JPH0250419A

JPH0250419A - プラズマｃｖｄ成膜装置

Info

Publication number: JPH0250419A
Application number: JP19984888A
Authority: JP
Inventors: Yuji Takahashi; 裕治高橋
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-08-12
Filing date: 1988-08-12
Publication date: 1990-02-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はプラズマＣＶＤ成膜技術に関し、特に、半導体
ウェハを保持する電極を存し、半導体ウェハの主面に集
積回路製造用のプラズマＣＶＤ膜を生成する炉体型のプ
ラズマＣＶＤ成膜技術に関するものである。

〔従来の技術〕

一般に、半導体集積回路装置の製造過程にふいて、半導
体ウェハの主面にプラズマＣＶＤ膜を生成する場合、Ｃ
ＶＤ成膜用の炉体内に収容される半導体ウェハを平行平
板型の電極に保持してｃＶＤ成膜処理を行っている。こ
の電極はいわゆるボートと呼ばれているものであり、そ
の全体が導電体で作られている。

ナオ、プラズマＣＶＤ成膜技術については、株式会社工
業調査会、昭和６１年１１月１８日発行、「電子材料Ｊ
　１９８６年別冊、Ｐ６０〜Ｐ　６７　ｉ：記載されて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、前記した従来技術においては、電極（ボート
）が全体的に導電体で形成されているため、プラズマＣ
ＶＤ膜の生成過程において、半導体ウェハ以外に、電極
の全体にも生成物が付着してしまう。

そのため、その生成物が後で電極面から剥がれ落ちてし
まい、半導体ウェハに異物として付着する。

このような異物付着が起こると、半導体ウェハの不良を
生じ、ひいては半導体集積回路の製品不良を引き起こす
原因となってしまう。

本発明の目的は、半導体ウェハを保持する電極に付着す
る生成物を減少させ、かつその生成物の剥がれにより発
生する異物を減少させることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、本発明のプラズマＣＶＤ成膜装置は、半導体
ウェハを保持する電極の保持部を導電体、それ以外の部
分を絶縁体で構成するものである。

また、ウェハ保持部が電極に複数設けられる場合、各ウ
ェハ保持部は導電連結手段で互いに導電接続され、かつ
外部導電路に導電接続される構造とすることができる。

さらに、電極のウェハ保持部は、半導体ウェハの外形と
ほぼ同様な外形の導電体で形成することができる。

〔作用〕

上記した手段によれば、電極のウェハ保持部が導電体で
構成され、それ以外の部分が絶縁体で構成されており、
ウェハ保持部具外の絶縁体部分には生成物が付着しにく
いので、生成物の剥離による異物の発生を減少させるこ
とができる。

電極のウェハ保持部が半導体ウェハの外形とほぼ同様な
外形とされることにより、ウェハ保持部の周囲の電極部
分を省略でき、生成物の付着面積が減少するので、生成
物の付着をさらに大幅に減少させることができる。

〔実施例１〕第１図は本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ成膜装
置に用いられる電極部の概略斜視図、第２図はその概略
平面図である。

本実施例においては、一般にボートと呼ばれる電極１は
複数枚を平行に組み合わせた平行平板型の構造であり、
その複数個所に半導体ウェハ２（第２図）を略垂直方向
に保持するためのウェハ保持部３　（第１図）を有して
いる。

このウェハ保持のため、電極１のウェハ保持部３の下側
には、１枚の半導体ウェハ２について各２本のウェハ保
持ピン４が突設されており、各半導体ウェハ２は２本の
ウェハ保持ビン４に載置した状態で保持される。

そして、半導体ウェハ２を保持した電極１は図示しない
炉体型のプラズマＣＶＤ成膜装置の炉内に収容され、プ
ラズマＣＶＤ膜の生成が行われる。

本実施例の電極１は、前記ウェハ保持部３のみがたとえ
ば炭素板などの導電体で作られており、該ウェハ保持部
３以外の部分は、たとえば石英などの絶縁体で作られた
絶縁体部分５として構成されている。

そして、導電性のウェハ保持部３どうしは、たとえば絶
縁体部分５の表面に形成された印刷配線の如き導電連結
手段６で互いに導電接続されている。

また、各電極Ｉはその両端において導電バー７で互いに
機械的に連結されている。この導電バー７は各電極１の
機械的連結機能の他に、導電性のウェハ保持部３を外部
的に導電接続する導電路としての機能をも果たしている
。

そのため、導電バー７は両端側のウェハ保持部３と導電
路８を介して導電接続されている。

さらに、導電バー７の両端は導電部材９を介して導電板
１０に導電可能に連結されている。導電板ｌＯは導電性
のプロセスチニーブ（図示せず）の上に載置される。

したがって、本実施例では、導電性のウェハ保持部３は
導電連結手段６．導電路８．導電バー７゜導電部材９．
導電板１０．さらにはプロセスチューブ（図示せず）を
介して、外部に導電可能である。

次に、本実施例の作用について説明する。

すなわち、本実施例においてプラズマＣＶＤ処理される
半導体ウェハ２は、電極ｌのウエノ＼保持ピン４の上に
載置することにより、ウェハ保持部３に保持された状態
で、たとえば図示しない炉体型のプラズマＣＶＤ成膜装
置の炉内に搬入され、プラズマＣＶＤ膜の生成を行う。

その際、本実施例における電極１はウエノ＼保持部３以
外の部分のうち、その大部分である絶縁体部分５が導電
体ではなくて絶縁体で作られているので、該絶縁体部分
５にはプラズマＣＶＤ膜の付着が少なくなる。

その結果、電極１の全体として付着するプラズマＣＶＤ
膜の付着量は、該電極１の全体が導電体で作られている
場合に比べて相当減少し、その付着物が剥離することに
より半導体ウェハ２に異物として付着することが低減さ
れる。

〔実施例２〕第３図は本発明の他の実施例であるプラズマＣＶＤ成膜
装置に用いられる電極部の概略斜視図である。

本実施例においては、電極１のウェハ保持部３の側方お
よび上方の絶縁体部分は除去され、電極ｌは、半導体ウ
ェハ２の外形とほぼ同様な外形を持つ導電体よりなるウ
ェハ保持部３のみが残された形状となっている。

そして、絶縁体部分５はウェハ保持部３の下部のみにお
いて残されている。

したがって、本実施例２では、電極１全体の面積が実施
例１よりも小さいので、プラズマＣＶＤ膜の生成時にお
ける生成物の電極１への付着、ひいてはその剥離による
異物の発生をさらに低減させることができるという利点
が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、実施例２における絶縁体部分５を全部省略し
、これを導電体に代えて、たとえばウェハ保持部３と同
一材料で一体に作れば、電極１は全体を導電体で形成し
たものでありながら、その面積が従来のものよりもかな
り小さいので、生成物の付着およびその剥離による異物
の発生を低減できる。また、この場合には、導電連結手
段６や導電路８を省略できるという利点もある。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野であるシリコン（Ｓｌ）の半導体ウェハ
におけるプラズマＣＶＤ膜の生成に適用した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、たとえ
ばシリコン以外の半導体材料で作られた半導体ウェハに
も広く適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

（１）、半導体ウェハを保持する電極を有する炉体型の
プラズマＣＶＤＦｌｉ、膜装置であって、前記電極が、
ウェハ保持部を導電体で構成され、前記ウェハ保持部以
外の部分を絶縁体で構成されてなることにより、電極の
絶縁体部分にはプラズマＣＶＤ成膜時の生成物が付着し
にくいので、電極全体としての生成物付着量が減少し、
ひいてはその付着生成物の剥離による異物の発生、半導
体ウェハへの再付着を減少させることができる。

（２）、前記（１）により、半導体ウェハを用いて製造
される半導体集積回路装置の製品歩留りを向上させるこ
とができる。

（３）、電極のウェハ保持部を半導体ウェハの外形とほ
ぼ同様な外形の導電体で構成することにより、ウェハ保
持部の周囲の電極部分を大幅に省略できるので、・電極
の生成物付着面積が大幅に減少し、生成物の電極への付
着、およびその剥離による異物の発生をさらに大幅に低
減できる。

（４）、前記（３）の場合に、電極の全体が導電体で作
られている構造とすることにより、生成物の付着量およ
びその剥離による異物発生量の減少に加えて、ウェハ保
持部どうしを外部に導電接続するための特別な導電連結
手段を設けることが不要になるという利点も得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ成膜装
置に用いられる電極部の概略斜視図、第２図はその概略
平面図、第３図は本発明の他の実施例であるプラズマＣＶＤ成膜
装、置に用いられる電極部の概略斜視図である。１・・・電極、２・・・半導体ウェハ　３・・・ウェハ
保持部、４・・・ウェハ保持ピン、５・・・絶縁体部分
、６・・・導電連結手段、７・・・導電パー　８・・・
導電路、９・・・導電部材、１０・・・導電板。

Claims

【特許請求の範囲】１、半導体ウェハを保持する電極を有する炉体型のプラ
ズマＣＶＤ成膜装置であって、前記電極が、ウェハ保持
部を導電体で構成され、前記ウェハ保持部以外の部分を
絶縁体で構成されてなることを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ成膜装置。２、前記電極には、前記ウェハ保持部が複数設けられ、
各ウェハ保持部は導電連結手段で互いに導電接続され、
かつ外部導電路に導電接続されていることを特徴とする
請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。３、前記電極の前記ウェハ保持部は、半導体ウェハの外
形とほぼ同様な外形の導電体で形成されていることを特
徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。４、前記電極の全体が導電体で形成されていることを特
徴とする請求項３記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。