JPH02500320A - 調整可能な電子フイルタ及びその同調方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 調整可能な電子フィルタ及びその同訓方法発明の背景 本発明は、一般的には無線周波数（ＲＦ）電子フィルタに関し、特に、無線送信 及び受信設備での使用に特に適している改良された調整可能なセラミックフィル タ及びその同調方法に関する。

多弁振子フィルタの多くの構造はよく知られている．そのような構造のあるもの は、誘電体ブロックよりなるセラミックフィルタを含み、そのブロックは、上面 より底面まで延びる１つまたはそれ以上の孔を有し、さらに、電子ブロック上で 対応する孔より所定の距離に各々配置される第１及び第２電極を有する。誘電体 ブロックに孔が１つ存在する場合には、第１及び第２電極はその孔のまわりに配 置される。誘電体ブロックに孔が２個またはそれ以上存在すれば、第１電極は誘 電体ブロックの一方の端の孔の近《に置かれ、第２電極は誘電体ブロックの他端 の孔の近くに置かれよう。等写的（ｃｏｎｆｏｒｍａ７！）導電体被覆またはめ っきが、第１及び第２電極を含む部分の近くを除き、そこに容量性リアクタンス を含むことにより共振子を与をえるめっきのオープン（開口）部分を有する伝送 線形成のために各貫通孔を含む誘電体の全表面の大部分を被覆する。共振子間の 接続は、共振子の間の導電性スロットにより、または、一単に所定距離にセット された共振子間のスペースにより制御される。

各共振子は一般的に望ましい周波数より低い周波数に設定（セット）され、それ から所定同調手順で各共振子の導電性被覆の容量性部分の除去により同調され、 普通はフィルタ反射損失角を監視しながら、各めっき孔の上部、容量性領域に近 い追加の接地めっき層の除去により完成されてる。この同調プロセスは、各めっ きの孔の上部のめっきを初めに接地し、反射損失角の初期値を測定することで実 施される。それから、各めっき孔への接地を一度に１個とり外し、位相偏移角１ ８０度の目標位相が達成されるまで、そのめっき孔の上部に近い接地めっきがト リム（調整）または選択除去される。各めっき貫通孔に与えられる接地は、金属 計器により、または、めっき貫通孔と誘電体周囲の整合性めっき間の非めっき区 域、即ち、容量性領域を橋絡する小さいめつきランナを含むことにより、手動で おこなわれる。

しかしながら、ここで説明された減法同調プロセス（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ　 ｔｕｎｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ）により、上述の構造及び同調方法はいくつかの 重大な欠点を受ける。第１の欠点は、各共振子の上部に近い導電体被覆の比較的 に小さな選択部分の除去は、比較的に大きな上方向周波数偏移を容易におこすこ とである。そこで、あまりに多くの導電体物質が除去されれば、位相目標は失な われ、共振子は望ましい共振子周波数よりかなり高い周波数に同調されるであろ う。第２の欠点は、このように同調方法がただ単方向同調のみを与えることであ る。

過度に同調された共振子を望ましい周波数に回復する既知の方法のあるものは、 導電性ペイントの使用を含むので、このようなプロセスは、追加時間を消費し、 望ましい周波数で共振子が最終的に作動するのを確認するため注意深く行なわな ければならない。このような方法を利用することを含む追加のステップは、この ようなセラミックフィルタを大量に生産し同調する時には、特に避けられるべき である。明らかに必要なものは、２方向同調が可能なような好ましい減法プロセ ス（ｓ　ｕ　ｂ　ｔ　ｒａｃｔｉｖｅ　ｐｒｏｃｅｓｓ）を利用する新たな同調 方法である。従って、この新方法は、組立及び同調の間に要する全体の生産時間 及び経費を減少するため、セラミックフィルタの１つのまたはそれ以上の共振子 の、リアルタイ・ム、オンライン調整を提供することが可能でなければならない 。

発明の要約 したがって、本発明の目的は、上述の欠点を克服する改良された調整可能な電子 フィルタ及び同調方法を提供することである。

本発明の他の目的は、好ましいプロセスとして減法調整プロセスを利用する時に 特にフィルタの２方向同調を可能にする前述の型の改善された調整可能な電子フ ィルタ及び同調方法を提供することである。

本発明の１型式の実施において、第１端部及び第２端部を有する１つまたはそれ 以上の貫通孔を持つ誘電体ブロックからなる電子フィルタは、各貫通孔とともに すべての外部表面に通用された等写的（ｃｏｎｆｏｒｍａＩり導電性被覆を含み 、少なくとも１つの伝送線を形成し、貫通孔の各々の第１端部を完全に取囲む開 放（ｏ　ｐ　ｅ　ｎ）部分が、そこに容量性リアクタンスを有し、少なくとも１ つの共振子のインダクタンスの漸増する増加又は減少が必要であるかどうかに応 じて導電性被覆の誘導性部分を追加するか又は除去するかの何れかによって、最 終的に調整された等写的（ｃｏｎｆｏｒｍａＪ）（整合的）導電性被覆を具える 共振子を形成するように含まれる。

本発明の他の型式の実施において、互に所定距離の間隔で分離された２つの貫通 孔を有する誘電体ブロック内に形成された少なくも２個の共振子及び等写的導電 性被覆を有する誘電体ブロック及び孔を有する電子共振子は、予じめ設定した同 調シーケンスの各共振子の上部より導電性被覆の容量性部分を選択的に除去する 通常のステップに加え、少なくとも１つの共振子ベースから導電性被覆の誘導性 部分を選択的に調整するステップ及びそれから、フィルタの２方向同調ができる ように望ましい精度で電子フィルタを漸進的に同調させるのに充分な回数繰り返 すステップを含む同調方法を介して同調される。

図面の簡単な説明 第１図は、従来技術にもとづき誘電体ブロック内に形成される単一共振子の上部 斜視図である。

第２図は、線２−２に沿って切断された第１図の従来の共振子の断面図である。

第３図は、従来技術にもとづき誘電体ブロックに形成された共振子の底部斜視図 である。

第４図Ａは、本発明にもとづき修正された導電性被覆の誘導性部分を有する誘電 体ブロックに形成された共振子の底部斜視図である。

第４図Ｂは、第４図Ａに図示された共振子のめっき貫通孔により表わされる分布 インダクタンスの概略図的図面である。

第５図は、本発明にもとづく電子フィルタの例示的図面である。

第６図は、第５図に図示された電子フィルタを表わす概略図である。

第７図は、本発明の方法にもとづき変更された誘導性部分を有する第５図のフィ ルタの少なくとも１つの共振子の断面図である。

第８図は、第５図及び第６図にそれぞれ図示され、表わされた別の実施例の概略 図である。

第９図は、本発明にもとづき構成され配置された少なくとも１つの共振子を有す る１つまたはそれ以上の電子フィルタを組み込んだ移動（自動車）無線機の構成 図である。

好ましい実施例の詳細な説明 さて、図面を参照するに、第１図は、従来技術にもとづく単一共振子セラミック 帯域フィルタ１００が図示される。フィルタ１００は、等写的（ｃｏｎｆｏｒｍ ａＡ）（整合的）導電性被覆により選択的にめっきされた誘電体物質よりなるブ ロックを含む。フィルタ１００は、低損失、高誘電率、及び誘電率の低温度係数 を有するいかなる適当な誘電物質でも構成できる。

好ましい実施例では、フィルタ１００は、その電気特性が既知の酸化バリウム、 酸化チタン、酸化ジルコニウムのセラミック化合物よりなる。これら３つの物質 の種々の比率で作られうる多くのセラミック化合物のうち、本発明のセラミック フィルタの使用によく適合する１つの化合物は、ＢａＯ１８，５モル％、Ｔ　ｉ 　Ｏｘ　７７．　０モル％、Ｚｒ０．４．５モル％の配合よりなり、４０の誘電 率を有する。

第１図のフィルタ１００を参照するに、誘電体ブロックは、区域１４０を除き銅 または銀のような電気的に導電性物質で等写的（整合的）に被覆またはめつきさ れる。図示のとおり、めっきしたブロック１３０は貫通孔１０１を含み、これは 、その上部表面より底部ブロック表面まで延びている。貫通孔１０１はまた電気 的導電性物質でめっきされる。そこでめっき貫通孔は必然的に、望ましいフィル タレスポンス特性に対し選択された長さを持つ短絡同軸伝送線からなる短縮した 同軸共振子である。入力及び出力信号は、それぞれ、入力及び出力電極１２４及 び１２５を介しそれぞれ受け入れられる。めっきブロック１３０は単一のめつき 貫通孔１０１を持つよう図示されているが、望ましいフィルタレスポンス特性に より、任意数のめつき貫通孔も利用できる。また、ＲＦ倍信号、図示される同軸 ケーブル１２０及び１２２の代わりにコネクタにより、フィルタ１００に接続さ れうる。

第１図のフィルタ１００の貫通孔１０１のめつきは、第１図の線２−２に沿う切 断面図を取出すことにより第２図でより明、確に図示される。

第２図を参照するに、誘電体物質２０２の表面上の導電性めっき２０４は、また 、貫通孔１０１のまわりの円周部分１４０を除き、底部区域、即ち、ベース区域 より上部表面までの貫通孔１０１の円筒表面をも被覆する。この円周部分１４０ は共振子の容量性部分を含む。他の導電性めっき配置も使用できるが、この配置 が既知技術では最も普通である。共振子のベース区域は第３図を参照することに より明確に見ることができる。

図示の如く、第３図は３００において、第１図及び第２図のセラミックフィルタ の底部斜視図を示し、誘電体ブロック２０２を通る貫通孔１０１を図示し、共振 子のベース部２０４に接して導電性めっきを有している。貫通孔１０１の近傍の 導電性めっきは連続的であり、周知の技術において教示する通り、めっきの欠除 はなにもない。

第４図Ａの４００では、本発明にもとづき構成され配置される共振子の底部斜視 図が図示される。通用可能の限り対応部分に対しては、同一参照番号が使用され る。第４図Ａに図示されるように、めっき貫通孔１０１は、誘電体ブロック２０ ２中に共振子を形成し、共振子１０１のベース部２０４のまわりの導電性めっき を含む。上部表面は図示されていないが、入力及び出力信号は第１図に図示され るのと同様に１つまたはそれ以上の電極を介し接続でき、また、上部表面上のめ っきの１部分が除去されるか、または、第１図の区域１４０と同様に初めより欠 除することにより形成される容量性領域を含むと理解されるべきである。共振子 １０１は、また、第４図Ａの２０４Ｂで図示されるように共振子１０１のベース 部分において除去されためつきの１部分を含む。その部分２０４Ｂは、共振子２ ０４のベース部の端に実質的に接近しためつきの部分的欠除を表示し、分布イン ダクタンスとしてめっき貫通孔１０１を図示する第４図Ｂの概略図を参照すれば 最もよく理解される。この分布インダクタンスは、図示の如く並列集中インダク タンスの直列接続として形に表わされるであろう、即ち、上部表面上のオープン 区域１４０の領域に対応する開路端より出発し、並列集中インダクタンス４０６ Ａ、Ｂ及びＣの１端を並列集中インダクタンス４０４Ａ、Ｂ及びＣに接続させ、 結局はインダクタンス４０２Ａ、Ｂにより与えられる共振子のベース近傍のイン ダクタンスに接続する。並列インダクタは、インダクタンスの正味の減少を発生 するから、不接続インダクタンス４０２Ｂで表わされるようなめっきの除去は、 インダクタンスの正味の増加をおこし、次ぎにその結果として共振周波数の低下 をおこさせる。インダクタンス４０２Ａ及び４０２Ｂに属するインダクタンス４ ０２Ｃ（図示しない）は、分布誘導性モデルの一部分として含まれることが理解 されるべきである。本発明の理解を明確に容易にするため、これは図示されてい ない。

本発明の同調方法の実施において、第４図Ａの底部斜視図に表示されるように共 振子のベース部の等写的導電性被覆の誘電性部分の選択的調整がおこなわれる。

このインダクタンスの変化は、そこで、第１周波数より第２周波数への共振周波 数の合成的な調整を起こす。この選択調整は、共振子ベース部近傍のめっきの増 分誘導性部分を除去する形式をとるかもしれないし、または、導電性被覆の初期 の通用の間に与えられる予め存在する開口のホトマスク技術による変更を含むで あろう。そこで選択的調整は、第４図Ａに図示される共振子１０１の線部におい て別の正常に連続しためつきの部分的開口２０４Ｂの形成または変更を包含する 。

この技術は、リアルタイム、オンライン調整がなされることを可能にするから減 法様式（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ　ｍａｎｎｅｒ）で共振子を同調することは特 に望ましい。セラミックフィルタの少なくとも１つの共振子に対するめつきの容 量性部分及び誘導性部分の両方の研磨除去またはレーザ・トリミングのようない （つかの減法同調プロセスは適当である。このようにして、正常な順方向同調手 順の開弁振子に対して（第１及び第２図のオープン領域１４０に表示される）め っきの容量性部分を選択的に除去する時に、本発明の方法は、また、（第４図Ａ の４０２Ｂにより表示される）めっきの誘導性部分を選択的に除去することによ り、共振子周波数を有効に低下させる逆方向への同調を可能にする。勿論、トレ ードオフが関係する故に、この方法の使用に制限があることは認識される。即ち 、所定の共振子のベース部より多すぎるめっきが除去されれば、無負荷Ｑ（ｑｕ ａ７！ｉｔｙ　ｆａｃｔｏｒ）は著しくその性能を低下するであろう。しかしな がら、めっきの誘導性部分の増分変化をする時に、共振周波数の比較的小さい変 化を与えるのに本方法は非常に有効であり、また、めっきの容量性部分の増分調 整に関係する同調率（ｒａｔｅ　ｏｆ　ｔｕｎｉｎｇ）に対し同調率が非常に小 さい故、多（マルチ）共振子フィルタの１つまたはそれ以上の共振子の精密同調 の際にこの特徴は殊に有利である。

結果として、かつては“オーバー同調（ｏｖｅｒ−ｔｕｎｉｎｇ）　”のための 使用不能と考えられたフィルタが、１つまたはそれ以上の共振子に対し“逆回ｉ ｌ（ｂａｃｋ−ｔｕｎｉｎｇ）”の特徴を利用することが可能であり、高すぎる 第１周波数より望ましい周波数に近いか、または、第２周波数へ共振周波数を移 動できるようになった。さらに、比較的に“遅い（ｓｌｏｗｅｒ）　”同調変化 率は、望ましい周波数を行過ぎることなくそれへの１ゼロイン（ｚｅｒｏ−ｉｎ ）　″を可能にすることにより、プロセスに大きな同調精度を与える。そこで、 めっきの容量性部分をたまたま多く除去しすぎることで共振子が“オーバー同調 ”された場合には、共振子のベース部のめっきの誘導性部分を選択的に除去する ことにより共振子は、（高すぎる）第１周波数より望ましい（第２）周波数へ、 共振子インダクタンスを増加しその結果周波数を低下させることにより“逆回調 ”できる。

さらに初めに述べたように、本発明は、また、共振子が、共振子の容量性部分に 対して所定のアートワークが与見られ、第４図Ａで示すような共振子ベース部ま たは縁部へ所定のアートワークを持てば、共振子の容量性部分か誘導性部分のい づれかを選択的に調整または変更することに依り同調され得る方法を意図する。

そのような場合には、追加のプロセスを利用し、共振子の導電性被覆の容量性部 分及び誘導性部分を選択的に調整することによって共振子は調整されることがで きる。次に、共振子の調整は第１図に図示される共振子１０１に最も近い容量性 部分１４０領域に導電性ペイントを加え、第４図Ａの４０２Ｂ領域で表わされる （初めより導電性めっきの欠損がある）共振子のベース部または縁部の一部へ導 電性ペイントを選択的に付加することにより達成される。そのような場合に、共 振子の容量性部分及び誘導性部分への導電性ペイントを選択的に付加する周波数 同調（調整）特性は、本発明にもとづく同調方法の第１例で記述されたものと全 く反対である。即ち、容量性部分への導電性ペイントの付加は、その結果共振子 周波数の低下をおこすことであろう。導電性めっきを欠く与えられた共振子のベ ース部または縁部において規定された領域への導電性ペイントの付加は、第４図 Ｂに表わされるインダクタンス４０２Ｂの部分または全部の再接続に役立つであ ろうから、その結果与えられた共振子の周波数の増加を生ずるであろう。

複数の共振子を有する電子フィルタにおいて１つまたはそれ以上の共振子の２方 向同調能力を持つ他の有用性は、以下のいくつかの例により検討されるである・ う。

第５図には、６個の共振子を持つ電子フィルタが５００にて図示され、そのいず れも、第４図Ａ及び第４図已に関連し発明の構造及び同調方法を説明している。

第５図を参照するに、フィルタ５００の誘電体ブロックは、銀または銅のような 導電性物質により区域１４０を除いて被覆され、または、めっきされる。めっき ブロック５３０は、６個の孔５０１〜５０６を含み、各孔は上部表面より底部面 、まで延びている。各孔５０１〜５０６は電気的導電性物質により同じようにめ っきされ、相互の相対的な接近及び上面側めつきの所定の配置により、めっきし た貫通孔５０１〜５０６の各々は、望ましいフィルタ・レスポンス特性を達成す るため予め選択された長さ及び容量性領域を持つ短縮同軸共振子を形成する。入 力及び出力電極５２４〜５２５は、適当なＲＦ信号伝送線または同軸コネクタ５ ２０．５２２に接続するように具えられている。第５図のめつき孔５０１〜５０ ６により与えられる同軸共振子の間の接続は、誘電体材料物質を通じ達成され、 誘電体ブロックの幅及び隣接同軸共振子間の距離を変化することにより変更され る。隣接孔５０１〜５０６間の誘電体材料物質の幅は、いかなる規則的または不 規則的様式にても調整可能であり、この例の結合スロット５１０〜５１４は一般 的に円筒形をしている。第５図の例示的な多（マルチ）共振子セラミックフィル タの図示した概略図は第６図に示される。

第６図を参照するに、第５図のセラミック帯域フィルタ５０００等価回路概略図 が図示され、第６図のキャパシタ６２４及び６４４の共通接続点に対応する第５ 図の入力電極３２４にコネクタ５２０によって入力信号を印加するように示され ている。

キャパシタ６４４は、電極５２４と周囲の接地めっき間の誘電体ブロックを介す る分布容量を表わす。キャパシタ６２４は、電極５２４と第５図のめつきした貫 通孔５０１により形成される同軸共振子との間の分布容量を表わす。従って、第 ５図のめつき孔５０１〜５０６により与えられる同軸共振子は、第６図の短絡伝 送線６０１〜６０６に対応する。第６図のキャパシタ６３１〜６３６は、同軸共 振子と周囲の等写的な接地めっきとの間の分布容量、即ち本質的には上部表面の 共振子容量性部分に対応するオーブン区域１４０における分布容量を表わす。第 ６図の概略図で表わされ、第５図にて図示されるこのような配置は、くし状フィ ルタ配置として知られている。本発明の方法で同調された少なくとも１つの共振 子例えば共振子５０２に対して線７−７で切られたこの共振子の断面図は第７図 において最も良く表現される。

第７図を参照するに、第５図のフィルタ５００内の共振子の通断面図、即ち、第 ４図Ａの底部斜視図に対応するものが図示される。この共振子は、誘電体ブロッ ク２０２を介してめっきした貫通孔５０２を有し、その上に等写的な（ｃｏｎｆ ｏｒｍａ（１）導電性めっき２０４を有する。容量性領域は、導電性めつき２０ ４の本質的に円形のオーブン区域１４０により与えられる。共振子の縁部または ベース部で共振子５０２より除去された導電性めっきの誘導性部分は、領域２０ ４Ｂとして図示される。

第８図は、本発明の特定の同調方法に役立つ他の共通（ｃ。

ｍｍｏｎ）フィルタ構造を図示する。入力信号ポート及び第１共振子の構造及び 配置は、短絡伝送線（キャパシタンス）６０１、分布容量（キャパシタンス）６ ３１を有し、分布容量（キャパシタンス）６２４及び６４４の共通接続点に対応 する第６図と同様な入力電極６２４を有し、第５図の（し状フィルタの構造及び 配置と同様である。しかしながら、短絡伝送線８０２及び分布容量（キャパシタ ンス）８３２により表わされる次の隣接共振子は、上部表面に共振子のベース部 を具えることにより概略的に図示されるように（第１共振子６０１の底部面のよ うに底部面に反対になるように）反転されている。それから、分布容量（キャパ シタンス）８３３を持つ次の共振子８０３は、第１共振子と同様に図示の如き接 地を有し、連続する共振子の交替は交互配置様式である。

第９図を参照するに、複合ＲＦ信号ポートへまたはそのボートからの２つのＲＦ 倍信号周波数結合または分類する装置を提供するように中間接続された、本発明 の独創的セラミック帯域フィルタの２個またはそれ以上のある例示的使用例が図 示される。そのような応用はＲＦ送信機９０２をを有する自動車（移動）無線機 であり、送信機からのＲＦ送信信号をアンテナ９０８に接続し、アンテナ９０８ の受信信号をＲＦ受信機９１４に接続する。第９図の配置は、自動車用、携帯用 、及び固定局無線機に、アンテナデュプレクサ（送受信切換器）として有利に使 用可能である。フィルタ９０４は本発明の１つのセラミック帯域フィルタである 。それは、第４図Ａ、第４図Ｂ、第５図。

第６図、第７図及び第８図に説明されている如く本発明による同調装置及び方法 を有する少なくとも１つの共振子を具える。

フィルタ９０４の通過帯域は、ＲＦ送信機９０２からの送信信号の周波数に中心 をおかれ、同時に一方では受信信号の周波数を大きく減衰させる。伝送線９０６ は、受信信号周波数においてそのインピーダンスを最大にする電気的長さくｅＪ ｃｔｒｉｃａｌ　Ｉ！ｅｎｇｔｈ）を有するように選択される。

同様に、第９図のアンテナ９０８からの受信信号は、伝送線９１０を介しフィル タ９１２へ接続され、それからさらにＲＦ受信機９１４へ接続される。フィルタ ９１２は、また本発明のセラミック帯域フィルタであり、本発明の方法にもとづ き配置され同調された少なくとも１つの共振子を有する。この通過帯域は受信信 号の周波数の中心におかれ、他方同時に送信信号を大きく減衰させる。同様ム： 、伝送線９１０の長さは、送信信号を更に減衰させるため送信周波数においてこ のインピーダンスを最大にするように選択される。

フィルタ９０４及び９１２は、例えば第５図に図示されたようなくし状構成の６ 個の共振子を持つように説明されたが、同数または少数の共振子が“ポール”と して使用され、また、通常帯域レスポンス曲線の上部または低部スカートのいづ れかに対するより強いストップ帯域阻止（ｓｔｏｐｂａｎｄ　ｒｅｊｅｃｔｉｏ ｎ）を達成するため１つまたはそれ以上の°ゼロ”が使用されるフィルタ９０４ 及び９１２０代りの構造が利用可能なことが、５業技術者には明確であろう。そ こで第９図のＲＦ信号アンテナ送受信切換（デュプレクサ）装置の１実施例に言 及すれば、送信信号は、８２５ＭＨｚより８４５ＭＨ２の通過帯域周波数範囲に 中心をおかれ、“ゼロ”構成で８７０ＭＨ２で最低受信信号に同調されうる。逆 に、フィルタ９１２は、８７０ＭＨｚより８９０ＭＨｚの受信信号通過帯域範囲 を持つよう構成でき、“ゼロ”構成により最高送信信号、即ち、８４５　Ｍ　Ｈ ｚで相対的に最大の減衰量を与えるように調整されうる。

このようなセラミック帯域フィルタ９０４及び９１２は、第５図に図示する型式 のものであった。勿論、多くの変更は可能であるが、゛ゼロ”を含む利点は、上 記議論の例示的周波数範囲に関して著しい。例えば、６ポール、１ゼロ・フィル タは、各阻止周波数で少なくとも６０ｄＢの減衰を提供できるが、６ボール、ノ ーゼロ・フィルタは、前に検討した各自の帯域外（Ｏｕｔ−ｏｆ−ｂａｎｄ）周 波数の５０ｄＢ阻止を提供できれるのみである。

要約すれば、より正確な同調とともにより大きい同調柔軟性を提供する改善され たセラミック帯域フィルタ構造及び同調方法が説明された。結果として本発明は 、生産高を犠牲とせず多種の複雑な大量のフィルタの自動同調を容易にした。こ れはまた、減法同調プロセスの間少数の選択共振子が過同調にある時、今まで使 用不能にすると考えられた全フィルタ組立品の廃物（スクラップ）を最小限にし た。そのような構造及び同調方法は、より大きな選択度または、複合ＲＦ信号ボ ートに関し２つまたはそれ以上のＲＦ倍信号周波数結合を与えるため中間接続さ れる多数のフィルタに快く受け入れられる。アンテナボートへのまたはアンテナ ポートからの信号を分類するように中間接続される少なくとも２個のセラミック 帯域フィルタを有する組立品に対するアンテナ送受切換器（デュプレクサ）の特 性を同調及び最適化する時に、そのような構造及び同調方法は特に有利である。

各側において、開示された装置及び同調方法は、既知の共振子を同調する制限を 克服できる。

本発明の装置及び方法は多くの意図される利点を充分に開示したけれどもここに 図示されない種々の変更及び修正が５業技術者には明確であることが理解される 。それ故に、上記に記載した発明の形式は、単に好ましいか又は実際的な代替物 により与えられる例示的実施例であるにしても、以上の発明の範囲より逸脱する ことなく、形式、構成及び部品の配置において、なお変更がおこなわれよう。

ＦＩＧ、９ 国際調査報告

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. １．誘電体ブロツク内にベースとして短絡端を持つ伝送線より形成され、本質的 にその全表面を被覆する等写的導電性被覆を有する少なくとも１つの貫通孔を含 む共振子を同調する方法であり、 前記共振子のインダクタンスに変化をもたらすように共振子ベースに接近した導 電性被覆の１部分を除去するステツプを含むことを特徴とする共振子を同調する 方法。
2. ２．誘電体ブロツク内にベースとして短絡端を持つ伝送線より形成され、その中 に少なくとも１つの貫通孔を含み、誘電体ブロツク及び貫通孔がその全体を殆ん ど被覆する等写的導電性被覆を有し、共振子のベースが最初の導電性被覆の欠除 を有する区域を具える、共振子の同調方法であり、共振子の、ベースにおける前 記領域の１部分に導電性物質を付加し、共振子に対するインダクタンスの変化を 効果的にするステツプ、を具えることを特徴とする共振子を同調する方法。
3. ３．各々が誘電体ブロツク内にベースとし短絡端を有する伝送線より形成され、 互に所定距離の間隔をおいて配置された少なくとも２つの貫通孔を含み、誘電体 ブロツク及び孔がその殆んど全体を被覆する等写的導電性被覆を有する少なくと も２個の共振子を具えた電子フィルタを同調する方法であり、ａ）前記共振子に 関連したインダクタンス値を修正し、少なくとも１つの共振子を同調するために 、予めの設定した同調シーケンスにて前記共振子の少なくとも１つのベース近傍 で前記導電性被覆の１部分を除去するステツプ、ｂ）前記共振子に関連するイン ダクタンス値を修正するため少なくとも１つの共振子のベース部近傍に前記等写 的被覆を付加するステツプ、を具え、 前記ステツプ（ａ）及び（ｂ）は、かような共振子の各々の所定位相目標を達成 する共振子周波数の変化を与え、それにより、フイルタの少なくとも１つの共振 子に対し２方向同調を与える共振子を同調する方法。
4. ４．誘電体ブロツク内にベースとして短絡端を持つ伝送線より各々が形成され、 互に所定距離の間隔にはなれて配置される少なくとも２つの貫通孔を含み、前記 ベースに対面する端部の各貫通孔のまわりのオープン区域を除き、誘電体ブロツ ク及び貫通孔が、その全表面を殆んど被覆する等写的導電性被覆を有する少なく とも２個の共振子を有する電子フイルタを同調する方法であり、 ａ）それぞれの所定位相目標に各共振子を容量的に同調させるため、予め設定し た同調シーケンスにて前記共振子の少なくとも１つの前記オープン区域の近傍の 前記導電性被覆の１部分を除去するステツプ、 ｂ）前記共振子の少なくとも１つのベース近傍の導電性被覆の１部分を除去する ステツプ、を具えることを特徴とする電子フィルタの同調方法。
5. ５．前記望ましい位相精度が各共振子の所定位相目標の１０度以内として測定さ れる前記請求の範囲第４項記載の電子フイルタの同調方法。
6. ６．除去の前記ステツプ（ａ）は、導電性被覆の増分部分の除去を含み、その共 振子の共振子周波数の合成増分増加を有効にするようにすることを特徴とする前 記請求の範囲第４項記載の電子フイルタの同調方法。
7. ７．除去の前記ステツプ（ｂ）は、導電性被覆の増分部分の除去を含み、その共 振子の共振周波数の合成増分増加を有効にする前記請求の範囲第４項記載の電子 フイルタの同調方法。
8. ８．除去の前記ステツプ（ｃ）は、望ましい精度に共振子の少なくとも１つを漸 進的に同調するため、充分に多数回上述のステツプのいづれかをくり返し、フイ ルタの少なくとも１つの共振子に対する２方向同調を効果的にするようにするス テツプ、を更に具えることを特徴とする前記請求の範囲第４項記載の電子フィル タの同調方法。
9. ９．相互に所定距離の間隔にて配置される少なくとも２個の貫通孔を有する電子 フイルタを収容する誘電体手段と、その各貫通孔と共に、殆んど全外表面にわた り前記誘電体手段を等写的に適用し、そこに容量性リアクタンス及びベースとし ての短絡回路、及び前記ベース区域の対向端部において各貫通孔のまわりにオー プン区域を与えるオープン部分を具える伝送線から各々が構成される少なくとも ２つの共振子を構成し、前記オープン区域は容量性リアクタンスを有する第１端 部を構成し、前記ベースは関連分布インダクタンスを有する第２端部を構成する 導電性被覆手段と、前記ベース近傍の導電性被覆の一部を有し、前記導電性被覆 は、少なくとも１つの共振子のインダクタンスを、前記部分が除去されるに先だ つて、少なくとも１つの共振子のインダクタンスに比較して増加させる前記共振 子の少なくとも１つのベースとの組合せから成ることを特徴とする電子フィルタ 装置。
10. １０．前記誘電体手段は、本質的に並列パイプ形を持つ固体誘電体ブロツクを含 むことを特徴とする前記請求の範囲第９項記載の電子フイルタ装置。
11. １１．前記導電性被覆手段は、めつき金属物質を含むことを特徴とする前記請求 の範囲第９項に記載の電子フイルタ装置。
12. １２．前記導電性被覆手段は、銀を含むことを特徴とする前記請求の範囲第９項 に記載の電子フイルタ装置。
13. １３．前記導電性被覆手段は、多数の共振子を交互配置に提供するように初めよ り構成される前記請求の範囲第９項記載の電子フイルタ装置。
14. １４．前記導電性被覆手段は、多数の共振子をくし状配置で提供するように初め より構成される前記請求の範囲第９項記載の電子フイルタ装置。
15. １５．前記導電性被覆は、銅を含むことを特徴とする前記請求の範囲第９項記載 の電子フイルタ装置。
16. １６．相互に所定の距離の間隔に配置された少なくとも２個の貫通孔を有する少 なくとも１個の電子フイルタを収容する誘電体手段、 各貫通孔と共に殆んど全外表面にわたつて前記誘電体手段を等写的に適用し、そ こに容量性リアクタンス及びベースとしての短絡回路、及び前記ベース区域の対 向端部における各貫通孔のまわりにオープン区域を与えるオープン部分を具える 伝送線から各々が構成される少なくとも２つの共振子を構成し、前記ベースは関 連分布インダクタンスを有する第２端部を構成する導電性被覆手段、 前記ベース近傍の導電性被覆の一部を有し、前記導電性被覆は、少なくとも１つ の共振子のインダクタンスを、前記部分が除去されるに先だつて、少なくとも１ つの共振子のインダクタンスに比較して増加させる前記共振子の少なくとも１つ のベース、 の組合せから成ることを特徴とする２方向無線機における電子フイルタ装置。
17. １７．前記導電性被覆手段は、前記少なくとも１つの共振子の前記第２端部近傍 より除去された部分とともに前記第１端部近傍より除去された部分を有する導電 性めつきを含む前記請求の範囲第１６項記載の電子フイルタ装置。
18. １８．多数の通過帯域レスポンスを与えるように中間接続される少なくとも２個 の電子フイルタを、前記誘電体手段が含むことを特徴とする前記請求の範囲第１ ６項記載の電子フイルタ装置。
19. １９．前記誘電体手段は、 送受話機として内部接続された２つの電子フイルタを含み、共通のアンテナポー トに応答して送信周波数通過帯域と受信周波数通過帯域との結合を与える前記請 求の範囲第１６項記載の電子フイルタ装置。