JPH0250566A - 等倍光センサー - Google Patents
等倍光センサーInfo
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- JPH0250566A JPH0250566A JP63201419A JP20141988A JPH0250566A JP H0250566 A JPH0250566 A JP H0250566A JP 63201419 A JP63201419 A JP 63201419A JP 20141988 A JP20141988 A JP 20141988A JP H0250566 A JPH0250566 A JP H0250566A
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- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
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- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は等倍光センサーに関するものであり、ファクシ
ミリの画像読取り装置あるいはデジタル複写機、ハンデ
ィスキャナなどの画像入力装置に応用される。
ミリの画像読取り装置あるいはデジタル複写機、ハンデ
ィスキャナなどの画像入力装置に応用される。
第１図に完全密着型等倍光センサーの従来例を示す（特
公昭５８−１４０７３号公軸参照）、第１図に示したよ
うに、光源からの光は、基板８表面上に設けられた遮光
層２の採光窓Ｗ及び光電変換素子ｌの上に設けられた透
明保護層（耐摩耗層）３を通り、プラテンローラ４によ
り所定位置に送られた原稿５の原稿面に入射し。
公昭５８−１４０７３号公軸参照）、第１図に示したよ
うに、光源からの光は、基板８表面上に設けられた遮光
層２の採光窓Ｗ及び光電変換素子ｌの上に設けられた透
明保護層（耐摩耗層）３を通り、プラテンローラ４によ
り所定位置に送られた原稿５の原稿面に入射し。
原稿の画像情報に応じて反射し、光電変換素子ｌに入る
ことにより画像情報の読取りが行われる。
ことにより画像情報の読取りが行われる。
このような読取り方式においては、 ＳＬＡなどの等倍
結像素子を用いる必要がないので。
結像素子を用いる必要がないので。
光の利用効率向上による高Ｓ／Ｎ化を図ることができ、
さらに高解像度化、装置の小型化、低コスト化等に大き
な利点を有すると考えられたが、反面透明保護膜上を直
接原稿及びローラが擦るため、保護膜に傷がつくことは
避けられず、経時的にＳ／Ｎ比及び解像度の低下が生ず
ることがわかった。
さらに高解像度化、装置の小型化、低コスト化等に大き
な利点を有すると考えられたが、反面透明保護膜上を直
接原稿及びローラが擦るため、保護膜に傷がつくことは
避けられず、経時的にＳ／Ｎ比及び解像度の低下が生ず
ることがわかった。
また１図中に示すように、駆動回路として外付けのＩＣ
７を用いる場合には、相互配線用のボンディングワイヤ
６をローラ４及び原稿５が擦らないようにするために充
分な基板幅を必要とするので、装置の小型化、低コスト
化を逆に制限してしまうことが明らかとなった。
７を用いる場合には、相互配線用のボンディングワイヤ
６をローラ４及び原稿５が擦らないようにするために充
分な基板幅を必要とするので、装置の小型化、低コスト
化を逆に制限してしまうことが明らかとなった。
また、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）による駆動回路をセ
ンサー基板８上に形成すれば、基板幅を充分狭くするこ
とが可能であるが、保護層を原稿及びローラで擦ること
により生ずる静電気によってノイズが大となったり、駆
動回路が誤動作するという問題が生じた。
ンサー基板８上に形成すれば、基板幅を充分狭くするこ
とが可能であるが、保護層を原稿及びローラで擦ること
により生ずる静電気によってノイズが大となったり、駆
動回路が誤動作するという問題が生じた。
本発明は、従来の欠点を克服し、高Ｓ／Ｎ比、高解像度
、装置の小型化、及び低コスト化が達成でき、且つ高信
頼性を有する完全密着型等倍光センサーを提供すること
を目的とする。
、装置の小型化、及び低コスト化が達成でき、且つ高信
頼性を有する完全密着型等倍光センサーを提供すること
を目的とする。
本発明者は前記目的を達成するために鋭意研究した結果
、絶縁性基板上に、光電変換素子列を原稿面に対して垂
直方向に設けたことを特徴とする等倍光センサーにおい
て、前記光電変換素子列の上端部は前記原稿面と接する
前記基板の端部から所定の距離、好ましくは２ｘｄ （
ｄ＝基板面と遮光性部材との間の距離）以内に位置し、
前記光電変換素子列の上端部のさらに上方に採光窓を有
する遮光性部材を配し、原稿照明用光源を前記遮光性部
材の外側に設け、前記光電変換素子列と直角方向に基板
端面に接触しながら移動する原稿面に前記光源光が前記
採光窓を通じて入射し、前記原稿面上の画像情報に応じ
て反射してそれぞれの光電変換素子にそのまま入るか、
前記遮光性部材により再反射された後に光電変換素子に
入ることにより画像情報を読取る完全密着型等倍光セン
サーを提供することによって前記目的が達成できること
を見出した。
、絶縁性基板上に、光電変換素子列を原稿面に対して垂
直方向に設けたことを特徴とする等倍光センサーにおい
て、前記光電変換素子列の上端部は前記原稿面と接する
前記基板の端部から所定の距離、好ましくは２ｘｄ （
ｄ＝基板面と遮光性部材との間の距離）以内に位置し、
前記光電変換素子列の上端部のさらに上方に採光窓を有
する遮光性部材を配し、原稿照明用光源を前記遮光性部
材の外側に設け、前記光電変換素子列と直角方向に基板
端面に接触しながら移動する原稿面に前記光源光が前記
採光窓を通じて入射し、前記原稿面上の画像情報に応じ
て反射してそれぞれの光電変換素子にそのまま入るか、
前記遮光性部材により再反射された後に光電変換素子に
入ることにより画像情報を読取る完全密着型等倍光セン
サーを提供することによって前記目的が達成できること
を見出した。
以下、本発明を添付図面に従ってさらに詳しく説明する
。
。
第２図は本発明の第１の実施態様を示す。
光電変換素子１は厚さ０．５〜３＋ａｍの絶縁性基板９
（場合によっては遮光性であっても良い）上にその長手
方向端部Ｂから２ｘｄ（ｄ＝基板９面と遮光性部材１２
との間の距離）以内に少なくともその一部が存在するよ
うに配設されている。光電変換素子をこのように２ｘｄ
以内となるような位置関係に配設する理由は２ｘｄ以上
になると、光電変換素子への入射光量及び解像度が急激
に変化するためである０本実施例では光源１０からの直
接光が光電変換部１に直接入射しないように設けられた
遮光膜（反射膜としての機能も有する）１２を表面に形
成した板厚３０〜１００μ■の薄板ガラス１１を光学接
着剤１３によって光電変換素子１上に接着している。こ
の時薄板ガラス１１及び接着剤１３の端部が原稿面に接
触しないように基板９の端部より内側で終端するように
しておく。
（場合によっては遮光性であっても良い）上にその長手
方向端部Ｂから２ｘｄ（ｄ＝基板９面と遮光性部材１２
との間の距離）以内に少なくともその一部が存在するよ
うに配設されている。光電変換素子をこのように２ｘｄ
以内となるような位置関係に配設する理由は２ｘｄ以上
になると、光電変換素子への入射光量及び解像度が急激
に変化するためである０本実施例では光源１０からの直
接光が光電変換部１に直接入射しないように設けられた
遮光膜（反射膜としての機能も有する）１２を表面に形
成した板厚３０〜１００μ■の薄板ガラス１１を光学接
着剤１３によって光電変換素子１上に接着している。こ
の時薄板ガラス１１及び接着剤１３の端部が原稿面に接
触しないように基板９の端部より内側で終端するように
しておく。
原稿５はプラテンローラ４によって図示のように送られ
、光［１０から発した照明光は、薄板ガラスｌｌ上に形
成された採光窓Ａ（採光窓の幅はほぼｄの程度が好まし
い）を通して、または直接Ｂ点近傍の原稿面を照射し、
原稿面の画像情報に応じた反射光が直接または遮光膜１
２の裏面で再反射された後に光電変換素子１に入ること
により画像情報を読取ることができる。ここで光電変換
素子１としてはアモルファスシリコンをその構成要素と
するものが好適に用いられ、光反射膜としてはＣｒ。
、光［１０から発した照明光は、薄板ガラスｌｌ上に形
成された採光窓Ａ（採光窓の幅はほぼｄの程度が好まし
い）を通して、または直接Ｂ点近傍の原稿面を照射し、
原稿面の画像情報に応じた反射光が直接または遮光膜１
２の裏面で再反射された後に光電変換素子１に入ること
により画像情報を読取ることができる。ここで光電変換
素子１としてはアモルファスシリコンをその構成要素と
するものが好適に用いられ、光反射膜としてはＣｒ。
ＡＱやＣｒ／Ａ Ｑ蒸着膜等が好ましく用いられる。
以上のような構成により図示したようにＩＣ駆動による
場合もＩＣチップ、ボンディングワイヤ等による装置の
小型化に対する支障がないため、静電的な悪影響がなく
、光路内に傷がつかず、半永久的に高Ｓ／Ｎ比及び高解
像力を維持できる完全密着型等倍光センサーが提供でき
た。
場合もＩＣチップ、ボンディングワイヤ等による装置の
小型化に対する支障がないため、静電的な悪影響がなく
、光路内に傷がつかず、半永久的に高Ｓ／Ｎ比及び高解
像力を維持できる完全密着型等倍光センサーが提供でき
た。
第３図及び第４図にそれぞれ本発明の第２及び第３の実
施例を示す。
施例を示す。
第２の実施例においては、第１の実施例における光反射
膜を有する薄板ガラスの代わりに５ｉｎ２．５ｉ−Ｎ、
５ｉ−ＯＮ等の透明材料１４を光電変換素子１上にＣ
ＶＤ法等によって１０〜５０μｍ積層し、通常のフォト
リソグラフィー法により所望の形状にパターン化した後
、光反射膜１２を形成したものである。
膜を有する薄板ガラスの代わりに５ｉｎ２．５ｉ−Ｎ、
５ｉ−ＯＮ等の透明材料１４を光電変換素子１上にＣ
ＶＤ法等によって１０〜５０μｍ積層し、通常のフォト
リソグラフィー法により所望の形状にパターン化した後
、光反射膜１２を形成したものである。
第３の実施例においては、第１の実施例における光反射
膜を有する薄板ガラスの代わりに光反射膜１２を光電変
換素子に近い側に形成した光反射部材１５を所望の場所
に接着することにより実施例１におけると同様の効果を
得た。光反射部材１５は薄板ガラスをフォトリソグラフ
ィー法または研磨等の機械的方法により所望の形状に加
工した後に第１の実施例に示した光反射膜を蒸着、スパ
ッタ等により形成して得られる。
膜を有する薄板ガラスの代わりに光反射膜１２を光電変
換素子に近い側に形成した光反射部材１５を所望の場所
に接着することにより実施例１におけると同様の効果を
得た。光反射部材１５は薄板ガラスをフォトリソグラフ
ィー法または研磨等の機械的方法により所望の形状に加
工した後に第１の実施例に示した光反射膜を蒸着、スパ
ッタ等により形成して得られる。
第２及び第３の実施例の第１の実施例に対する利点は原
稿からの反射光のうち直接光電変換素子に入らなかった
ものを再反射によって素子に入る確立を高めることにあ
り、これにより更にＳ／Ｎ比は向上する。
稿からの反射光のうち直接光電変換素子に入らなかった
ものを再反射によって素子に入る確立を高めることにあ
り、これにより更にＳ／Ｎ比は向上する。
第５図（ａ）は本発明の第４の実施例を示す。
本実施例では、第１の実施例における光反射膜１２を表
面に形成した薄板ガラス１１の代わりに、第５図（ｂ）
に示したように、板厚１〜３１ａｌ１１の厚板ガラス１
６上に実施例１の場合と同様な光反射膜１２を所望の形
状に形成し、さらにその上にＳｉｎ、、 ５Ｌ−Ｎ、
５Ｌ−ＯＮ等の透明材料１４をＣＶＤ法等によって積層
し、第５図（ｃ）に示したような光電変換素子１を不透
光性基板９上に形成したものを透明接着剤１３によって
接着することからなる。
面に形成した薄板ガラス１１の代わりに、第５図（ｂ）
に示したように、板厚１〜３１ａｌ１１の厚板ガラス１
６上に実施例１の場合と同様な光反射膜１２を所望の形
状に形成し、さらにその上にＳｉｎ、、 ５Ｌ−Ｎ、
５Ｌ−ＯＮ等の透明材料１４をＣＶＤ法等によって積層
し、第５図（ｃ）に示したような光電変換素子１を不透
光性基板９上に形成したものを透明接着剤１３によって
接着することからなる。
この第４の実施例の第１〜第３の実施例に対する利点は
、光源と原稿と光電変換素子との相対関係を容易に一定
に保つことができることと、光電変換部を２枚の剛性の
ある材料の間にはさむことによって信頼性の向上を図る
ことができることである。
、光源と原稿と光電変換素子との相対関係を容易に一定
に保つことができることと、光電変換部を２枚の剛性の
ある材料の間にはさむことによって信頼性の向上を図る
ことができることである。
以上述べたように１本発明のように光変換素子を原稿面
に対して垂直方向に配置することによって素子のための
耐摩耗層が必要でなくなり、基板幅を充分に縮小でき、
センサーの小型化が可能となり、コストダウンにつなが
り、静電気による悪影響を簡便に防止することができる
。
に対して垂直方向に配置することによって素子のための
耐摩耗層が必要でなくなり、基板幅を充分に縮小でき、
センサーの小型化が可能となり、コストダウンにつなが
り、静電気による悪影響を簡便に防止することができる
。
第１図は従来の完全密着型等倍光センサーの説明図であ
る。 第２図、第３図、第４図及び第５図（ａ）〜（ｃ）は本
発明の等倍光センサーのそれぞれの実施態様の説明図で
ある。 ３・・・透明保護層 ５・・・原稿 ７・・・外付けＩＣ ９・・・基板 １１・・・薄板ガラス １４・・・透明材料 １６・・・厚板ガラス ４・・・プラテンローラ ６・・・ボンディングワイヤ ８・・・透光性基板 １０・・・光源 １３・・・光学接着剤 １５・・・光反射部材 Ａ、Ｗ・・・採光窓
る。 第２図、第３図、第４図及び第５図（ａ）〜（ｃ）は本
発明の等倍光センサーのそれぞれの実施態様の説明図で
ある。 ３・・・透明保護層 ５・・・原稿 ７・・・外付けＩＣ ９・・・基板 １１・・・薄板ガラス １４・・・透明材料 １６・・・厚板ガラス ４・・・プラテンローラ ６・・・ボンディングワイヤ ８・・・透光性基板 １０・・・光源 １３・・・光学接着剤 １５・・・光反射部材 Ａ、Ｗ・・・採光窓
Claims (1)
- １、絶縁性基板上に、光電変換素子列を原稿面に対して
垂直方向に設けたことを特徴とする等倍光センサーにお
いて、前記光電変換素子列の上端部は前記原稿面と接す
る前記基板の端部から所定の距離に位置し、前記光電変
換素子列の上端部のさらに上方に採光窓を有する遮光性
部材を配し、原稿照明用光源を前記遮光性部材の外側に
設け、前記光電変換素子列と直角方向に基板端面に接触
しながら移動する原稿面に前記光源光が前記採光窓を通
じて入射し、前記原稿面上の画像情報に応じて反射して
それぞれの光電変換素子にそのまま入るか、前記遮光性
部材により再反射された後に光電変換素子に入ることに
より画像情報を読取る完全密着型等倍光センサー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201419A JPH0250566A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 等倍光センサー |
| US07/389,812 US4970607A (en) | 1988-08-11 | 1989-08-04 | Full-size image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201419A JPH0250566A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 等倍光センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250566A true JPH0250566A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16440768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201419A Pending JPH0250566A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 等倍光センサー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4970607A (ja) |
| JP (1) | JPH0250566A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990004263A1 (en) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor and method of producing the same |
| US5196691A (en) * | 1989-11-21 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device having original conveyance guide and an image processing apparatus incorporating the device |
| KR920008899B1 (ko) * | 1989-11-24 | 1992-10-10 | 삼성전자 주식회사 | 밀착형 이미지 센서 |
| US5191406A (en) * | 1990-04-20 | 1993-03-02 | Nikon Corporation | Method and apparatus for rapid scanning of color images |
| JPH04233863A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ |
| US5912746A (en) * | 1996-03-14 | 1999-06-15 | Intergraph Corporation | Contact image sensor for large format scanner |
| US7378146B1 (en) * | 1998-08-05 | 2008-05-27 | International Business Machines Corporation | Transparent hard coats for optical elements |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003296023A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-17 | Olympus Optical Co Ltd | 情報入力表示装置 |
| JP2008183050A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 洗濯機用表示部および洗濯機 |
| JP2013085730A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Hitachi Appliances Inc | 洗濯機 |
| JP2014054491A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Panasonic Corp | 洗濯機 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3544713A (en) * | 1968-09-03 | 1970-12-01 | Marquardt Corp | Solid state electro-optical contact scanner |
| JPS56136076A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-23 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| US4805032A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Total contact type photoelectric conversion device and optical reader using the same |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63201419A patent/JPH0250566A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-04 US US07/389,812 patent/US4970607A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003296023A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-17 | Olympus Optical Co Ltd | 情報入力表示装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4970607A (en) | 1990-11-13 |
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