JPH02501247A - 一体化された光学読み取り/記録ヘッド及び同ヘッドに組み合わされる装置 - Google Patents
一体化された光学読み取り/記録ヘッド及び同ヘッドに組み合わされる装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一体化された光学読み取り/記録ヘッド及び同ヘッドに組み合わされる装置
(発明の背景)
本発明は光学記録に係り、より詳しくは光学ディスク等の放射感知記録要素の上
に情報を書き込みあるいは読み取る光学ヘッドの改良に関する。またさらに詳し
くは、本発明は、一体的な光学器具を用いる型式の光学読み取り/書き込みヘッ
ドの改良に関する。
近年、光学記録要素の上において情報を書き込み/読み取るのに用いられる電子
光学装置を小型化するために、多大の努力がなされてきた。このような装置は、
しばしば光学「ヘッド」若しくは「ピックアップ」として記述される、通常少な
くとも1個以上のダイオードレーザと、このようなレーザによって放射される光
線を拡散、絞り込み、変向、焦点合わせするための種々の別々の光学要素(例え
ば、プリズム、レンズ、鏡等)と、記録要素によって反射された(若しくは伝達
された)レーザエネルギーから記録された情報を検知する各々独立した複数の検
知器とを有している。また、このような検知器は焦点及びエラー信号を探知して
、記録要素上のレーザ光線の焦点及びトラッキング位置を制御する。ダイオード
レーザの出現によって、このような電子光学読み取り/書き込み装置の大きさは
15立方センチメータ以下(約1立方インチ)にまで小型化された。同様に重要
なのは、そのような電子光学装置の重量が約100グラム以下にまで軽量化され
たという事実である。
光学記録装置の光学ヘッド小型化は大幅な進歩を遂げたが、これによって記録要
素上の情報をアクセスするのに必要な時間が短くなったわけではない。上記の型
式の小型化された光学ヘッドであってもその質量では、ヘッドが記録要素に対し
て速やかに移動して異なる場所にある情報をアクセスするため「トラックジャン
プ」した後に、読み取り/書き込み位置に落ち着くにはかなり長い時間を要する
。
ごく最近、さらに光学読み取り/書き込みヘッドを縮小しようという努力におい
て、一体化された光学器具の分野が調査者達の注目を集めている。例えばヨーロ
ッパ特許明細書第174,008号では、ダイオードレーザエネルギーがその内
部に組み合わされた光学導波管を各々有する様々な種類の一体化された光学ヘッ
ドが開示されている。導波管内に光学的に一体化されるのは、レーザ源からの投
射光をその上で規準化するt;めのレンズ(例えばFresnelレンズ、Br
agg回折レンズ若しくはLuneburugレンズ)と、導波管外部で投射規
準化された光を偏向すると共にこのような光を記録要素表面上に焦点合わせする
ための焦点回折結合器(FCC)とである。このような一体化された光学ヘッド
はさらに検知器を備えており、これによって記録要素から傾斜して反射された光
を検知し、記録された情報及び投射光の焦点とトラッキングの正確さとを検知す
る。これらの検知器の各々の出力は焦点及びドラッギングエラー信号を形成する
のに用いられる、即ち、記録要素上で正確な焦点位置を保持すると共に、所望さ
れる情報のトラックに関連するアクセス位置を制御するのに用いられる。
上述の明細書の実施例においては、導波管がよく知られた電子光学的効果をもた
らす素材(例えばLiNbO3若しくはPLZT)で作られており、また読み取
り/書き込み地点の焦点及びトラッキングを制御する制御レンズを形成する導波
部の屈折率を選択的に変化させるのに、焦点及びトラッキングエラー信号が用い
られている。
屈折率を変化させるため導波管の頂部表面上に取り付けられる電極が近接して複
数配列されている。電圧源に接続された場合、これらの電極は、屈折率及び一体
化されたレンズの形状を変えるフリンジング磁場を形成し、これによってその焦
点距離を変化させると共に焦点位置を光線軸に直角に移動させる。
前述のヨーロッパ特許明細書において關示されたような一体化された光学読み取
り/書き込みヘッドは、大幅に軽量化されてはいるが、より小型の個別の光学要
素の集合であり、そのような一体化されたヘッド、特に焦点のトラッキングを変
化させるために導波管上の数個の電極と組み合わされたヘッドでは、その構造、
及び取り扱い方法が複雑である。さらに、幾つかの対になつI;電極が導波管表
面上にかなり離れて(ミリメータの単位で)配置されているので、導波管の屈折
率を効果的に変えるのに必要な7リンジング磁場を形成して所望される効果を挙
げるためには、かなり高い電圧(例えば何千ボルトの単位)を電極の間に加える
必要がある。
(発明の概略)
前述の論点によれば本発明は、少なくともその構造が大変簡単であり、かつ光学
記録要素上に焦点を結ぶレーザ光線の位置を電子光学的に制御するために要する
電圧をずっと低下させるという見地から改良された、一体化された光学ヘッドを
提供することを目的とする。
本発明によれば、既に提案された同様のヘッドに類似して、(a)光学導波管と
、(b)レーザエネルギーを前記導波管内に結合させる結合手段と、(C)光出
口領域において前記導波管の外部でレーザエネルギーを結合させると共に同エネ
ルギーを移動する記録要素上の一点に焦点合わせする焦点形成手段と、(d)正
確性を表示するトラッキングエラー信号を発生させて、これによって焦点合わせ
されて前記レーザエネルギーが記録要素上の所望の情報トラックをたどる検知手
段と、(e)前記信号に応答して導波管の有効屈折率を変化させ、これによって
焦点をトラッキングさせる屈折率変化手段とを有してなる光学読み取り/書き込
みヘッドを提供する。しかしながら従来のヘッドに比べると本発明の光学ヘッド
は、前記屈折率変化手段が、前記出口領域にごく近接して平行に配置された一対
の平行平面電極と、前記電極の間にトラッキングエラー信号に比例する磁場を形
成して、前記出口領域と反対側の導波管の有効屈折率を均一に変化させる磁場形
成手段とを有することを特徴とする。一実施例によれば、電極が導波管の両側に
位置決めされており、加えられる電圧が選択的に導波管の屈折率自体を変化させ
る。別の実施例によれば、導波管に近接して配置されt;電子光学的な(例えば
液晶)層の対向する両側に電極が位置決めされ、近接する屈折率を選択的に変化
させることによって導波管の有効屈折率が変えられる。
本発明は、添付の図面を参照してなされI;実施例の詳細な説明により、よりよ
く理解されるであろう。
図面の簡単な説明
第1図は、本発明に係る一体化された光学読み取り/書き込みヘッドを線図的に
示した斜視図、第2図は、第1図の装置の2−2線視断面図、第3図は、焦点位
置の大きさと、屈折率変化と、回折限界と、焦点移動とのパラメータを関連させ
た図表、第4図及び第5図は、本発明に係る別の一体化された読み取り/書き込
みヘッドの実施例の線図的な側面図である。
(実施例の詳細な説明)
添付の図面を参照すると、第1図及び第2図は本発明に係る一体化された光学読
み取り/書き込みヘッド10を線図的に示している。これに沿ってデータが書き
込まれたり読まれたりする、間隔をおいて配置された複数の平行なデータトラッ
クTが形成された移動光学記録要素R(例えば従来の光学ディスク)に関連して
作動位置にあるヘッド10が図示されている。記録要素R上において書き込み若
しくは読み取りを行う間、ヘッド10はほぼ静止状態に保持され、また記録要素
Rは矢印aの方向に移動されて、ヘッドによって発生した放射光線の焦点Pが所
望のデータトラックに沿って検知される。
一体化された光学へラド10は、平板状の導波管12を支持するガラス等の硬い
透明な基質Sを有している。
これとは別に基質が、熱によって増大する5i02の透明なバッファ層を備えた
シリコンウェーファであっも構わない。導波管の厚さが通常1ミクロン以下なの
に対し、基質の厚さは普通ミリメータの単位であるので、図面を縮尺比例すべき
でないことが理解できる。ダイオードレーザL若しくは類似のものから発せられ
たレーザエネルギーは、図示するようにダイオードレーザ出力を導波管端部に「
衝突結合」させる等の適宜の方法によって導波管内に結合される。ダイオードレ
ーザから分散し、導波管を通って伝播するレーザエネルギーEは、一体レンズ1
4によって平行化されて軸Aを有する平行光線Bを形成する。一体レンズ14は
上述のレンズ(Lunebur、ug、Fresnel、Bragg等の)の内
のどの形状に形成されても構わない。導波管内にこれも一体的に設けられている
適宜の焦点形成回折結合器(FCC)が、光線Bを遮断し、まt;導波管の外で
出口領域2においてこのような光線を結合させ、これによって記録要素上におい
て焦点Pを形成するように位置決めされている。
このような回折結合器用の設計パラメータが、1986年7月のジャーナルオブ
ライトウエイブテクノロジー(JoIlrnal of LiHhtvivt
Technology) L T −4、第7号の913ページから917ペー
ジで説明されている。
記録要素上に衝突すると、焦点を形成した光線が反射して導波管方向に向かい、
反射したエネルギーの一部は導波管及びその支持基質を通過しく若しくは5i0
2で皮膜処理されたシリコン基質の場合は5insバツフヶ層を通過し)、基質
の底面上(若しくはシリコン基質の場合は基質の頂部)に間隔を置いて配置され
た一対の検知器DI、D2上に入射する。検知器D1.D2の各出力は差動増幅
器AIによって減算されてトラッキングエラー信号ETを発生し、これによって
以下に説明される方法で焦点Pのトラッキングを制御する。更に検知器DI。
D2の各々の出力が総和器A2を経由して合計され、記録されたデータを表す信
号RFを発生させることもできる。
焦点Pを所望のデータトラックと一致させておくために、本発明では、即ち、焦
点回折結合器(即ち領域Z)の領域内の導波管の部分nullの「有効」屈折率
を、トラッキングエラー信号E、に比例した値だけ変化させる手段が設けられて
いる。規準化されたレーザ光線を走査させる一体化されI;光学装置を關示して
いる米国特許第4.047,795号に示すように、出口領域の全体における導
波管の屈折率が均一に変化することによって、規準化された光線が導波管の外で
一つに結合される角度上において焦点Pの位置を正確に維持するためにこの原理
が用いられている。導波管のを動圧折率を変化させるには、導波管自体の屈折率
を変えるか、若しくは、以下の第5図を参照して説明される、基質S若しくは透
明皮膜層等が接しているか若しくはごく近接している層の屈−折率を変化させる
ことによつて行うことができる。
第1図及び蕗2図で示すように、導波管自体の屈折率を選択的に変化させる手段
が設けられている。この場合導波管は、加えられる電界の強度によってその屈折
率が様々に変化する電子光学素材(例えばランタン合金塗布鉛ジルコネイトチタ
ネイト(PLZT)若しくはリチウムニオベイト(LiNbOs))を有してい
る。このような屈折率変化手段は、一対の平行な平板状の透明な電極22.24
を有しており、これらは焦点回折結合器及び可変電圧源20の付近において導波
管の両側に位置決めされており、可変電圧源20は、その強度がトラッキングエ
ラー信号E7によって決定される強さの電場を、導波管の電極の間に発生させる
。電極22.24は、例えばインジウムスズ酸化物でできた透明で薄さが約0゜
1ミクロン以下の薄いフィルムを備えていてもよい。このようなフィルムは適宜
の方法でスパッタ若しくは蒸着される。製造過程を簡便にするため、電極24が
基質表面全体を覆うようにしてもよい。しかしながら、電極24はFCCの下方
領域に限定され、光学上の損失を最小限にすることが望ましい。電極22は焦点
回折結合器を覆うだけでよい。図示するように、電極24が底面配置され、また
電極22が可変電圧源20の出力V、に接続される。可変電圧源20の出力はそ
の入力ETによって決定され、上述のようにこの入力は、焦点位置Pが所望のト
ラックから変位しt;変位量によって決められる。
■、が名目上のレベルの近辺で変化するので、焦点Pは、P′からPまでの角度
範囲θ内でどこにおいても位置決めすることができる。
ある名目上の値の付近でnellがごく小さく変化した場合、以下のことが観察
された。すなわち、1)焦点変位(X)とn、1.との間の関係は線形である、
2)焦点は導波管平面と平行な平面p(第2図)上で移動する、3)焦点の大き
さが、焦点レンズの有効開口数(N A)(この場合はFCC)によって決めら
れる変位領域(2X)内で制限された回折内に維持される。幾何学的な光線跡か
ら計算された焦点の大きさと、一方は0.25のNAを有し他方は0.45のN
Aを有する、焦点距離1センチメータの2つの異なるレンズの屈折率変化との間
における関係が第3図に示されている。ここでは導波管の素材は名目の有効屈折
率2.40を有するPLZTである。さらに第3図の図表は、波長が830nm
の場合の2つのNA値に対応して計算によって得られた回折制限されt;焦点の
大きさく水平の破線)である。焦点の大きさが焦点の移動Xに対して線形的に変
化し、また、焦点の大きさ対X湾曲の傾斜がレンズNAに比例することがわかる
。焦点が0.45のNAに対して±5ミクロン、0.25のNAに対して±30
ミクロンに制限された回折を維持していることが図表かられかる。±5ミクロン
の屈折範囲によって、従来の光学ディスク記録装置に見られるブトラッキング、
例えばスピンドル−軸ずれ及び軌道の円形離脱等の不都合を十分に解決すること
ができる。これらのX値は、各々変化δnallo、ooosと0.003とに
対応する。二次の電子光学係数3x10−”cm”/V”を有するPLZTの屈
折率を変化させるには、導波管に、NA−0,45レンズには0から0゜65ボ
ルト/ミクロンの間の電場を(即ちΔX−±30μm)加えることが必要であり
、またNA−0,25レンズには0から1.59ボルト/ミクロンの間の電場を
(即ちΔX−±30.um)加えることが必要である。PLZTにおける電子光
学効果の二次特性のせいで、約X−〇の対称的な回折を確実にするためには、は
ぼ非ゼロバイアス場を管理することが必要である。約0.5ミクロンの厚みを有
する導波管を用いることにより、必要とされる屈折率変化を達成するために加え
られる電圧が1ボルト以下となる。この場合案内された光はTM偏光されると仮
定される。
第4図には、焦点回折結合器が、導波管の頂部に形成されt;成型された金属3
3によって作られている別の実施例が示されている。透明な伝導フィルム34(
例えばI TO)によって金属を皮膜処理することにより均一な電子的接触が保
証される。従来のフォトエツチング技術によって、そのような成型された金属回
折格子を作り出すことができる。
上述のように、導波管の有効屈折率を変化させる、つまり導波管の外で光が結合
される角度を変化させる別の技術は、接しているか若しくは非常に近接している
層の屈折率を変化させるというものである。この方法の理論が1986年3月の
ジャーナルオブライトウェイブテクノロジー、LT−4、第3号の360ページ
から363ページで論じられている。導波管の有効屈折率を変える間接的な方法
には、前述した実施例に優る幾つかの利点がある。例えば、導波管が電子光学素
材を有する必要がなく、導波フィルム12としてどのような受動型光学導波素材
を使用することもできる。さらに、導波管を基質S上に直接配置してもよく、こ
のとき平板状の透明な電極を基質と導波管との間に形成する必要がない。また隣
接する層と同様、液晶素材として電子光学素材を用いる場合、ずっと低い電圧(
例えばミリポルト対ボルト)によって焦点を最大に変位させることができ、また
TE及び7Mモードを簡単に変向することができる。
第5図の実施例では、基質Sが導波管と、第1図に示すような同導波管の一体化
された焦点回折結合レンズ(FCC)とを支持している。液晶層30が、例えば
インジウムスズ酸化物(ITO)の薄いフィルム等の2つの薄く透明な電極層3
6と38との間に配置されている。下方のITO層36が焦点回折結合レンズの
頂部に位置決めされており、上方の電極34がガラス板40によって支持されて
いる。液晶層30はM e r c k式TCHII32液晶の形状をなしてい
てもよく、同液晶は通常屈折率n、が1.50.また臨時屈折率n1が1.63
である。
導波管は屈折率nf−1,70を有するように、また基質Sは屈折率n、=1.
457を有するように選択されている。導波管12は約0.3ミクロンの厚みが
ある。
導波管の単TEモードの有効屈折率(nsll)は導波管の両側の媒体の屈折率
に左右される。これによって、n01.は液晶上層セルの状態に左右される。電
極36と38との間に電圧が加えられた場合、伸長された液晶分子Mの通常軸O
が導波管に平行をなすように向けられ、また導波管のTE、有効屈折率は値n*
+*−1.579.中間値n、及びn、を有することになる。他方、電極36と
38との間に電圧が加えられない場合は、液晶分子の臨時軸Eが光の伝播の方向
に直角をなして、すなわち上方及び下方の電極表面に用いられるサーファクタン
トによって作られた方向に平行をなして導波管の平面上に位置する。この場合、
導波管のTE、有効率はn@、+= 1−68になる。これら両極中間に加えら
れる電圧は2つの値の間のnellとなる。例えば第4図の構成における電極3
2と34との間に加えられる4ポルトの電圧は、一方向から他方向へと液晶分子
を回転させるのに十分である。
液晶層の屈折率のこの変化によって、1cmの焦点距離を有するレンズの点の変
向が総合的に500ミクロンとなる。このように、焦点と移動するデータトラッ
クとの間の(例えば±5ミクロン)トラックを維持するために光学記録装置にお
いて必要なこの種類の変位には、電極32と34との間で1ボルトよりずっと低
い、変化する中間付勢電圧が必要となることがわかる。第5図では、液晶の同時
屈折率ncによって異なる3つの焦点位置P。
P’、P“が焦点として示されている。電圧が加えられていない場合は% n
t” n I+であり、焦点はP“にある。
電圧Vにおいては% n t” n @であり、焦点はP′にある。
電圧V/2においては、nt= (n−+n、)/2であり、焦点はPにある。
前述のように、本発明に係る一体化された光学読み取り/書き込みヘッドが、導
波管(若しくは近接している層)の厚みを横切るように非常に低い電圧を加えて
トラックを維持する点で優れており、また前述の従来技術の装置と対比して大変
簡単な構造であるという点で優れていることがわかる。
本発明は特定の実施例を参照して詳細が説明されているが、しかしながら本発明
の主旨の範囲内において種々の変更及び修正を行えることが可能であるのは勿論
である。
稙煮の丈1さくミツ0ソ)
FIG、 4
FIG、5
補正書の翻訳文提出書
(特許法第184条の8)
平成 元年 8月J−1.−日
特詐庁長官 吉 1)文毅 殿 国
1、特許出願の表示
PCT/US88101894
2、発明の名称
一体化された光学読み取り/記録ヘッド及び同ヘッドに組み合わされる装置
3、特許出願人
住 所 アメリカ合衆国ニューヨーク州14650.ロチニスター市ステート・
ストリート 343
名 称 イーストマン・コダック・カンパニー4、代理人
住所 東京都千代田区大手町二丁目2番1号新大手町ビル 206区
5、補正書の提出日
(請求の範囲)
1、情報がそれらに沿って記録されているか、若しくは記録されるであろう複数
のデータトラック(T)を有する記録要素(R)上において、情報の書き込み/
読み取りを行う装置が、
a)放射光線を発生するレーザ(L)・と、b)(i)平板状の基質(S)の−
表面上に配置され、前記光線を受け、予め決められた経路に沿って案内するよう
に位置決めされた平板状の光学導波管と、(ii)前記導波管の外部で同導波管
によって案内された光線を変向させると共に、前記導波管から出口領域(Z)に
おいて現れる変向された前記光線を前記記録要素上のデータトラック上の一点(
P)に焦点合わせする焦点形成手段(FGC)とを有する一体化された光学書き
込み/読み取りヘッド(lO)と、
C)所望されるデータトラックからの前記焦点の変位を検知すると共に、前記変
位に比例してトラッキングエラー信号(E7)を発生する検知信号発生手段(D
l。
D2)と、
d)前記トラッキングエラー信号に応答して、前記出口領域に近接する前記導波
管の有効屈折率を選択的に変化させる屈折率変化手段(20,22,24; 3
0,36.38)と、
を有する情報書き込み/読み取り装置において、前記屈折率変化手段が、前記導
波管に近接して位置決めされ、各々が少なくとも前記出口領域と同一空間に伸び
る、間隔を置いて配置された平板状の一対の電極(20,22; 36,3B)
と、前記トラッキングエラー信号(ET)によって変化する電場を前記電極の間
に形成する可変電場形成手段、(20)と
を有することを特徴とする情報書き込み/読み取り装置。
2、前記基質(S)が前記放射光線に、対して透明であり、また前記検知手段が
前記基質の前記−表面と反対側の表面に位置決めされ、間隔を置いて設けられた
一対の放射光線検知器(Dl、D2)であることを特徴とする請求の範囲第1項
記載の情報書き込み/読み取り装置。
3、前記平板状の電極(22,24)が、電子光学素材を有する前記導波管の対
向する両側に位置決めされていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の情報
書き込み/読み取り装置。
4、前記電子光学素材がPLZT (ランタン塗布ジルコネイトチタネイト)を
有することを特徴とする請求の範囲第3項記載の情報書き込み/読み取り装置。
5、前記電子光学素材がL i N b Os (リチウムニオベイト)を有す
ることを特徴とする請求の範囲第3項記載の情報書き込み/読み取り装置。
6、前記一体化された光学書き込み/読み取りヘッドが、前記出口領域に近接す
る前記導波管の上を覆う電子光学素材の層(30)を更に有しており、同電子光
学素材の層の対向する両側に前記電極(36,38)が位置決めされていること
を特徴とする請求の範囲第1項記載の情報書き込み/読み取り装置。
7、前記電子光学素材の層が液晶を有していることを特徴とする請求の範囲第6
項記載の情報書き込み/読み取り装置。
B、前記基質が、開基% (S)と前記導波管(R)との間4;透明なシリコン
ダイオキサイド層が配置されたシリコンを有しており、また前記検知手段が前記
シリコンダイオキサイド層に近接する基質の表面上に位置決めされた一対の検知
器(DI、D2)を有することを特徴とす国際調査報告
111+amsmaal^””””11’@?CT/USal110L894国
際調査報告
IJS 8801ε94
SA 22834
Claims (14)
- 1.光源からの光を光線軸にそって案内する平板状の光学導波管と、出口領域に おいて前記導波管から出力された光を結合させると共に同導波管から間隔を置い て配置された平面に焦点を結ばせる焦点形成手段と、前記出口領域に近接する前 記導波管の有効屈折率を選択的に変化させて前記焦点形成手段によって光の焦点 位置を変化させる屈折率変化手段とを有する一体化された光学読み取り/書き込 みヘッドにおいて、前記屈折率変化手段が、前記出口領域に近接して配置され、 互いに平行をなし、かつ前記導波管にも平行をなして間隔を置いて配置された一 対の平板状の電極と、前記電極の間に変化する電圧を加えてその間に可変電場を 形成し、前記平面内での所望の位置から瞬間的に焦点位置を移動させる可変電圧 を加える手段とを有することを特徴とする一体化された光学書き込み/読み取り ヘッド。
- 2.前記平板状の電極が前記導波管の対向する両側に配置され、また同導波管が 電子光学素材を備えていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の一体化され た光学書き込み/読み取りヘッド。
- 3.前記電子光学素材がPLZT(ランタン合金塗布鉛ジルコネイトチタネイト )を有することを特徴とする請求の範囲第2項記載の一体化された光学書き込み /読み取りヘッド。
- 4.前記電子光学素材がLiNbO■(リチウムニオベイト)を有することを特 徴とする請求の範囲第2項記載の一体化された光学書き込み/読み取りヘッド。
- 5.前記光学書き込み/読み取りヘッドが更に、前記出口領域に近接する前記導 波管の上を覆う電子光学素材の層を有し、また前記電極が同電子光学素材層の対 向する両側に位置決めされていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の一体 化された光学書き込み/読み取りヘッド。
- 6.前記電子光学素材層が液晶を有していることを特徴とする請求の範囲第5項 記載の一体化された光学書き込み/読み取りヘッド。
- 7.これらに沿って情報が記録されている若しくは記録されるであろう複数のデ ータトラックを備えた記録要素上において情報を書き込み若しくは読み取る装置 が、a)放射光線を発するレーザと、 b)(i)平板状の基質の一表面上に配置され、前記光線を受け、予め決められ た経路にそって案内するように位置決めされた平板状の光学導波管と、(ii) 記録要素上のデータトラックの外部で前記導波管によって案内された放射光線を 変向させると共に、同導波管から出口領域において出力する変向された同光線を 一点に焦点合わせする焦点形成手段とを有する一体化された光学読み取り/書き 込みヘッドと、 c)所望のデータトラックからの前記焦点位置の変位を検知すると共に、前記変 位に比例してトラッキングエラー信号を発生させる検知信号発生手段と、d)前 記トラッキングエラー信号に応答して、前記出口領域に近接する前記導波管の有 効屈折率を選択的に変化させる屈折率変化手段であって、前記導波管に近接して 位置決めされた間隔を置いて配置された平行な一対の電極と、同電極の間に前記 トラッキングエラー信号によって変化する可変電場を形成する電場形成手段とを 有する屈折率変化手段と を有することを特徴とする情報書き込み/読み取り装置。
- 8.前記基質が前記放射光線に対して透明であり、また前記検知手段が同基質の 前記一面と反対の表面上に位置決めされた間隔を置いて設けられた一対の放射光 線感知検知器を有することを特徴とする請求の範囲第7項記載の情報書き込み/ 読み取り装置。
- 9.前記平板状の電極が、電子光学素材を備える前記導波管の対向する両側に位 置決めされていることを特徴とする請求の範囲第7項記載の情報書き込み/読み 取り装置。
- 10.前記電子光学素材がPLZT(ランタン合金塗布ジルコネイトチタネイト )を有することを特徴とする請求の範囲第9項記載の情報書き込み/続み取り装 置。
- 11.前記電子光学素材がLiNbO3(リチウムニオベイト)を有することを 特徴とする請求の範囲第9項記載の情報書き込み/読み取り装置。
- 12.前記光学読み取り/書き込みヘッドが更に、前記出口領域に近接する前記 導波管の上を覆う電子光学素材の層を有し、また同電子光学素材の層の対向する 両側に前記電極が位置決めされていることを特徴とする請求の範囲第7項記載の 情報書き込み/読み取り装置。
- 13.前記電子光学素材の層が液晶を有していることを特徴とする請求の範囲第 12項記載の情報書き込み/読み取り装置。
- 14.前記基質が、同基質と前記導波管との間に透明なシリコンダイオキサイド 層が配置されたシリコンを有し、前記検知手段が前記シリコンダイオキサイド層 に近接する基質の表面上に位置決めされた一対の検知器を有することを特徴とす る請求の範囲第7項記載の情報書き込み/読み取り装置。
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