JPH0529818A - Temモード共振器 - Google Patents

Temモード共振器

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JPH0529818A
JPH0529818A JP3179481A JP17948191A JPH0529818A JP H0529818 A JPH0529818 A JP H0529818A JP 3179481 A JP3179481 A JP 3179481A JP 17948191 A JP17948191 A JP 17948191A JP H0529818 A JPH0529818 A JP H0529818A
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conductor
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tem mode
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Tomoki Ueno
伴希 上野
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 共振周波数を調整する手段として、簡単で小
形化に適した周波数調整機構を持ち、併せて共振周波数
を変化させるためのバラクタダイオードの実装が容易な
構造を持つTEMモード共振器を提供する。 【構成】 片側短絡の1/4波長形マイクロストリップ
ライン共振器のグランド導体面3上にストリップ伝送線
路2の真下に伝送線路に直角に長さLのスロット線路7
を設ける。 【効果】 長さLを大きくすると共振器の共振周波数は
下がる。この性質を利用して共振周波数の調整手段とす
る。また、スロット線路の中央で、線路間にバラクタダ
イオードを接続し、これに印加する電圧を変えることで
共振周波数を可変することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車電話などの無線
機器あるいは衛星通信機器に用いられる小形の高周波フ
ィルタや電圧制御発振器(VCO)の重要な構成部品で
あるTEMモード共振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、自動車電話を中心とした移動無線
機器は需要の増大とともにその技術の発展がめざまし
い。その中でも高周波フィルタの小形化が急速に進んで
いる。高周波フィルタは、初期には空洞の同軸形TEM
モード共振器を組み合わせてフィルタを構成したが、高
誘電率、低損失のペロブスカイト構造セラミック材料が
発見され、これを共振器内に充填することにより共振器
の長さを1/er(1/2)(er:比誘電率)に短縮する
ことができた。これにともない共振器の直径も小さくな
った。現在、erが90以上の材料が開発され、空洞形
に対して約1/10の長さまで短縮されており、携帯用
の小形電話機の部品として用いられている。
【0003】このフィルタの製造上の問題点は、その周
波数調整である。セラミックは焼成によりつくられるが
その物理定数は焼成時の条件あるいは不純物など混合比
の条件のわずかな違いなどから一定ではない。従ってこ
れを用いた共振器を組み合わせたフィルタは周波数調整
が不可欠である。従来、周波数調整の手段の一例とし
て、周波数調整機能を持つトリマを負荷した同軸誘電体
共振器が知られている。以下に図面を参照しながらこの
同軸誘電体共振器(TEMモード共振器)について説明
する。
【0004】(図14)は、従来の周波数調整機能付T
EMモード共振器の構造を示す斜視図で共振器の構成部
品を各々分解して示している。同図で、200は肉厚の
大きい筒状の誘電体で、その外周は導体205、低面は
導体206で覆われている。筒の内周も導体で覆われて
中心導体となり、低面で導体206に接続されている。
誘電体200の開放端面201には同図に示すように電
極204を外導体205に接続するように設け、これを
トリマの固定電極とする。一方、ロータ誘電体板209
は上面片側にロータ電極221を持つ。こうしてできた
同軸誘電体200とロータ板209を導体軸207で組
み合わせ、リング210でこれらを固定する。
【0005】中心導体と導体軸は同電位を持ち、軸と接
続されたロータ電極は中心導体の先端と同電位となる。
開放端面201に設けた導体202は、ロータがスムー
ズに回転するようロータの位置を安定させるためのもの
である。
【0006】以上のように構成されたTEMモード共振
器について、以下にその動作を説明する。まず、同軸部
分は片方の端面が導体で短絡され、他方の端面にて中心
導体と外導体がトリマ機能を持つ容量Ctのコンデンサ
にて接続されており、長さが1/4波長より短い。この
ときこの同軸構造共振器の共振周波数は、 Zo・tan(βh)=1/(ωCt) ただし、Zo:特性インピーダンス、 β:伝搬定数 h:同軸の長さ ω:角周波数 で表わされる。Ctの変化により共振周波数が変化す
る。
【0007】共振周波数を変化させる別の一例として、
共振器の長さを変える方法がある。片端短絡、他端開放
のTEMモード同軸誘電体共振器は、その電気長が1/
4波長となる周波数にて共振する。長さを変える手段と
して最も有効的なのは開放端面を機械的に削ることであ
る。現在、一般的にこの方法が広く用いられている。
【0008】一方、VCOに用いられるTEMモード共
振器についても同様の周波数調整が必要である。容量C
vのバラクタダイオードを上記のトリマ構造を持つ共振
器に並列に接続し、バラクタダイオードの印加電圧を変
えて共振周波数を可変し、これにより発振周波数を可変
する。バラクタダイオードの容量にはばらつきがあり、
中心周波数をトリマ容量Ctにより調整することができ
る。また、トリマ構造のない共振器の場合、同様にバラ
クタダイオードを並列に接続し、中心周波数は同軸共振
器の先端を削る方法も用いられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、いくつかの問題点を有している。まず、
トリマ構造をもつ同軸誘電体共振器の場合、その構造ゆ
え共振器が大きくなる欠点がある。ポケットサイズ大な
ど、携帯無線機器をさらに小形にすることへの要求が強
まっており、わずかでも小さな共振器が望まれる。また
トリマの容量を確保する上から同軸の開放端での面積、
従って直径を小さくすることに限度があり、小形化への
妨げになる。同様VCOの共振器として用いたとき、バ
ラクタダイオードの容量のばらつきがトリマでの補償範
囲を越えないようにしなければならず、このためトリマ
を小さくできず、従って直径を小さくできない欠点があ
る。
【0010】一方、軸方向に開放端面を削る調整方法は
手軽ではあるが、最大の欠点は一度削ると元に戻らない
ことである。元に戻すためには何か容量性のものを接続
するか、開放端の電界が集中するよう誘電体片を張りつ
ける必要がある。これらはたいへん手間のかかる作業と
なり、生産性を著しく妨げる。特に複数の共振器を同時
に調整するフィルタの場合、削り過ぎないよう熟練した
作業者にたえず集中力と注意深い時間の要する工程が要
求される。
【0011】本発明は上記問題点に鑑み、簡単で小形化
に適した周波数調整機構を持ち、併せて共振周波数を変
化させるためのバラクタダイオードの実装が容易な構造
を持つTEMモード共振器を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のTEMモード共振器は、グランド電位を持
つ外導体面と、前記グランド導体から離れてかつ平行に
位置した浮遊線路導体を持ち、前記線路導体に定在波電
流が流れTEMあるいは準TEMモードの電磁界が前記
線路導体を中心に存在し、前記外導体面上で、前記線路
導体と最も近い位置に線路に直角に両先端短絡のスロッ
ト線路を設け、前記スロット線路の長さを変えることで
共振周波数を変えるという構成あるいは、さらに前記ス
ロット線路間に容量性素子を接続し、容量値を変化させ
ることで共振周波数を可変するという構成を備えたもの
である。
【0013】
【作用】本発明は上記した構成によって、スロットの長
さを変えることにより共振周波数を調整する。スロット
の長さを長くすると共振周波数は低くなる。スロットの
幅あるいは位置によりスロットの長さに対する周波数変
化量を調整することができ、調整機構としての設計の自
由度が大きい。従来の周波数調整法はいずれも共振器の
伝送線路開放端に並列に容量を加え、あるいは開放端で
の並列容量を減らす手段を用いていた。これに対し、本
発明による周波数調整は共振器の形状を変えたり新たに
特別な素子を付加することなく、伝送線路に直列にイン
ダクタンス素子が挿入される等化回路となる。従って、
小形の共振器の実現が容易でかつ周波数調整範囲が広
い。従来の周波数調整法を併せて持つことができさらに
本発明の効果を高めることができる。
【0014】
【実施例】以下本発明の一実施例のTEMモード共振器
について、図面を参照しながら説明する。
【0015】(図1)は本発明の一実施例におけるマイ
クロストリップライン構造を持つTEMモード共振器の
図面を示し、(図1(a))は外観斜視図、(図1
(b))は低面図である。(図1)において、1は厚さ
tの誘電体基板、2は幅wのマイクロストリップ伝送線
路導体、3は誘電体基板1の裏面に密着したグランド外
導体、4および5はマイクロストリップライン構造にお
ける基板の端面、6はマイクロストリップ線路2と外導
体3を接続する端面4上の短絡導体、7はグランド外導
体3上に設けられた幅gのスロット伝送線路で線路長が
Lとなるよう両先端が短絡されている。スロット線路7
はマイクロストリップ線路2に直角にマイクロストリッ
プ線路を中心に対称に端面4から距離dの位置にある。
マイクロストリップ線路2の長さはh1で端面5で開放
となっている。(図1)には動作説明上座標系を付記し
ている。図中、隠れた主要部分は点線で示されている。
以下の図でも同様である。
【0016】以上のように構成されたTEMモード共振
器について、以下(図1)乃至(図3)を用いてその動
作を説明する。
【0017】まず、(図1)において、スロットの長さ
LがL=0のとき、即ち裏面全体がグランド導体の時、
いま便宜的に端面4,5での電磁界の不連続なふるまい
を無視すれば、(図1)の共振器は良く知られているよ
うにマイクロストリップ線路の電気長が1/4波長とな
る周波数で共振する。さて、スロットがあるとき、スロ
ット上にはあらゆる成分の電界が存在するが、その中で
Ex成分の電界がスロット線路上の進行波(定在波)を
表わす。スロットの長さをLとしたとき(図1)の共振
器の単純化された等価回路を(図2(a))に示す。
(図2(a))にマイクロストリップとスロットの十字
交差部の等価回路がインピーダンス比n:1の理想トラ
ンスで表わされている。厳密には十字交差部の不連続か
ら等価回路はスロット幅g、ストリップライン幅w、厚
さt、誘電体基板誘電率、周波数に依存するが動作の定
性的ふるまいの説明上簡単化して表現する。
【0018】今、Lが波長に比べて十分小さいとすれ
ば、理想トランスによりインピーダンスがn倍されたス
ロットの等価回路はさらに(図2(b))に示すように
伝送線路に直列に挿入された小さなインダクタンスとし
て表わされる。このインダクタンスにより共振器の共振
周波数が下がる。インダクタンスの値は図中の式によっ
て示されているようにスロットLの関数であり、この長
さを変えることによって共振周波数を容易に変えること
ができる。Lの変化に対する共振周波数の変化の割合
は、g,d,およびwをパラメータとした関数になる。
この関数の計算例を(図3(a)(b))に示す。
【0019】以上のように本実施例のよれば、TEMモ
ード共振器のグランド導体上に伝送線路に直角に小さい
スロットを設け、そのスロットの長さを変えることによ
り、TEMモード共振器の共振周波数を調整することが
できる。
【0020】以下本発明の第2の実施例について図面を
参照しながら説明する。(図4)は本発明の第2の実施
例を示すマイクロストリップライン構造のTEMモード
共振器のグランド外導体上のスロットの部分の導体パタ
ーンを示す図である。(図4)において(図1)と同じ
符号を付した部品はそれぞれ同じ構造、動作をするもの
である。11は短絡導体12,13,14,12’,1
3’,14’で短絡されたスロット線路である。短絡導
体12および12’はそれぞれスロットの中心から等し
い距離だけはなれて位置している。13および13’、
14および14’についても同様である。以上のような
実施例によれば、線路間の短絡導体を中央側から順次取
り除くことによりスロット線路11の長さを等価的に変
えることができる。すなわち、最初はスロット線路11
の長さは短絡導体12と12’の間の長さである。12
と12’を取り除くとスロット線路の長さは短絡導体1
3と13’の間の長さとなる。以下、順次同様のことが
説明される。短絡導体の除去は、線路間を開放にすれば
良いので100%短絡導体を取り除く必要はなく、切断
や削りとりなど機械的な手段で取り除くことが容易であ
る。
【0021】さらに本発明の他のいくつかの実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。(図5)は本発明の
TEMモード共振器の第3の実施例を示すマイクロスト
リップライン構造の外観を示す斜視図で、21は誘電体
基板、22はマイクロストリップ線路導体で基板裏面の
グランド導体23と端面24で導体26で接地される。
グランド導体面上には(図1(b))に示されたものと
同様のスロット27がある。マイクロストリップ線路の
他の端はグランド導体面に対向した大きな面積を持つ面
導体28に接続されている。面導体28はグランド間に
容量を持ち、これにより共振器長h2を1/4波長以下
にすることができる。スロット27の作用は(図1)に
示したマイクロストリップライン構造のTEMモード共
振器の場合と同じであるが、小さい共振器の実現が可能
でありこのような共振器に対しても本発明の効果は大き
い。
【0022】(図6)は本発明を平板導体シールドのT
EMモード共振器構造に応用した第4の実施例における
外観の斜視図である。(図6)において、32は中心線
路導体、33,33’は上下面外導体、34,34’は
側面外導体、35は低面外導体である。中心導体32は
低面で導体35に接続されている。共振器の内部は誘電
体31が充填されている。上面外導体面上にスロット線
路37がある。スロットは上面外導体ではなく代わりに
下面外導体33’上にあっても良い。中心線路導体32
は同図では断面が線状のストリップ導体であるが、多角
形、円形、楕円形などいずれでもかまわない。図中、隠
れた主要部分は点線で示されている。(図6)の構造に
おけるスロット線路の作用は、基本的には(図1)に示
す構造の場合と同じであり、等価回路も同様に表わされ
る。ただし、電磁界の分布が上下面の外導体に分散され
るためスロットの影響が小さくなる。これは等価回路上
では理想トランスのnの値が小さくなるのと同じであ
る。この構造のTEMモード共振器は共振器全体がシー
ルドされた構造となり、伝送線路から空間への電磁界輻
射がなくなる。また、外導体面の内、スロットが無い外
導体面は完全グランド電位として取扱いができ、共振器
の回路への実装が便利になる。中心線路導体の開放端3
8と外導体33,33’,34,34’のいずれかの間
に容量性素子を接続すれば、共振器の長さh3を1/4
波長以下にでき小形の共振器が実現できる。
【0023】(図7)は本発明を同軸形TEMモード共
振器構造に応用した第5の実施例の外観を示す斜視図で
ある。(図7)において、42は中心線路導体、43は
円周外導体、44は低面外導体で共振器は誘電体41で
充填されている。中心線路は低面で外導体44に接地さ
れ、他の端子は48で開放である。外導体43の面上に
円周方向にスロット線路47がある。この構造でのスロ
ットの作用は、(図6)で示された構造のそれに近い。
端部48と外導体43との間を容量性素子で接続すると
共振器長h4を1/4波長以下にでき共振器を小形化で
きる。
【0024】(図8)は本発明をマイクロストリップラ
イン構造に応用した第6の実施例の外観を示す斜視図で
ある。(図8)で(図1)と同じ符号を付した部品は同
じ構造、機能を持つものである。52,53,54はマ
イクロストリップ線路導体でその幅は異なっている。マ
イクロストリップライン共振器においては回路設計上都
合の良い特性インピーダンスが存在し、その値となるよ
うマイクロストリップ線路導体52および53の幅を決
める。一方、スロット7の近傍の線路導体54の幅はス
ロットの作用上から設計された値となっている。このよ
うにすれば共振器を他の電子回路へ応用するための設計
と共振周波数の可変量の要求が同時に満足されるものが
容易に実現できる。このことは通常のマイクロストリッ
プライン構造に限らず、(図5)、(図6)、(図7)
で示される構造の共振器の場合も同様の効果がある。
【0025】次に、本発明のさらに別の実施例として第
7の実施例を以下に図面を参照しながら説明する。
【0026】(図9)は本発明の第7の実施例のTEM
モード共振器で、(図1)、(図5)、(図6)、(図
7)あるいは(図8)の構造での外導体面上に設けられ
たスロットとその近傍に付加された部品の外観を示す斜
視図である。(図9)において、61はグランド外導
体、62はスロット線路、63,63’,64,6
4’,65,65’はスロット線路62の線路間におか
れ線路を短絡している複数の短絡導体である。スロット
本来の長さはLhであるが、短絡導体により実効的な長
さはLである。スロット線路62の中央で線路間にバラ
クタダイオード66が接続される。バラクタダイオード
の片端子67はスロット線路導体に直接接続され、他方
の端子68は直流カット用平板コンデンサ69を介して
もう一方のスロット線路導体に接続される。端子68に
はリード線70から直流電圧が印加される。
【0027】上記構造のスロット回路を持つTEMモー
ド共振器について、(図9)、(図10)を用いてその
動作を説明する。まず(図9)のスロット回路を持つ本
発明のTEMモード共振器の等価回路は(図10)のよ
うに示される。(図10)と(図2(a))の異なる点
は、長さLのスロット線路の中央に並列にコンデンサ8
1が接続されていることである。このコンデンサにより
伝送線路に等価的に挿入されるインダクタンスの値が大
きくなり、共振周波数がさらに低くなる。今、このコン
デンサがバラクタダイオードであり、その容量値が印加
電圧により変化すれは上記の等価インダクタンスの値が
変化し、したがって共振周波数を印加電圧により可変す
ることができるわけである。印加電圧に対し可変の中心
となる周波数の設定は複数の短絡導体63,63’、6
4,64’、65,65’を順次除去することによって
調整することができる。
【0028】この構造におけるTEMモード共振器の特
徴は、バラクタダイオードの共振器外導体への実装が非
常に容易なことである。バラクタダイオードの物理的な
大きさにも対応性が高く、ビームリード形の小さなもの
から硝子パッケージの大きなものまでコンパクトな形で
実装できる。共振器の伝送線路に直列に挿入される等価
インダクタンスがスロットのインダクタンスとコンデン
サの容量の並列回路となるため、スロット長を変えるこ
とでバラクタダイオードの規格に柔軟に対応でき設計の
自由度が大きい。バラクタダイオードの代わりに固定容
量のチップコンデンサを用いると固定共振周波数の共振
器になる。このとき、スロット線路のみの場合と比べ共
振周波数がさらに下がり、非常に小形の共振器が実現で
きる。固定コンデンサの場合、69は不要である。
【0029】(図11)は本発明の第8の実施例を示す
TEMモード共振器の外観の斜視図で、(図6)の構造
のTEMモード共振器に応用したものを示す。(図1
1)において、(図6)と同じ部品は同じ符号を付して
いる。(図11)において、71はスロット線路37を
カバーするシールド導体、72,73はそのカバーを支
えるための補助導体で側面導体34,34’に密着して
いる。上面導体33のシールド導体71に隠れた部分の
様子は図で点線で示されている。上面導体33とシール
ド導体71の間隔はスロット37の幅以下にまで狭くす
ることができる。
【0030】このようにスロットにシールドカバーを施
した共振器はスロット開口からわずかに輻射される電磁
エネルギーを閉じこめることができQの劣化を防ぐこと
ができる。スロット開口面上の電磁界はスロット面内に
大部分が集中しているためシールド導体をスロットに近
づけても周波数変化の影響は少ない。TEMモード共振
器がマイクロストリップライン構造、同軸構造の場合で
も同様にシールド導体の効果が得られる。
【0031】(図12)は本発明のTEMモード共振器
の一例である(図7)の同軸構造の共振器を組み合わせ
て実現したフィルタの構成を示す図である。(図12)
において101,102は共振周波数調整用スロット1
03,104を持つ共振器で、それぞれのグランド外導
体105,106は接続点107で接続されている。そ
れぞれの中心導体の開放端108,109は結合コンデ
ンサ110で電界結合してる。入力端子111,11
1’、出力端子112,112’はそれぞれのグランド
端子111’,112’がグランド外導体に接続され、
信号端子111,112は結合コンデンサ113,11
4を介して開放端108,109に接続される。スロッ
ト103,104の等価的な長さをそれぞれ変えること
によって、共振器101,102の共振周波数を調整す
る。スロット103,104の中央に(図9)に示す構
造に準じてバラクタダイオードを接続し、2つの印加電
圧を等しくすると印加電圧に対応した可変同調帯域通過
フィルタとなる。
【0032】(図13)は本発明のTEMモード共振器
の一例である(図6)の構造を持つ共振器に(図9)の
構造のバラクタダイオードの回路を付加した可変周波数
共振器をVCOに応用した回路図を示す。(図13)に
おいて、121は本発明の可変共振周波数TEMモード
共振器で、線路導体の開放端122は結合コンデンサ1
23を介してトランジスタTrのベースに接続される。
トランジスタTrはコレクタエミッタ間およびエミッタ
ベース間の内部容量により帰還回路を形成しコルピッツ
形の発振回路をつくる。バラクタダイオードへの印加電
圧Vtにより発振周波数が変化する。
【0033】
【発明の効果】以上のように本発明は、TEMモード共
振器のグランド外導体面上に伝送線路に最も近い位置に
伝送線路に直角に長さLのスロットを設け、長さLを変
えることにより共振器の共振周波数を変えることができ
る。Lの変化割合に対する共振周波数の変化割合は緩や
かで調整が容易であるが、この変化割合はスロットの線
路幅、伝送線路に沿ったスロットの位置にても変えるこ
とができ、調整の容易さに自由度を持っている。Lを変
える一手段としてスロット線路間に設けた短絡導体を除
去する方法があり、これは機械的手段を使えば容易であ
る。共振周波数が低すぎるときは共振器の開放端面を削
って共振器長を短くでき、この従来の方法と組み合わせ
ると本発明はさらに効果的となる。
【0034】さらに本発明のTEMモード共振器のスロ
ットの中央にコンデンサを接続した構造のTEMモード
共振器はその共振周波数をさらに低くすることができ、
共振器の一層の小形化が可能である。スロットの中央の
コンデンサをバラクタダイオードとし、これに印加する
電圧を変えると可変共振周波数のTEMモード共振器と
なる。
【0035】以上のように本発明によるTEMモード共
振器によれば、簡単な構造で共振周波数の調整が容易な
小形の共振器が実現でき、その構造上多くの電子回路へ
の応用が容易で、かつそれらの応用回路が小形になるよ
う実装できるという非常に優れた特徴を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第1の実施例におけるTEM
モード共振器の外観の斜視図である。 (b)は本発明の第1の実施例におけるTEMモード共
振器の底面図である。
【図2】(a)は本発明の第1の実施例における動作説
明のための等価回路図である。 (b)は本発明の第1の実施例における動作説明のため
のさらに簡易化された等価回路図である。
【図3】本発明の第1の実施例におけるTEMモード共
振器の共振周波数の特性図である。
【図4】本発明の第2の実施例におけるTEMモード共
振器のスロット線路部を示す低面図である。
【図5】本発明の第3の実施例におけるTEMモード共
振器の外観の斜視図である。
【図6】本発明の第4の実施例におけるTEMモード共
振器の外観の斜視図である。
【図7】本発明の第5の実施例におけるTEMモード共
振器の外観の斜視図である。
【図8】本発明の第6の実施例におけるTEMモード共
振器の外観の斜視図である。
【図9】本発明の第7の実施例におけるTEMモード共
振器のスロット部の回路の外観の斜視図である。
【図10】本発明の第7の実施例におけるTEMモード
共振器の等価回路を示す図である。
【図11】本発明の第8の実施例におけるTEMモード
共振器の外観の斜視図である。
【図12】本発明の第5の実施例におけるTEMモード
共振器を応用したフィルタの構成図である。
【図13】本発明の第4および第7の実施例におけるT
EMモード共振器を応用したVCOの構成回路図であ
る。
【図14】従来の共振周波数調整付TEMモード共振器
の構成部品図である。
【符号の説明】
1,21,31,41 誘電体 2,22,32,42,52 伝送線路導体 3,23,33,43,61,105,106 スロッ
トをもつ外導体 7,11,27,37,47,62,103,104
スロット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03B 5/18 C 9182−5J

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 グランド電位を持つ外導体面と、前記グ
    ランド導体から離れてかつ平行に位置した浮遊線路導体
    を持ち、前記線路導体に定在波電流が流れTEMあるい
    は準TEMモードの電磁界が前記線路導体を中心に存在
    し、前記外導体面上で、前記線路導体と最も近い位置に
    線路に直角に両先端短絡のスロット線路を設け、前記ス
    ロット線路の長さを変えることで共振周波数を変えるこ
    とを特徴とするTEMモード共振器。
  2. 【請求項2】 スロット線路の線路間を短絡する複数の
    短絡導体を設け、前記短絡導体を順次取り除くことによ
    ってスロット線路の長さを変え共振周波数を変えること
    を特徴とする請求項1記載のTEMモード共振器。
  3. 【請求項3】 外導体と線路導体がマイクロストリップ
    伝送線路の構造をなす請求項1または請求項2記載のT
    EMモード共振器。
  4. 【請求項4】 マイクロストリップ伝送線路の片側端部
    をグランド外導体に短絡し、他方の端部に容量性素子を
    前記外導体間に接続しあるいは面電極を他方の端部に設
    け、前記伝送線路の長さを4分の1波長以下とする請求
    項3記載のTEMモード共振器。
  5. 【請求項5】 伝送線路導体が平行する2つのグランド
    外導体ではさまれ、前記外導体間は空気あるいは誘電体
    で充填され、前記線路導体の断面が線状、多角形あるい
    は円形の形状である構造をなす請求項1または請求項2
    記載のTEMモード共振器。
  6. 【請求項6】 伝送線路の片側端部をグランド外導体に
    短絡し、他方の端部に容量性素子を前記外導体間に接続
    しあるいは面電極を他方の端部に設け、前記伝送線路の
    長さを4分の1波長以下とする請求項5記載のTEMモ
    ード共振器。
  7. 【請求項7】 グランド外導体の導体面が軸対象の多角
    柱または円柱の形状で、かつ浮遊線路導体が軸対象の多
    角柱または円柱の形状でこれを中心導体とし、前記2つ
    の軸が一致し、2つの導体間が空気または誘電体で充填
    された同軸伝送線路構造を持つ請求項1または請求項2
    記載のTEMモード共振器。
  8. 【請求項8】 伝送線路の片側端部をグランド外導体に
    短絡し、他方の端部に容量性素子を前記外導体間に接続
    しあるいは面電極を他方の端部に設け、前記伝送線路の
    長さを4分の1波長以下とする請求項7記載のTEMモ
    ード共振器。
  9. 【請求項9】 スロットの近傍で伝送線路の線路幅がス
    ロットからはなれた線路部に比べ異なる幅を持つ構造と
    する請求項3から請求項6のいずれかに記載のTEMモ
    ード共振器。
  10. 【請求項10】 スロットの近傍で中心導体線路の線路
    幅がそれ以外の線路部に比べ異なる幅を持つ構造とする
    請求項7または請求項8記載のTEMモード共振器。
  11. 【請求項11】 グランド電位を持つ外導体面と、前記
    グランド導体から離れてかつ平行に位置した浮遊線路導
    体を持ち、前記線路導体に定在波電流が流れTEMある
    いは準TEMモードの電磁界が前記線路導体を中心に存
    在し、前記外導体面上で、前記線路導体と最も近い位置
    に線路に直角に両先端短絡のスロット線路を設け、前記
    スロット線路間に容量性素子を接続し、容量値の変化で
    共振周波数が変化することを特徴とするTEMモード共
    振器。
  12. 【請求項12】 変化する容量素子がバラクタダイオー
    ドであり、印加する電圧を変えることで共振周波数を可
    変する請求項11記載のTEMモード共振器。
  13. 【請求項13】 スロット線路の線路間を短絡する複数
    の短絡導体を設け、前記短絡導体を順次取り除くことに
    よってスロット線路の長さを変え可変共振周波数の中心
    周波数を決めることを特徴とする請求項12記載のTE
    Mモード共振器。
  14. 【請求項14】 外導体と線路導体がマイクロストリッ
    プ伝送線路の構造をなす請求項11から請求項13のい
    ずれかに記載のTEMモード共振器。
  15. 【請求項15】 マイクロストリップ伝送線路の片側端
    部をグランド外導体に短絡し、他方の端部に容量性素子
    を前記外導体間に接続しあるいは面電極を他方の端部に
    設け、前記伝送線路の長さを4分の1波長以下とする請
    求項14記載のTEMモード共振器。
  16. 【請求項16】 伝送線路導体が平行する2つのグラン
    ド外導体ではさまれ、前記外導体間は空気あるいは誘電
    体で充填され、前記線路導体の断面が線状、多角形ある
    いは円形の形状である構造をなす請求項11から請求項
    13のいずれかに記載のTEMモード共振器。
  17. 【請求項17】 伝送線路の片側端部をグランド外導体
    に短絡し、他方の端部に容量性素子を前記外導体間に接
    続しあるいは面電極を他方の端部に設け、前記伝送線路
    の長さを4分の1波長以下とする請求項16記載のTE
    Mモード共振器。
  18. 【請求項18】 グランド外導体の導体面が軸対象の多
    角柱または円柱の形状で、かつ浮遊線路導体が軸対象の
    多角柱または円柱の形状でこれを中心導体とし、前記2
    つの軸が一致し、2つの導体間が空気または誘電体で充
    填された同軸伝送線路構造を持つ請求項11から請求項
    13のいずれかに記載のTEMモード共振器。
  19. 【請求項19】 伝送線路の片側端部をグランド外導体
    に短絡し、他方の端部に容量性素子を前記外導体間に接
    続しあるいは面電極を他方の端部に設け、前記伝送線路
    の長さを4分の1波長以下とする請求項18記載のTE
    Mモード共振器。
  20. 【請求項20】 スロットの近傍で伝送線路の線路幅が
    スロットからはなれた線路部に比べ異なる幅を持つ構造
    とする請求項14から請求項17のいずれかに記載のT
    EMモード共振器。
  21. 【請求項21】 スロットの近傍で中心導体線路の線路
    幅がそれ以外の線路部に比べ異なる幅を持つ構造とする
    請求項18または請求項19記載のTEMモード共振
    器。
  22. 【請求項22】 スロット線路をシールド導体でカバー
    し、前記スロット開口面から共振器外へ輻射される電磁
    界エネルギーを少なくした請求項1から請求項21のい
    ずれかに記載のTEMモード共振器。
  23. 【請求項23】 請求項1または請求項2に記載のTE
    Mモード共振器を1個または複数個を電界、磁界あるい
    は電磁界結合させ、初段と最終段の共振器にそれぞれ電
    界、磁界あるいは電磁界結合させた入力および出力端子
    を持つ帯域通過高周波フィルタ。
  24. 【請求項24】 請求項12または請求項13に記載の
    TEMモード共振器を1個または複数個を電界、磁界あ
    るいは電磁界結合させ、初段と最終段の共振器にそれぞ
    れ電界、磁界あるいは電磁界結合させた入力および出力
    端子を持ち、バラクタダイオードに印加する電圧を変え
    通過帯域の中心周波数を可変できる帯域通過高周波フィ
    ルタ。
  25. 【請求項25】 請求項12または請求項13に記載の
    TEMモード共振器と半導体増幅素子を用いて発振回路
    を構成し、バラクタダイオードの印加電圧を変え発振周
    波数を可変する電圧制御発振器
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