JPH0251220B2 - - Google Patents
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- JPH0251220B2 JPH0251220B2 JP58103667A JP10366783A JPH0251220B2 JP H0251220 B2 JPH0251220 B2 JP H0251220B2 JP 58103667 A JP58103667 A JP 58103667A JP 10366783 A JP10366783 A JP 10366783A JP H0251220 B2 JPH0251220 B2 JP H0251220B2
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- Japan
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- graphite
- reaction
- fluorine
- weight
- active material
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はある特定のフツ化黒鉛よりなる放電特
性の改良れた電池活物質に関する。
性の改良れた電池活物質に関する。
黒鉛をフツ素化してえられるフツ化黒鉛とし
て、今まで式（CF）ｎで表わされるものおよび
式（C2F）ｎで表わされるものが確認されてお
り、またそれらは両者を含む組成物の形態で存在
することも知られている。しかし、その実体は未
だ不明な点が多い。このフツ化黒鉛が電池活物質
としてすぐれた特性を有することはつぎに述べる
ようによく知られている。
て、今まで式（CF）ｎで表わされるものおよび
式（C2F）ｎで表わされるものが確認されてお
り、またそれらは両者を含む組成物の形態で存在
することも知られている。しかし、その実体は未
だ不明な点が多い。このフツ化黒鉛が電池活物質
としてすぐれた特性を有することはつぎに述べる
ようによく知られている。
たとえば特公昭48−25565号公報には、電池の
正極活写質として固体状のフツ化黒鉛（CFx）ｎ
（ただし0.5≦ｘ≦１）、とくにｘが１または１に
近いフツ化黒鉛を用いることにより、活物質とし
ての利用率が高く、電圧の平坦性にすぐれ、かつ
保存寿命の良好な高エネルギー密度の一次電池を
与えることが記載されている。
正極活写質として固体状のフツ化黒鉛（CFx）ｎ
（ただし0.5≦ｘ≦１）、とくにｘが１または１に
近いフツ化黒鉛を用いることにより、活物質とし
ての利用率が高く、電圧の平坦性にすぐれ、かつ
保存寿命の良好な高エネルギー密度の一次電池を
与えることが記載されている。
また特開昭53−102893号公報には、前記式
（C2F）ｎで表わされる新規フツ化黒鉛（以下、
単に（C2F）ｎという）およびその製法が記載さ
れており、この（C2F）ｎは600℃のフツ素雰囲
気下加熱処理を行なつてもフツ素分の増加が認め
られないものであつて、この新規（C2F）ｎが電
池活物質として用いられることも示唆されてい
る。また特開昭55−28246号公報において、該
（C2F）ｎが前記式（CF）ｎで表わされるフツ化
黒鉛（以下、単に（CF）ｎという）よりも高い
放電電位を示すことが記載されている。
（C2F）ｎで表わされる新規フツ化黒鉛（以下、
単に（C2F）ｎという）およびその製法が記載さ
れており、この（C2F）ｎは600℃のフツ素雰囲
気下加熱処理を行なつてもフツ素分の増加が認め
られないものであつて、この新規（C2F）ｎが電
池活物質として用いられることも示唆されてい
る。また特開昭55−28246号公報において、該
（C2F）ｎが前記式（CF）ｎで表わされるフツ化
黒鉛（以下、単に（CF）ｎという）よりも高い
放電電位を示すことが記載されている。
さらに特開昭57−84570号公報には（CF）ｎと
（C2F）ｎを混合して電池の正極活物質として用
いることにより、（CF）ｎの問題点である放電初
期における電圧の一時的な低下が改善されること
が提案されており、また特開昭58−16468号公報
は人造黒鉛をフツ素と反応させてえられる
（C2F）ｎを主成分とする電池活動質に関するも
ので、そこには好ましい態様として原料として人
造黒鉛を生成物の重量増加がなくなるまでフツ素
と反応させてえられる。
（C2F）ｎを混合して電池の正極活物質として用
いることにより、（CF）ｎの問題点である放電初
期における電圧の一時的な低下が改善されること
が提案されており、また特開昭58−16468号公報
は人造黒鉛をフツ素と反応させてえられる
（C2F）ｎを主成分とする電池活動質に関するも
ので、そこには好ましい態様として原料として人
造黒鉛を生成物の重量増加がなくなるまでフツ素
と反応させてえられる。
（C2F）ｎを主成分とする電池活物質が記載さ
れており、それが高い放電電位を示すことが明ら
かにされている。
れており、それが高い放電電位を示すことが明ら
かにされている。
本発明者らはフツ化黒鉛の生成過程について各
種の研究を行なつたところ、黒鉛のフツ素による
フツ素化反応において、反応生成物に未反応黒鉛
が残存している第１反応段階、反応生成物に未反
応黒鉛が存在しないにもかかわらずフツ素化反応
が進行してその結果反応生成物の重量増加または
フツ素含有量の増加が認められる第２反応段階、
およびフツ素化反応を進めても反応生成物に重量
増加またはフツ素含有量の増加が認められず主と
して結晶性が高められると考えられる第３反応段
階の３つの反応段階が存在し、前記各方向記載の
フツ化黒鉛はいずれもほぼ第３反応段階のもので
あることが判明した。本発明者らはさらに各反応
段階でえられたフツ化黒鉛の電池活物質としての
特性についても研究を重ねた結果、前記第２反応
段階でえられるフツ化黒鉛が第３反応段階でえら
れるフツ化黒鉛より100〜200ｍＶも放電電位が高
いという事実、とくに前記特開昭58−16468号公
報において好ましい態様からはずれた範囲におい
てより高い放電電位を示す領域があるという意外
な事実を見出し、本発明を完成するに至つた。
種の研究を行なつたところ、黒鉛のフツ素による
フツ素化反応において、反応生成物に未反応黒鉛
が残存している第１反応段階、反応生成物に未反
応黒鉛が存在しないにもかかわらずフツ素化反応
が進行してその結果反応生成物の重量増加または
フツ素含有量の増加が認められる第２反応段階、
およびフツ素化反応を進めても反応生成物に重量
増加またはフツ素含有量の増加が認められず主と
して結晶性が高められると考えられる第３反応段
階の３つの反応段階が存在し、前記各方向記載の
フツ化黒鉛はいずれもほぼ第３反応段階のもので
あることが判明した。本発明者らはさらに各反応
段階でえられたフツ化黒鉛の電池活物質としての
特性についても研究を重ねた結果、前記第２反応
段階でえられるフツ化黒鉛が第３反応段階でえら
れるフツ化黒鉛より100〜200ｍＶも放電電位が高
いという事実、とくに前記特開昭58−16468号公
報において好ましい態様からはずれた範囲におい
てより高い放電電位を示す領域があるという意外
な事実を見出し、本発明を完成するに至つた。
すなわち本発明は、黒鉛をフツ素化してえられ
るフツ化黒鉛であつて、 (1) それが実質的に未反応黒鉛を含まず、 (2) それをフツ素で再度フツ素化すると生成物に
重量増加またはフツ素含有量の増加が認められ
るという条件を満足することを特徴とする電池
活物質に関する。
るフツ化黒鉛であつて、 (1) それが実質的に未反応黒鉛を含まず、 (2) それをフツ素で再度フツ素化すると生成物に
重量増加またはフツ素含有量の増加が認められ
るという条件を満足することを特徴とする電池
活物質に関する。
黒鉛のフツ素化反応生成物に、かかる条件を満
足する前記第２反応段階のような独特のフツ化黒
鉛の領域が存在するということは、本発明者らに
よつて初めて見出されたものであり、従来の第１
反応段階および第３段階でえられるフツ化黒鉛と
前記(1)および(2)の点において異なる。
足する前記第２反応段階のような独特のフツ化黒
鉛の領域が存在するということは、本発明者らに
よつて初めて見出されたものであり、従来の第１
反応段階および第３段階でえられるフツ化黒鉛と
前記(1)および(2)の点において異なる。
すなわち本発明の電池活物質は、粉末Ｘ線回折
法により分析するとき未反応黒鉛のピーク
（（002）面の回折角2θが26.5度付近）が認められ
ないものである。未反応黒鉛が残存している前記
第１反応段階のフツ化黒鉛には遊離のフツ素が吸
蔵されており、放電電位は高いがその遊離のフツ
素が電池の性能を損なう原因となるため、電池活
物質としては実用上問題が残るばあいがある。
法により分析するとき未反応黒鉛のピーク
（（002）面の回折角2θが26.5度付近）が認められ
ないものである。未反応黒鉛が残存している前記
第１反応段階のフツ化黒鉛には遊離のフツ素が吸
蔵されており、放電電位は高いがその遊離のフツ
素が電池の性能を損なう原因となるため、電池活
物質としては実用上問題が残るばあいがある。
さらに本発明の電池活物質は、フツ素でフツ素
化反応を行なうとその生成物に重量増加またはフ
ツ素含有量の増加が認められるものである。
化反応を行なうとその生成物に重量増加またはフ
ツ素含有量の増加が認められるものである。
なお本明細書において、重量増加とは約１％
（重量％、以下同様）以上、好ましくは３％以上
重量増加することであり、またフツ素含有量の増
加はフツ素含有量が約0.5％以上、好ましくは1.5
％以上増加することである。
（重量％、以下同様）以上、好ましくは３％以上
重量増加することであり、またフツ素含有量の増
加はフツ素含有量が約0.5％以上、好ましくは1.5
％以上増加することである。
前記重量増加またはフツ素含有量の増加をみる
ためのフツ素によるフツ素化反応の条件は、本発
明におけるフツ化黒鉛の製造時に採用したのと同
一の反応温度、圧力およびフツ素濃度が採用され
る。
ためのフツ素によるフツ素化反応の条件は、本発
明におけるフツ化黒鉛の製造時に採用したのと同
一の反応温度、圧力およびフツ素濃度が採用され
る。
本発明の電池活物質を再度フツ素化すると重量
増加またはフツ素含有量の増加が認められるとい
うことの考えられる１つの理由は、従来知られて
いるいわゆる安定化状態にある（C2F）ｎとは異
なり、（C2F）ｎから（CF）ｎに変化しうるいわ
ゆる遷移状態の新規な（C2F）ｎが混在している
ためであると推定される。また本発明における前
記放電電位の向上は、かかる遷移状態の（C2F）
ｎの存在によるものと考えられ、従来のフツ化黒
鉛を放電電位が本発明のものに比べて低い理由は
そこに含まれている（C2F）ｎが安定化状態にあ
るためと考えられる。
増加またはフツ素含有量の増加が認められるとい
うことの考えられる１つの理由は、従来知られて
いるいわゆる安定化状態にある（C2F）ｎとは異
なり、（C2F）ｎから（CF）ｎに変化しうるいわ
ゆる遷移状態の新規な（C2F）ｎが混在している
ためであると推定される。また本発明における前
記放電電位の向上は、かかる遷移状態の（C2F）
ｎの存在によるものと考えられ、従来のフツ化黒
鉛を放電電位が本発明のものに比べて低い理由は
そこに含まれている（C2F）ｎが安定化状態にあ
るためと考えられる。
本発明の電池活物質はフツ素含有量48〜58％、
なかんづく50〜56％の前記フツ化黒鉛であるのが
好ましい。フツ素含有量の下限の48％という値は
放電電圧との関連では重要な限界ではないが、48
％未満のときは一般に反応生成物に吸蔵された遊
離のフツ素が存在するため望ましくない。58％を
超えるときは目的とする放電電圧の向上効果がえ
られない。
なかんづく50〜56％の前記フツ化黒鉛であるのが
好ましい。フツ素含有量の下限の48％という値は
放電電圧との関連では重要な限界ではないが、48
％未満のときは一般に反応生成物に吸蔵された遊
離のフツ素が存在するため望ましくない。58％を
超えるときは目的とする放電電圧の向上効果がえ
られない。
本発明の電池活物質は、フツ化黒鉛部分に基づ
く粉末Ｘ線回折における（001）面の回折角（2θ）
が9.9〜14.5度にピークが現われ、ばあいによつ
ては10度付近に（C2F）ｎを示すピークまたはシ
ヨルダーが現われることがある。
く粉末Ｘ線回折における（001）面の回折角（2θ）
が9.9〜14.5度にピークが現われ、ばあいによつ
ては10度付近に（C2F）ｎを示すピークまたはシ
ヨルダーが現われることがある。
本発明に用いる原料黒鉛としては、たとえば天
然黒鉛、人造黒鉛、人造鱗状黒鉛（たとえばロザ
ン社製XSシリーズ、Ｔシリーズなど）などがあ
げられる。
然黒鉛、人造黒鉛、人造鱗状黒鉛（たとえばロザ
ン社製XSシリーズ、Ｔシリーズなど）などがあ
げられる。
本発明の電池活物質は、通常、原料黒鉛をフツ
素ガス（必要に応じフツ素ガスは希釈ガスと混合
して用いられる）によりフツ素化して製造される
が、とくにこれに制限されない。
素ガス（必要に応じフツ素ガスは希釈ガスと混合
して用いられる）によりフツ素化して製造される
が、とくにこれに制限されない。
フツ素ガスまたはフツ素ガスと希釈ガスとの混
合ガスは、フツ素ガスの分圧が0.1〜1atmとなる
ように反応器に室温で導入される。温度は室温か
ら徐々に昇温し、目的とする反応温度すなわち
300〜500℃、好ましくは300〜450℃に保存する。
合ガスは、フツ素ガスの分圧が0.1〜1atmとなる
ように反応器に室温で導入される。温度は室温か
ら徐々に昇温し、目的とする反応温度すなわち
300〜500℃、好ましくは300〜450℃に保存する。
本発明の電池活物質を製造するためのフツ素化
反応は、たとえばあらかじめ同一条件でフツ素化
反応を行なつて反応開始時から未反応黒鉛が存在
しなくなつたときまでの反応時間および生成物の
フツ素含有量増加または重量増加が生じなくなつ
たときまでの反応時間を確認しておき、それら再
反応時間の間で反応を停止するか、または生成物
のサンプリングを一定時間毎に行ない、そのサン
プルについて別途粉末Ｘ線回折法による未反応黒
鉛の有無を調べかつ同条件でフツ素化反応を行な
つて重量増加およびフツ素含有量の増加の有無を
調べて反応を停止すればよい。
反応は、たとえばあらかじめ同一条件でフツ素化
反応を行なつて反応開始時から未反応黒鉛が存在
しなくなつたときまでの反応時間および生成物の
フツ素含有量増加または重量増加が生じなくなつ
たときまでの反応時間を確認しておき、それら再
反応時間の間で反応を停止するか、または生成物
のサンプリングを一定時間毎に行ない、そのサン
プルについて別途粉末Ｘ線回折法による未反応黒
鉛の有無を調べかつ同条件でフツ素化反応を行な
つて重量増加およびフツ素含有量の増加の有無を
調べて反応を停止すればよい。
反応時間は原料黒鉛の結晶化度、粒子径、フツ
素ガスの圧力、反応温度などにより変わるが、通
常反応温度380℃では15〜100時間である。この反
応時間は従来のフツ化黒鉛を製造するばあいの同
温度での反応時間100〜200時間の1/2〜1/10であ
り、生産効率を大幅に向上せしめることができ
る。
素ガスの圧力、反応温度などにより変わるが、通
常反応温度380℃では15〜100時間である。この反
応時間は従来のフツ化黒鉛を製造するばあいの同
温度での反応時間100〜200時間の1/2〜1/10であ
り、生産効率を大幅に向上せしめることができ
る。
原料黒鉛は通常反応温度で脱気し、水分を除去
しておくことが好ましい。
しておくことが好ましい。
フツ素ガスと混合する希釈ガスとしてはフツ素
および黒鉛と反応しないガスを用いる。具体例と
しては、たとえばチツ素ガス、パーフルオロカー
ボン、希ガスなどがあげられる。
および黒鉛と反応しないガスを用いる。具体例と
しては、たとえばチツ素ガス、パーフルオロカー
ボン、希ガスなどがあげられる。
本発明の電池活物質にバインダ、導電材を配合
して電極材がえられる。それらの配合割合は、フ
ツ化黒鉛10部（重量部、以下同様）、バインダ１
〜４部、導電材0.5〜２部であるのが好ましい。
して電極材がえられる。それらの配合割合は、フ
ツ化黒鉛10部（重量部、以下同様）、バインダ１
〜４部、導電材0.5〜２部であるのが好ましい。
バインダとしては、たとえばポリテトラフルオ
ロエチレン（PTFE）などがあげられ、導電材と
してはたとえばアセチレンブラツク、ケツチエン
ブラツクなどの高電気導電性のカーボンブラツク
あるいは天然黒鉛などがあげられる。
ロエチレン（PTFE）などがあげられ、導電材と
してはたとえばアセチレンブラツク、ケツチエン
ブラツクなどの高電気導電性のカーボンブラツク
あるいは天然黒鉛などがあげられる。
本発明の電池活物質を電池に用いるばあい、本
発明の電池活物質を正極とし、負極にたとえばリ
チウム、マグネシウム、カルシウム、アルミニウ
ムを単独またはこれらを主成分とする合金を用い
ることが好ましい。電解質としては用いる負極の
種類にもよるが、通常非水系を用いる。
発明の電池活物質を正極とし、負極にたとえばリ
チウム、マグネシウム、カルシウム、アルミニウ
ムを単独またはこれらを主成分とする合金を用い
ることが好ましい。電解質としては用いる負極の
種類にもよるが、通常非水系を用いる。
つぎに実施例をあげて本発明の電池活物質を説
明するが、本発明はかかる実施例のみに限定され
るものではない。
明するが、本発明はかかる実施例のみに限定され
るものではない。
実施例１および比較例１
人造黒鉛（平均粒子径15μ）10.0ｇを反応器に
入れ380℃で30分間脱気して水分を除去したのち、
室温に冷却した。
入れ380℃で30分間脱気して水分を除去したのち、
室温に冷却した。
ついでフツ素ガス（90％）を1atmで反応器に
導入し、380℃にまで昇温して16時間反応せしめ
た。生成物は黒褐色の粉末状であり、そのフツ素
含有量は52.8％、重量は21.1ｇであつた。このも
のを粉末Ｘ線回折法によつて分析したところ黒鉛
に基づく回折線は認められず、（001）面の回折角
2θ（以下、単にθという）において10.54度にピー
クが現われた。
導入し、380℃にまで昇温して16時間反応せしめ
た。生成物は黒褐色の粉末状であり、そのフツ素
含有量は52.8％、重量は21.1ｇであつた。このも
のを粉末Ｘ線回折法によつて分析したところ黒鉛
に基づく回折線は認められず、（001）面の回折角
2θ（以下、単にθという）において10.54度にピー
クが現われた。
さらにこの生成物を10.00ｇとり、これを同一
条件で再度フツ素変反応を進めたところ、再フツ
素変の反応開始から114時間後に重量が10.33ｇ
（重量増加3.3％）でフツ素含有量が54.5％（フツ
素含有量増加1.7％）であつて、2θの10.90度にピ
ークを有する生成物がえられた。それ以後フツ素
化反応を行なつても重量増加もフツ素含有量の増
加も認められなかつた。なお、前記114時間後に
えられた生成物を比較例１のフツ化黒鉛とする。
条件で再度フツ素変反応を進めたところ、再フツ
素変の反応開始から114時間後に重量が10.33ｇ
（重量増加3.3％）でフツ素含有量が54.5％（フツ
素含有量増加1.7％）であつて、2θの10.90度にピ
ークを有する生成物がえられた。それ以後フツ素
化反応を行なつても重量増加もフツ素含有量の増
加も認められなかつた。なお、前記114時間後に
えられた生成物を比較例１のフツ化黒鉛とする。
ついでこれらの生成物10部、PTFE3部および
アセチレンブラツク１部を充分混練してニツケル
網上にプレスし、表面積1.57cm2の正極を作製し
た。負極としてはリチウムのブロツクから表面積
１cm2、厚さ１mmに切り出し、それをニツケル網で
保持したものを用い、電解質には１モル／のホ
ウフツ化リチウムのγ−ブチロラクトン溶液を用
いた。放電電圧の測定は25℃にて10KΩの定抵抗
放電で行なつた。えられた端子電圧の経時変化を
第１図に示す。
アセチレンブラツク１部を充分混練してニツケル
網上にプレスし、表面積1.57cm2の正極を作製し
た。負極としてはリチウムのブロツクから表面積
１cm2、厚さ１mmに切り出し、それをニツケル網で
保持したものを用い、電解質には１モル／のホ
ウフツ化リチウムのγ−ブチロラクトン溶液を用
いた。放電電圧の測定は25℃にて10KΩの定抵抗
放電で行なつた。えられた端子電圧の経時変化を
第１図に示す。
実施例２および比較例２
原料黒鉛として人造黒鉛（平均粒径20μ）10.0
ｇを用いたほかは実施例１と同じ条件でフツ素化
反応を行ない、16時間後反応を停止して本発明の
電池活物質をえた。このものは黒褐色の粉末であ
り、未反応黒鉛の存在は認められず、そのフツ素
含有量は51.8％、重量は20.7ｇであつた。このも
のを粉末Ｘ線回折法によつて分析したところ黒鉛
に基づく回折線は認められず、2θにおいて11.41
度にピークが現われた。
ｇを用いたほかは実施例１と同じ条件でフツ素化
反応を行ない、16時間後反応を停止して本発明の
電池活物質をえた。このものは黒褐色の粉末であ
り、未反応黒鉛の存在は認められず、そのフツ素
含有量は51.8％、重量は20.7ｇであつた。このも
のを粉末Ｘ線回折法によつて分析したところ黒鉛
に基づく回折線は認められず、2θにおいて11.41
度にピークが現われた。
さらにこれを10.00ｇとり、同一条件で再度フ
ツ素化反応を進めたところ、再フツ素化の反応開
始から113時間に重量が10.30ｇ（重量増加3.0％）
でフツ素含有量が54.0％（フツ素含有量増加2.2
％）であつて2θの11.59度にピークを有する生成
物がえられた。それ以後フツ素化反応を行なつて
も重量増加もフツ素含有量の増加も認められなか
つた。前記113時間後にえられた生成物を比較例
２のフツ化黒鉛とする。
ツ素化反応を進めたところ、再フツ素化の反応開
始から113時間に重量が10.30ｇ（重量増加3.0％）
でフツ素含有量が54.0％（フツ素含有量増加2.2
％）であつて2θの11.59度にピークを有する生成
物がえられた。それ以後フツ素化反応を行なつて
も重量増加もフツ素含有量の増加も認められなか
つた。前記113時間後にえられた生成物を比較例
２のフツ化黒鉛とする。
実施例２および比較例２でそれぞれえられた生
成物を用いて実施例１と同様にして電池を作製
し、それらの端子電圧の経時変化を測定した。結
果を第２図に示す。
成物を用いて実施例１と同様にして電池を作製
し、それらの端子電圧の経時変化を測定した。結
果を第２図に示す。
実施例３および比較例３
原料黒鉛として天然黒鉛（平均粒径10μ）10.0
ｇを用いたほかは実施例１と同じ条件でフツ素化
反応を行ない17時間後に反応を停止して本発明の
電池活物質をえた。このものは黒褐色粉末状であ
り、未反応黒鉛の存在は認められず、そのフツ素
含有量は49.5％、重量は19.8ｇであつた。このも
のを粉末Ｘ線回折法によつて分析したところ黒鉛
に基づく回折線は認められず、2θにおいて10.41
度にピークが現われた。
ｇを用いたほかは実施例１と同じ条件でフツ素化
反応を行ない17時間後に反応を停止して本発明の
電池活物質をえた。このものは黒褐色粉末状であ
り、未反応黒鉛の存在は認められず、そのフツ素
含有量は49.5％、重量は19.8ｇであつた。このも
のを粉末Ｘ線回折法によつて分析したところ黒鉛
に基づく回折線は認められず、2θにおいて10.41
度にピークが現われた。
さらにこれを10.00ｇとり、同一条件で再度フ
ツ素化反応を進めたところ、反応開始から110時
間後に重量が10.36ｇ（重量増加3.6％）でフツ素
含有量が51.5％（フツ素含有量増加2.0％）であ
つて2θの10.10度にピークを有する生成物がえら
れた。それ以後フツ素化反応を行なつても重量増
加もフツ素含有量の増加も認められなかつた。前
記110時間後にえられた生成物を比較例３のフツ
化黒鉛とする。
ツ素化反応を進めたところ、反応開始から110時
間後に重量が10.36ｇ（重量増加3.6％）でフツ素
含有量が51.5％（フツ素含有量増加2.0％）であ
つて2θの10.10度にピークを有する生成物がえら
れた。それ以後フツ素化反応を行なつても重量増
加もフツ素含有量の増加も認められなかつた。前
記110時間後にえられた生成物を比較例３のフツ
化黒鉛とする。
実施例３および比較例３でそれぞれえられた生
成物を用いて実施例１と同様にして電池を作製
し、それらの端子電圧の経時変化を測定した。結
果を第３図に示す。
成物を用いて実施例１と同様にして電池を作製
し、それらの端子電圧の経時変化を測定した。結
果を第３図に示す。
第１〜３図から明らかなように本発明の電池活
物質は前記第３反応段階でえられるものよりも高
い放電電位を示す。
物質は前記第３反応段階でえられるものよりも高
い放電電位を示す。
第１〜３図はそれぞれ実施例１と比較例１、実
施例２と比較例２および実施例３と比較例３でそ
れぞれえられた電池活物質を用いた電池の端子電
圧の経時変化を示すグラフである。
施例２と比較例２および実施例３と比較例３でそ
れぞれえられた電池活物質を用いた電池の端子電
圧の経時変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 黒鉛をフツ素でフツ素化してえられるフツ素
含有量が48〜58重量％のフツ化黒鉛であつて、 (1) それが実質的に未反応黒鉛を含まず、 (2) それを前記フツ素化と同一の反応温度、圧力
およびフツ素濃度条件で再度フツ素化すると生
成物に重量増加またはフツ素含有量の増加が認
められる という条件を満足することを特徴とする電池活物
質。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103667A JPS59228362A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 電池活物質 |
| EP84106587A EP0128560B1 (en) | 1983-06-09 | 1984-06-08 | Active materials for batteries |
| DE8484106587T DE3479696D1 (en) | 1983-06-09 | 1984-06-08 | Active materials for batteries |
| US06/793,465 US4684591A (en) | 1983-06-09 | 1985-10-29 | Active materials for batteries |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103667A JPS59228362A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 電池活物質 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228362A JPS59228362A (ja) | 1984-12-21 |
| JPH0251220B2 true JPH0251220B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14360134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58103667A Granted JPS59228362A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 電池活物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228362A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US7005717B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US7020374B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US7067856B2 (en) | 2000-02-10 | 2006-06-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| US7105866B2 (en) | 2000-07-24 | 2006-09-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
| US7161227B2 (en) | 2001-08-14 | 2007-01-09 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object |
| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US7211852B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028169A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-13 | Daikin Ind Ltd | 電池活物質 |
| KR101222246B1 (ko) | 2011-01-10 | 2013-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전지용 케이스 및 이를 포함하는 이차 전지 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4175436A (en) * | 1978-08-28 | 1979-11-27 | Burlington Industries, Inc. | Wet/dry bulb hygrometer with automatic wick feed |
| JPS5816468A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Central Glass Co Ltd | 電池活物質 |
-
1983
- 1983-06-09 JP JP58103667A patent/JPS59228362A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7005717B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method |
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| US7211852B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
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| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
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| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
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| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59228362A (ja) | 1984-12-21 |
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