである。
応とが共に、移動する基板支持体の周辺部の細長い軸方
向ゾーンで為されることである。
本発明においては、比較的に低圧の領域により金属蒸着
ゾーンから物理的に隔離された細長いゾーンにおいて高
活性ガス圧で効率的に反応が行なわれる。例えば線形マ
グネトロンや、適当な構成のイオン銃などの、支持体の
周辺部付近に細長い均一な高密度イオン束を作り出し、
酸素その他の反応性ガスから強い反応プラズマを発生さ
せる反応イオン源を使って、高圧反応空間を高エネルギ
ーガス種で実質的に構成し、これにより、反応に要する
時間を大幅に短縮する。この技術の他の利点は、反応性
の低い例えば窒素、水素、炭素のガス状酸化物等のガス
種を使って窒化物、水素化物、炭化物等の化合物を形成
することが出来るので、この技術は酸素等の反応性ガス
に限定されないという点にある。本発明は、従来技術の
上記欠点を全て克服し、複数のステーションを使用する
ことにより相当の蒸着速度増加を実現することが出来る
という点で別の利点を更に提供するものである。
ゾーンから物理的に隔離された細長いゾーンにおいて高
活性ガス圧で効率的に反応が行なわれる。例えば線形マ
グネトロンや、適当な構成のイオン銃などの、支持体の
周辺部付近に細長い均一な高密度イオン束を作り出し、
酸素その他の反応性ガスから強い反応プラズマを発生さ
せる反応イオン源を使って、高圧反応空間を高エネルギ
ーガス種で実質的に構成し、これにより、反応に要する
時間を大幅に短縮する。この技術の他の利点は、反応性
の低い例えば窒素、水素、炭素のガス状酸化物等のガス
種を使って窒化物、水素化物、炭化物等の化合物を形成
することが出来るので、この技術は酸素等の反応性ガス
に限定されないという点にある。本発明は、従来技術の
上記欠点を全て克服し、複数のステーションを使用する
ことにより相当の蒸着速度増加を実現することが出来る
という点で別の利点を更に提供するものである。
利用可能な活性ガス圧及び蒸着速度は、従来技術の装置
を使って実用的に達成可能な蒸着速度を遥かに上回る。
を使って実用的に達成可能な蒸着速度を遥かに上回る。
厳重なバッフルが不要であるので、湾曲した基板にも被
膜を設けることが出来る。
膜を設けることが出来る。
本発明と従来技術との基本的差異の実際的価値を明らか
にする実施例を本明細書に開示する。
にする実施例を本明細書に開示する。
Ｂ、 土のシステム び
超硬合金被膜及び金属酸化物被膜等の光学的質の誘電体
被膜を含む薄い被膜を形成する本発明の現在好適な方法
においては、直列並進処理構成、又は、回転する筒型ド
ラム支持体に、又は回転する遊星歯車支持体に、又は連
続移動ウェブに基板を取り付ける筒型処理構成を使用す
る。基板は、−組の処理ステーション、即ち、（１）シ
リコン、タンタル等を蒸着させる金属蒸着モードで作動
する少なくとも一つの、好ましくは線形のカソードプラ
ズマ発生装置（例えば、プレーナーマグネトロン又はシ
ャッタープルーフ回転型マグネトロン）と、これに続く
（２）反応プラズマモードで作動するプレーナーマグ
ネトロン、又は酸素又はその他の窒素、水素又はガス状
炭素酸化物（これに限らない）を含む活性ガスを使って
該支持体の周辺部付近に細長い均一な大強度イオン束を
作り出して強い反応プラズマを発生させるイオン銃その
他のイオン源等の、同様の装置と、から成る処理ステー
ションの組を通して動かされる。この装置は蒸着及び反
応の両方に細長いゾーンを提供し、そのゾーン境界は完
全に物理的に分離される。同様のマグネトロンカソード
を使う場合には、一つは金属蒸着モードを提供するため
に比較的に低い活性ガス（酸素等）分圧で作動させられ
、他の一つは比較的に高い活性ガス分圧で作動させられ
て、酸化等をさせる強い反応プラズマを発生させる。
被膜を含む薄い被膜を形成する本発明の現在好適な方法
においては、直列並進処理構成、又は、回転する筒型ド
ラム支持体に、又は回転する遊星歯車支持体に、又は連
続移動ウェブに基板を取り付ける筒型処理構成を使用す
る。基板は、−組の処理ステーション、即ち、（１）シ
リコン、タンタル等を蒸着させる金属蒸着モードで作動
する少なくとも一つの、好ましくは線形のカソードプラ
ズマ発生装置（例えば、プレーナーマグネトロン又はシ
ャッタープルーフ回転型マグネトロン）と、これに続く
（２）反応プラズマモードで作動するプレーナーマグ
ネトロン、又は酸素又はその他の窒素、水素又はガス状
炭素酸化物（これに限らない）を含む活性ガスを使って
該支持体の周辺部付近に細長い均一な大強度イオン束を
作り出して強い反応プラズマを発生させるイオン銃その
他のイオン源等の、同様の装置と、から成る処理ステー
ションの組を通して動かされる。この装置は蒸着及び反
応の両方に細長いゾーンを提供し、そのゾーン境界は完
全に物理的に分離される。同様のマグネトロンカソード
を使う場合には、一つは金属蒸着モードを提供するため
に比較的に低い活性ガス（酸素等）分圧で作動させられ
、他の一つは比較的に高い活性ガス分圧で作動させられ
て、酸化等をさせる強い反応プラズマを発生させる。
基板及びカソードは、ドラムの内側又は外側（又はその
両方）に配置することが出来る。また、各処理ステーシ
ョンの組に複数のカソード／イオン銃を使用して、蒸着
速度と、形成される材料の数とを増大させることが出来
るので、該装置は、その規模を変更することが出来る。
両方）に配置することが出来る。また、各処理ステーシ
ョンの組に複数のカソード／イオン銃を使用して、蒸着
速度と、形成される材料の数とを増大させることが出来
るので、該装置は、その規模を変更することが出来る。
色々な材料を別々に、順次に、又は同時に蒸着させ酸化
させるために、色々な処理ステーションの構成をチャン
バ内に設けることが出来る。−例として、四つのステー
ションを選択的に配置し順次に作動させてタンタル蒸着
及び酸化、チタン蒸着及び酸化を順次行なって、交互に
位置するＴａ２’ｓ及びＴｉＯ□の層を速やかに形成す
ることが出来る。
させるために、色々な処理ステーションの構成をチャン
バ内に設けることが出来る。−例として、四つのステー
ションを選択的に配置し順次に作動させてタンタル蒸着
及び酸化、チタン蒸着及び酸化を順次行なって、交互に
位置するＴａ２’ｓ及びＴｉＯ□の層を速やかに形成す
ることが出来る。
本発明の方法においては、各バスにおいて１原子層以上
の蒸着厚みが得られる様に、蒸着カソードの電力と、基
板の回転速度又は並進速度とを調整することが出来る。
の蒸着厚みが得られる様に、蒸着カソードの電力と、基
板の回転速度又は並進速度とを調整することが出来る。
他の材料のカソードを追加し、各カソードへの電力を調
整することによって、所望の比率の合金を効率的に作り
出すことが出来る。例えば、車にカソードへの電力の割
合を調整することによって、Ｎｉのカソード及びＣｒの
カソードから、広い区域に亙って、所望の比率のＮｉＣ
ｒを形成することが出来る。酸化ステーションを加える
ことによって、バリウム銅イツトリウム酸化物等の複雑
な酸化物を形成することが出来るが、そのうちの幾つか
の形は超伝導体として知られている。
整することによって、所望の比率の合金を効率的に作り
出すことが出来る。例えば、車にカソードへの電力の割
合を調整することによって、Ｎｉのカソード及びＣｒの
カソードから、広い区域に亙って、所望の比率のＮｉＣ
ｒを形成することが出来る。酸化ステーションを加える
ことによって、バリウム銅イツトリウム酸化物等の複雑
な酸化物を形成することが出来るが、そのうちの幾つか
の形は超伝導体として知られている。
Ｃ０システムの る 的 占の
線形／平面マグネトロンスパッタリングステーション及
び反応プラズマステーションと組み合わされて本スパッ
タリングシステムに使われる筒形回転構成は、体積の大
きな平らな部品及び曲がった部品の両方に光学的質の被
膜を速やかに且つ均一に蒸着させることが出来る。二重
回転遊星歯車取り付は構造を設けることにより、管や多
面体等の部品を、その全周囲に亙って均一に被覆するこ
とが出来る。また、ランプガラス外囲器等の複雑な形状
に均一な被膜を蒸着した。また、スパッタリングステー
ション及び反応ステーションとを並進システムに適用し
て、ガラスパネル等の大きくて平らな基板上に光学的質
の被膜を速やかに、大量に、均一に蒸着させることが出
来る。与えられた電力入力について大きな蒸着速度を与
える金属モード蒸着の効率は、蒸着物及び熱を多数の基
板と大きなドラム表面に拡散させることと相まって、高
い蒸着速度を与えると共に基板をそれほど加熱しないの
で、プラスチックその他の低融点材料上に被膜を急速に
形成することも出来る。
び反応プラズマステーションと組み合わされて本スパッ
タリングシステムに使われる筒形回転構成は、体積の大
きな平らな部品及び曲がった部品の両方に光学的質の被
膜を速やかに且つ均一に蒸着させることが出来る。二重
回転遊星歯車取り付は構造を設けることにより、管や多
面体等の部品を、その全周囲に亙って均一に被覆するこ
とが出来る。また、ランプガラス外囲器等の複雑な形状
に均一な被膜を蒸着した。また、スパッタリングステー
ション及び反応ステーションとを並進システムに適用し
て、ガラスパネル等の大きくて平らな基板上に光学的質
の被膜を速やかに、大量に、均一に蒸着させることが出
来る。与えられた電力入力について大きな蒸着速度を与
える金属モード蒸着の効率は、蒸着物及び熱を多数の基
板と大きなドラム表面に拡散させることと相まって、高
い蒸着速度を与えると共に基板をそれほど加熱しないの
で、プラスチックその他の低融点材料上に被膜を急速に
形成することも出来る。
比較をしてみると、従来の反応酸化物スパッタリング法
はターゲット上で１０オングストロ一ム／秒以下の酸化
速度を与えるが、本発明の方法は、Ｔａ２’ｓについて
は約１００−１５０オングストロ一ム／秒、ＳｉＯ□に
ついては約１００オングストローム／秒の形成速度を与
える。
はターゲット上で１０オングストロ一ム／秒以下の酸化
速度を与えるが、本発明の方法は、Ｔａ２’ｓについて
は約１００−１５０オングストロ一ム／秒、ＳｉＯ□に
ついては約１００オングストローム／秒の形成速度を与
える。
本発明は、一つの特別の面においては、球状、湾曲状及
び不均一で、普通でない形状の基板上に複数層及び単一
層の薄膜を真空蒸着する従来技術に伴う主な困難を、そ
の様な基板上に、所定の均一な厚み又は可変厚みの、制
御された厚みプロフィールを持った丈夫な、高品質の被
膜を再現可能に形成することにより、解消するものであ
る。従来、湾曲面及び平面上への蒸着の制御を達成する
のに伴う困難を克服するために、色々な技術が使われた
。例えば、基板を複数回回転させると共に不活性ガスを
導入して蒸着材料の雲を「散乱」させる方法で、或はマ
スキング技術を使い、高速領域を覆って、低速領域と均
衡させることにより部品上への蒸着速度を均等化する方
法で、均一性の問題を解決する試みが為された。湾曲面
への高蒸着入射角に伴う耐久性の問題は、高角度領域を
マスキングすることで解決することが出来る。しかし、
この方法には著しい困難がある。例えば、散乱はＺｎＳ
／ＭｇＦｚ材料に限られるが、これは対摩耗性及び温度
耐久性の劣った多孔質の柔らかい被膜を作る。金属酸化
物等の硬い被膜材料は、酸化された時には、屈折率が低
下し、蒸発処理をして作られた時には膜の耐久性が低い
という問題がある。
び不均一で、普通でない形状の基板上に複数層及び単一
層の薄膜を真空蒸着する従来技術に伴う主な困難を、そ
の様な基板上に、所定の均一な厚み又は可変厚みの、制
御された厚みプロフィールを持った丈夫な、高品質の被
膜を再現可能に形成することにより、解消するものであ
る。従来、湾曲面及び平面上への蒸着の制御を達成する
のに伴う困難を克服するために、色々な技術が使われた
。例えば、基板を複数回回転させると共に不活性ガスを
導入して蒸着材料の雲を「散乱」させる方法で、或はマ
スキング技術を使い、高速領域を覆って、低速領域と均
衡させることにより部品上への蒸着速度を均等化する方
法で、均一性の問題を解決する試みが為された。湾曲面
への高蒸着入射角に伴う耐久性の問題は、高角度領域を
マスキングすることで解決することが出来る。しかし、
この方法には著しい困難がある。例えば、散乱はＺｎＳ
／ＭｇＦｚ材料に限られるが、これは対摩耗性及び温度
耐久性の劣った多孔質の柔らかい被膜を作る。金属酸化
物等の硬い被膜材料は、酸化された時には、屈折率が低
下し、蒸発処理をして作られた時には膜の耐久性が低い
という問題がある。
マスキングをするためには、湾曲面及び特に電球等の複
雑な湾曲面については、マスキングをするためには被膜
チャンバを複雑に加工しなければならず、またマスキン
グすれば蒸着速度が低下する。
雑な湾曲面については、マスキングをするためには被膜
チャンバを複雑に加工しなければならず、またマスキン
グすれば蒸着速度が低下する。
前記の様に、本発明は、単純な軸回転運動を本発明の高
速反応スパッタリング方式と組み合わせることにより、
これらの問題を克服する。軸回転により赤道軸に沿って
均一性が得られると共に、スパッタリングに伴う固有の
高圧により極付近での均一性を作るガス散乱効果が得ら
れる。スバッタリングした原子のエネルギーは、散乱す
るガスの熱化効果を克服するのに十分な大きさを持って
おり、被膜は良好な耐久性を示す。高速金属スパッタリ
ングゾーンと、エネルギーのある反応プラズマゾーンと
を交互に通して電球等（これに限定されないカリの基板
を回転させる上記の独特の反応スパッタリング方式を使
うことにより、高速を達成することが出来る。回転する
筒状形態と、プレーナーマグネトロン蒸着・反応技術（
より詳しくは、プレーナーマグネトロン及び反応プラズ
マ技術）とのこの組み合わせは、所望の結果を達成する
。即ち、複雑な曲率に形成され及び／又は低融点材料か
ら形成された、ありきたりでない基板を含む、大面積及
び／又は多数の平らな又は球形の又はその他の湾曲した
基板上に制御された均一さをもって高速で、再現可能な
、高度の耐久性をもった、光学的薄膜を蒸着させること
が出来る。
速反応スパッタリング方式と組み合わせることにより、
これらの問題を克服する。軸回転により赤道軸に沿って
均一性が得られると共に、スパッタリングに伴う固有の
高圧により極付近での均一性を作るガス散乱効果が得ら
れる。スバッタリングした原子のエネルギーは、散乱す
るガスの熱化効果を克服するのに十分な大きさを持って
おり、被膜は良好な耐久性を示す。高速金属スパッタリ
ングゾーンと、エネルギーのある反応プラズマゾーンと
を交互に通して電球等（これに限定されないカリの基板
を回転させる上記の独特の反応スパッタリング方式を使
うことにより、高速を達成することが出来る。回転する
筒状形態と、プレーナーマグネトロン蒸着・反応技術（
より詳しくは、プレーナーマグネトロン及び反応プラズ
マ技術）とのこの組み合わせは、所望の結果を達成する
。即ち、複雑な曲率に形成され及び／又は低融点材料か
ら形成された、ありきたりでない基板を含む、大面積及
び／又は多数の平らな又は球形の又はその他の湾曲した
基板上に制御された均一さをもって高速で、再現可能な
、高度の耐久性をもった、光学的薄膜を蒸着させること
が出来る。
本書において、本発明に関して使う［制御された厚みプ
ロフィール」又は「制御された均一さ」という表現は平
らな又は湾曲した面上に精密に均一な厚みの被膜を蒸着
させる能力のみならず、湾曲凹面に沿って蒸着される被
膜の厚みを制御可能な態様で変化させて、スペクトル性
能等の所望の設計目的を達成する能力をも意味すること
を強調しておく。
ロフィール」又は「制御された均一さ」という表現は平
らな又は湾曲した面上に精密に均一な厚みの被膜を蒸着
させる能力のみならず、湾曲凹面に沿って蒸着される被
膜の厚みを制御可能な態様で変化させて、スペクトル性
能等の所望の設計目的を達成する能力をも意味すること
を強調しておく。
（実施例）
Ａ、１回 び２ の システム
本発明は、分圧分離状態で作動する線形ＤＣマグネトロ
ンスパッタリングカソードと回転筒型工作物搬送方式と
を組み合わせて、Ｓｉｎｇ、ＴｉＯ□及びＴａｚＯｓ
（これに限定はされない）等の材料の単層又は複数層の
光学被膜を高速で形成することの出来るスパッタリング
蒸着システムを提供する。
ンスパッタリングカソードと回転筒型工作物搬送方式と
を組み合わせて、Ｓｉｎｇ、ＴｉＯ□及びＴａｚＯｓ
（これに限定はされない）等の材料の単層又は複数層の
光学被膜を高速で形成することの出来るスパッタリング
蒸着システムを提供する。
この組み合わせは、線形マグネトロンスパッタリングと
回転工作物搬送方式との先の両立不可能性に拘らず、ま
た、分圧分離を実施することの本来的困難（従来技術に
より示されている通り）に拘らず、達成される。
回転工作物搬送方式との先の両立不可能性に拘らず、ま
た、分圧分離を実施することの本来的困難（従来技術に
より示されている通り）に拘らず、達成される。
第１図及び第２図は、それぞれ、本発明のマグネトロン
増強真空スパッタリングシステムの１回転型実施例の略
斜視図及び水平断面図を示す。図示のスパッタリングシ
ステム１０は、真空処理チャンバを形成すると共に、第
２図に示されている適当な真空ポンプシステム１２に側
面で接してこれに接続されているハウジング１１を備え
ている。
増強真空スパッタリングシステムの１回転型実施例の略
斜視図及び水平断面図を示す。図示のスパッタリングシ
ステム１０は、真空処理チャンバを形成すると共に、第
２図に示されている適当な真空ポンプシステム１２に側
面で接してこれに接続されているハウジング１１を備え
ている。
該真空ポンプシステムは、排気ボート１３を介して該真
空チャンバを排気し、真空とするタライオボンプその他
の適当な真空ポンプ又はその組み合わせを包含する。シ
ステム１０はケージ型のドラム１４も包含しており、こ
のドラムは、シャフト１６の周囲に回転可能に装置され
ており、色々な形状及び寸法の基板１５を取り付ける様
に成っている円柱側面を持っている。基板１５は、該ド
ラムの外周面の周囲に離間して位置するスパッタリング
ステーションの方へ外向きに、又は該ドラムの内周面に
沿って離間するスパッタリングステーションに向けて内
向きに配置して直接にドラム１４上に取り付けることが
出来る。
空チャンバを排気し、真空とするタライオボンプその他
の適当な真空ポンプ又はその組み合わせを包含する。シ
ステム１０はケージ型のドラム１４も包含しており、こ
のドラムは、シャフト１６の周囲に回転可能に装置され
ており、色々な形状及び寸法の基板１５を取り付ける様
に成っている円柱側面を持っている。基板１５は、該ド
ラムの外周面の周囲に離間して位置するスパッタリング
ステーションの方へ外向きに、又は該ドラムの内周面に
沿って離間するスパッタリングステーションに向けて内
向きに配置して直接にドラム１４上に取り付けることが
出来る。
次に、第３図を参照する。システム１０は、ドラム１４
と関連して、又はドラム１４の代わりに、一つ以上の二
重回転運動遊星歯車取り付は装置２５を包含することが
出来る。この二重回転遊星歯車装置は、ドラムのみの上
に、或は単回転基板取り付は位置１５と組み合わせて設
けることが出来る。該遊星歯車装置は管１８等の物品を
載せて、これに二重回転運動を与える。単独で、又はリ
ングギヤ（図示せず）と関連して、太陽歯車１９は、付
属の遊星歯車２１をその回転軸２１Ａの周囲に、且つ該
太陽歯車の回転軸１６Ａの周囲に回転させる。図示の実
施例においては、遊星歯車２１は一連の歯車２２に作動
的に接続されており、該歯車２２はシャフトに取り付け
られてその軸２２Ａの周囲に回転する。一方、管１８は
遊星歯車支持シャフトに取り付けられて該シャフトと共
に軸２２への周囲に回転する。この遊星歯車取り付は装
置の構成により、ドラム１４と太陽歯車１９とが軸１６
Ａの周囲の可逆経路１６Ｐに沿って回転すると、遊星歯
車２１は軸２１Ａの周囲の経路２１Ｐに沿って回転し、
この運動は該ギヤ列により軸２２Ａの周囲の経路１８Ｐ
に沿う管１８の交互の回転運動に変換される。太陽歯車
１９と遊星歯車２１とのこの二重回転運動は、管等の物
品の周囲全体を均一に被覆する能力を高める。
と関連して、又はドラム１４の代わりに、一つ以上の二
重回転運動遊星歯車取り付は装置２５を包含することが
出来る。この二重回転遊星歯車装置は、ドラムのみの上
に、或は単回転基板取り付は位置１５と組み合わせて設
けることが出来る。該遊星歯車装置は管１８等の物品を
載せて、これに二重回転運動を与える。単独で、又はリ
ングギヤ（図示せず）と関連して、太陽歯車１９は、付
属の遊星歯車２１をその回転軸２１Ａの周囲に、且つ該
太陽歯車の回転軸１６Ａの周囲に回転させる。図示の実
施例においては、遊星歯車２１は一連の歯車２２に作動
的に接続されており、該歯車２２はシャフトに取り付け
られてその軸２２Ａの周囲に回転する。一方、管１８は
遊星歯車支持シャフトに取り付けられて該シャフトと共
に軸２２への周囲に回転する。この遊星歯車取り付は装
置の構成により、ドラム１４と太陽歯車１９とが軸１６
Ａの周囲の可逆経路１６Ｐに沿って回転すると、遊星歯
車２１は軸２１Ａの周囲の経路２１Ｐに沿って回転し、
この運動は該ギヤ列により軸２２Ａの周囲の経路１８Ｐ
に沿う管１８の交互の回転運動に変換される。太陽歯車
１９と遊星歯車２１とのこの二重回転運動は、管等の物
品の周囲全体を均一に被覆する能力を高める。
第１−３図を更に参照する。図示の実施例においては、
複数のマグネトロン増強スパッタリング装置３０がドラ
ム１４の外周面の回りに配置されている。一つの代表的
実施例においては、ステーション２６はシリコン等の材
料を蒸着させるために使われ、ステーション２７はクン
タル等の別の材料を蒸着させ、ステーション２８は酸素
等のガスを基板と反応させて、蒸着された金属層を酸化
物に変換する。斯くして、ドラム１４を回転させ、スパ
ッタリングステーション及び反応ステーション２６．２
７及び２８を選択的に作動させることにより、金属及び
／又はその酸化物を、はぼ任意の組み合わせて基板上に
選択的に形成することが出来る。例えば、ドラム１４を
回転させ、２６．２８．２７．２８の順でカソードを順
次付勢することにより、システム１０は数層子の厚みの
シリコン層を形成し、該シリコンをＳｉＯ□に酸化し、
次に数層子の厚みのタンタル層を蒸着し、そのタンタル
をＴａ２０５に酸化することが出来る。この手順を繰り
返し、また必要に応じて変更して精密に制御された厚み
のＳｉＯ□及びＴａ２ｅｓの複合光学被膜を形成するこ
とが出来る。ステーション位置２８のもの等の酸化ステ
ーションは、アルゴンを酸素に代えることにより、蒸着
ステーション２６及び２７と同様の平面マグネトロンカ
ソードを使うことが出来；或はまたイオン銃等の、反応
イオン化プラズマを発生させることの出来る他のイオン
源又は下記の線形マグネトロンインオン源、又は必要な
りＣ又はＦＲプラズマを発生させる他の装置を使うこと
が出来る。
複数のマグネトロン増強スパッタリング装置３０がドラ
ム１４の外周面の回りに配置されている。一つの代表的
実施例においては、ステーション２６はシリコン等の材
料を蒸着させるために使われ、ステーション２７はクン
タル等の別の材料を蒸着させ、ステーション２８は酸素
等のガスを基板と反応させて、蒸着された金属層を酸化
物に変換する。斯くして、ドラム１４を回転させ、スパ
ッタリングステーション及び反応ステーション２６．２
７及び２８を選択的に作動させることにより、金属及び
／又はその酸化物を、はぼ任意の組み合わせて基板上に
選択的に形成することが出来る。例えば、ドラム１４を
回転させ、２６．２８．２７．２８の順でカソードを順
次付勢することにより、システム１０は数層子の厚みの
シリコン層を形成し、該シリコンをＳｉＯ□に酸化し、
次に数層子の厚みのタンタル層を蒸着し、そのタンタル
をＴａ２０５に酸化することが出来る。この手順を繰り
返し、また必要に応じて変更して精密に制御された厚み
のＳｉＯ□及びＴａ２ｅｓの複合光学被膜を形成するこ
とが出来る。ステーション位置２８のもの等の酸化ステ
ーションは、アルゴンを酸素に代えることにより、蒸着
ステーション２６及び２７と同様の平面マグネトロンカ
ソードを使うことが出来；或はまたイオン銃等の、反応
イオン化プラズマを発生させることの出来る他のイオン
源又は下記の線形マグネトロンインオン源、又は必要な
りＣ又はＦＲプラズマを発生させる他の装置を使うこと
が出来る。
Ｂ、ＤＣマグネトロンスパッタリング（び反応）■
第４図及び第５図はＶａｃＴｅｃその他の供給元がら市
販されている種類のＤＣマグネトロンスパッタリング装
置３０を略図示しており、この装置は第１図及び第２図
のステーション２６及び２７、及び希望によりステーシ
ョン２８に、使用することが出来るものである。スパッ
タリング装置３０は、カソード３１を装置すると共に、
シャッター（図示せず）により選択的に閉じられる開口
部３Ｇを有する正面の活性ガスバッフル３２を形成して
いる。カソード３１は、アノード電位（普通はグランド
）のバッフル３２に対して例えば−４００■ないし一６
００ｖの電位を供給する電ａ３３に接続されている。タ
ーゲット３４の表面に添って、加えられた電界に垂直な
長方形走路型の磁界Ｂを供給するため、カソード本体内
に永久磁石（図示せず）が装置されている。マニホルド
管３７がターゲット３４の付近に配設されており、この
管は、バッフル３２とターゲット３４により画定された
スパッタリングチャンバへ酸素等の活性ガス又はアルゴ
ン等の不活性作業ガスを供給するガス源に接続されてい
る。該装置は、入り口３８を介して供給されて出口（図
示せず）へ循環してゆく水により冷却される。個々のス
パッタリング装置３０内のバッフル３２は、第１図及び
第２図の処理チャンバ１０の全体を各スパッタリング装
置の位置で実際士別々の領域又はサブチャンバに分割し
ており、その中では別々のガス雰囲気及び／又はガス分
圧が作られる。一つ以上のポンプを追加して活性ガス及
び不活性ガスの領域間の分離をより完全にすることが出
来る場合には、容易に改良を実現することが出来る。
販されている種類のＤＣマグネトロンスパッタリング装
置３０を略図示しており、この装置は第１図及び第２図
のステーション２６及び２７、及び希望によりステーシ
ョン２８に、使用することが出来るものである。スパッ
タリング装置３０は、カソード３１を装置すると共に、
シャッター（図示せず）により選択的に閉じられる開口
部３Ｇを有する正面の活性ガスバッフル３２を形成して
いる。カソード３１は、アノード電位（普通はグランド
）のバッフル３２に対して例えば−４００■ないし一６
００ｖの電位を供給する電ａ３３に接続されている。タ
ーゲット３４の表面に添って、加えられた電界に垂直な
長方形走路型の磁界Ｂを供給するため、カソード本体内
に永久磁石（図示せず）が装置されている。マニホルド
管３７がターゲット３４の付近に配設されており、この
管は、バッフル３２とターゲット３４により画定された
スパッタリングチャンバへ酸素等の活性ガス又はアルゴ
ン等の不活性作業ガスを供給するガス源に接続されてい
る。該装置は、入り口３８を介して供給されて出口（図
示せず）へ循環してゆく水により冷却される。個々のス
パッタリング装置３０内のバッフル３２は、第１図及び
第２図の処理チャンバ１０の全体を各スパッタリング装
置の位置で実際士別々の領域又はサブチャンバに分割し
ており、その中では別々のガス雰囲気及び／又はガス分
圧が作られる。一つ以上のポンプを追加して活性ガス及
び不活性ガスの領域間の分離をより完全にすることが出
来る場合には、容易に改良を実現することが出来る。
スパッタリングステーション２６及び／又は２７に線形
マグネトロンスパッタリング装置３０を使うと共に、次
の節で説明するイオン源４０等の、別の種類の装置を反
応ステーション２８に使用することにより、酸化物誘導
体被膜等の化合物などを形成することが出来る。或はま
た、スパッタリングステーション２６及び／又は２７及
び反応ステーション３０に少なくとも二つのパンフル付
き線形マグネトロンスパッタリング装置３０を使用する
ことも出来る。その両方の場合に、該スパッタリング装
置は別々の分圧領域又はチャンバ領域に納まり、連続的
に回転するドラムにより基板がそれらを交互に通過する
。スパツタリングと酸化との両方のためにバッフル付き
マグネトロンカソード３０を使う時には、該カソードは
、シリコンやタンタル等の選択された金属をスパッタリ
ングする様に設計されたターゲットを使ってチャンバ１
０内で酸素雰囲気中で比較的に高い出力密度で作動させ
られる。金属蒸着のためにステーション２６及び２７に
使われるバッフル分離されたマグネトロンカソードは、
低活性ガス（酸素）分圧環境中で作動させられて、金属
モードで作動して、結果的に高い速度で金属を蒸着させ
る。低酸素分圧は、マニホルド３７を介してアルゴン等
の不活性作業ガスを該チャンバ領域内に流し込むことに
より供給される。他の種類のバッフル付きマグネトロン
カソード２８は、比較的に高い活性ガス分圧で作動させ
られて、遥かに低い速度で金属を移動中の基板にスパッ
タリング蒸着させるが、この金属を遥かに速い速度で酸
化させる。より低い速度でターゲットは全体としての蒸
着速度に殆ど寄与しないので、制御には影響を与えない
が、大きな活性を持ったプラズマを作り出し、このプラ
ズマは、チャンバ内の酸素と成長中の薄膜とが直に反応
することを可能にすると共に、その結果として、該チャ
ンバ全体における酸素分圧を比較的に低くすることを可
能にし、これによりカソードの安定性と速度とが高まる
。この反応スパッタリング方法は完全に酸化された良好
な光学的性質を持った反復可能な薄膜を高速で蒸着させ
る。
マグネトロンスパッタリング装置３０を使うと共に、次
の節で説明するイオン源４０等の、別の種類の装置を反
応ステーション２８に使用することにより、酸化物誘導
体被膜等の化合物などを形成することが出来る。或はま
た、スパッタリングステーション２６及び／又は２７及
び反応ステーション３０に少なくとも二つのパンフル付
き線形マグネトロンスパッタリング装置３０を使用する
ことも出来る。その両方の場合に、該スパッタリング装
置は別々の分圧領域又はチャンバ領域に納まり、連続的
に回転するドラムにより基板がそれらを交互に通過する
。スパツタリングと酸化との両方のためにバッフル付き
マグネトロンカソード３０を使う時には、該カソードは
、シリコンやタンタル等の選択された金属をスパッタリ
ングする様に設計されたターゲットを使ってチャンバ１
０内で酸素雰囲気中で比較的に高い出力密度で作動させ
られる。金属蒸着のためにステーション２６及び２７に
使われるバッフル分離されたマグネトロンカソードは、
低活性ガス（酸素）分圧環境中で作動させられて、金属
モードで作動して、結果的に高い速度で金属を蒸着させ
る。低酸素分圧は、マニホルド３７を介してアルゴン等
の不活性作業ガスを該チャンバ領域内に流し込むことに
より供給される。他の種類のバッフル付きマグネトロン
カソード２８は、比較的に高い活性ガス分圧で作動させ
られて、遥かに低い速度で金属を移動中の基板にスパッ
タリング蒸着させるが、この金属を遥かに速い速度で酸
化させる。より低い速度でターゲットは全体としての蒸
着速度に殆ど寄与しないので、制御には影響を与えない
が、大きな活性を持ったプラズマを作り出し、このプラ
ズマは、チャンバ内の酸素と成長中の薄膜とが直に反応
することを可能にすると共に、その結果として、該チャ
ンバ全体における酸素分圧を比較的に低くすることを可
能にし、これによりカソードの安定性と速度とが高まる
。この反応スパッタリング方法は完全に酸化された良好
な光学的性質を持った反復可能な薄膜を高速で蒸着させ
る。
Ｃ９ンマグネトロンイオン源
第６図及び第７図は、線形マグネトロンイオンｍ４ｏの
現在好適な実施例を示し、これは第１図ないし第３図の
反応ステーション２８に使用されて所望の細長い反応ゾ
ーンを提供する。該線形マグネトロンイオン源４０はス
パッタリングプラズマに伴う電子を使用して、別の局所
プラズマ中で活性ガスからイオンを発生させる。これら
イオンは基板上のスパッタリング蒸着された材料に衝突
して、この蒸着された材料と化合物を形成する。
現在好適な実施例を示し、これは第１図ないし第３図の
反応ステーション２８に使用されて所望の細長い反応ゾ
ーンを提供する。該線形マグネトロンイオン源４０はス
パッタリングプラズマに伴う電子を使用して、別の局所
プラズマ中で活性ガスからイオンを発生させる。これら
イオンは基板上のスパッタリング蒸着された材料に衝突
して、この蒸着された材料と化合物を形成する。
イオン源４０は、第４図及び第５図に示されているカソ
ード組立体３１及びハウジング３２を使うことが出来る
（図を明快にするため、第６図及び第７図ではハウジン
グ３２は削除されている）。
ード組立体３１及びハウジング３２を使うことが出来る
（図を明快にするため、第６図及び第７図ではハウジン
グ３２は削除されている）。
線形マグネトロンイオン源として使用される様に成って
いて、直冷カソード３１はＯリングシール４１と、面の
雌螺子孔４２とを持っていて、ターゲット３４の代わり
に非磁性ステンレススチールカバー板４３を絶縁的に装
置して、カソード本体内の水循環チャネル４５を密封す
る。先に述べた通り、カソード３１も永久磁石（図示せ
ず）を備えており、該磁石は、該板が該カソードに組み
込まれた時、板４３に沿って細長い長方形の「走路」型
４４の磁界Ｂを提供する。イオン源４０は、回転可能な
基板支持体１４の周囲に隣接して装置されており、その
長平方向又は軸４ＯＬは支持体１４（第１図）の軸１６
Ａに平行で、幅方向又は短軸４０Ｗは該支持体の周辺部
及び回転方向１６Ｐ（第３図）に平行である。
いて、直冷カソード３１はＯリングシール４１と、面の
雌螺子孔４２とを持っていて、ターゲット３４の代わり
に非磁性ステンレススチールカバー板４３を絶縁的に装
置して、カソード本体内の水循環チャネル４５を密封す
る。先に述べた通り、カソード３１も永久磁石（図示せ
ず）を備えており、該磁石は、該板が該カソードに組み
込まれた時、板４３に沿って細長い長方形の「走路」型
４４の磁界Ｂを提供する。イオン源４０は、回転可能な
基板支持体１４の周囲に隣接して装置されており、その
長平方向又は軸４ＯＬは支持体１４（第１図）の軸１６
Ａに平行で、幅方向又は短軸４０Ｗは該支持体の周辺部
及び回転方向１６Ｐ（第３図）に平行である。
１対のステンレススチールの棒から成るアノード４６−
４６が、ボスト４７上のマグネトロン走路４４の細長い
相対する側に沿って装置されており、該ポスト自体は該
非磁性板に装置されている。
４６が、ボスト４７上のマグネトロン走路４４の細長い
相対する側に沿って装置されており、該ポスト自体は該
非磁性板に装置されている。
アノード４６は、段付き孤立絶縁部材４８によりポスト
４７及び板４３から絶縁されており、該絶縁部材４８は
、棒電極４６の穴４９に伸び込む比較的に小さな部分と
、比較的に大きな底部分とを持っており、該底部分は、
第７図に示す通り、アノードをスチレンススチール板４
３から精密に離間させる。取り付けのために、ボスト４
７は孤立部材４８及び棒アノード４６の穴４９に挿通さ
れ、ナツト５１で固着される。
４７及び板４３から絶縁されており、該絶縁部材４８は
、棒電極４６の穴４９に伸び込む比較的に小さな部分と
、比較的に大きな底部分とを持っており、該底部分は、
第７図に示す通り、アノードをスチレンススチール板４
３から精密に離間させる。取り付けのために、ボスト４
７は孤立部材４８及び棒アノード４６の穴４９に挿通さ
れ、ナツト５１で固着される。
各アノード４６、マグネトロン走路４４の長い側より僅
かに短い真直な棒である。各アノードの湾曲した、はぼ
筒型の外向き面５２は、磁力線Ｂ（第７図）の形状と緊
密に一致する。アノード４６は、ワイヤ導線５３を通し
て、例えば＋５０ポルトないし＋１４０ポルトのバイア
スで数アンペアの電流を供給することの出来る普通の電
源５４に接続されている。好都合なことに、該導線をプ
ラズマから絶縁し、該ワイヤにおける放電を阻止するた
めに、絶縁ビーズ５６ （又はその他の適当な絶縁部材
）が導線５３の該ハウジング内の部分に沿って装置され
ている。典型的な作動は、公称２０インチ長のマグネト
ロンカソードについては１００ないし１２０ボルトで２
ないし４アンペアで行なわれる。
かに短い真直な棒である。各アノードの湾曲した、はぼ
筒型の外向き面５２は、磁力線Ｂ（第７図）の形状と緊
密に一致する。アノード４６は、ワイヤ導線５３を通し
て、例えば＋５０ポルトないし＋１４０ポルトのバイア
スで数アンペアの電流を供給することの出来る普通の電
源５４に接続されている。好都合なことに、該導線をプ
ラズマから絶縁し、該ワイヤにおける放電を阻止するた
めに、絶縁ビーズ５６ （又はその他の適当な絶縁部材
）が導線５３の該ハウジング内の部分に沿って装置され
ている。典型的な作動は、公称２０インチ長のマグネト
ロンカソードについては１００ないし１２０ボルトで２
ないし４アンペアで行なわれる。
前述の通り、線形マグネトロンイオン源４０の装置場所
又はステーションは、スパッタリング領域２６又は２７
の外側であるが、関連のプラズマの中であり、これはほ
ぼ真空スパンタリングチャンバ全体に亙って延在する。
又はステーションは、スパッタリング領域２６又は２７
の外側であるが、関連のプラズマの中であり、これはほ
ぼ真空スパンタリングチャンバ全体に亙って延在する。
作動中、電源５４はカソード３１及びスチレンススチー
ル板４３に対してスチレンススチール類の棒アノード４
６を例えば１００ないし１２０ボルトの正ＤＣ電圧に保
つために使われ、該カソード３１及び板４３は、システ
ムのグランド電位であり、周囲のプラズマ中の電子に対
してはより大きな正電子である。第７図に最も明瞭に示
されている様に、アノードの湾曲面５２は、磁力線Ｂに
ほぼ垂直な電気力線Ｅを提供する。付随するプラズマ中
の電子は正電位のアノード４６の方へ加速され、発生し
たＥＸＢＯ場により該マグネトロン走路に沿って捕らえ
られ又は拘束され、隣接の入りロマニホルド５７を介し
て供給される反応ガスとの衝突の確率を大幅に増大させ
て、走路の形態４４により画定される強いプラズマを発
生させる。その強いプラズマは反応ガスから多数のイオ
ンを発生させ、該イオンは、該アノードと背景プラズマ
との間に存在する電位勾配によりアノード４６から離反
する方へ、基板に向かって加速されて反応プロセスを促
進させて、例えば、反応ガスとして酸素を使って、スパ
ッタリングされた金属の酸化を促進する。
ル板４３に対してスチレンススチール類の棒アノード４
６を例えば１００ないし１２０ボルトの正ＤＣ電圧に保
つために使われ、該カソード３１及び板４３は、システ
ムのグランド電位であり、周囲のプラズマ中の電子に対
してはより大きな正電子である。第７図に最も明瞭に示
されている様に、アノードの湾曲面５２は、磁力線Ｂに
ほぼ垂直な電気力線Ｅを提供する。付随するプラズマ中
の電子は正電位のアノード４６の方へ加速され、発生し
たＥＸＢＯ場により該マグネトロン走路に沿って捕らえ
られ又は拘束され、隣接の入りロマニホルド５７を介し
て供給される反応ガスとの衝突の確率を大幅に増大させ
て、走路の形態４４により画定される強いプラズマを発
生させる。その強いプラズマは反応ガスから多数のイオ
ンを発生させ、該イオンは、該アノードと背景プラズマ
との間に存在する電位勾配によりアノード４６から離反
する方へ、基板に向かって加速されて反応プロセスを促
進させて、例えば、反応ガスとして酸素を使って、スパ
ッタリングされた金属の酸化を促進する。
要約すると、作動中、細長い逆線形マグネトロンイオン
源４０は、その長手寸法が基板支持ドラム１４の全高に
亙り、その狭い寸法が回転方向に平行な該支持体の周囲
に沿って画定される様にマグネトロン走路４４により画
定される強い細長い反応ゾーンを提供する。単一のスパ
ッタリングゾーン外のほぼ全容積を、電源モードにおい
て、酸化のために使わなければならなかったのと対照的
に、本発明のイオン源４０は幅が僅かに約５ないし６イ
ンチで直径２９インチのドラム１４の周囲の僅かな部分
を占めるに過ぎず（５″／π Ｄ＝５″／９１“＝５．
５％）、シかも強力な磁界増強されたプラズマ反応によ
り、普通は１回で、蒸着された薄膜を完全に酸化する。
源４０は、その長手寸法が基板支持ドラム１４の全高に
亙り、その狭い寸法が回転方向に平行な該支持体の周囲
に沿って画定される様にマグネトロン走路４４により画
定される強い細長い反応ゾーンを提供する。単一のスパ
ッタリングゾーン外のほぼ全容積を、電源モードにおい
て、酸化のために使わなければならなかったのと対照的
に、本発明のイオン源４０は幅が僅かに約５ないし６イ
ンチで直径２９インチのドラム１４の周囲の僅かな部分
を占めるに過ぎず（５″／π Ｄ＝５″／９１“＝５．
５％）、シかも強力な磁界増強されたプラズマ反応によ
り、普通は１回で、蒸着された薄膜を完全に酸化する。
イオン源カソードの寸法が小さくて、反応速度が速いの
で、規模を大きくすることが出来、複数のスパッタリン
グカソード及び酸化反応カソードを使って速度を高め、
容積を増大させ、処理量を増やし、且つ蒸着される被膜
の組成を選択する自由導管を高めることが出来る。
で、規模を大きくすることが出来、複数のスパッタリン
グカソード及び酸化反応カソードを使って速度を高め、
容積を増大させ、処理量を増やし、且つ蒸着される被膜
の組成を選択する自由導管を高めることが出来る。
回転可能なドラムとバッフル付きマグネトロン増強スパ
ッタリング及び反応カソードとの組合わせは、最小限の
マスキングで、平面にも湾曲した不規則な形状の面にも
計ることの出来る厚みで、高速、精密制御可能な光学的
質の金属及び誘電体層を設けた。また、複数の被覆処理
回数で、与えられた沿うを作り上げるので、カソードア
ークは普通はコー ティングの一部のみを意味するので
、該アークの効果は大幅に減少する。また、金属モード
で作動する時には、マグネトロンアークは普通は頻度が
少なく且つ弱い。
ッタリング及び反応カソードとの組合わせは、最小限の
マスキングで、平面にも湾曲した不規則な形状の面にも
計ることの出来る厚みで、高速、精密制御可能な光学的
質の金属及び誘電体層を設けた。また、複数の被覆処理
回数で、与えられた沿うを作り上げるので、カソードア
ークは普通はコー ティングの一部のみを意味するので
、該アークの効果は大幅に減少する。また、金属モード
で作動する時には、マグネトロンアークは普通は頻度が
少なく且つ弱い。
上記のプロセスは、最高速度のスパッタリングを特徴と
する、ターゲットが金属モードで作動することを許す大
気中で安定な酸化物を形成するシリコン、タンタル、チ
タン、鉄（これに限定されない）等のスパッタリング金
属及び他のスパッタリング可能な材料を必要とし、一方
、該機械内のどこかに、好ましくはマグネトロン増強ス
パッタリングを使って、新しく蒸着された膜を、これを
酸化物に変える活性雰囲気にさらすイオンプロセスを確
立する。該金属は好ましくは、後の反応プロセス中に酸
化を完了させるため、原子数個分の厚みに蒸着されるに
過ぎない。普通は、ＳｉＯ□等の材料の所望の厚みの酸
化物層を形成するために、スパッタリング蒸着、酸化、
スパッタリング蒸着、酸化のプロセスを必要に応じて繰
り返す。次に、若しＴａｚＯｓ等の別の層を形成しなけ
ればならない場合には、同じ反復プロセスを繰り返す。
する、ターゲットが金属モードで作動することを許す大
気中で安定な酸化物を形成するシリコン、タンタル、チ
タン、鉄（これに限定されない）等のスパッタリング金
属及び他のスパッタリング可能な材料を必要とし、一方
、該機械内のどこかに、好ましくはマグネトロン増強ス
パッタリングを使って、新しく蒸着された膜を、これを
酸化物に変える活性雰囲気にさらすイオンプロセスを確
立する。該金属は好ましくは、後の反応プロセス中に酸
化を完了させるため、原子数個分の厚みに蒸着されるに
過ぎない。普通は、ＳｉＯ□等の材料の所望の厚みの酸
化物層を形成するために、スパッタリング蒸着、酸化、
スパッタリング蒸着、酸化のプロセスを必要に応じて繰
り返す。次に、若しＴａｚＯｓ等の別の層を形成しなけ
ればならない場合には、同じ反復プロセスを繰り返す。
当然に、酸化物だけ、酸化物及び金属、又は金属だけの
複合層を形成するために、必要に応じて色々な酸化物形
成サイクル及び金属蒸着サイクルを行なうことが出来る
。
複合層を形成するために、必要に応じて色々な酸化物形
成サイクル及び金属蒸着サイクルを行なうことが出来る
。
上記の様に、酸化反応を起こさせるために、イオン銃や
プレーナーマグネトロン等のイオン源がらの局所的に強
（イオン化した活性プラズマを使う。マグネトロンスパ
ッタリング蒸着された金属膜の均一度は精密であり、筒
状構成はスパッタリング蒸着の均一な分布を可能にする
。従って、殆どあらゆる幅及び長さのカソードでプロセ
スを時間及び電力制御することにより、従来のＤＣマグ
ネトロン反応プロセスに伴う制御可能性、計測可能性、
及び処理量に関する歴史的問題を克服することが出来る
。下記の例において示した様に、この能力は、従来の真
空蒸発プロセスを使っては蒸着困難な１６分の１可視波
長光学層等の断片的光学層の精密蒸着を可能にする。
プレーナーマグネトロン等のイオン源がらの局所的に強
（イオン化した活性プラズマを使う。マグネトロンスパ
ッタリング蒸着された金属膜の均一度は精密であり、筒
状構成はスパッタリング蒸着の均一な分布を可能にする
。従って、殆どあらゆる幅及び長さのカソードでプロセ
スを時間及び電力制御することにより、従来のＤＣマグ
ネトロン反応プロセスに伴う制御可能性、計測可能性、
及び処理量に関する歴史的問題を克服することが出来る
。下記の例において示した様に、この能力は、従来の真
空蒸発プロセスを使っては蒸着困難な１６分の１可視波
長光学層等の断片的光学層の精密蒸着を可能にする。
Ｃ４別の回云ｂ６システム
第８図は別のスパッタリングシステム６０を示し、この
システムは、真空スパッタリングチャンバの相対する側
に位置する一対のクライオポンプ１２−１２、複数のシ
リコンスパッタリング装置２６及びドラム１４の内側に
形成された外方を向いたクンタルスパッタリングカソー
ド２７、及び回転ドラム１４の外側に散在され内方を向
いている酸化装置２８を備えている。図示のシステムは
、管等の工作物の周囲を内側スパッタリングステーショ
ン及ヒ外側スパッタリングステーションの両方に均等に
露出させるために、遊星歯車基板取り付け・駆動装置２
５を備えている。この装置と、複数のシリコン、タンタ
ル及び酸素カソードにより、シリコン及びタンタル層の
形成及び前記層の酸化を高速で多数の基板に対して行な
うことが出来る。例えば、ＳｉＯ□及びＴａ２ｅｓから
成る複合層は、ジルコンカソード２６を同時に作動させ
、次に上布側の酸素カソード２８を作動させ、次に全て
のタンクルカソード２７を同時に作動させ、次に下左側
の酸素カソード２８を作動させることにより形成するこ
とが出来る。
システムは、真空スパッタリングチャンバの相対する側
に位置する一対のクライオポンプ１２−１２、複数のシ
リコンスパッタリング装置２６及びドラム１４の内側に
形成された外方を向いたクンタルスパッタリングカソー
ド２７、及び回転ドラム１４の外側に散在され内方を向
いている酸化装置２８を備えている。図示のシステムは
、管等の工作物の周囲を内側スパッタリングステーショ
ン及ヒ外側スパッタリングステーションの両方に均等に
露出させるために、遊星歯車基板取り付け・駆動装置２
５を備えている。この装置と、複数のシリコン、タンタ
ル及び酸素カソードにより、シリコン及びタンタル層の
形成及び前記層の酸化を高速で多数の基板に対して行な
うことが出来る。例えば、ＳｉＯ□及びＴａ２ｅｓから
成る複合層は、ジルコンカソード２６を同時に作動させ
、次に上布側の酸素カソード２８を作動させ、次に全て
のタンクルカソード２７を同時に作動させ、次に下左側
の酸素カソード２８を作動させることにより形成するこ
とが出来る。
本発明の真空スパッタリングシステムの更に他の実施例
が第９図に示されている。図示のスパフタリング６５は
、一対の真空ポンプシステム１２と、四つの回転ドラム
１４とを備えており、その各々に、シリコンカソード２
６及びタンクルカソード２７及び酸素カソード２８の外
部アレイが共同する。
が第９図に示されている。図示のスパフタリング６５は
、一対の真空ポンプシステム１２と、四つの回転ドラム
１４とを備えており、その各々に、シリコンカソード２
６及びタンクルカソード２７及び酸素カソード２８の外
部アレイが共同する。
第１０図は本発明の回転マグネトロンスパッタリングシ
ステムの別の実施例７０を示し、この実施例は、本発明
のマグネトロンスパッタリング方法を連続又は増分シー
ト又はロールに適応させるものである。この装置７０は
、誘電体等の材料を可撓性基板のロール上に蒸着させよ
うとする従来の試みの障害となった温度上昇と低蒸着速
度の問題を起こさずに、単層又は多層を高速でスパッタ
リング蒸着させるものである。
ステムの別の実施例７０を示し、この実施例は、本発明
のマグネトロンスパッタリング方法を連続又は増分シー
ト又はロールに適応させるものである。この装置７０は
、誘電体等の材料を可撓性基板のロール上に蒸着させよ
うとする従来の試みの障害となった温度上昇と低蒸着速
度の問題を起こさずに、単層又は多層を高速でスパッタ
リング蒸着させるものである。
この連続ロール被覆装置７０は、回転ドラム１４Ａと、
内側巻き戻しロール７１と、内側巻き取りロール７２と
を使用しており、これらは、共同して、材料の可撓性シ
ート又はウェブ７３を巻き戻しローラーから巻き戻し、
該可撓性ウェブ７３を線形マグネトロンスパッタリング
ステーションを通過させてドラム１４Ａの周囲に間欠的
に又は連続的に漸進させ、該可撓性ウェブ７３を内側ロ
ール７２上に巻き取る。
内側巻き戻しロール７１と、内側巻き取りロール７２と
を使用しており、これらは、共同して、材料の可撓性シ
ート又はウェブ７３を巻き戻しローラーから巻き戻し、
該可撓性ウェブ７３を線形マグネトロンスパッタリング
ステーションを通過させてドラム１４Ａの周囲に間欠的
に又は連続的に漸進させ、該可撓性ウェブ７３を内側ロ
ール７２上に巻き取る。
この連続ロール被覆装置７０を使って、可撓性ウェブ７
３自体の上に、又は該ウェブ上に取り付けられている基
板１５上に、被膜を形成することが出来る。また、少な
くとも数個の作動モードが可能である。例えば、ウェブ
を連続的に又は間欠的に漸進させると共に、選択された
スパッタリングステーション又はスパッタリングステー
ションのグループを作動させて、選択された材料を蒸着
させ、又は先に蒸着された材料を酸化させることにより
、ウェブ７３の全長に亙って一時に一つの層をスパッタ
リング蒸着させ、又はそれを酸化させたりすることが出
来る。多層複合膜を形成するために、次にウェブを巻き
直し、必要に応じて該プロセスを繰り返して個々の層又
は複数の層の所望の厚みを得る。
３自体の上に、又は該ウェブ上に取り付けられている基
板１５上に、被膜を形成することが出来る。また、少な
くとも数個の作動モードが可能である。例えば、ウェブ
を連続的に又は間欠的に漸進させると共に、選択された
スパッタリングステーション又はスパッタリングステー
ションのグループを作動させて、選択された材料を蒸着
させ、又は先に蒸着された材料を酸化させることにより
、ウェブ７３の全長に亙って一時に一つの層をスパッタ
リング蒸着させ、又はそれを酸化させたりすることが出
来る。多層複合膜を形成するために、次にウェブを巻き
直し、必要に応じて該プロセスを繰り返して個々の層又
は複数の層の所望の厚みを得る。
第２に、ドラム１４Ａの周囲長さを越えない長さまで、
ウェブの全部分を一時に被覆することが出来る。これを
実行するために、ウェブに目盛りを付して、ウェブの所
望の部分を適当なスパッタリングステーション又はスパ
ッタリングステーションのグループに向き合わせ、次に
その選択された部分にスパッタリング又は酸化操作を行
なう。
ウェブの全部分を一時に被覆することが出来る。これを
実行するために、ウェブに目盛りを付して、ウェブの所
望の部分を適当なスパッタリングステーション又はスパ
ッタリングステーションのグループに向き合わせ、次に
その選択された部分にスパッタリング又は酸化操作を行
なう。
次に、他の部分をそれらのスパッタリングステーション
又は別のスパッタリングステーションのグループに向き
合わせるために、ウェブに目盛りを付する。明らかに、
この構成は、誘電体層を含む色々な層を色々な部分又は
基板に蒸着又は形成するのについて無数の組み合わせを
可能にするものである。
又は別のスパッタリングステーションのグループに向き
合わせるために、ウェブに目盛りを付する。明らかに、
この構成は、誘電体層を含む色々な層を色々な部分又は
基板に蒸着又は形成するのについて無数の組み合わせを
可能にするものである。
連続ロール／ウェブ被覆装置７０は、明らかに、スパッ
タリング可能な材料（金属を含む）及び酸化物の単一層
又は複数層の複合膜を設ける本発明のマグネトロンスパ
ッタリング装置の前述の能力を提供するものであり、且
つ、その能力を大面積連続ロール被覆技術に拡張するも
のである。
タリング可能な材料（金属を含む）及び酸化物の単一層
又は複数層の複合膜を設ける本発明のマグネトロンスパ
ッタリング装置の前述の能力を提供するものであり、且
つ、その能力を大面積連続ロール被覆技術に拡張するも
のである。
更に他の応用例においては、前述の筒形スパッタリング
システムに使用されたロールは、１運転中に基板を弾き
又は回転させて該被覆機械の容量を拡張する設備を具備
することが出来る。その可能性の中には、平行な基板列
を１８０６回転させて各列の基板をスパッタリングステ
ーション又は別のドラム又は多側面支持体に向き合わせ
る方法があり、それは、例えば、三角形その他の多角形
断面を持っていて、遊星歯車装置により回転させられて
その面又は全周囲を、選択されたスパッタリングステー
ションに向き合わせる。また、支持体を、コンピュータ
ー制御下でドラム軸に平行な軸の周囲に回転する様に取
り付けて、基板を選択的に作業ステーションに向き合わ
せることも出来る。
システムに使用されたロールは、１運転中に基板を弾き
又は回転させて該被覆機械の容量を拡張する設備を具備
することが出来る。その可能性の中には、平行な基板列
を１８０６回転させて各列の基板をスパッタリングステ
ーション又は別のドラム又は多側面支持体に向き合わせ
る方法があり、それは、例えば、三角形その他の多角形
断面を持っていて、遊星歯車装置により回転させられて
その面又は全周囲を、選択されたスパッタリングステー
ションに向き合わせる。また、支持体を、コンピュータ
ー制御下でドラム軸に平行な軸の周囲に回転する様に取
り付けて、基板を選択的に作業ステーションに向き合わ
せることも出来る。
Ｅ、へこんだ 上の された可 プロワ ィ
−ル 前述の様に、また以下の例のうちの幾つかにおいて証明
される様に、本発明のスパッタリング技術は、平らな基
板面及び湾曲した基板面に沿って一定の被膜厚を与える
。更に、被膜の厚みを精密に制御する能力は、例えばラ
ンプ反射体等のへこんで湾曲した基板面に沿って被膜の
厚みを選択的に変化させることを可能にする。
−ル 前述の様に、また以下の例のうちの幾つかにおいて証明
される様に、本発明のスパッタリング技術は、平らな基
板面及び湾曲した基板面に沿って一定の被膜厚を与える
。更に、被膜の厚みを精密に制御する能力は、例えばラ
ンプ反射体等のへこんで湾曲した基板面に沿って被膜の
厚みを選択的に変化させることを可能にする。
へこんだ反射体基板上の光学被膜と関連する最も実用的
な用途においては、電球（フィラメント）からの光が鏡
面に入射する角度に対する多層装置のスペクトル応答特
性を調整するために、半径（中心から縁への）方向にお
いて膜厚を精密に調整しなければならない。縁及び反射
体の中心で測定した与えられたスペクトル特性について
の二つの波長の比としてプロフィールを定義することが
出来る。これら二の波長の比は、ＥＺＣ比と称する膜プ
ロフィールの示性数を与える。この比は、膜厚プロフィ
ールに対するキー変数の影響を研究し、基板面に亙って
プロフィールを最適化するために使われてきた。
な用途においては、電球（フィラメント）からの光が鏡
面に入射する角度に対する多層装置のスペクトル応答特
性を調整するために、半径（中心から縁への）方向にお
いて膜厚を精密に調整しなければならない。縁及び反射
体の中心で測定した与えられたスペクトル特性について
の二つの波長の比としてプロフィールを定義することが
出来る。これら二の波長の比は、ＥＺＣ比と称する膜プ
ロフィールの示性数を与える。この比は、膜厚プロフィ
ールに対するキー変数の影響を研究し、基板面に亙って
プロフィールを最適化するために使われてきた。
このプロフィール又はＥ／Ｃ比の典型的な値は１．０５
である。このことは、膜積み重ね厚みを徐々に増大させ
て、縁での厚みを、中心の厚みより５％大きくしなけれ
ばならないことを意味する。
である。このことは、膜積み重ね厚みを徐々に増大させ
て、縁での厚みを、中心の厚みより５％大きくしなけれ
ばならないことを意味する。
本発明のスパッタリング方法では、強く湾曲した反射体
の面上での膜厚は、下記のパラメータに支配される。
の面上での膜厚は、下記のパラメータに支配される。
１、 プロセスの全圧、
２、 ターゲット材料の質量、
３、作業ガスの質量、
４、 ターゲットから基板までの距離、５、基板の偏心
度、 ６、 ターゲット出力、及び ７、 スパッタリング条件の均一性。
度、 ６、 ターゲット出力、及び ７、 スパッタリング条件の均一性。
例えば、全圧を低下させると、Ｅ／Ｃ比が低下し、ター
ゲット材料の質量を減少させればＥ／Ｃ比が増大し、反
射体の焦点距離を増大させればＥＺＣ比が増大する。
ゲット材料の質量を減少させればＥ／Ｃ比が増大し、反
射体の焦点距離を増大させればＥＺＣ比が増大する。
統計的最適化プログラムＸ５ＴＡＴを使ってプロセスパ
ラメータの組み合わせ効果が研究された。
ラメータの組み合わせ効果が研究された。
このプログラムは、与えられた膜特性についてスパッタ
リング蒸着パラメータで表現される予測方程式に到達す
るために使われた。Ｅ／Ｃは膜特性の一つとして含まれ
た。その結果得られた予測方程式は、 Ｅ／Ｃ＝（０，６５５４）ＴＤ＋（０，２５）ＩＧＣ−
（０，９１）ＰＷＲ＋（０，００６）０ＸＹ−（０，０
０８）Ａｌｌ−５，４であり、ここで ＴＤ−ターゲット距離 Ｉ ＧＣ＝イオン銃電流 電流Ｒ−ターゲット出力 ０ＸＹ＝酸素流量 ＡＲ−アルゴン流量 である。本発明のスパッタリングプロセスと、例えば第
１図ないし第３図に示されている単一回転システムとを
使って、極めて高い均一度で上記パラメータの全てを制
御することが出来、厚みプロフィールを予測し、且つ、
従来技術の方法に固有の無秩序な変動と不均一さとに比
して区別し得ない程度に厚みプロフィールを調整するこ
とが可能となる。下記の例１は、へこんだ基板上に制御
された可変厚みプロフィールを設けるこの能力を、例２
−６は、平らな基板その他の湾曲した基板上に均一な一
定の厚みの被膜を形成する能力を証明する。
リング蒸着パラメータで表現される予測方程式に到達す
るために使われた。Ｅ／Ｃは膜特性の一つとして含まれ
た。その結果得られた予測方程式は、 Ｅ／Ｃ＝（０，６５５４）ＴＤ＋（０，２５）ＩＧＣ−
（０，９１）ＰＷＲ＋（０，００６）０ＸＹ−（０，０
０８）Ａｌｌ−５，４であり、ここで ＴＤ−ターゲット距離 Ｉ ＧＣ＝イオン銃電流 電流Ｒ−ターゲット出力 ０ＸＹ＝酸素流量 ＡＲ−アルゴン流量 である。本発明のスパッタリングプロセスと、例えば第
１図ないし第３図に示されている単一回転システムとを
使って、極めて高い均一度で上記パラメータの全てを制
御することが出来、厚みプロフィールを予測し、且つ、
従来技術の方法に固有の無秩序な変動と不均一さとに比
して区別し得ない程度に厚みプロフィールを調整するこ
とが可能となる。下記の例１は、へこんだ基板上に制御
された可変厚みプロフィールを設けるこの能力を、例２
−６は、平らな基板その他の湾曲した基板上に均一な一
定の厚みの被膜を形成する能力を証明する。
特別の例を考察する前に、回転マグネトロンスパッタリ
ング装置を作動させる本発明の現在好適な方法に使用さ
れる順次ステップを検討すると有益である。後述の例は
、第１図ないし第３図に示されている単回転及び二重回
転装置を使って得られたものであるので、作動方法は、
この装置と、四つ（或はもっと多数）の金属スパッタリ
ング及び酸化／反応ステーションを使用するこの装置の
変形実施例とに結び付いている。
ング装置を作動させる本発明の現在好適な方法に使用さ
れる順次ステップを検討すると有益である。後述の例は
、第１図ないし第３図に示されている単回転及び二重回
転装置を使って得られたものであるので、作動方法は、
この装置と、四つ（或はもっと多数）の金属スパッタリ
ング及び酸化／反応ステーションを使用するこの装置の
変形実施例とに結び付いている。
初めに、反射体又は管又はその他の基板をドラムの周囲
に取りつける。次に真空囲い／チャンバを例えばＩ Ｘ
１０−６ｔｏｒｒの背景圧まで排気して、所定速度の
ドラム回転を開始させる。
に取りつける。次に真空囲い／チャンバを例えばＩ Ｘ
１０−６ｔｏｒｒの背景圧まで排気して、所定速度の
ドラム回転を開始させる。
次に、スパッタリングガス（例えばアルゴン）を入りロ
マニホルド３７を通して流通させると共に付属の電源３
３を介して電力をカソード３１に供給して、所定被覆処
理中に使われる予定の金属スパッタリングカソードを始
動させる。蒸着（蒸着プラス酸化）被覆サイクルの開始
以前は、蒸着を阻止するためにカソードシャッターを閉
じておく スパッタリングカソードを始動させた後、イオン源４０
を始動させる。前述の通り、イオン源４０はスパッタリ
ングカソード３０の作動に伴うプラズマを利用して作動
するので、予めスパッタリングカソードを作動させてお
かなければならない。酸化モードで動作するスパッタリ
ングカソード３０等の他の成るイオン源は、独立したプ
ラズマに依存して作動するものではないが、該装置も、
スパッタリングカソードの動作が安定するまでは作動さ
せない方が良い。入りロマニホルド５７を介して酸素そ
の他の所望の反応ガス又はその混合物を流入させ且つ電
源５４を介して電力を供給することにより、イオン源を
始動させる。スパッタリングカソードとイオン源カソー
ドとの動作状態が安定し、即ち選択された電力、ガス流
量及びガス圧が安定し、ドラムが特定の回転速度で作動
して、選択された蒸着及び酸化速度を与える様になった
時、シャッターを選択的に開（ことによって、所望の蒸
着及び酸化を進行させることが出来る。
マニホルド３７を通して流通させると共に付属の電源３
３を介して電力をカソード３１に供給して、所定被覆処
理中に使われる予定の金属スパッタリングカソードを始
動させる。蒸着（蒸着プラス酸化）被覆サイクルの開始
以前は、蒸着を阻止するためにカソードシャッターを閉
じておく スパッタリングカソードを始動させた後、イオン源４０
を始動させる。前述の通り、イオン源４０はスパッタリ
ングカソード３０の作動に伴うプラズマを利用して作動
するので、予めスパッタリングカソードを作動させてお
かなければならない。酸化モードで動作するスパッタリ
ングカソード３０等の他の成るイオン源は、独立したプ
ラズマに依存して作動するものではないが、該装置も、
スパッタリングカソードの動作が安定するまでは作動さ
せない方が良い。入りロマニホルド５７を介して酸素そ
の他の所望の反応ガス又はその混合物を流入させ且つ電
源５４を介して電力を供給することにより、イオン源を
始動させる。スパッタリングカソードとイオン源カソー
ドとの動作状態が安定し、即ち選択された電力、ガス流
量及びガス圧が安定し、ドラムが特定の回転速度で作動
して、選択された蒸着及び酸化速度を与える様になった
時、シャッターを選択的に開（ことによって、所望の蒸
着及び酸化を進行させることが出来る。
例えば、四つのスパッタリング及び酸化ステーションを
ドラム１４の周囲に金属１カソード、イオン源酸化剤、
金属２カソード及びイオン源酸化剤の順に配置して、シ
ャッター開放手順により下記の被膜を得ることが出来る
。
ドラム１４の周囲に金属１カソード、イオン源酸化剤、
金属２カソード及びイオン源酸化剤の順に配置して、シ
ャッター開放手順により下記の被膜を得ることが出来る
。
１、金属１蒸着、酸化、金属２蒸着、酸化−金属１上に
金属２酸化物； ２、金属１、金属２、酸化−金属１上に金属２酸化物； ３、金属１、酸化、金属２−金属１酸化物上に金属２； ４、金属２、金属１、酸化→金属２上に金属１酸化物； ５、金属２、酸化、金属１−金属２酸化物上に金属１； ６、金属１及び金属２を同時に（即ち、金属１カソード
用のシャッターと金属２カソード用のシャッターとを同
時に開く）→金属１と金属２との混合物）； ７、金属１と金属２とを同時に、酸化→金属１と金属２
との酸化された混合物。
金属２酸化物； ２、金属１、金属２、酸化−金属１上に金属２酸化物； ３、金属１、酸化、金属２−金属１酸化物上に金属２； ４、金属２、金属１、酸化→金属２上に金属１酸化物； ５、金属２、酸化、金属１−金属２酸化物上に金属１； ６、金属１及び金属２を同時に（即ち、金属１カソード
用のシャッターと金属２カソード用のシャッターとを同
時に開く）→金属１と金属２との混合物）； ７、金属１と金属２とを同時に、酸化→金属１と金属２
との酸化された混合物。
明らかに、複数のカソードを使って色々な材料から多層
被膜の本質的に無数の組み合わせを形成することが出来
る。
被膜の本質的に無数の組み合わせを形成することが出来
る。
二つ以上の金属及び／又は他の材料の混合物の形成中、
スパッタリングシャッターを開いておき、且つ電力、圧
力、相対的アパーチャ寸法及び／又はカソードの相対的
個数を調整することによって一つの材料の、他の材料に
対する比を変えるのが好都合であることに留意されたい
。
スパッタリングシャッターを開いておき、且つ電力、圧
力、相対的アパーチャ寸法及び／又はカソードの相対的
個数を調整することによって一つの材料の、他の材料に
対する比を変えるのが好都合であることに留意されたい
。
また、一般に、化合物又は混合物又は分離した別々の材
料である特定の層の厚みは、関連のスバソタリングカソ
ードシャソターが開いている時間の長さにより決定され
る。
料である特定の層の厚みは、関連のスバソタリングカソ
ードシャソターが開いている時間の長さにより決定され
る。
以上の説明及び後述の例に基づいて、当業者は、単層及
び多層金属及びその他の材料及びその酸化物、窒化物、
炭化物等の本質的に無数の色々な組成物、化合物、合金
及び混合物を導出することが出来るであろう。
び多層金属及びその他の材料及びその酸化物、窒化物、
炭化物等の本質的に無数の色々な組成物、化合物、合金
及び混合物を導出することが出来るであろう。
例えば、複合材料及び合金の膜を形成する能力は、基板
平面に対して垂直な方向において組成が連続的に変化す
る膜、従って該方向に光学的性質が連続的に変化する膜
に及ぶ。組成の設定は、つ以上のスパッタリング源に供
給される電力を連続的に又は周期的に変化させることに
より、又は一つ以上のスパッタリング源でのアパーチャ
即ちシャッター開口を連続的に変えることによって、行
なうことが出来る。三つの重要な装置カテゴリーが可能
である。即ち、 基板での基板材料の屈折率から外側境界面での最も低い
実用的値まで屈折率が変化する単一の膜から成る透明な
反射防止被膜を作ることが出来る。普通、この様な装置
は、一般に２オクタ一ブ幅の、非常に広い帯域幅に亙っ
て有効な反射防止被膜を設けるために使われる。
平面に対して垂直な方向において組成が連続的に変化す
る膜、従って該方向に光学的性質が連続的に変化する膜
に及ぶ。組成の設定は、つ以上のスパッタリング源に供
給される電力を連続的に又は周期的に変化させることに
より、又は一つ以上のスパッタリング源でのアパーチャ
即ちシャッター開口を連続的に変えることによって、行
なうことが出来る。三つの重要な装置カテゴリーが可能
である。即ち、 基板での基板材料の屈折率から外側境界面での最も低い
実用的値まで屈折率が変化する単一の膜から成る透明な
反射防止被膜を作ることが出来る。普通、この様な装置
は、一般に２オクタ一ブ幅の、非常に広い帯域幅に亙っ
て有効な反射防止被膜を設けるために使われる。
普通は、全般的及び選択的吸収面を金属表面に設けるた
めに使われる不透明な反射防止被膜は、膜の組成を、何
らかの金属成分１００％から、外側境界面での何らかの
透明材料１００％まで変えることによって作ることが出
来る。
めに使われる不透明な反射防止被膜は、膜の組成を、何
らかの金属成分１００％から、外側境界面での何らかの
透明材料１００％まで変えることによって作ることが出
来る。
連続的に周期的に変化するプロフィールを持った透明な
膜を形成することが出来る。屈折率プロフィールは、単
純な一定周波数のプロフィール、又はもっと複雑な周波
数変調プロフィールであることが出来る。かかる構造の
代表的用途は、高伝導率の領域で分離された一つ以上の
離散的な狭い反射バンドを有する非常に狭いバンド反射
体としての用途である。かかる装置の代表的用途は、透
明領域波長を持って眼又は光学システムセンサーに入射
するレーザー放射から眼又は該センサーを保護する用途
である。
膜を形成することが出来る。屈折率プロフィールは、単
純な一定周波数のプロフィール、又はもっと複雑な周波
数変調プロフィールであることが出来る。かかる構造の
代表的用途は、高伝導率の領域で分離された一つ以上の
離散的な狭い反射バンドを有する非常に狭いバンド反射
体としての用途である。かかる装置の代表的用途は、透
明領域波長を持って眼又は光学システムセンサーに入射
するレーザー放射から眼又は該センサーを保護する用途
である。
Ｇ、血公皿遺之丞天人
第１８図は、本発明のマグネトロンスパンタリングシス
テムの他の実施例、即ち、平らな基板を被覆する様に設
計された直列並進システムの略図である。一般に、直列
並進型実施例は、従来技術に比して、前述の回転型シス
テムと同じ長所を持っている。システム８０は、前述の
回転型実施例に対して、非常に大きな、平らな基板を被
覆することが出来るという長所も持っている。回転型シ
ステムでは、その様な大きな基板は、大きい過ぎて実用
性のないドラム直径を必要とする。また、直列並進型シ
ステム８０は、従来技術の平坦ガラス被覆システムに比
して、従来技術のシステムの寸法の数分の−のチャンバ
を使用して同等の被覆処理量を提供することが出来ると
いう長所を持っている。
テムの他の実施例、即ち、平らな基板を被覆する様に設
計された直列並進システムの略図である。一般に、直列
並進型実施例は、従来技術に比して、前述の回転型シス
テムと同じ長所を持っている。システム８０は、前述の
回転型実施例に対して、非常に大きな、平らな基板を被
覆することが出来るという長所も持っている。回転型シ
ステムでは、その様な大きな基板は、大きい過ぎて実用
性のないドラム直径を必要とする。また、直列並進型シ
ステム８０は、従来技術の平坦ガラス被覆システムに比
して、従来技術のシステムの寸法の数分の−のチャンバ
を使用して同等の被覆処理量を提供することが出来ると
いう長所を持っている。
第１８図に示されている本発明の直列並進型システムの
実施例８０は、モジュラ−・サブチャンバを使用するの
が好ましいという意味で、代表的直列被覆システムであ
る。システム８０は三つの基本チャンバ、即ち、真空ロ
ード・ロックチャンバ８１、真空処理チャンバ８２、及
び真空アンロード・ロックチャンバ８３を備えている。
実施例８０は、モジュラ−・サブチャンバを使用するの
が好ましいという意味で、代表的直列被覆システムであ
る。システム８０は三つの基本チャンバ、即ち、真空ロ
ード・ロックチャンバ８１、真空処理チャンバ８２、及
び真空アンロード・ロックチャンバ８３を備えている。
各チャンバには、独立のポンプシステム８４と、独立の
高真空弁８６とが備えられている。処理チャンバ８２は
、真空ロック８７及び８８でロード・チャンバ及びアン
ロード・チャンバから絶縁することが出来る。基板は、
ロード・ロックチャンバ８７の真空ロック即ちドア８９
を通してロード（即ち装入）され、アンロード・ロック
チャンバ８３の同様の真空ロック９１を通してアンロー
ドされる（即ち、取り出される）。第１８図にその断面
が示されているチャンバは、−船釣には、水平に又は垂
直に装置することの出来る薄い、平らな箱である。
高真空弁８６とが備えられている。処理チャンバ８２は
、真空ロック８７及び８８でロード・チャンバ及びアン
ロード・チャンバから絶縁することが出来る。基板は、
ロード・ロックチャンバ８７の真空ロック即ちドア８９
を通してロード（即ち装入）され、アンロード・ロック
チャンバ８３の同様の真空ロック９１を通してアンロー
ドされる（即ち、取り出される）。第１８図にその断面
が示されているチャンバは、−船釣には、水平に又は垂
直に装置することの出来る薄い、平らな箱である。
基板を搬送するために無端コンベヤベルト９２．９３．
９４等の手段がチャンバ内に設けられている。ガラス窓
板等の基板は、該コンベヤと色々なチャンバとの間のギ
ャップを橋絡するのに十分な大きさを持っていることに
留意されたい。ロード・ロック・コンベヤ９２は、位置
９５の基板ヲロード・ロック８１からロック８７を通し
て処理チャンバ８２内の位置９６へ移動させるのに使わ
れる。
９４等の手段がチャンバ内に設けられている。ガラス窓
板等の基板は、該コンベヤと色々なチャンバとの間のギ
ャップを橋絡するのに十分な大きさを持っていることに
留意されたい。ロード・ロック・コンベヤ９２は、位置
９５の基板ヲロード・ロック８１からロック８７を通し
て処理チャンバ８２内の位置９６へ移動させるのに使わ
れる。
基板に言及する時、参照数９５−９８は、基板の位置を
指すと共に基板自体も指す。）処理チャンバコンベヤ９
３は、基板を、速やかに且つ一般には一定の速度で入り
口位置９６から９９の方向に処理ステーション１０１−
１０４を介して位置９７へ搬送し、そして基板を１００
の方向に処理ステーションを介して位置９６へ戻す。ア
ンロード・ロック・コンベヤ８８は真空ロック８８で基
板を受取り、これをアンロード・ロック・チャンバ８３
の中に運び込む。
指すと共に基板自体も指す。）処理チャンバコンベヤ９
３は、基板を、速やかに且つ一般には一定の速度で入り
口位置９６から９９の方向に処理ステーション１０１−
１０４を介して位置９７へ搬送し、そして基板を１００
の方向に処理ステーションを介して位置９６へ戻す。ア
ンロード・ロック・コンベヤ８８は真空ロック８８で基
板を受取り、これをアンロード・ロック・チャンバ８３
の中に運び込む。
希望により、ロード・ロック・チャンバ８１とアンロー
ド・ロック・チャンバ８３との外側にコンベヤを配置し
て、基板をロード・ロック・チャンバ８１に送り、基板
をアンロード・ロック・チャンバ８３から取り出すこと
が出来る。
ド・ロック・チャンバ８３との外側にコンベヤを配置し
て、基板をロード・ロック・チャンバ８１に送り、基板
をアンロード・ロック・チャンバ８３から取り出すこと
が出来る。
上記の通り、図示の処理チャンバ８７は、外側反応ステ
ーション１０１、中間又は内側のスパッタリングステー
ション１０２及び１０３、及び外側反応ステーション１
０４を含む四つの処理ステーションを内蔵している。前
述の色々なスパッタリング装置及びイオン源装置を使用
することが出来る。該処理ステーションは全て、反応ゾ
ーンとスパッタリングゾーンとを絶縁するパンフル１０
６を備えている。反応ステーション１０２．１０３は、
色々な材料及び金属Ｍ１及び金属Ｍ２等の金属をスパッ
タリングするために使うことが出来る。
ーション１０１、中間又は内側のスパッタリングステー
ション１０２及び１０３、及び外側反応ステーション１
０４を含む四つの処理ステーションを内蔵している。前
述の色々なスパッタリング装置及びイオン源装置を使用
することが出来る。該処理ステーションは全て、反応ゾ
ーンとスパッタリングゾーンとを絶縁するパンフル１０
６を備えている。反応ステーション１０２．１０３は、
色々な材料及び金属Ｍ１及び金属Ｍ２等の金属をスパッ
タリングするために使うことが出来る。
スパッタリングステーション１０２及び１０３と、反応
ステーション１０１及び１０４は、上記の線形マグネト
ロンスパッタリング装置３０と逆マグネトロンイオン源
４０とをそれぞれ使用すると好都合である。装置３０及
び４０の寸法は、細長い線形蒸着ゾーン及び反応ゾーン
を形成する様に設定されており、該ゾーン内の狭い方向
の寸法即ち幅は運動方向９９．１００に沿って伸び、該
ゾーンの長さは、コンベヤの長さ方向及び運動方向を横
断する方向の基板寸法を包含している。
ステーション１０１及び１０４は、上記の線形マグネト
ロンスパッタリング装置３０と逆マグネトロンイオン源
４０とをそれぞれ使用すると好都合である。装置３０及
び４０の寸法は、細長い線形蒸着ゾーン及び反応ゾーン
を形成する様に設定されており、該ゾーン内の狭い方向
の寸法即ち幅は運動方向９９．１００に沿って伸び、該
ゾーンの長さは、コンベヤの長さ方向及び運動方向を横
断する方向の基板寸法を包含している。
当業者は、第１９−２１図に略図示されている三つの実
施例を含む（しかし、これに限定されない）システム８
０の他の実施例に容易に想到するであろう。第１９図に
示されている第１の例は、ロード・チャンバ８１と、ア
ンロード・チャンバ８３と、処理チャンバ８２Ａとを包
含しており、処理チャンバ８２Ａは、第１８図のシステ
ム８０で使われている単一の上方列１０７の代わりに、
スパッタリング及び反応ゾーンの別々の上方及び下方の
列１０７及び１０８を備えている。第１９図に示されて
いる構成では、基板９６の両側を同時に被覆することが
出来ると共に、背中合わせに装置した二つの基板の各々
の一方の側を同時に被覆することが出来る。第２０図は
、処理チャンバ８２と、アンロード・チャンバとしても
機能するロード・ロソマ・チャンバ８１とから成る別の
実施例８０Ｂを示す。この実施例は、コスト又はスペー
スの関係で独立したロード・ロック・チャンバ及びアン
ロード・ロック・チャンバを設けることが出来ない場合
に利用することが出来るものである。
施例を含む（しかし、これに限定されない）システム８
０の他の実施例に容易に想到するであろう。第１９図に
示されている第１の例は、ロード・チャンバ８１と、ア
ンロード・チャンバ８３と、処理チャンバ８２Ａとを包
含しており、処理チャンバ８２Ａは、第１８図のシステ
ム８０で使われている単一の上方列１０７の代わりに、
スパッタリング及び反応ゾーンの別々の上方及び下方の
列１０７及び１０８を備えている。第１９図に示されて
いる構成では、基板９６の両側を同時に被覆することが
出来ると共に、背中合わせに装置した二つの基板の各々
の一方の側を同時に被覆することが出来る。第２０図は
、処理チャンバ８２と、アンロード・チャンバとしても
機能するロード・ロソマ・チャンバ８１とから成る別の
実施例８０Ｂを示す。この実施例は、コスト又はスペー
スの関係で独立したロード・ロック・チャンバ及びアン
ロード・ロック・チャンバを設けることが出来ない場合
に利用することが出来るものである。
第２１図は、ロード・ロック・チャンバ８１と、アンロ
ード・ロック・チャンバ８３と、真空ロック１０９によ
り分離された二つの独立の処理チャンバ８２−８２から
成る処理チャンバ８２Ｂとを包含する第３の実施例８０
Ｃを示す。この実施例は、システム全体の処理量を向上
させるために、又は処理ステーションの二つの列１０７
−１０７での反応を高度に絶縁しなければならない場合
に必要である。
ード・ロック・チャンバ８３と、真空ロック１０９によ
り分離された二つの独立の処理チャンバ８２−８２から
成る処理チャンバ８２Ｂとを包含する第３の実施例８０
Ｃを示す。この実施例は、システム全体の処理量を向上
させるために、又は処理ステーションの二つの列１０７
−１０７での反応を高度に絶縁しなければならない場合
に必要である。
直列並進システムの動作を説明するために再び第１８図
のシステム８０を参照する。初めに、ロック即ぢドア８
７．８８、及び９１を閉じ、アンロード・チャンバ８３
を約１０−６ｔｏｒｒの背景圧まで排気する。次に基板
９２をドア８９を通してロード・チャンバ８１に装入し
、次にロック８９を閉じてロード・チャンバを一般的に
は１Ｏ−６ｔｏｒｒの背景圧まで排気する。次にロック
８７を開き、基板を処理チャンバ８２内の位置９６へ送
り込み、ロック８７を閉じ、一般的には約２ミクロンの
圧力でアルゴンをスパッタリングマグネトロン１０２及
び１０３へ入れる。次に電力をスパッタリングマグネト
ロン１０２及び１０３のカソードに供給して、カソード
１０２でＭｌ等の金属を、カソード１０３で金属Ｍ２を
スパッタリングし始める。
のシステム８０を参照する。初めに、ロック即ぢドア８
７．８８、及び９１を閉じ、アンロード・チャンバ８３
を約１０−６ｔｏｒｒの背景圧まで排気する。次に基板
９２をドア８９を通してロード・チャンバ８１に装入し
、次にロック８９を閉じてロード・チャンバを一般的に
は１Ｏ−６ｔｏｒｒの背景圧まで排気する。次にロック
８７を開き、基板を処理チャンバ８２内の位置９６へ送
り込み、ロック８７を閉じ、一般的には約２ミクロンの
圧力でアルゴンをスパッタリングマグネトロン１０２及
び１０３へ入れる。次に電力をスパッタリングマグネト
ロン１０２及び１０３のカソードに供給して、カソード
１０２でＭｌ等の金属を、カソード１０３で金属Ｍ２を
スパッタリングし始める。
この期間中、スパッタリング状態が安定するまで、マグ
ネトロン１０２及び１０３のシャッターは閉しられてい
る。次に酸素等の反応ガスをイオン源１０１及び１０４
に入れ、適当なバイアス電圧をイオン源に加えてこれに
点火する。
ネトロン１０２及び１０３のシャッターは閉しられてい
る。次に酸素等の反応ガスをイオン源１０１及び１０４
に入れ、適当なバイアス電圧をイオン源に加えてこれに
点火する。
被覆を開始させるため、マグネトロン１０２のアパーチ
ャを覆うシャッターを開いて、基板９６を方向９９に処
理ステーションを介して位置９７へ一定速度で送り、次
に反対方向１００に位置９６に戻す。一般的には３原子
層を越えない材料が１回のバスで蒸着されると共に約２
０オングストロームの酸化物が１前進及び逆サイクルで
蒸着される様に、搬送速度及びスパッタリングパラメー
タを調整することが出来る。金属Ｍ１の所望の厚みの酸
化物が基板上に蓄積されるまで、この前進及び逆行の搬
送サイクルを繰り返す。それが蓄積された時点で、マグ
ネトロン１０２のシャック−を閉じる。
ャを覆うシャッターを開いて、基板９６を方向９９に処
理ステーションを介して位置９７へ一定速度で送り、次
に反対方向１００に位置９６に戻す。一般的には３原子
層を越えない材料が１回のバスで蒸着されると共に約２
０オングストロームの酸化物が１前進及び逆サイクルで
蒸着される様に、搬送速度及びスパッタリングパラメー
タを調整することが出来る。金属Ｍ１の所望の厚みの酸
化物が基板上に蓄積されるまで、この前進及び逆行の搬
送サイクルを繰り返す。それが蓄積された時点で、マグ
ネトロン１０２のシャック−を閉じる。
次にマグネトロン１０８を覆うシャッターを開き、前の
段落に記載したプロセスを繰り返して金属Ｍ２の層を所
望の厚みまで蒸着させる。所望の多層組み合わせが基板
上に蒸着されるまで、この二つの金属酸化物蒸着ステッ
プを繰り返すことが出来る。また、基板が処理ステーシ
ョンの列１０７を通過する際にイオン源装置のシャッタ
ーを閉じておくことにより、金属Ｍ１及び／又はＭ２の
層を設けることが出来る（即ち、金属を、酸化させずに
形成することが出来る）。
段落に記載したプロセスを繰り返して金属Ｍ２の層を所
望の厚みまで蒸着させる。所望の多層組み合わせが基板
上に蒸着されるまで、この二つの金属酸化物蒸着ステッ
プを繰り返すことが出来る。また、基板が処理ステーシ
ョンの列１０７を通過する際にイオン源装置のシャッタ
ーを閉じておくことにより、金属Ｍ１及び／又はＭ２の
層を設けることが出来る（即ち、金属を、酸化させずに
形成することが出来る）。
所望の被膜が形成された後、アンロードステーション８
３内の圧力を、処理チャンバ８２ないの圧力と同等の圧
力まで上昇させる。ロック８８を開き、被覆された基板
９７をアンロード・ロック・チャンバ８３内の位置９８
へ搬入する。ロック８８を閉じてアンロード・ロック・
チャンバ８３を大気圧まで昇圧させる。次に、位置９４
の基板をアンロード・ロック・チャンバから取り出すこ
とが出来る様に、ロック９１を開く。
３内の圧力を、処理チャンバ８２ないの圧力と同等の圧
力まで上昇させる。ロック８８を開き、被覆された基板
９７をアンロード・ロック・チャンバ８３内の位置９８
へ搬入する。ロック８８を閉じてアンロード・ロック・
チャンバ８３を大気圧まで昇圧させる。次に、位置９４
の基板をアンロード・ロック・チャンバから取り出すこ
とが出来る様に、ロック９１を開く。
明らかに、直列並進システム８ｏは、ロード・チャンバ
８１への新しい基板の装入と、先に処理された基板のア
ンロード・チャンバ８３がらの取り出しとを被覆プロセ
スと同期させる連続モードで運転することも出来る。
８１への新しい基板の装入と、先に処理された基板のア
ンロード・チャンバ８３がらの取り出しとを被覆プロセ
スと同期させる連続モードで運転することも出来る。
Ｈ０炎
下記の例は、色々な基板、即ち色々な材料から成ってい
て、曲がった基板を含む基板、の上に多層の光学的質の
膜を大量に（大処理量）蒸着する本発明の方法の能力を
示す。下記の例に記載された膜は全て、第１図ないし第
３図に示されている装置と、特に二重回転遊星歯車装置
２５（管状又は筒状基板に対して）と単回転取り付は位
置１５（サングラスレンズ及びランプ反射体等の基板）
とを使って形成された。該システムは直径２９インチの
ドラム（ここでは回転数４８ｒｐｍ）、絶縁バッフルの
幅５インチのアパーチャと、５インチ幅のターゲットと
を使用した。線形マグネトロンカソード３０を使って色
々な材料をスパッタリング蒸着し、線形マグネトロンイ
オン源４０を使って、その蒸着された材料を酸化させた
。
て、曲がった基板を含む基板、の上に多層の光学的質の
膜を大量に（大処理量）蒸着する本発明の方法の能力を
示す。下記の例に記載された膜は全て、第１図ないし第
３図に示されている装置と、特に二重回転遊星歯車装置
２５（管状又は筒状基板に対して）と単回転取り付は位
置１５（サングラスレンズ及びランプ反射体等の基板）
とを使って形成された。該システムは直径２９インチの
ドラム（ここでは回転数４８ｒｐｍ）、絶縁バッフルの
幅５インチのアパーチャと、５インチ幅のターゲットと
を使用した。線形マグネトロンカソード３０を使って色
々な材料をスパッタリング蒸着し、線形マグネトロンイ
オン源４０を使って、その蒸着された材料を酸化させた
。
下記の例の特徴とするところは、以下に記載した製品が
大量に、しかも同じ種類の製品について高度の一貫性の
ある製品が、要求され、その製品の機能を決定する多層
システムの光学的及び機械的性質が製品の面全体に亙っ
て極めて均一でなければならないということにある。
大量に、しかも同じ種類の製品について高度の一貫性の
ある製品が、要求され、その製品の機能を決定する多層
システムの光学的及び機械的性質が製品の面全体に亙っ
て極めて均一でなければならないということにある。
例としての該製品で、本発明と前述の従来技術との差異
を強調することに値する。
を強調することに値する。
本発明は、蒸着と反応とのだめの別々の独立した、隣接
していないゾーンを使用する。該ゾーン間の全体的圧力
は低くて、アーク放電と、その後の膜厚制御能力喪失と
を最小限度にとどめる。
していないゾーンを使用する。該ゾーン間の全体的圧力
は低くて、アーク放電と、その後の膜厚制御能力喪失と
を最小限度にとどめる。
ドラム周辺部の蒸着ゾーンと反応ゾーンとは細長いので
、複数のステーションを筒状作業面の周囲に設けること
が出来る。このことは、二種類以上の材料を同じプロセ
スサイクルで蒸着しなければならない場合には不可欠で
あるが、これは、ここに記載した全ての例における要件
なのである。
、複数のステーションを筒状作業面の周囲に設けること
が出来る。このことは、二種類以上の材料を同じプロセ
スサイクルで蒸着しなければならない場合には不可欠で
あるが、これは、ここに記載した全ての例における要件
なのである。
ステーションの数を増やすことを可能にすると共に、蒸
着ゾーン及び反応ゾーンの細長くて規則的な形状は、多
数の基板と大基板面積の使用を可能にし、その結果とし
て大処理量を実現するものである。それは、多数の反応
ゾーン及び蒸着ゾーンを回転基板支持体の周囲に配置す
ることが出来、作業面の周囲に位置する全ての基板が同
じ材料束及びプラズマ状態にさらされるからである。こ
れにより、異なる基板上の膜厚を非常に高度に制御し得
ることが補償されるが、このことはある種類の製品の一
貫性を得るために不可欠である。
着ゾーン及び反応ゾーンの細長くて規則的な形状は、多
数の基板と大基板面積の使用を可能にし、その結果とし
て大処理量を実現するものである。それは、多数の反応
ゾーン及び蒸着ゾーンを回転基板支持体の周囲に配置す
ることが出来、作業面の周囲に位置する全ての基板が同
じ材料束及びプラズマ状態にさらされるからである。こ
れにより、異なる基板上の膜厚を非常に高度に制御し得
ることが補償されるが、このことはある種類の製品の一
貫性を得るために不可欠である。
蒸着ゾーンと基板支持体との間に緊密なパンフルを必要
としないので、この緊密なバッフルが実際的でない様な
曲率を持った基板を被覆することが出来る。例えば、レ
ンズ及び管を被覆することが出来る。
としないので、この緊密なバッフルが実際的でない様な
曲率を持った基板を被覆することが出来る。例えば、レ
ンズ及び管を被覆することが出来る。
１、′弓曲ガラス「常１日」
第１図ないし第３図に示されているシステムを、表１の
プロセスを使って単回転モードで作動させて、ガラスラ
ンプ反射体基板７５ （第１７図）上の交互に位置する
二酸化チタン及び二酸化シリコンから成る反射性多層酸
化物被膜を形成した。第１図の基板位置１５Ｂを参照さ
れたい。実際上、深皿反射面７６を二つの材料で精密に
制御された均一性をもって高蒸着速度で被覆した。該被
膜は２１の層から成っており、 ６２７ ｎｍ ４５９ ｎｍここで
Ｌ−二酸化シリコン、Ｈ−二酸化シリコンであり、二つ
のスタック（Ｈ／２ Ｌ Ｈ／２）’は６２７ｎｍ及び
４５９ｎｍのＱＷＯＴ （四分の一波長光学厚み）を中
心とする。上に使用した工業標準記号では、各（Ｈ／２
Ｌ Ｈ／２）５は、二酸化チタンの部分の−ＱＷＯＴ
層（Ｈ／２）と、二酸化シリコンのＱＷＯＴ層（Ｌ＞と
、二酸化チタンのもう一つの部分の−ＷＱＯＴ層（Ｈ／
２）とがこの順に積み重なっている層が５層重なってい
ることを示す。第１１図を参照すると、それぞれ膜の中
心、中間部、及び縁では、波長の関数として透過パーセ
ントを表わす曲線８０．８１及び８２により示されてい
る様に、該被覆は所望のＥ／Ｃ１，０５を処理し、その
他の部分では、赤外線エネルギー（即ち約７００ｎｍよ
り長い波長の光）を透過させると共に、電球光源の色変
化を伴わずに可視光を反射するというスペクトル特性設
計目的を達成した。
プロセスを使って単回転モードで作動させて、ガラスラ
ンプ反射体基板７５ （第１７図）上の交互に位置する
二酸化チタン及び二酸化シリコンから成る反射性多層酸
化物被膜を形成した。第１図の基板位置１５Ｂを参照さ
れたい。実際上、深皿反射面７６を二つの材料で精密に
制御された均一性をもって高蒸着速度で被覆した。該被
膜は２１の層から成っており、 ６２７ ｎｍ ４５９ ｎｍここで
Ｌ−二酸化シリコン、Ｈ−二酸化シリコンであり、二つ
のスタック（Ｈ／２ Ｌ Ｈ／２）’は６２７ｎｍ及び
４５９ｎｍのＱＷＯＴ （四分の一波長光学厚み）を中
心とする。上に使用した工業標準記号では、各（Ｈ／２
Ｌ Ｈ／２）５は、二酸化チタンの部分の−ＱＷＯＴ
層（Ｈ／２）と、二酸化シリコンのＱＷＯＴ層（Ｌ＞と
、二酸化チタンのもう一つの部分の−ＷＱＯＴ層（Ｈ／
２）とがこの順に積み重なっている層が５層重なってい
ることを示す。第１１図を参照すると、それぞれ膜の中
心、中間部、及び縁では、波長の関数として透過パーセ
ントを表わす曲線８０．８１及び８２により示されてい
る様に、該被覆は所望のＥ／Ｃ１，０５を処理し、その
他の部分では、赤外線エネルギー（即ち約７００ｎｍよ
り長い波長の光）を透過させると共に、電球光源の色変
化を伴わずに可視光を反射するというスペクトル特性設
計目的を達成した。
表−よ
基板： へこんだガラス
回転運動二 単
材料１ ： Ｔｉｏ２を形成するチタン材料’
ｌ ： Ｓｉｎ、を形成するシリコンカソード
速度 材料１ （ＣＲＩ）： １１０オングストロ一ム／秒（Ａ／ｓ）カソード速度 材料２ （ＣＲ２）： ９０Ａ／Ｓ 材料１ ガス： アルゴン ４００ｓｅｃｍ材料２ ガ
ス： アルゴン ４００ｓｅｃｍ材料１ 電カニ ６
ＫＷ 材料２ 電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧力＝２．０ミクロン材料１に
対するイオン源動作：４アンペア１２５ｓｅｃｍ Ｏ
ｘ 材料２に対するイオン源動作：２アンペア１００ｓｅｃ
ｍ （ｈ 動作後の焼成（被膜完成後）： 空気中で５５０℃で１時間 ２の処理パラメータを使って単回転モードで作動させて
、ガラス凹レンズ上に交互に位置する５酸化チタン及び
二酸化シリコンの層から成る２６層の光学的質の被膜も
形成した。第１２図のパーセント反射率曲線８３と、第
１２図のパーセント透過率曲線８４とにより示されてい
る様に、この被覆は、有害な赤外線を眼から遮る近赤外
領域の拒絶帯と、紫外線領域の拒絶帯とを設けるという
スペクトル特性設計目標と共に、ＭＩＬ−Ｃ−６７５に
よる標準的イレーザ−摩擦・耐摩耗性試験により特定さ
れる非常に高度の膜耐久性を与えるという目標とを達成
した。この膜は、眼を保護する特徴を持っていると共に
、被膜デザイン（層厚）により、はぼ４００ ７００ｎ
ｍの範囲に亙って可視光を濾波して、可視光透過率に著
しい影響を与えずに色々な化粧着色を達成する。この設
計では、厳しい色再現性要件を達成するために、構成層
の光学的厚みを厳重に制御する必要がある。本発明を使
って製造した製品は、従来の方法で製造した製品より２
倍以上均一である。
ｌ ： Ｓｉｎ、を形成するシリコンカソード
速度 材料１ （ＣＲＩ）： １１０オングストロ一ム／秒（Ａ／ｓ）カソード速度 材料２ （ＣＲ２）： ９０Ａ／Ｓ 材料１ ガス： アルゴン ４００ｓｅｃｍ材料２ ガ
ス： アルゴン ４００ｓｅｃｍ材料１ 電カニ ６
ＫＷ 材料２ 電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧力＝２．０ミクロン材料１に
対するイオン源動作：４アンペア１２５ｓｅｃｍ Ｏ
ｘ 材料２に対するイオン源動作：２アンペア１００ｓｅｃ
ｍ （ｈ 動作後の焼成（被膜完成後）： 空気中で５５０℃で１時間 ２の処理パラメータを使って単回転モードで作動させて
、ガラス凹レンズ上に交互に位置する５酸化チタン及び
二酸化シリコンの層から成る２６層の光学的質の被膜も
形成した。第１２図のパーセント反射率曲線８３と、第
１２図のパーセント透過率曲線８４とにより示されてい
る様に、この被覆は、有害な赤外線を眼から遮る近赤外
領域の拒絶帯と、紫外線領域の拒絶帯とを設けるという
スペクトル特性設計目標と共に、ＭＩＬ−Ｃ−６７５に
よる標準的イレーザ−摩擦・耐摩耗性試験により特定さ
れる非常に高度の膜耐久性を与えるという目標とを達成
した。この膜は、眼を保護する特徴を持っていると共に
、被膜デザイン（層厚）により、はぼ４００ ７００ｎ
ｍの範囲に亙って可視光を濾波して、可視光透過率に著
しい影響を与えずに色々な化粧着色を達成する。この設
計では、厳しい色再現性要件を達成するために、構成層
の光学的厚みを厳重に制御する必要がある。本発明を使
って製造した製品は、従来の方法で製造した製品より２
倍以上均一である。
表−１
基板： ガラス製サングラスレンズ回転運動：
単 材料１ ： Ｔａｘｅｓを形成するタンタル材料
２ ： ＳｉＯ□を形成するシリコンＣ，Ｒ，１
： ７０Ａ／ｓ Ｃ，Ｒ，２： ９０Ａ／Ｓ 材料１ガス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料２ガス：
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ６ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧力＝２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作＝４アンペア、１９９ｓｃｃｍ
Ｏ２ 材料２に対するイオン源の動作：２アンペア、９９ｓｅ
ｃｍ Ｏ。
単 材料１ ： Ｔａｘｅｓを形成するタンタル材料
２ ： ＳｉＯ□を形成するシリコンＣ，Ｒ，１
： ７０Ａ／ｓ Ｃ，Ｒ，２： ９０Ａ／Ｓ 材料１ガス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料２ガス：
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ６ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧力＝２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作＝４アンペア、１９９ｓｃｃｍ
Ｏ２ 材料２に対するイオン源の動作：２アンペア、９９ｓｅ
ｃｍ Ｏ。
動作後の焼成： 空気中で４５０℃で１時間３、 プラ
スチックＩＩＩ レンズ 第１図ないし第３図に示されている装置を表３のプロセ
スで単回転モードで作動させて、有害な赤外線を眼から
遮る拒絶帯を近赤外線領域に有すると共に紫外線領域に
拒絶帯を有する、例２に記載したのと同じ２６層の青フ
ィルター膜を蒸着した。しかし、この場合の基板は、ガ
ラスレンズではなくてプラスチック製サングラスレンズ
であった。第１３図を参照すると、パーセント反射率曲
線８６とパーセント透過率曲線８７とが証明する様に、
この薄い被膜は、例２で説明した光学設計目標と例２の
追加の目的と、プロセス温度が約５５℃と非常に低いの
でプラスチックを溶融又は軟化させずにプラスチック上
に蒸着するという追加目的とを達成した。この証明され
た能力は、全ての既知の従来技術真空被覆処理法とは際
立って対照的であり、かかる従来技術にとっては多層の
丈夫な光学的に透明な被膜をプラスチック基板上に形成
することは従来から難題であった。該薄膜は、湿潤露出
試験（ＭＩＬ−Ｍ−１３５０８）とスナップテープ接着
試験（ＭＩＬ−Ｃ−６７５）とにも合格した。
スチックＩＩＩ レンズ 第１図ないし第３図に示されている装置を表３のプロセ
スで単回転モードで作動させて、有害な赤外線を眼から
遮る拒絶帯を近赤外線領域に有すると共に紫外線領域に
拒絶帯を有する、例２に記載したのと同じ２６層の青フ
ィルター膜を蒸着した。しかし、この場合の基板は、ガ
ラスレンズではなくてプラスチック製サングラスレンズ
であった。第１３図を参照すると、パーセント反射率曲
線８６とパーセント透過率曲線８７とが証明する様に、
この薄い被膜は、例２で説明した光学設計目標と例２の
追加の目的と、プロセス温度が約５５℃と非常に低いの
でプラスチックを溶融又は軟化させずにプラスチック上
に蒸着するという追加目的とを達成した。この証明され
た能力は、全ての既知の従来技術真空被覆処理法とは際
立って対照的であり、かかる従来技術にとっては多層の
丈夫な光学的に透明な被膜をプラスチック基板上に形成
することは従来から難題であった。該薄膜は、湿潤露出
試験（ＭＩＬ−Ｍ−１３５０８）とスナップテープ接着
試験（ＭＩＬ−Ｃ−６７５）とにも合格した。
表−１
基板： プラスチック製すングラスレンズ回転運動
二 単 材料１ ： Ｔａ２０５を形成するタンタル材料
２ ： ＳｉＯ□を形成するシリコンＣ，Ｒ，１
： ７０Ａ／Ｓ Ｃ，Ｒ，２： ９０Ａ／ｓ 材料１ガス： アルゴン４ Ｑ Ｑ ｓｃｃｍ材料２ガ
ス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ３ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧カニ２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作：４アンペア、１９９ｓｅｃｍ
Ｏ。
二 単 材料１ ： Ｔａ２０５を形成するタンタル材料
２ ： ＳｉＯ□を形成するシリコンＣ，Ｒ，１
： ７０Ａ／Ｓ Ｃ，Ｒ，２： ９０Ａ／ｓ 材料１ガス： アルゴン４ Ｑ Ｑ ｓｃｃｍ材料２ガ
ス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ３ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧カニ２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作：４アンペア、１９９ｓｅｃｍ
Ｏ。
材料２に対するイオン源の動作：４アンペア、９９ｓｅ
ｃｍ Ｏｚ 動作後の焼成： 無し ４、 プラスチックの 射方止 第１図ないし第３図に記載されている装置を単回転モー
ドで表４のプロセスに従って約５５℃の処理温度で作動
させて、交互に位置する５酸化タンタル及び二酸化シリ
コンから成る４層光学被膜を平らなプラスチック基板及
びプラスチック凸湾曲基板上に形成した。液膜は４層、
即ち基板１ （ＨＬＨＬ）１大気 から成っており、ここでＬ−二酸化シリコン、Ｈ−５酸
化タンタルであり、ＱＷＯＴ ＨＬＨＬはそれぞれ１
１７ｎｍ、１７２ｎｍ、１１０９６ｎ及び５２０ｎｍを
中心としていた。第１４図の反射率曲線を参照すると分
かる様に、液膜は、可視波長スペクトル領域に亙って非
常に低い反射率を与えると共に、該プラスチックを溶融
させたり軟化させたすせずに、再現性のある非常に薄い
（１００ｎｍ厚）膜を蒸着するという設計目標を満たし
た。
ｃｍ Ｏｚ 動作後の焼成： 無し ４、 プラスチックの 射方止 第１図ないし第３図に記載されている装置を単回転モー
ドで表４のプロセスに従って約５５℃の処理温度で作動
させて、交互に位置する５酸化タンタル及び二酸化シリ
コンから成る４層光学被膜を平らなプラスチック基板及
びプラスチック凸湾曲基板上に形成した。液膜は４層、
即ち基板１ （ＨＬＨＬ）１大気 から成っており、ここでＬ−二酸化シリコン、Ｈ−５酸
化タンタルであり、ＱＷＯＴ ＨＬＨＬはそれぞれ１
１７ｎｍ、１７２ｎｍ、１１０９６ｎ及び５２０ｎｍを
中心としていた。第１４図の反射率曲線を参照すると分
かる様に、液膜は、可視波長スペクトル領域に亙って非
常に低い反射率を与えると共に、該プラスチックを溶融
させたり軟化させたすせずに、再現性のある非常に薄い
（１００ｎｍ厚）膜を蒸着するという設計目標を満たし
た。
表４
ポリカーボネ
単
ト及びアクリル
基板：
回転運動：
材料１：
材料２：
Ｃ，Ｒ，１：
Ｔａ２Ｏ，を形成するタンタル
ＳｉＯ□を形成するシリコン
７０Ａ／ｓ
Ｃ，Ｒ，２： ９０Ａ／ｓ
材料１ガス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料２ガス：
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ３ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパンタリング圧カニ 材料１に対するイオン源の動作 ２．５ミクロン ：４アンペア、 １９９ｓｅｃｍ ０２ 材料２に対するイオン源の動作：４アンペア、９９ｓｅ
ｃｍ ０２ 動作後の焼成： 無し ５、 色１ 灯フィルター 第１図ないし第３図に示されている装置を二重回転モー
ドで表５のプロセスに従って作動させてハロゲン前照灯
電球の石英外囲器上に１４層の膜を蒸着させた。液膜は
三つの材料を包含しており、その複数の材料の厳密な色
の整合を必要とし、薄い１波長構成層の精密な制御を必
要とする。その結果、液膜の設計は実行しにくい。特別
の膜設計は、 基板ｌ Ｆｅｚｅｓ （Ｈ） （Ｌｌ（） ６１外気で
あり、ここでＬ−二酸化シリコン、Ｈ＝５酸化タンタル
であり、ＱＷＯＴ ＦｅｚＯ３、Ｈ及び（ＬＨ）はそ
れぞれ１４層ｍ、１０層ｍ及び４３０ｎｍを中心として
いた。液膜は、ＦｅｚＯ３（Ｈ） （Ｌ）ｌ） ６の設
計の多層青フィルターを石英外囲器上に再現可能に蒸着
する能力を証明した。ＦｅｚＯ３は、ここでは選択吸収
剤として使われた。これらの膜のスペクトル特性が第１
５図に示されている。曲線９１は、ＦｅｚＯ３吸収層が
使われた場合のパーセント透過率を表わす。曲線９２は
、ＦｅｚＯ＋層が無い場合の性能を示す。第１５図は、
多層青フィルター及びＦｅ２Ｏ３選択吸収層の組み合わ
せにより、約５００−６００ｎｍの範囲に亙る黄色光は
透過し、約４５０ｎｍの青色光の透過は遮られ、高角度
反射率とその後のガラス外囲器透過に伴う特性青色コロ
ナを解消する。
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ３ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパンタリング圧カニ 材料１に対するイオン源の動作 ２．５ミクロン ：４アンペア、 １９９ｓｅｃｍ ０２ 材料２に対するイオン源の動作：４アンペア、９９ｓｅ
ｃｍ ０２ 動作後の焼成： 無し ５、 色１ 灯フィルター 第１図ないし第３図に示されている装置を二重回転モー
ドで表５のプロセスに従って作動させてハロゲン前照灯
電球の石英外囲器上に１４層の膜を蒸着させた。液膜は
三つの材料を包含しており、その複数の材料の厳密な色
の整合を必要とし、薄い１波長構成層の精密な制御を必
要とする。その結果、液膜の設計は実行しにくい。特別
の膜設計は、 基板ｌ Ｆｅｚｅｓ （Ｈ） （Ｌｌ（） ６１外気で
あり、ここでＬ−二酸化シリコン、Ｈ＝５酸化タンタル
であり、ＱＷＯＴ ＦｅｚＯ３、Ｈ及び（ＬＨ）はそ
れぞれ１４層ｍ、１０層ｍ及び４３０ｎｍを中心として
いた。液膜は、ＦｅｚＯ３（Ｈ） （Ｌ）ｌ） ６の設
計の多層青フィルターを石英外囲器上に再現可能に蒸着
する能力を証明した。ＦｅｚＯ３は、ここでは選択吸収
剤として使われた。これらの膜のスペクトル特性が第１
５図に示されている。曲線９１は、ＦｅｚＯ３吸収層が
使われた場合のパーセント透過率を表わす。曲線９２は
、ＦｅｚＯ＋層が無い場合の性能を示す。第１５図は、
多層青フィルター及びＦｅ２Ｏ３選択吸収層の組み合わ
せにより、約５００−６００ｎｍの範囲に亙る黄色光は
透過し、約４５０ｎｍの青色光の透過は遮られ、高角度
反射率とその後のガラス外囲器透過に伴う特性青色コロ
ナを解消する。
表−ｌ
ハロゲンランプ外囲器
重（遊星）
Ｔａ２０５を形成するタンクル
基板：
回転運動：
材料１：
材料２ ： −３ｉＯ□を形成するシリコンＣ，
Ｒ，１： １５０Ａ／ｓ Ｃ，Ｒ，２： １００Ａ／Ｓ 材料１ガス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料２ガス：
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ６ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧カニ２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作＝１アンペア、２００ｓｅｃｍ
Ｏ２ 材料２に対するイオン源の動作＝１アンペア、１０１０
０ｃ Ｏ２ 動作後の焼成二 ６００℃の空気中で１時間６、第１図
ないし第３図に示されている装置を二重回転モードで作
動させて、赤外線（ＩＲ）輻射エネルギー加熱ランプに
使われる筒状石英ランプ外囲器上に１４層の膜を形成し
た。該被膜は、可視エネルギーを透過させるが、内側の
タングステンハロゲンフィラメントから放射される赤外
線エネルギーを反射するので、「薄熱鏡」と呼ばれる。
Ｒ，１： １５０Ａ／ｓ Ｃ，Ｒ，２： １００Ａ／Ｓ 材料１ガス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料２ガス：
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ６ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧カニ２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作＝１アンペア、２００ｓｅｃｍ
Ｏ２ 材料２に対するイオン源の動作＝１アンペア、１０１０
０ｃ Ｏ２ 動作後の焼成二 ６００℃の空気中で１時間６、第１図
ないし第３図に示されている装置を二重回転モードで作
動させて、赤外線（ＩＲ）輻射エネルギー加熱ランプに
使われる筒状石英ランプ外囲器上に１４層の膜を形成し
た。該被膜は、可視エネルギーを透過させるが、内側の
タングステンハロゲンフィラメントから放射される赤外
線エネルギーを反射するので、「薄熱鏡」と呼ばれる。
赤外線エネルギーは幾何学的にランプのフィラメントに
入射するので、該被膜はランプの電力を減少させる。そ
のエネルギーは、フィラメントを加熱することにより、
ランプを作動させるのに必要な電気エネルギーの量を減
少させるのに使われるのである。特別の膜設針は、 基板＋ （Ｌ／２ ＨＬ／２）１大気π＝９００ｎ
ｍ であり、ここでＬは二酸化シリコンであり、Ｈは５酸化
タンタルであり、ＱＷＯＴは９００ｎｍを中心としてい
た。これら膜のスペクトル特性は第１６図に示されてい
る。曲線９３は波長の関数としてパーセント透過率を示
し、該熱鏡眼又は被膜が約４００−７５０ｎｍの範囲の
可視光を透過させ、約７５０−１１００ｎｍのＩＲエネ
ルギーを該フィラメントに向けて反射する。
入射するので、該被膜はランプの電力を減少させる。そ
のエネルギーは、フィラメントを加熱することにより、
ランプを作動させるのに必要な電気エネルギーの量を減
少させるのに使われるのである。特別の膜設針は、 基板＋ （Ｌ／２ ＨＬ／２）１大気π＝９００ｎ
ｍ であり、ここでＬは二酸化シリコンであり、Ｈは５酸化
タンタルであり、ＱＷＯＴは９００ｎｍを中心としてい
た。これら膜のスペクトル特性は第１６図に示されてい
る。曲線９３は波長の関数としてパーセント透過率を示
し、該熱鏡眼又は被膜が約４００−７５０ｎｍの範囲の
可視光を透過させ、約７５０−１１００ｎｍのＩＲエネ
ルギーを該フィラメントに向けて反射する。
表６
基板： １０１石英管
回転運動： 二重（遊Ｘ）
材料１ ： Ｔａ２０５を形成するタンクル材料
２： ５ｉ０２を形成するシリコンＣ，Ｒ，１：
１５０Ａ／ｓ Ｃ，Ｒ，２： １００Ａ／ｓ 材料１ガス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料２ガス：
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ６ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧力＝２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作：２アンペア、１９９ｓｅｃｍ
０２ 材料２に対するイオン源の動作：２アンペア、９９ｃｃ
ｍ ０２ 動作後の焼成： ６００°Ｃの空気中で１時間以上、本
発明の好適な実施例及び代替実施例を説明したが、当業
者は、この開示内容に基づいて、特許請求の範囲各項の
範囲内で、ここに記載した発明を容易に修正、拡張する
であろうことが分かる。
２： ５ｉ０２を形成するシリコンＣ，Ｒ，１：
１５０Ａ／ｓ Ｃ，Ｒ，２： １００Ａ／ｓ 材料１ガス： アルゴン４００ｓｅｃｍ材料２ガス：
アルゴン４００ｓｅｃｍ材料１電カニ ６ＫＷ 材料２電カニ ５ＫＷ アルゴンスパッタリング圧力＝２．５ミクロン材料１に
対するイオン源の動作：２アンペア、１９９ｓｅｃｍ
０２ 材料２に対するイオン源の動作：２アンペア、９９ｃｃ
ｍ ０２ 動作後の焼成： ６００°Ｃの空気中で１時間以上、本
発明の好適な実施例及び代替実施例を説明したが、当業
者は、この開示内容に基づいて、特許請求の範囲各項の
範囲内で、ここに記載した発明を容易に修正、拡張する
であろうことが分かる。
第１及び２図は本発明のマグネトロン増強真空スパッタ
リングシステムの１回転型実施例の略斜視図及び水平断
面図。 第３図は本発明のマグネトロン増強真空スパッタリング
システムの１回転型実施例の略斜視図。 第４及び５図はＶａｃＴｅｃその他の供給元がら市販さ
れている種類のＤＣマグネトロンスパッタリング装置の
略図。 第６図は線形マグネトロンイオン源の分解斜視図。 第７図は線形マグネトロンイオン源の側面図。 第８図は別のスパッタリングシステムの平面図。 第９図は別のスパッタリングシステムの平面図。 第１０図は回転スパッタリングシステムの平面図。 第１１〜１６図は本発明の実施例の光学特性を示すグラ
フ図。 第１７図は本発明の部分的斜視図。 第１８図は本発明のスパッタリングシステムの他の実施
例の説明図。 第１９〜２１図は本発明の他の実施例の説明図ロー □（％） 塑唄皓 ｍ−（％）塑廣悟 匡 （％）塑碧 匡
リングシステムの１回転型実施例の略斜視図及び水平断
面図。 第３図は本発明のマグネトロン増強真空スパッタリング
システムの１回転型実施例の略斜視図。 第４及び５図はＶａｃＴｅｃその他の供給元がら市販さ
れている種類のＤＣマグネトロンスパッタリング装置の
略図。 第６図は線形マグネトロンイオン源の分解斜視図。 第７図は線形マグネトロンイオン源の側面図。 第８図は別のスパッタリングシステムの平面図。 第９図は別のスパッタリングシステムの平面図。 第１０図は回転スパッタリングシステムの平面図。 第１１〜１６図は本発明の実施例の光学特性を示すグラ
フ図。 第１７図は本発明の部分的斜視図。 第１８図は本発明のスパッタリングシステムの他の実施
例の説明図。 第１９〜２１図は本発明の他の実施例の説明図ロー □（％） 塑唄皓 ｍ−（％）塑廣悟 匡 （％）塑碧 匡
Claims (28)
- （１）真空チャンバと；前記チャンバ内に装置されて、
その上に基板を装置して該基板を少なくとも第１及び第
２の物理的に離間した作業ステーションを通過させ移動
させる可動基板支持体と；前記第１作業ステーションに
位置する線形マグネトロン増強スパッタリング装置であ
って、選択された材料のターゲットと、前記装置内で前
記作業ステーションに隣接して、物理的に離間している
該第２作業ステーションを含む該チャンバの延長領域の
ほぼ全体に亙って付属のプラズマを発生させる手段とを
含み、該第１作業ステーションを横断する前記基板の上
に材料をスパッタリング蒸着させる線形マグネトロン増
強スパッタリング装置と；前記第２作業ステーションに
位置し、前記スパッタリング装置に付属する前記プラズ
マからの電子を使い、活性ガスを用いて該基板支持体に
隣接する割合に狭いゾーンに沿って該活性ガスのイオン
から成る第２のプラズマを形成するイオン源装置とから
成っており、該イオン源装置は更に、前記イオン源と、
前記スパッタリング装置に付属する前記プラズマとの間
に指向性電位を加えて該活性イオンを該基板に対して加
速させて、スパッタリング蒸着された材料と選択的に反
応させる手段を更に備えていることを特徴とするスパッ
タリング被覆システム。 - （２）前記工作物支持体は、筒状であり、該基板を該第
１及び第２の作業ステーションを介して回転可能に移動
させ、前記の選択された反応は、該支持体の周囲の二分
の一より実質上小さい該支持体の周辺ゾーンに沿って起
きることを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - （３）該スパッタリング装置及び該イオン源装置は該筒
状支持体の外側に位置することを特徴とする請求項２に
記載のスパッタリング被覆システム。 - （４）該スパッタリング装置及び該イオン源装置は該筒
状支持体の内側に位置することを特徴とする請求項２に
記載のスパッタリング被覆システム。 - （５）前記筒状支持体の周辺部に回転可能に装置されて
、選択された基板又はその表面部分を該作業ステーショ
ンに回転可能に向き合わせる基板支持手段を更に含むこ
とを特徴とする請求項２に記載のスパッタリング被覆シ
ステム。 - （６）該回転可能な装置手段は、該筒状支持体の回転と
関連して回転可能な遊星歯車装置から成ることを特徴と
する請求項５に記載のスパッタリング被覆システム。 - （７）前記工作物支持体は実質上平らであり、前記運動
は実質的に線形であることを特徴とする請求項１に記載
のスパッタリング被覆システム。 - （８）該工作物支持体は可撓性ウェブであり、回転可能
なドラムと、該可撓性ウェブを前記ドラムの周囲を連続
的に又は間欠的に通過させる巻き戻し及び巻き取りロー
ル手段とを更に備えており、該線形マグネトロンスパッ
タリング装置及び該イオン源装置は前記ドラムの周辺部
に位置して、前記ウェブ又はその上に装置された基板上
に少なくとも第１の材料を形成する様に成っていること
を特徴とする請求項１に記載のスパッタリング被覆シス
テム。 - （９）該イオン源装置は線形マグネトロン装置であるこ
とを特徴とする請求項１ないし８のうちのいずれかに記
載のスパッタリング被覆システム。 - （１０）該イオン源装置はイオン銃であることを特徴と
する請求項１ないし８のいずれかに記載のスパッタリン
グ被覆システム。 - （１１）該イオン源装置は、前記の選択された材料を、
酸化物、窒化物、水素化物又は炭素含有合金又は化合物
のうちの少なくとも一つに少なくとも部分的に交換する
ために選択された活性雰囲気が入る様に成っていること
を特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のスパ
ッタリング被覆システム。 - （１２）該イオン源装置は、前記の選択された材料を酸
化する様に成っていることを特徴とする請求項１ないし
８のいずれかに記載のシステム。 - （１３）少なくとも一つの材料を順に又は同時にスパッ
タリング蒸着する少なくとも複数のスパッタリング装置
を更に備えていることを特徴とする請求項１−８のいず
れかに記載のスパッタリング被覆システム。 - （１４）選択された活性ガスを、スパッタリング蒸着さ
れた材料と反応させる少なくとも複数のイオン源装置を
更に備えていることを特徴とする請求項１ないし８のい
ずれかに記載のスパッタリング被覆システム。 - （１５）単層膜及び多層複合膜を基板上に形成する方法
であって、可動工作物支持体を内蔵した真空チャンバと
、該工作物支持体に隣接して位置して、選択された材料
を該工作物上にスパッタリング蒸着させる少なくとも一
つのマグネトロン増強スパッタリングカソード装置とを
設け；該選択された材料との選択された反応を引き起こ
すために少なくとも一つのイオン源カソード装置を該工
作物支持体に隣接させて設け；該チャンバ内を真空に引
き；該支持体を該装置を通過させて移動させ：該スパッ
タリングカソード装置を選択的に作動させて、該選択さ
れた材料の層を該基板上に蒸着させ；該支持体の１回の
バス中に、該イオン源カソード装置を該スパッタリング
カソード装置と順に選択的に作動させて、該選択された
反応を実質上完了させることから成る方法。 - （１６）該工作物支持体は、その周囲に沿って工作物を
支持して該工作物を該スパッタリングカソード装置及び
該イオン源カソードを通過させる回転筒状支持体であり
、該選択された反応は、該支持体の周囲の二分の一より
実質上短い距離を構成する該支持体の周辺面の一部分の
ゾーンに沿って起き、その選択された反応は、前記工作
物が前記の一部分の距離を並進して移動している際に実
質上完了することを特徴とする請求項１５に記載の方法
。 - （１７）前記筒状支持体の周囲に回転可能に装置されて
、選択された基板又はその表面部分を該作業ステーショ
ンに回転可能に向き合わせる基板支持手段を更に備えて
いることを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - （１８）該回転可能な装置手段は、該筒状支持体の回転
と関連して回転可能な遊星歯車装置から成ることを特徴
とする請求項１７に記載の方法。 - （１９）該工作物支持体は、実質上平らであり、該運動
は実質上線形であることを特徴とする請求項１５に記載
の方法。 - （２０）該スパッタリングカソード装置を作動させて、
選択された材料の層を該基板上にスパッタリング蒸着さ
せることと、次の層をスパッタリング蒸着させる前に該
イオン源カソード装置を選択的に且つ順次に作動させて
、該層のうちの少なくとも選択された層を反応させるこ
とを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法
。 - （２１）少なくとも複数のイオン源カソード装置を設け
ることを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の
方法。 - （２２）少なくとも複数のスパッタリング装置を設ける
ことを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方
法。 - （２３）少なくとも複数のイオン源カソード装置を設け
ることを更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の
方法。 - （２４）該スパッタリングカソード及び該イオン源カソ
ード装置を選択的に且つ順次に作動させて、少なくとも
複数の層から成る複合被膜を形成することを更に含み、
前記層の各々の組成は、第１の金属、第２の金属、該第
１の金属の酸化物、該第２の金属の酸化物、該第１及び
第２の金属の混合物、及び該第１及び第２の金属の混合
物の酸化物のうちの少なくとも一つから選択されること
を特徴とする請求項１５ないし２３のいずれかに記載の
方法。 - （２５）該スパッタリングカソード装置のうちの選択さ
れたものを選択的に作動させて、選択された材料の層を
前記基板上にスパッタリング蒸着させると共に、イオン
源カソード装置のうちの選択されたものを、該イオン源
カソード装置への選択された反応ガスの供給と関連させ
て選択的に作動させて、次の層のスパッタリング蒸着の
前に、少なくとも該層のうちの選択されたものとの選択
された反応を行なわせることを特徴とする請求項１５な
いし２３のいずれかに記載の方法。 - （２６）選択された反応は、選択された層を、酸化物、
窒化物、水素化物、硫化物又は炭素含有化合物又は混合
物のうちの少なくとも一つに変えることを含むことを特
徴とする請求項１５ないし２３のいずれかに記載の蒸着
方法。 - （２７）選択された反応は酸化であることを特徴とする
請求項１５ないし２３のいずれかに記載の蒸着スパッタ
リング方法。 - （２８）基板の中心から縁へ向かう方向に厚みが選択的
に変化する単層膜及び多層複合膜をへこんだ基板上に形
成する様に成っており、比較的に細長い高さ寸法と比較
的に狭い幅寸法とを持ったスパッタリングゾーンが該線
形マグネトロン増強スパッタリングカソード装置に付随
しており；比較的に細長い高さ寸法と、比較的に狭い幅
寸法とを持っていて、該支持体の周囲の二分の一より実
質的に短い該支持体の周辺の一部分のゾーンに沿って、
選択された反応を起こさせるための反応ゾーンが該線形
マグネトロン増強イオン源カソード装置に付随しており
；更に、該筒状工作物支持体を回転させて該スパッタリ
ングカソード装置を選択的に作動させて少なくとも選択
された材料の層を回転中の該基板上に蒸着させ、且つ該
イオン源カソード装置を選択的に作動させて、該工作物
が前記の一部分の周辺ゾーンを１回通過する際に、前記
の選択された反応を行なわせ且つ完了させることを含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US154177 | 1988-02-08 | ||
| US07/154,177 US4851095A (en) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | Magnetron sputtering apparatus and process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024967A true JPH024967A (ja) | 1990-01-09 |
| JP3064301B2 JP3064301B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=22550315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029573A Expired - Lifetime JP3064301B2 (ja) | 1988-02-08 | 1989-02-08 | 薄膜形成装置及び方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4851095A (ja) |
| EP (2) | EP0655515B2 (ja) |
| JP (1) | JP3064301B2 (ja) |
| KR (1) | KR920004846B1 (ja) |
| AT (2) | ATE151119T1 (ja) |
| CA (1) | CA1340651C (ja) |
| DE (3) | DE68927920T3 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178728A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造装置及び光学薄膜の製造方法 |
| JP2002212719A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Tomonobu Hata | 化合物薄膜の堆積方法とその装置 |
| JP2003500533A (ja) * | 1999-05-25 | 2003-01-07 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空処理装置および工作物の製造方法 |
| JP2003522831A (ja) * | 2000-02-09 | 2003-07-29 | コンダクタス，インコーポレイテッド | 薄膜の堆積のための装置および方法 |
| JP3702224B2 (ja) * | 1999-10-22 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池用電極の製造方法 |
| JP2012500339A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ケンナメタル インコーポレイテッド | 物理蒸着機器及び方法 |
| JPWO2023054044A1 (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 |
Families Citing this family (285)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618388A (en) * | 1988-02-08 | 1997-04-08 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus |
| US5124013A (en) * | 1988-02-08 | 1992-06-23 | Optical Coating Laboratory, Inc. | High ratio planetary drive system and method for vacuum chamber |
| US5225057A (en) * | 1988-02-08 | 1993-07-06 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Process for depositing optical films on both planar and non-planar substrates |
| US5268235A (en) * | 1988-09-26 | 1993-12-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Predetermined concentration graded alloys |
| US5158653A (en) * | 1988-09-26 | 1992-10-27 | Lashmore David S | Method for production of predetermined concentration graded alloys |
| DE3920835C2 (de) * | 1989-06-24 | 1997-12-18 | Leybold Ag | Einrichtung zum Beschichten von Substraten |
| EP0409451A1 (en) * | 1989-07-18 | 1991-01-23 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Process for depositing optical thin films on both planar and non-planar substrates |
| GB8921666D0 (en) * | 1989-09-26 | 1989-11-08 | Peatgrange Ivd Limited | Ion vapour deposition apparatus and method |
| EP0716160B1 (en) * | 1989-11-13 | 2000-01-26 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus |
| US5112644A (en) * | 1990-03-08 | 1992-05-12 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Horizontal precession tooling and method for tube rotation |
| US5246803A (en) * | 1990-07-23 | 1993-09-21 | Eastman Kodak Company | Patterned dichroic filters for solid state electronic image sensors |
| JPH07116588B2 (ja) * | 1990-08-08 | 1995-12-13 | 信越化学工業株式会社 | Ｘ線リソグラフィ用マスクの透過体の製造方法 |
| CA2059094C (en) * | 1991-01-10 | 1997-06-03 | Optical Coating Laboratory, Inc. | High ratio planetary drive system for vacuum chamber |
| US5660693A (en) * | 1991-01-18 | 1997-08-26 | Applied Vision Limited | Ion vapour deposition apparatus and method |
| US5154810A (en) * | 1991-01-29 | 1992-10-13 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Thin film coating and method |
| DE4111384C2 (de) * | 1991-04-09 | 1999-11-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
| ATE144004T1 (de) * | 1991-04-12 | 1996-10-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und anlage zur beschichtung mindestens eines gegenstandes |
| SE468372B (sv) * | 1991-04-24 | 1992-12-21 | Stiftelsen Im Inst Foer Mikroe | Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning |
| EP0518333B1 (en) * | 1991-06-14 | 2002-08-28 | Hughes Aircraft Company | Method for inducing tilted perpendicular alignment in liquid crystals |
| JPH05132770A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Canon Inc | スパツタ装置 |
| EP0600303B1 (en) * | 1992-12-01 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabrication of dielectric thin film |
| GB9225270D0 (en) * | 1992-12-03 | 1993-01-27 | Gec Ferranti Defence Syst | Depositing different materials on a substrate |
| US5328582A (en) * | 1992-12-04 | 1994-07-12 | Honeywell Inc. | Off-axis magnetron sputter deposition of mirrors |
| FR2699164B1 (fr) * | 1992-12-11 | 1995-02-24 | Saint Gobain Vitrage Int | Procédé de traitement de couches minces à base d'oxyde ou de nitrure métallique. |
| US5690796A (en) * | 1992-12-23 | 1997-11-25 | Balzers Aktiengesellschaft | Method and apparatus for layer depositions |
| DE4396720C1 (de) * | 1992-12-23 | 2003-07-17 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren und Anlage zur Schichtabscheidung und Verwendung der Anlage |
| DE4301189C2 (de) * | 1993-01-19 | 2000-12-14 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
| US5915285A (en) * | 1993-01-21 | 1999-06-22 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Transparent strain sensitive devices and method |
| CA2123658C (en) * | 1993-05-19 | 1999-01-19 | Willis H. Smith, Jr. | Inducing tilted parallel alignment in liquid crystals |
| IT1261918B (it) * | 1993-06-11 | 1996-06-04 | Cetev Cent Tecnolog Vuoto | Struttura per deposizione reattiva di metalli in impianti da vuoto continui e relativo processo. |
| WO1995000677A1 (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-05 | Deposition Sciences, Inc. | Sputtering device |
| US5814367A (en) | 1993-08-13 | 1998-09-29 | General Atomics | Broadband infrared and signature control materials and methods of producing the same |
| US6033782A (en) * | 1993-08-13 | 2000-03-07 | General Atomics | Low volume lightweight magnetodielectric materials |
| US5489369A (en) * | 1993-10-25 | 1996-02-06 | Viratec Thin Films, Inc. | Method and apparatus for thin film coating an article |
| US5451259A (en) * | 1994-02-17 | 1995-09-19 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for remote processing |
| GB9405442D0 (en) * | 1994-03-19 | 1994-05-04 | Applied Vision Ltd | Apparatus for coating substrates |
| WO1996006203A1 (en) * | 1994-08-19 | 1996-02-29 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Electrochromic materials and devices, and method |
| US5573864A (en) * | 1994-10-25 | 1996-11-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Transparent carbon nitride films and compositions of matter comprising transparent carbon nitride films |
| US6235105B1 (en) | 1994-12-06 | 2001-05-22 | General Atomics | Thin film pigmented optical coating compositions |
| EP0723944A1 (en) * | 1995-01-26 | 1996-07-31 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Wear resistant windows |
| US6346176B1 (en) * | 1995-01-27 | 2002-02-12 | Gentex Optics, Inc. | Method of depositing thin films |
| US6402902B1 (en) * | 1995-02-13 | 2002-06-11 | Deposition Sciences, Inc. | Apparatus and method for a reliable return current path for sputtering processes |
| JPH08222564A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Yamaha Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| US5543183A (en) * | 1995-02-17 | 1996-08-06 | General Atomics | Chromium surface treatment of nickel-based substrates |
| GB9503304D0 (en) * | 1995-02-20 | 1995-04-12 | Univ Nanyang | Deposition apparatus |
| DE29505497U1 (de) * | 1995-03-31 | 1995-06-08 | Balzers Hochvakuum GmbH, 65205 Wiesbaden | Beschichtungsstation |
| US5849162A (en) * | 1995-04-25 | 1998-12-15 | Deposition Sciences, Inc. | Sputtering device and method for reactive for reactive sputtering |
| US5616224A (en) * | 1995-05-09 | 1997-04-01 | Deposition Sciences, Inc. | Apparatus for reducing the intensity and frequency of arcs which occur during a sputtering process |
| US5583683A (en) * | 1995-06-15 | 1996-12-10 | Optical Corporation Of America | Optical multiplexing device |
| DE19535894A1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6342277B1 (en) * | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| BE1010420A3 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-07-07 | Cockerill Rech & Dev | Procede pour la formation d'un revetement sur un substrat et installation pour la mise en oeuvre de ce procede. |
| US5753092A (en) * | 1996-08-26 | 1998-05-19 | Velocidata, Inc. | Cylindrical carriage sputtering system |
| US5776256A (en) * | 1996-10-01 | 1998-07-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Coating chamber planetary gear mirror rotating system |
| DE19644752A1 (de) * | 1996-10-28 | 1998-04-30 | Leybold Systems Gmbh | Interferenzschichtensystem |
| TW347369B (en) * | 1996-12-17 | 1998-12-11 | Asahi Glass Co Ltd | Organic substrate provided with a light absorptive antireflection film and process for production |
| GB9700158D0 (en) | 1997-01-07 | 1997-02-26 | Gencoa Limited | Versatile coating deposition system |
| US5944964A (en) * | 1997-02-13 | 1999-08-31 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Methods and apparatus for preparing low net stress multilayer thin film coatings |
| JP4562818B2 (ja) * | 1997-02-14 | 2010-10-13 | パナソニック株式会社 | 人工格子多層膜の着膜装置 |
| US5852513A (en) * | 1997-05-14 | 1998-12-22 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Television filter |
| US6231732B1 (en) * | 1997-08-26 | 2001-05-15 | Scivac | Cylindrical carriage sputtering system |
| DE19740610C2 (de) * | 1997-09-12 | 2003-05-08 | Fraunhofer Ges Forschung | Siliziumkarbidbeschichtung auf einem Substrat und Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbidbeschichtung auf einem Substrat sowie Verwendung der Siliziumkarbidbeschichtung |
| JP3735461B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2006-01-18 | 株式会社シンクロン | 複合金属の化合物薄膜形成方法及びその薄膜形成装置 |
| US5914817A (en) * | 1998-05-15 | 1999-06-22 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Thin film dichroic color separation filters for color splitters in liquid crystal display systems |
| JP2000017457A (ja) | 1998-07-03 | 2000-01-18 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| WO2000028104A1 (en) | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Scivac | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
| US6488824B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-12-03 | Raycom Technologies, Inc. | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
| US6150022A (en) | 1998-12-07 | 2000-11-21 | Flex Products, Inc. | Bright metal flake based pigments |
| US6660365B1 (en) * | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6964731B1 (en) * | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6974629B1 (en) * | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| JP3506949B2 (ja) | 1999-04-09 | 2004-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法、薄膜が形成された回転楕円体、及びこれを用いた電球と薄膜形成装置。 |
| US6309516B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for metal allot sputtering |
| US6328856B1 (en) | 1999-08-04 | 2001-12-11 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multilayer film deposition utilizing rotating multiple magnetron cathode device |
| US6524381B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-02-25 | Flex Products, Inc. | Methods for producing enhanced interference pigments |
| US6241858B1 (en) | 1999-09-03 | 2001-06-05 | Flex Products, Inc. | Methods and apparatus for producing enhanced interference pigments |
| US6511539B1 (en) * | 1999-09-08 | 2003-01-28 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for growth of a thin film |
| US6545809B1 (en) * | 1999-10-20 | 2003-04-08 | Flex Products, Inc. | Color shifting carbon-containing interference pigments |
| US6258218B1 (en) | 1999-10-22 | 2001-07-10 | Sola International Holdings, Ltd. | Method and apparatus for vacuum coating plastic parts |
| US6350317B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Linear drive system for use in a plasma processing system |
| DE10006121C1 (de) * | 2000-02-11 | 2001-05-23 | Sekurit Saint Gobain Deutsch | Verfahren zum Verhindern einer rückseitigen Beschichtung von starren, insbesondere gebogenen Scheiben und Verwendung einer Transportvorrichtung |
| US6319766B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
| US6210540B1 (en) | 2000-03-03 | 2001-04-03 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Method and apparatus for depositing thin films on vertical surfaces |
| US6436252B1 (en) * | 2000-04-07 | 2002-08-20 | Surface Engineered Products Corp. | Method and apparatus for magnetron sputtering |
| JP3687651B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2005-08-24 | ジニテック インク． | 薄膜形成方法 |
| US6440280B1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-08-27 | Sola International, Inc. | Multi-anode device and methods for sputter deposition |
| US6586098B1 (en) | 2000-07-27 | 2003-07-01 | Flex Products, Inc. | Composite reflective flake based pigments comprising reflector layers on bothside of a support layer |
| GB0019848D0 (en) * | 2000-08-11 | 2000-09-27 | Rtc Systems Ltd | Apparatus and method for coating substrates |
| WO2002086187A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | N.V. Bekaert S.A. | Apparatus for the deposition of metal or metal oxide coatings |
| WO2003023835A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-03-20 | Genitech Co., Ltd. | Plasma enhanced atomic layer deposition (peald) equipment and method of forming a conducting thin film using the same thereof |
| US6820570B2 (en) * | 2001-08-15 | 2004-11-23 | Nobel Biocare Services Ag | Atomic layer deposition reactor |
| US6500676B1 (en) | 2001-08-20 | 2002-12-31 | Honeywell International Inc. | Methods and apparatus for depositing magnetic films |
| KR100760291B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2007-09-19 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 박막 형성 방법 |
| EP1336985A1 (de) * | 2002-02-19 | 2003-08-20 | Singulus Technologies AG | Zerstäubungskathode und Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrates mit mehreren Schichten |
| WO2003095695A2 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-20 | Guardian Industries Corp. | Sputter coating apparatus including ion beam source(s), and corresponding method |
| US7247221B2 (en) * | 2002-05-17 | 2007-07-24 | Applied Films Corporation | System and apparatus for control of sputter deposition process |
| WO2004009861A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Asm America, Inc. | Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers |
| JP3953444B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2007-08-08 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| DE10347521A1 (de) * | 2002-12-04 | 2004-06-24 | Leybold Optics Gmbh | Verfahren zur Herstellung Multilayerschicht und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US20040142558A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-22 | Granneman Ernst H. A. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
| US7092287B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-08-15 | Asm International N.V. | Method of fabricating silicon nitride nanodots |
| US20040182701A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-09-23 | Aashi Glass Company, Limited | Sputtering apparatus, a mixed film produced by the sputtering apparatus and a multilayer film including the mixed film |
| DE10311466B4 (de) * | 2003-03-15 | 2005-07-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum reaktiven Magnetron-Sputtern |
| EP1614766A4 (en) * | 2003-04-16 | 2011-07-06 | Bridgestone Corp | METHOD FOR PRODUCING A POROUS THIN FILM |
| US7537662B2 (en) * | 2003-04-29 | 2009-05-26 | Asm International N.V. | Method and apparatus for depositing thin films on a surface |
| US7601223B2 (en) * | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
| WO2004108979A1 (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-16 | Shincron Co., Ltd. | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| KR100729031B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2007-06-14 | 신크론 컴퍼니 리미티드 | 박막형성방법 및 형성장치 |
| FR2856677B1 (fr) * | 2003-06-27 | 2006-12-01 | Saint Gobain | Substrat revetu d'une couche dielectrique et procede pour sa fabrication |
| FR2857467B1 (fr) * | 2003-07-09 | 2005-08-19 | Saint Gobain | Dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables |
| US20050056535A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Makoto Nagashima | Apparatus for low temperature semiconductor fabrication |
| US8083907B1 (en) | 2003-09-26 | 2011-12-27 | University Of South Florida | Hydrogen storage nano-foil and method of manufacture |
| US20050092599A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-05-05 | Norm Boling | Apparatus and process for high rate deposition of rutile titanium dioxide |
| US7232506B2 (en) * | 2003-10-08 | 2007-06-19 | Deposition Sciences, Inc. | System and method for feedforward control in thin film coating processes |
| US7439208B2 (en) * | 2003-12-01 | 2008-10-21 | Superconductor Technologies, Inc. | Growth of in-situ thin films by reactive evaporation |
| WO2005063646A1 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Company | Graded photocatalytic coatings |
| WO2005071134A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-08-04 | Deposition Sciences, Inc. | Method and apparatus for monitoring optical characteristics of thin films in a deposition process |
| WO2005095668A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Pirelli Tyre S.P.A. | Method and apparatus for producing a metal wire coated with a layer of metal alloy |
| JP4922756B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2012-04-25 | 株式会社アルバック | 成膜装置および成膜方法 |
| US7901870B1 (en) | 2004-05-12 | 2011-03-08 | Cirrex Systems Llc | Adjusting optical properties of optical thin films |
| US7229533B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-06-12 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article having low-E coating with ion beam treated and/or formed IR reflecting layer |
| US7550067B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-06-23 | Guardian Industries Corp. | Coated article with ion treated underlayer and corresponding method |
| US7311975B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-12-25 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Coated article having low-E coating with ion beam treated IR reflecting layer and corresponding method |
| US7585396B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-09-08 | Guardian Industries Corp. | Coated article with ion treated overcoat layer and corresponding method |
| US7563347B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-07-21 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Method of forming coated article using sputtering target(s) and ion source(s) and corresponding apparatus |
| WO2006017311A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-02-16 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| US7253084B2 (en) | 2004-09-03 | 2007-08-07 | Asm America, Inc. | Deposition from liquid sources |
| US7565084B1 (en) | 2004-09-15 | 2009-07-21 | Wach Michael L | Robustly stabilizing laser systems |
| US7966969B2 (en) * | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
| US7674726B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-03-09 | Asm International N.V. | Parts for deposition reactors |
| US7427571B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-09-23 | Asm International, N.V. | Reactor design for reduced particulate generation |
| WO2006053218A2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Daystar Technologies, Inc. | Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition |
| US20060219288A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-10-05 | Daystar Technologies, Inc. | Process and photovoltaic device using an akali-containing layer |
| JP2008520101A (ja) * | 2004-11-10 | 2008-06-12 | デイスター テクノロジーズ，インコーポレイティド | Ｃｉｇｓにおいて現場接合層を作製するための熱プロセス |
| CN101443929A (zh) | 2004-11-10 | 2009-05-27 | 德斯塔尔科技公司 | 使用含碱层的过程和光电装置 |
| US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| US20100001814A1 (en) * | 2004-12-15 | 2010-01-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin film acoustic reflector stack |
| DE102005003047A1 (de) * | 2005-01-22 | 2006-07-27 | Identif Gmbh | Vorrichtung zum Bewegen von Werkstücken |
| US7629267B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | High stress nitride film and method for formation thereof |
| WO2006106764A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 伝送線路 |
| DE102005016405A1 (de) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vorrichtung zur Vakuumbeschichtung von Substraten unterschiedlicher Größe |
| US7396415B2 (en) * | 2005-06-02 | 2008-07-08 | Asm America, Inc. | Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface |
| US20060278521A1 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-14 | Stowell Michael W | System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals |
| US20070054048A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Suvi Haukka | Extended deposition range by hot spots |
| US20070068794A1 (en) * | 2005-09-23 | 2007-03-29 | Barret Lippey | Anode reactive dual magnetron sputtering |
| US8993055B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-03-31 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| US20070119704A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Jau-Jier Chu | Method for sputtering a multilayer film on a sheet workpiece at a low temperature |
| WO2007075435A2 (en) * | 2005-12-15 | 2007-07-05 | Fluens Corporation | Apparatus for reactive sputtering |
| WO2007075369A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-07-05 | Asm International N.V. | Low temperature doped silicon layer formation |
| US7553516B2 (en) * | 2005-12-16 | 2009-06-30 | Asm International N.V. | System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates |
| US20070264427A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-11-15 | Asm Japan K.K. | Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition |
| US20070205096A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Makoto Nagashima | Magnetron based wafer processing |
| US8395199B2 (en) | 2006-03-25 | 2013-03-12 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| WO2007124291A2 (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Cardinal Cg Company | Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances |
| US7939172B2 (en) * | 2006-05-17 | 2011-05-10 | G & H Technologies, Llc | Wear resistant vapor deposited coating, method of coating deposition and applications therefor |
| US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| US8454810B2 (en) | 2006-07-14 | 2013-06-04 | 4D-S Pty Ltd. | Dual hexagonal shaped plasma source |
| US7932548B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-04-26 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| US20080073557A1 (en) * | 2006-07-26 | 2008-03-27 | John German | Methods and apparatuses for directing an ion beam source |
| US8308915B2 (en) | 2006-09-14 | 2012-11-13 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for magnetron deposition |
| KR100671474B1 (ko) * | 2006-09-14 | 2007-01-19 | 한국진공주식회사 | 자동차 램프의 반사막과 보호막 자동 코팅장치 |
| EP2092544A2 (en) * | 2006-10-19 | 2009-08-26 | Applied Process Technologies, Inc. | Closed drift ion source |
| US8268409B2 (en) * | 2006-10-25 | 2012-09-18 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition of metal carbide films |
| US7611751B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-11-03 | Asm America, Inc. | Vapor deposition of metal carbide films |
| US7763791B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-07-27 | Caterpillar Inc | Thin film with oriented cracks on a flexible substrate |
| US7595270B2 (en) * | 2007-01-26 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Passivated stoichiometric metal nitride films |
| US7598170B2 (en) * | 2007-01-26 | 2009-10-06 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films |
| US20080241387A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Asm International N.V. | Atomic layer deposition reactor |
| US7563725B2 (en) * | 2007-04-05 | 2009-07-21 | Solyndra, Inc. | Method of depositing materials on a non-planar surface |
| JP2008268372A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Fujinon Corp | 位相差補償素子及びその製造方法 |
| US7713874B2 (en) * | 2007-05-02 | 2010-05-11 | Asm America, Inc. | Periodic plasma annealing in an ALD-type process |
| US7855156B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-12-21 | Solyndra, Inc. | Method of and apparatus for inline deposition of materials on a non-planar surface |
| US7629256B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
| US20100239762A1 (en) * | 2007-06-22 | 2010-09-23 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Process and apparatus for the introduction and removal of a substrate into and from a vacuum coating unit |
| US20090011573A1 (en) * | 2007-07-02 | 2009-01-08 | Solyndra, Inc. | Carrier used for deposition of materials on a non-planar surface |
| US7851307B2 (en) | 2007-08-17 | 2010-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method of forming complex oxide nanodots for a charge trap |
| KR20090018290A (ko) * | 2007-08-17 | 2009-02-20 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 증착 장치 |
| US7820309B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-10-26 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings |
| US8257500B2 (en) * | 2007-10-11 | 2012-09-04 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Transport apparatus for elongate substrates |
| WO2009051764A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Solyndra, Inc. | Support system for solar energy generator panels |
| US9175383B2 (en) * | 2008-01-16 | 2015-11-03 | Applied Materials, Inc. | Double-coating device with one process chamber |
| WO2009129332A2 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of metal carbide films using aluminum hydrocarbon compounds |
| US8383525B2 (en) | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
| KR101436564B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2014-09-02 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 비정질 실리콘 박막 형성 방법 |
| US7666474B2 (en) | 2008-05-07 | 2010-02-23 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films |
| US9782949B2 (en) | 2008-05-30 | 2017-10-10 | Corning Incorporated | Glass laminated articles and layered articles |
| US8795466B2 (en) * | 2008-06-14 | 2014-08-05 | Intevac, Inc. | System and method for processing substrates with detachable mask |
| US8012876B2 (en) * | 2008-12-02 | 2011-09-06 | Asm International N.V. | Delivery of vapor precursor from solid source |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
| US20100252419A1 (en) * | 2009-02-02 | 2010-10-07 | Klaus Bollmann | Method of manufacturing a high density capacitor or other microscopic layered mechanical device |
| US20100221426A1 (en) * | 2009-03-02 | 2010-09-02 | Fluens Corporation | Web Substrate Deposition System |
| US10261381B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-04-16 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US10156762B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-12-18 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| DE102009015737B4 (de) | 2009-03-31 | 2013-12-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Magnetron-Beschichtungsmodul sowie Magnetron-Beschichtungsverfahren |
| US8582193B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-11-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US12043890B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-07-23 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10591795B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-03-17 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10852613B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-12-01 | View, Inc. | Counter electrode material for electrochromic devices |
| US9664974B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-05-30 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US9261751B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-02-16 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US11187954B2 (en) | 2009-03-31 | 2021-11-30 | View, Inc. | Electrochromic cathode materials |
| US20100266765A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-21 | White Carl L | Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate |
| CN101899642B (zh) * | 2009-05-25 | 2013-03-20 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜装置 |
| US20110030794A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-10 | Edward Teng | Apparatus And Method For Depositing A CIGS Layer |
| KR20120063494A (ko) * | 2009-08-26 | 2012-06-15 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 자성 기록 매체 상에 패턴을 제조하기 위한 시스템 |
| JP5514058B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2014-06-04 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 耐久性物品の製造方法 |
| US12353109B2 (en) | 2009-12-22 | 2025-07-08 | View Operating Corporation | Electrochromic cathode materials |
| US9759975B2 (en) | 2010-04-30 | 2017-09-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US9482105B1 (en) | 2010-05-28 | 2016-11-01 | Vladimir Gorokhovsky | Erosion and corrosion resistant protective coating for turbomachinery methods of making the same and applications thereof |
| US9765635B2 (en) | 2010-05-28 | 2017-09-19 | Nano-Product Engineering, Llc. | Erosion and corrosion resistant protective coatings for turbomachinery |
| TWI458116B (zh) * | 2010-08-09 | 2014-10-21 | Tsmc Solar Ltd | 沉積銅銦鎵硒（ｃｉｇｓ）吸收層之裝置及其方法 |
| CN102923936B (zh) * | 2011-08-11 | 2014-12-10 | 富泰华工业（深圳）有限公司 | 蚀刻装置 |
| WO2013044402A1 (en) | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Evatec Ag | Process of coating a substrate with a thin film of metal or semiconductor compound |
| US10077207B2 (en) | 2011-11-30 | 2018-09-18 | Corning Incorporated | Optical coating method, apparatus and product |
| US9957609B2 (en) * | 2011-11-30 | 2018-05-01 | Corning Incorporated | Process for making of glass articles with optical and easy-to-clean coatings |
| CA2859023C (en) | 2011-12-12 | 2023-08-22 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
| EP2650135A1 (en) * | 2012-04-12 | 2013-10-16 | KBA-NotaSys SA | Intaglio printing plate coating apparatus |
| CN103374701A (zh) * | 2012-04-18 | 2013-10-30 | 芈振伟 | 反应气体溅镀装置 |
| CN104364707B (zh) * | 2012-05-02 | 2018-03-27 | 唯景公司 | 电致变色器件 |
| JP6244103B2 (ja) | 2012-05-04 | 2017-12-06 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． | 反応性スパッタ堆積のための方法および反応性スパッタ堆積システム |
| RU2507308C1 (ru) * | 2012-07-19 | 2014-02-20 | Айрат Хамитович Хисамов | Способ нанесения тонкопленочных покрытий и технологическая линия для его осуществления |
| US9412602B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of smooth metal nitride films |
| US8846550B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silane or borane treatment of metal thin films |
| US8841182B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-23 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US9366784B2 (en) | 2013-05-07 | 2016-06-14 | Corning Incorporated | Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film |
| US9110230B2 (en) | 2013-05-07 | 2015-08-18 | Corning Incorporated | Scratch-resistant articles with retained optical properties |
| EP2811508B1 (en) * | 2013-06-07 | 2019-04-24 | Soleras Advanced Coatings bvba | Gas configuration for magnetron deposition systems |
| US20150024538A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Tsmc Solar Ltd. | Vapor dispensing apparatus and method for solar panel |
| LT3095890T (lt) | 2014-01-14 | 2018-12-10 | The Batteries spólka z ograniczona odpowiedzialnoscia | Dengimo plonasluoksnėmis dangomis būdas ir gamybos linija šio būdo įgyvendinimui |
| US9394609B2 (en) | 2014-02-13 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of aluminum fluoride thin films |
| TW201540858A (zh) * | 2014-02-17 | 2015-11-01 | Gtat Corp | 用以產生金屬氧化物塗層的系統和方法 |
| US10643925B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Fluorine-containing conductive films |
| US11891327B2 (en) | 2014-05-02 | 2024-02-06 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US11267973B2 (en) | 2014-05-12 | 2022-03-08 | Corning Incorporated | Durable anti-reflective articles |
| US9335444B2 (en) | 2014-05-12 | 2016-05-10 | Corning Incorporated | Durable and scratch-resistant anti-reflective articles |
| US20150345007A1 (en) * | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Apple Inc. | Combination vapor deposition chamber |
| US9790593B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-10-17 | Corning Incorporated | Scratch-resistant materials and articles including the same |
| US10345671B2 (en) | 2014-09-05 | 2019-07-09 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| JP6547271B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2019-07-24 | 凸版印刷株式会社 | フレシキブル基板上への気相成長法による成膜方法 |
| US10002936B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-06-19 | Asm Ip Holding B.V. | Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films |
| CN116789175A (zh) | 2014-11-26 | 2023-09-22 | 唯景公司 | 用于电致变色装置的对电极 |
| EP3770649A1 (en) | 2015-09-14 | 2021-01-27 | Corning Incorporated | High light transmission and scratch-resistant anti-reflective articles |
| US9941425B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-10 | Asm Ip Holdings B.V. | Photoactive devices and materials |
| DE102015117753B4 (de) * | 2015-10-19 | 2024-10-02 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Vakuumschleusenanordnung, Vakuumanordnung und Verfahren |
| US12057297B2 (en) | 2015-10-22 | 2024-08-06 | Richard DeVito | Deposition system with integrated cooling on a rotating drum |
| WO2017070488A1 (en) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Richard Devito | Deposition system with integrated cooling on a rotating drum |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| RU2660863C2 (ru) * | 2016-02-25 | 2018-07-10 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Способ изготовления изделий из композиционных материалов с отражающим покрытием |
| KR102378021B1 (ko) | 2016-05-06 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 박막의 형성 |
| US11174548B2 (en) | 2016-06-03 | 2021-11-16 | The Batteries Sp .Z.O.O. | Thin film coating method and the manufacturing line for its implementation |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
| US10186420B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-01-22 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of silicon-containing thin films |
| GB201702478D0 (en) * | 2017-02-15 | 2017-03-29 | Univ Of The West Of Scotland | Apparatus and methods for depositing variable interference filters |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| CN110546302B (zh) | 2017-05-05 | 2022-05-27 | Asm Ip 控股有限公司 | 用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法 |
| EP3622332A2 (en) | 2017-05-08 | 2020-03-18 | Corning Incorporated | Reflective, colored, or color-shifting scratch resistant coatings and articles |
| DE102018115516A1 (de) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | Solayer Gmbh | Sputtervorrichtung und Sputterverfahren zur Beschichtung von dreidimensional geformten Substratoberflächen |
| US10472274B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-11-12 | Guardian Europe S.A.R.L. | Coated article having ceramic paint modified surface(s), and/or associated methods |
| US20200199736A1 (en) * | 2017-07-18 | 2020-06-25 | Naxau New Materials (zhejiang) Co., Ltd. | Functional composite particles and the preparation method thereof |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| WO2019136261A1 (en) * | 2018-01-04 | 2019-07-11 | Ih Ip Holdings Limited | Gas phase co-deposition of hydrogen/deuterium loaded metallic structures |
| EA034967B1 (ru) | 2018-05-04 | 2020-04-13 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" | Технологическая линия для формирования тонкопленочных покрытий в вакууме (варианты) |
| KR102149680B1 (ko) * | 2018-08-03 | 2020-08-31 | 주식회사 테토스 | 기판 측면부 증착 장치 |
| DE102018213534A1 (de) | 2018-08-10 | 2020-02-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Schichten mit verbesserter Uniformität bei Beschichtungsanlagen mit horizontal rotierender Substratführung |
| EP3837223A1 (en) | 2018-08-17 | 2021-06-23 | Corning Incorporated | Inorganic oxide articles with thin, durable anti-reflective structures |
| US12359315B2 (en) | 2019-02-14 | 2025-07-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxides and nitrides |
| EP3931366B1 (en) | 2019-03-01 | 2024-07-31 | The Batteries spólka z ograniczona odpowiedzialnoscia | Processing line for depositing thin-film coatings |
| CN111962033A (zh) * | 2019-05-20 | 2020-11-20 | 汉能移动能源控股集团有限公司 | 一种颜色介质膜制备方法和制备设备 |
| CN110007539B (zh) * | 2019-05-22 | 2021-09-21 | 江苏铁锚玻璃股份有限公司 | 高效均匀变色的曲面电致变色透明器件及其制备方法 |
| US12341005B2 (en) | 2020-01-17 | 2025-06-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiCN thin films |
| US12142479B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-11-12 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| DE102020201829A1 (de) | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Schichten mit verbesserter Uniformität bei Beschichtungsanlagen mit horizontal rotierender Substratführung mit zusätzlichen Plasmaquellen |
| US12147009B2 (en) | 2020-07-09 | 2024-11-19 | Corning Incorporated | Textured region to reduce specular reflectance including a low refractive index substrate with higher elevated surfaces and lower elevated surfaces and a high refractive index material disposed on the lower elevated surfaces |
| CN112267102A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-01-26 | 李县内 | 一种真空镀膜装置 |
| CZ309261B6 (cs) * | 2020-12-18 | 2022-06-29 | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i | Optická polovodivá tenká vrstva, způsob její výroby, zařízení vhodné pro výrobu této vrstvy a čtecí zařízení |
| EP4295105B1 (en) | 2021-02-16 | 2026-04-01 | Spectre Materials Sciences, Inc. | Primer for firearms and other munitions |
| KR20220158165A (ko) | 2021-05-21 | 2022-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 인라인 제조 장치 |
| JP2023051251A (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| CN115110048B (zh) * | 2022-06-20 | 2023-05-02 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 基于磁控溅射的pecvd镀膜装置及方法 |
| EP4705715A2 (en) | 2023-04-29 | 2026-03-11 | Spectre Primer Technologies, Inc. | Fuzzy interface layer for thermite and primer made from thermite with fuzzy layer |
| LT7187B (lt) | 2024-07-19 | 2026-03-25 | I-Photonics UAB | Vakuuminis įrenginys ir daugiasluoksnių plonasluoksnių tiksliųjų optinių dangų gamybos būdas |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141930A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Device for formation of thin film |
| JPS607191A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 三容真空工業株式会社 | 回路基板の製造方法及びその装置 |
| JPS60197875A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタ装置用自動成膜制御装置 |
| JPS60218464A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜の製造装置 |
| JPS61149476A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
| JPS61177365A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | ライボルト‐ヘレーウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 機械部材および工具を硬物質で被覆する方法ならびにこの方法で製造した機械部材および工具 |
| JPS62177176A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Nippon Steel Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS62284076A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Shinku Kikai Kogyo Kk | 薄膜形成方法および装置 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1217685A (en) * | 1967-06-05 | 1970-12-31 | Smiths Industries Ltd | Improvements in or relating to methods and apparatus for sputtering of materials |
| US3635811A (en) * | 1967-11-06 | 1972-01-18 | Warner Lambert Co | Method of applying a coating |
| FR2183557A1 (en) * | 1972-05-10 | 1973-12-21 | Cit Alcatel | Cathodic sputtering appts - with number of chambers for simultaneous treatment of several substrates |
| FR2183577B1 (ja) * | 1972-05-10 | 1974-09-27 | Pont A Mousson | |
| US3829373A (en) * | 1973-01-12 | 1974-08-13 | Coulter Information Systems | Thin film deposition apparatus using segmented target means |
| US4046666A (en) * | 1976-05-07 | 1977-09-06 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Device for providing high-intensity ion or electron beam |
| AU507748B2 (en) * | 1976-06-10 | 1980-02-28 | University Of Sydney, The | Reactive sputtering |
| US4151064A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-24 | Coulter Stork U.S.A., Inc. | Apparatus for sputtering cylinders |
| US4142958A (en) * | 1978-04-13 | 1979-03-06 | Litton Systems, Inc. | Method for fabricating multi-layer optical films |
| US4298444A (en) * | 1978-10-11 | 1981-11-03 | Heat Mirror Associates | Method for multilayer thin film deposition |
| US4361472A (en) * | 1980-09-15 | 1982-11-30 | Vac-Tec Systems, Inc. | Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source |
| GB2085482B (en) * | 1980-10-06 | 1985-03-06 | Optical Coating Laboratory Inc | Forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques |
| CA1155798A (en) * | 1981-03-30 | 1983-10-25 | Shmuel Maniv | Reactive deposition method and apparatus |
| US4434037A (en) * | 1981-07-16 | 1984-02-28 | Ampex Corporation | High rate sputtering system and method |
| US4424103A (en) * | 1983-04-04 | 1984-01-03 | Honeywell Inc. | Thin film deposition |
| EP0122092A3 (en) * | 1983-04-06 | 1985-07-10 | General Engineering Radcliffe Limited | Vacuum coating apparatus |
| US4420385A (en) * | 1983-04-15 | 1983-12-13 | Gryphon Products | Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films |
| JPS6052574A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
| NL8401721A (nl) * | 1984-05-29 | 1985-12-16 | Leer Koninklijke Emballage | Werkwijze en stelsel voor het produceren van een reactief gesputterde geleidende transparante metaaloxidefilm op een doorlopende materiaalbaan. |
| US4637869A (en) * | 1984-09-04 | 1987-01-20 | The Standard Oil Company | Dual ion beam deposition of amorphous semiconductor films |
| JPS61106768A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-24 | Anelva Corp | 基体処理装置 |
| GB2180262B (en) * | 1985-09-05 | 1990-05-09 | Plessey Co Plc | Methods of forming substances on substrates by reactive sputtering |
| JPS62287073A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Sony Corp | マグネトロンスパツタリング用カソ−ド装置 |
-
1988
- 1988-02-08 US US07/154,177 patent/US4851095A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-19 AT AT89300521T patent/ATE151119T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-01-19 EP EP95101758A patent/EP0655515B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-19 EP EP89300521A patent/EP0328257B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-19 DE DE68927920T patent/DE68927920T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-19 AT AT95101758T patent/ATE183245T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-01-19 DE DE68929053T patent/DE68929053T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-19 DE DE198989300521T patent/DE328257T1/de active Pending
- 1989-02-07 CA CA000590272A patent/CA1340651C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-08 KR KR1019890001489A patent/KR920004846B1/ko not_active Expired
- 1989-02-08 JP JP1029573A patent/JP3064301B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141930A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Device for formation of thin film |
| JPS607191A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 三容真空工業株式会社 | 回路基板の製造方法及びその装置 |
| JPS60197875A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタ装置用自動成膜制御装置 |
| JPS60218464A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜の製造装置 |
| JPS61149476A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
| JPS61177365A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | ライボルト‐ヘレーウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 機械部材および工具を硬物質で被覆する方法ならびにこの方法で製造した機械部材および工具 |
| JPS62177176A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Nippon Steel Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS62284076A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Shinku Kikai Kogyo Kk | 薄膜形成方法および装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178728A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造装置及び光学薄膜の製造方法 |
| JP2003500533A (ja) * | 1999-05-25 | 2003-01-07 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空処理装置および工作物の製造方法 |
| JP3702224B2 (ja) * | 1999-10-22 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池用電極の製造方法 |
| JP2003522831A (ja) * | 2000-02-09 | 2003-07-29 | コンダクタス，インコーポレイテッド | 薄膜の堆積のための装置および方法 |
| JP2002212719A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Tomonobu Hata | 化合物薄膜の堆積方法とその装置 |
| JP2012500339A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ケンナメタル インコーポレイテッド | 物理蒸着機器及び方法 |
| JPWO2023054044A1 (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920004846B1 (ko) | 1992-06-19 |
| DE68927920T2 (de) | 1997-07-17 |
| DE68929053D1 (de) | 1999-09-16 |
| EP0655515B2 (en) | 2008-10-15 |
| EP0655515B1 (en) | 1999-08-11 |
| JP3064301B2 (ja) | 2000-07-12 |
| EP0328257B2 (en) | 2004-07-14 |
| EP0328257A2 (en) | 1989-08-16 |
| KR890013215A (ko) | 1989-09-22 |
| CA1340651C (en) | 1999-07-13 |
| EP0328257A3 (en) | 1990-10-31 |
| DE68929053T2 (de) | 2000-02-03 |
| US4851095A (en) | 1989-07-25 |
| DE328257T1 (de) | 1990-05-03 |
| ATE183245T1 (de) | 1999-08-15 |
| DE68927920D1 (de) | 1997-05-07 |
| DE68927920T3 (de) | 2004-12-16 |
| EP0328257B1 (en) | 1997-04-02 |
| EP0655515A1 (en) | 1995-05-31 |
| ATE151119T1 (de) | 1997-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3064301B2 (ja) | 薄膜形成装置及び方法 | |
| EP0716160B1 (en) | Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus | |
| US5618388A (en) | Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus | |
| US5225057A (en) | Process for depositing optical films on both planar and non-planar substrates | |
| US5798027A (en) | Process for depositing optical thin films on both planar and non-planar substrates | |
| JP2695514B2 (ja) | 平面及び非平面の支持体上に光学的な性能を有する薄いフィルムを付着させる方法 | |
| EP0945523B1 (en) | Method for forming a thin film and apparatus for carrying out the method | |
| JP4268938B2 (ja) | 層および層システム、および被覆された基板を生成する方法 | |
| CA2110250C (en) | Depositing different materials on a substrate | |
| JP2005133131A (ja) | 屈折率変化層の形成方法 | |
| JP2007248562A (ja) | 光学物品およびその製造方法 | |
| US5449535A (en) | Light controlled vapor deposition | |
| US20050092599A1 (en) | Apparatus and process for high rate deposition of rutile titanium dioxide | |
| Volpian et al. | Magnetron technology of production of gradient optical coatings | |
| JP3397495B2 (ja) | 有彩色薄膜の製造方法 | |
| Seddon et al. | MetaMode: a new method for high-rate MetaMode reactive sputtering | |
| Richter | Formation of optical thin films by ion and plasma assisted techniques | |
| GB2273110A (en) | Depositing different materials on a substrate by controlling degree of exposure | |
| JPH03137017A (ja) | 光学薄膜及びその製造方法 | |
| JPWO1997037051A1 (ja) | 薄膜つき基板の製造方法および製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080512 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |