JPH025237A - 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法Info
- Publication number
- JPH025237A JPH025237A JP63153928A JP15392888A JPH025237A JP H025237 A JPH025237 A JP H025237A JP 63153928 A JP63153928 A JP 63153928A JP 15392888 A JP15392888 A JP 15392888A JP H025237 A JPH025237 A JP H025237A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大容
量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部
材と光ディスクに関するものである。
量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部
材と光ディスクに関するものである。
従来の技術
光デイスクメモリに関しては、ＴｅとＴｅａ。
を主成分とするＴｅＯｘ （０＜ｘ＜２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがある。さらに、レーザ光により
薄膜を加熱し、溶融し、急冷することにより、非晶質化
し情報を記録しまたこれを加熱し、徐冷することにより
結晶化し、消去することができる材料としては、ニス・
アール・オプシンスキ（Ｓ 、Ｒ、Ｏｖｓｈｉｎｓｋｙ
）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ１５Ｔｅ８１ｓｂｚ Ｓｔ
等が知られている。また、Ａｓ！ Ｓ３やＡ３＝ Ｓｅ
３あるいはＳｂ、３ｅ。
いた追記型のディスクがある。さらに、レーザ光により
薄膜を加熱し、溶融し、急冷することにより、非晶質化
し情報を記録しまたこれを加熱し、徐冷することにより
結晶化し、消去することができる材料としては、ニス・
アール・オプシンスキ（Ｓ 、Ｒ、Ｏｖｓｈｉｎｓｋｙ
）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ１５Ｔｅ８１ｓｂｚ Ｓｔ
等が知られている。また、Ａｓ！ Ｓ３やＡ３＝ Ｓｅ
３あるいはＳｂ、３ｅ。
等カルコゲン元素と周期律表第■族あるいはＧｅ等の第
■族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られてい
る。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報
を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化させ
ておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応
させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜
の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。この情報を消去するに
際してはディスクの回転トラック方向に長いスポット光
を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いスポ
ット光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法が
知られている。
■族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られてい
る。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報
を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化させ
ておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応
させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜
の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。この情報を消去するに
際してはディスクの回転トラック方向に長いスポット光
を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いスポ
ット光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法が
知られている。
発明が解決しようとする課題
薄膜を加熱昇温し、溶融急冷非晶質化および加熱昇温結
晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体
における第一の課題は結晶化に際し、長いスポット光に
よる徐冷効果を必要とすることである。第二の課題は加
熱サイクルに対応して信号品質が変動することである。
晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体
における第一の課題は結晶化に際し、長いスポット光に
よる徐冷効果を必要とすることである。第二の課題は加
熱サイクルに対応して信号品質が変動することである。
この変動要因としては、記録スポット光および消去スポ
ット光による４００℃以上の急速な加熱、冷却の多数回
のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損傷
がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷がある
。記録薄膜については、その構成組成によっては、膜中
の組成、成分の場所的な変化いわゆる偏析が発生する場
合もある。
ット光による４００℃以上の急速な加熱、冷却の多数回
のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損傷
がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷がある
。記録薄膜については、その構成組成によっては、膜中
の組成、成分の場所的な変化いわゆる偏析が発生する場
合もある。
基板あるいは記録膜が以上のような変化を生じた場合、
記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を生
じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があった
。
記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を生
じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があった
。
本発明の目的は第一に短い、サークルスポットで結晶化
をおこなえる部材を提供することである。
をおこなえる部材を提供することである。
第二の目的はサイクル特性の安定な部材を提供すること
である。
である。
課題を解決するための手段
本発明は、レーザ光等の照射により熱的に薄膜の状態を
変化させて情報を記録および消去する部材において、薄
膜材料として、ＧｅＴｅと、Ｇｅの混合体とし、Ｇｅと
ＧｅＴｅのモル比をＸとして、Ｘ ＝ Ｇ ｅ ／ Ｇ
ｅ Ｔ ｅを０＜Ｘ＜０．３に選び、これを基板に形
成してなることを特徴とする光学情報記録再生消去部材
を提供するものである。
変化させて情報を記録および消去する部材において、薄
膜材料として、ＧｅＴｅと、Ｇｅの混合体とし、Ｇｅと
ＧｅＴｅのモル比をＸとして、Ｘ ＝ Ｇ ｅ ／ Ｇ
ｅ Ｔ ｅを０＜Ｘ＜０．３に選び、これを基板に形
成してなることを特徴とする光学情報記録再生消去部材
を提供するものである。
作用
ＧｅＴｅ合金は融点が、Ｔｍ＝７２５℃と高く、薄膜化
することにより、非晶質膜が得られ、この膜にレーザ光
を照射し、昇温溶融急冷あるいは、昇温徐冷することに
より非晶質化、結晶化の記録作用を有する。
することにより、非晶質膜が得られ、この膜にレーザ光
を照射し、昇温溶融急冷あるいは、昇温徐冷することに
より非晶質化、結晶化の記録作用を有する。
この組成体は結晶化速度が速く、短いレーザスポットや
サークルスポットで結晶化する性質を有する。しかしな
がら、逆に結晶化速度が速いために非晶質化マーク形成
に、冷却速度の制限をうける。そこで、融点の高い、Ｔ
ｍ＝９３６℃のＧｅを混合することにより、結晶化速度
を制御する。Ｇｅの混合量を多くすることにしたがって
結晶化速度が低下し、逆に非晶質化マーク形成が容易に
なる。このＧｅは結晶化、非晶質化の過程において、Ｇ
ｅＴｅの結晶化粒径の成長に対する阻止効果を有し、記
録、消去のサイクルにおいて結晶化粒径による感度変化
を押さえサイクル特性の向上をもたらす。
サークルスポットで結晶化する性質を有する。しかしな
がら、逆に結晶化速度が速いために非晶質化マーク形成
に、冷却速度の制限をうける。そこで、融点の高い、Ｔ
ｍ＝９３６℃のＧｅを混合することにより、結晶化速度
を制御する。Ｇｅの混合量を多くすることにしたがって
結晶化速度が低下し、逆に非晶質化マーク形成が容易に
なる。このＧｅは結晶化、非晶質化の過程において、Ｇ
ｅＴｅの結晶化粒径の成長に対する阻止効果を有し、記
録、消去のサイクルにおいて結晶化粒径による感度変化
を押さえサイクル特性の向上をもたらす。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。
。
記録層である薄膜を形成する基板としては、あらかじめ
、レーザ光案内用の溝あるいは、ピット列を形成したポ
リカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用い
る。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳある
いはｓｉｏ、等の第一の無機誘電体層を形成してお（。
、レーザ光案内用の溝あるいは、ピット列を形成したポ
リカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用い
る。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳある
いはｓｉｏ、等の第一の無機誘電体層を形成してお（。
この誘電体層としては５１０！を１５モル％以上含ませ
たＺｎＳ誘電体層が好ましい。
たＺｎＳ誘電体層が好ましい。
この上に、ＧｅＴｅ合金および過剰Ｇｅからなる混合薄
膜を形成する。さらにこの記録薄膜層の上に第二の無機
誘電体層を設けることにより耐熱性の向上をはかること
ができる。薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは
、スバフタ法が使用できる。第二の無機誘電体層の上に
反射層を設けることにより、感度の向上をはかることも
できる。
膜を形成する。さらにこの記録薄膜層の上に第二の無機
誘電体層を設けることにより耐熱性の向上をはかること
ができる。薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは
、スバフタ法が使用できる。第二の無機誘電体層の上に
反射層を設けることにより、感度の向上をはかることも
できる。
この薄膜の膜厚として８０ｎ＋＋＋を選ぶ。さらに保護
板としてポリカーボネイト板を接着剤で密着する。
板としてポリカーボネイト板を接着剤で密着する。
φ１３０ ｖｎａのディスクとして、１８００ｒｐｍ回
転でｆｌ＝３．４３ＭＨｚの信号と、ｆ ２ ＝１．０
ＭＨｚの信号のオーパーライト特性を測定する。オーバ
ーライドは、１ケのサークルスポットφ１μｍのレーザ
光により、高いパワーレベル１８ＩＩＷ、低いパワーレ
ベル１０１のパワーレベル間の変調で、高いパワーレベ
ルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで非晶
質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法である
。
転でｆｌ＝３．４３ＭＨｚの信号と、ｆ ２ ＝１．０
ＭＨｚの信号のオーパーライト特性を測定する。オーバ
ーライドは、１ケのサークルスポットφ１μｍのレーザ
光により、高いパワーレベル１８ＩＩＷ、低いパワーレ
ベル１０１のパワーレベル間の変調で、高いパワーレベ
ルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで非晶
質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法である
。
第１図に記録薄膜の組成と記録特性および消去特性の関
係をしめす。記録薄膜の組成はＸ−Ｇｅ／ Ｇ ｅ Ｔ
ｅであられす。記録特性はＣ／Ｎであられす。消去特
性は消去率であられす。Ｘ＝Ｏつまり、過剰Ｇｅがない
場合は記録Ｃ／Ｎは低く、これは、非晶質化マークが形
成されにくいことに対応している。Ｇｅが少し入るだけ
で記録Ｃ／Ｎは急に増大しＸ＝０．１以上で５０ｄＢ以
上になる。ただし、消去率は逆にｘ＝０つまり、過剰Ｇ
ｅがない場合の方が高く、Ｇｅ量が増加するにしたがっ
て低下する。Ｘ−０，４以上で２０ｄＢ以下になる。サ
イクル特性は、Ｇｅが少ない領域では記録振幅の低下に
より限界が生ずる。Ｇｅが多い領域ではノイズレベルの
増大により限界が生ずる。Ｘ＝０．２では、Ｃ／Ｎおよ
び消去率が高く、さらに、ＩＥ＋５サイクル以上安定で
ある。
係をしめす。記録薄膜の組成はＸ−Ｇｅ／ Ｇ ｅ Ｔ
ｅであられす。記録特性はＣ／Ｎであられす。消去特
性は消去率であられす。Ｘ＝Ｏつまり、過剰Ｇｅがない
場合は記録Ｃ／Ｎは低く、これは、非晶質化マークが形
成されにくいことに対応している。Ｇｅが少し入るだけ
で記録Ｃ／Ｎは急に増大しＸ＝０．１以上で５０ｄＢ以
上になる。ただし、消去率は逆にｘ＝０つまり、過剰Ｇ
ｅがない場合の方が高く、Ｇｅ量が増加するにしたがっ
て低下する。Ｘ−０，４以上で２０ｄＢ以下になる。サ
イクル特性は、Ｇｅが少ない領域では記録振幅の低下に
より限界が生ずる。Ｇｅが多い領域ではノイズレベルの
増大により限界が生ずる。Ｘ＝０．２では、Ｃ／Ｎおよ
び消去率が高く、さらに、ＩＥ＋５サイクル以上安定で
ある。
発明の効果
レーザ光による記録再生消去をおこなう部材において、
ＧｅＴｅ合金に過剰Ｇｅを混合した記録薄膜によりつぎ
の効果を得る。
ＧｅＴｅ合金に過剰Ｇｅを混合した記録薄膜によりつぎ
の効果を得る。
（１１非晶質化記録および、結晶化消去が容易で１スポ
ツトサークルビームオーバライトが可能。
ツトサークルビームオーバライトが可能。
（２）多サイクル記録および消去においてＣ／Ｎ。
消去率特性がすぐれる。
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の記録薄膜の組成とレーザ記録、消去特性をあら
れすグラフである。 ■・・・・・・記録特性Ｃ／Ｎ、２・・・・・・消去特
性、消去率。
去部材の記録薄膜の組成とレーザ記録、消去特性をあら
れすグラフである。 ■・・・・・・記録特性Ｃ／Ｎ、２・・・・・・消去特
性、消去率。
Claims (3)
- （１）レーザー光の照射により、そのエネルギーを吸収
して昇温し、溶融し、急冷し、アモルファス化する性質
とアモルファスの状態を昇温することにより、結晶化す
る性質を有する記録薄膜としてＧｅＴｅ合金と過剰Ｇｅ
の混合体とし、Ｇｅ／ＧｅＴｅのモル比をＸとして、０
＜Ｘ＜０．３に選び基板に形成してなる光学情報記録再
生消去部材。 - （２）基板の上にあらかじめ誘電体層を形成し、その上
にＧｅＴｅ−過剰Ｇｅからなる薄膜を形成し、さらにそ
の上に誘電体層を形成し、さらにその誘電体層の上に反
射層を形成してなる請求項（１）記載の光学情報記録再
生消去部材。 - （３）記録薄膜としてＧｅＴｅ−過剰Ｇｅからなる材料
を用いた光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153928A JPH0825338B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153928A JPH0825338B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025237A true JPH025237A (ja) | 1990-01-10 |
| JPH0825338B2 JPH0825338B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=15573142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153928A Expired - Fee Related JPH0825338B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825338B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04146188A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
| WO2000039794A1 (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Teijin Limited | Phase change-type optical recording medium and process for manufacturing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157894A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-19 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS6166696A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ−記録媒体 |
| JPS62279533A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS6339387A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-19 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63153928A patent/JPH0825338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157894A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-19 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS6166696A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ−記録媒体 |
| JPS62279533A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS6339387A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-19 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04146188A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
| WO2000039794A1 (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Teijin Limited | Phase change-type optical recording medium and process for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0825338B2 (ja) | 1996-03-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |