JPH025246A - 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材とその製造方法Info
- Publication number
- JPH025246A JPH025246A JP63153929A JP15392988A JPH025246A JP H025246 A JPH025246 A JP H025246A JP 63153929 A JP63153929 A JP 63153929A JP 15392988 A JP15392988 A JP 15392988A JP H025246 A JPH025246 A JP H025246A
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- reproducing
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大容
量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部
材とその製造方法に関するものである。
量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部
材とその製造方法に関するものである。
従来の技術
光デイスクメモリに関しては、ＴｅとＴｅａ。
を主成分とするＴｅＯｘ （０＜ｘ＜２．０）薄膜を
用いた追記型のディスクがある。さらに、レーザ光によ
り薄膜を加熱し、溶融し、急冷することにより、非晶質
化し情報を記録しまたこれを加熱し、徐冷することによ
り結晶化し、消去することができる材料としては、ニス
・アール・オプシンスキ（Ｓ 、 Ｒ、Ｏｖｓｈｉｎｓ
ｋｙ）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ１５Ｔｅ８１ｓｂｚ
Ｓｚ等が知られている。また、Ａｓｚ Ｓ、やＡｓ、Ｓ
ｅ＝あるいはＳｂ、Ｓｅ。
用いた追記型のディスクがある。さらに、レーザ光によ
り薄膜を加熱し、溶融し、急冷することにより、非晶質
化し情報を記録しまたこれを加熱し、徐冷することによ
り結晶化し、消去することができる材料としては、ニス
・アール・オプシンスキ（Ｓ 、 Ｒ、Ｏｖｓｈｉｎｓ
ｋｙ）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ１５Ｔｅ８１ｓｂｚ
Ｓｚ等が知られている。また、Ａｓｚ Ｓ、やＡｓ、Ｓ
ｅ＝あるいはＳｂ、Ｓｅ。
等カルコゲン元素と周期律表第■族あるいはＧｅ等の第
■族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られてい
る。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報
を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化させ
ておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応
させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜
の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。この情報を消去するに
際しては薄膜を加熱昇温させ、再び結晶化させる方法が
しられている。相変化を利用した光ディスクは、一般に
耐熱層を設けたディスク基板に記録薄膜を形成し、その
記録薄膜の上にさらに耐熱層を設け、熱変形等による劣
化を防止する構成を用いている。これらの層を形成した
のちに、記録薄膜層を初期化つまり結晶化させて光ディ
スクとして用いる方法が知られている。
■族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られてい
る。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報
を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化させ
ておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応
させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜
の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。この情報を消去するに
際しては薄膜を加熱昇温させ、再び結晶化させる方法が
しられている。相変化を利用した光ディスクは、一般に
耐熱層を設けたディスク基板に記録薄膜を形成し、その
記録薄膜の上にさらに耐熱層を設け、熱変形等による劣
化を防止する構成を用いている。これらの層を形成した
のちに、記録薄膜層を初期化つまり結晶化させて光ディ
スクとして用いる方法が知られている。
発明が解決しようとする課題
薄膜を加熱昇温し、結晶状ＭＡ、結晶状態Ｂを形成する
手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体あるい
は、溶融急冷非晶質化および加熱昇温結晶化の手段を用
いる情報記録および消去可能な記録媒体における課題は
加熱サイクルに対応して信号品質が変動することである
。この変動要因としては、記録スポット光および消去ス
ポット光による４００℃以上の急速な加熱、冷却の多数
回のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損
傷がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷があ
る。記録薄膜については、記録状態つまりアモルファス
状態と、消去状態つまり結晶状態の間で密度差が生じる
。基板あるいは記録膜が以上のような変化を生じた場合
、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を
生じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があっ
た。
手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体あるい
は、溶融急冷非晶質化および加熱昇温結晶化の手段を用
いる情報記録および消去可能な記録媒体における課題は
加熱サイクルに対応して信号品質が変動することである
。この変動要因としては、記録スポット光および消去ス
ポット光による４００℃以上の急速な加熱、冷却の多数
回のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損
傷がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷があ
る。記録薄膜については、記録状態つまりアモルファス
状態と、消去状態つまり結晶状態の間で密度差が生じる
。基板あるいは記録膜が以上のような変化を生じた場合
、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を
生じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があっ
た。
本発明の第一の目的はサイクル特性の安定な部材を提供
することである。第二の目的は記録部材の初期化感度を
向上させることである。
することである。第二の目的は記録部材の初期化感度を
向上させることである。
課題を解決するための手段
本発明は、レーザ光等の照射により熱的に薄膜の状態を
変化させて情報を記録および消去する部材において、薄
膜材料として、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂの混合体とし、これを
耐熱層を設けた基板の上に形成して、あらかじめこの記
録薄膜層を結晶化させておき、密度の高い状態にし、し
かるのちにこの上に耐熱層を設けてなることを特徴とす
る光学情報記録再生消去部材とその製造方法を提供する
ものである。
変化させて情報を記録および消去する部材において、薄
膜材料として、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂの混合体とし、これを
耐熱層を設けた基板の上に形成して、あらかじめこの記
録薄膜層を結晶化させておき、密度の高い状態にし、し
かるのちにこの上に耐熱層を設けてなることを特徴とす
る光学情報記録再生消去部材とその製造方法を提供する
ものである。
作用
以上の構成により、多サイクル記録および消去において
Ｃ／Ｎ、消去率特性がすぐれている。また、記録部材の
初期化感度が高いという特徴が得られる。
Ｃ／Ｎ、消去率特性がすぐれている。また、記録部材の
初期化感度が高いという特徴が得られる。
実施例１
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
記録層である薄膜を形成する基板としては、あらかじめ
、レーザ光案内用の溝あるいは、ピント列を形成したポ
リカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用い
る。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳある
いはＳｉｎ、等の第一の無機誘電体層を形成しておく。
、レーザ光案内用の溝あるいは、ピント列を形成したポ
リカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用い
る。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳある
いはＳｉｎ、等の第一の無機誘電体層を形成しておく。
この誘電体層としてはＳｔａｇを１５モル％以上含ませ
たＺｎＳ誘電体層が好ましい。
たＺｎＳ誘電体層が好ましい。
この上に、Ｇ ｅ ｓ Ｔ ｅ ｓ Ｓ ｂからなる混
合薄膜を形成する。薄膜形成の方法としては、真空蒸着
あるいは、スパッタ法が使用できる。かかる状態におい
ては、記録薄膜層はアモルファス状態である。そこで記
録薄膜層を加熱し結晶化させることが本発明の特徴であ
り、加熱源としてはＡｒレーザ、半導体レーザあるいは
ハロゲンランプ等が使用できる。結晶化すなわち初期化
することによりディスクの反射率は増大する。しかるの
ちに、第二の無機誘電体層を耐熱層として、この記録薄
膜層の上に形成する。さらにこの無機誘電体層の上に反
射層を設けることにより、ディスクの記録、消去感度の
向上をはかることもできる。この薄膜の膜厚として８０
ｎｍを選ぶ。さらに第二の耐熱層の上に保護板としてポ
リカーボネイト板を接着剤で密着する。
合薄膜を形成する。薄膜形成の方法としては、真空蒸着
あるいは、スパッタ法が使用できる。かかる状態におい
ては、記録薄膜層はアモルファス状態である。そこで記
録薄膜層を加熱し結晶化させることが本発明の特徴であ
り、加熱源としてはＡｒレーザ、半導体レーザあるいは
ハロゲンランプ等が使用できる。結晶化すなわち初期化
することによりディスクの反射率は増大する。しかるの
ちに、第二の無機誘電体層を耐熱層として、この記録薄
膜層の上に形成する。さらにこの無機誘電体層の上に反
射層を設けることにより、ディスクの記録、消去感度の
向上をはかることもできる。この薄膜の膜厚として８０
ｎｍを選ぶ。さらに第二の耐熱層の上に保護板としてポ
リカーボネイト板を接着剤で密着する。
１３０ ａｍのディスクとして、１８００ｒｐｍ回転で
ｆ１＝３．４３Ｍｔｌｚの信号と、ｆ ２ ＝１．ＯＭ
ｔ（ｚの信号のオーバーライド特性を測定する。オーバ
ーライドは、１ケのサークルスポットφ１μｍのレーザ
光によす、高いパワーレベル１６ＩＩＷ、低いパワーレ
ベル８ｍ−のパワーレベル間の変調で、高いパワーレベ
ルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで非晶
質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法である
。
ｆ１＝３．４３Ｍｔｌｚの信号と、ｆ ２ ＝１．ＯＭ
ｔ（ｚの信号のオーバーライド特性を測定する。オーバ
ーライドは、１ケのサークルスポットφ１μｍのレーザ
光によす、高いパワーレベル１６ＩＩＷ、低いパワーレ
ベル８ｍ−のパワーレベル間の変調で、高いパワーレベ
ルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで非晶
質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法である
。
第１図に記録薄膜の加熱結晶化状態の模式図をしめす。
蒸着状態に比べ加熱結晶化した部分は密度が増大してい
る。加熱結晶化初期化するのに必要なパワーは第２の誘
電体を形成し、これに保護板を接着したものに比較して
約半分のパワーで可能であり、初期化感度が高い。サイ
クル特性については、ディスク構成後に結晶化初期化し
たものに比較して１００万サイクル測定においてノイズ
レベルの変動は３ｄＢ以内で安定している。
る。加熱結晶化初期化するのに必要なパワーは第２の誘
電体を形成し、これに保護板を接着したものに比較して
約半分のパワーで可能であり、初期化感度が高い。サイ
クル特性については、ディスク構成後に結晶化初期化し
たものに比較して１００万サイクル測定においてノイズ
レベルの変動は３ｄＢ以内で安定している。
実施例２
結晶化初期化は記録膜形成時におこなうことも可能であ
る。真空チャンバー内においてハロゲンランプを用いて
基板を加熱しながら記録膜を形成する。あらかじめ基板
の上に第一の誘電体層を設け、この上に記録薄膜層を加
熱しながら形成する。
る。真空チャンバー内においてハロゲンランプを用いて
基板を加熱しながら記録膜を形成する。あらかじめ基板
の上に第一の誘電体層を設け、この上に記録薄膜層を加
熱しながら形成する。
記録薄膜層は形成すると同時に結晶化初期化がなされる
。つぎにこの結晶化した記ｔ！薄膜層の上に第２の耐熱
層誘電体層を設ける。しかるのちに接着剤により保護板
をはり合わせる。記録薄膜の組成としてＧ ｅ ＋ Ｔ
ｅ ＋ Ｓ ｂの混合体を用いることにより１つの
ビームでオーバライドできるディスクを得る。記録特性
はＣ／Ｎ比５０ｄＢ以上、消去特性は消去率３０ｄＢ以
上を得る。
。つぎにこの結晶化した記ｔ！薄膜層の上に第２の耐熱
層誘電体層を設ける。しかるのちに接着剤により保護板
をはり合わせる。記録薄膜の組成としてＧ ｅ ＋ Ｔ
ｅ ＋ Ｓ ｂの混合体を用いることにより１つの
ビームでオーバライドできるディスクを得る。記録特性
はＣ／Ｎ比５０ｄＢ以上、消去特性は消去率３０ｄＢ以
上を得る。
実施例３
基板上に第一の耐熱層を設け、その上に記録薄膜層を形
成し、この記録薄膜層の結晶化において、加熱条件を結
晶化飽和パワーより低パワーに設定する。これにより、
この記録薄膜の結晶化収縮率は小さくなる。同様に記録
薄膜形成時における加熱条件を下げることにより収縮率
を小さくできる。
成し、この記録薄膜層の結晶化において、加熱条件を結
晶化飽和パワーより低パワーに設定する。これにより、
この記録薄膜の結晶化収縮率は小さくなる。同様に記録
薄膜形成時における加熱条件を下げることにより収縮率
を小さくできる。
この状態で第二の耐熱層を記録薄膜層の上に形成し、保
護板を設ける。かかるディスクに信号記録をほどこすと
、トランク上に非晶質マークと結晶部分が交互に配列し
て信号記録がおこなえる。この場合は、元の中間的な収
縮状態と信号記録時の収縮状態の平均的な密度が等価に
なり、体積差が減少し、サイクル特性が安定になる。
護板を設ける。かかるディスクに信号記録をほどこすと
、トランク上に非晶質マークと結晶部分が交互に配列し
て信号記録がおこなえる。この場合は、元の中間的な収
縮状態と信号記録時の収縮状態の平均的な密度が等価に
なり、体積差が減少し、サイクル特性が安定になる。
発明の効果
レーザ光による記録再生消去をおこなう部材において、
記録薄膜層を耐熱層でサンドインチする構成で、記録薄
膜を加熱結晶化した後に、この上に第２の耐熱層を形成
して構成する光学記録再生消去部材はつぎの効果を有す
る。
記録薄膜層を耐熱層でサンドインチする構成で、記録薄
膜を加熱結晶化した後に、この上に第２の耐熱層を形成
して構成する光学記録再生消去部材はつぎの効果を有す
る。
（１） 多サイクル記録および消去においてＣ／Ｎ。
消去率特性がすぐれる。
（２） 記録部材の初期化感度が高い。
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の記録薄膜形成後一部活晶化した状態の略図と加
熱光ビームの模式図、第２図は記録薄膜形成時に加熱結
晶化する方法の説明図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第一の耐熱層、３
・・・・・・記録薄膜層、４・・・・・・記録薄膜層結
晶化部位、５・・・・・・加熱光ビーム、６・・・・・
・記録薄膜蒸着源、７・・・・・・膜加熱ランプ、８・
・・・・・真空チャンバー・代理人の氏名 弁理士 中
尾敏男 はか１名第 図 第 図
去部材の記録薄膜形成後一部活晶化した状態の略図と加
熱光ビームの模式図、第２図は記録薄膜形成時に加熱結
晶化する方法の説明図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第一の耐熱層、３
・・・・・・記録薄膜層、４・・・・・・記録薄膜層結
晶化部位、５・・・・・・加熱光ビーム、６・・・・・
・記録薄膜蒸着源、７・・・・・・膜加熱ランプ、８・
・・・・・真空チャンバー・代理人の氏名 弁理士 中
尾敏男 はか１名第 図 第 図
Claims (6)
- （１）レーザー光の照射により、そのエネルギーを吸収
して昇温し、構造変化し、光学定数がかわる性質を有す
る記録薄膜を用い、前記レーザー光の強度変調により情
報を記録する部材において、前記記録薄膜層の上面およ
び下面に耐熱層を有する構成で、基盤上に第一の耐熱層
を設け次に前記記録薄膜層を設け前記記録薄膜層の体積
を収縮させた状態で第二の耐熱層を設けてなることを特
徴とする光学情報記録再生消去部材。 - （２）第一の耐熱層の上に記録薄膜層を結晶状態で形成
し、次にその上に第二の耐熱層を形成してなることを特
徴とする請求項（１）記載の光学情報記録再生消去部材
。 - （３）第一の耐熱層の上に記録薄膜層を設け、その後に
前記記録薄膜層を加熱し、結晶状態に変化せしめ、しか
る後に第二の耐熱層を形成してなることを特徴とする光
学情報記録再生消去部材の製造方法。 - （４）第一の耐熱層の上に記録薄膜層を設け、該記録薄
膜層の体積をアモルファス状態と結晶状態のほぼ平均の
体積にせしめて、その上に第二の耐熱層を形成してなる
ことを特徴とする請求項（１）記載の光学情報記録再生
消去部材。 - （５）耐熱層としてＳｉＯ＿２を含ませてなるＺｎＳを
用いることを特徴とする請求項（１）記載の光学情報記
録再生消去部材。 - （６）記録薄膜層としてＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料
を用いることを特徴とする請求項（１）記載の光学情報
記録再生消去部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153929A JPH07109663B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153929A JPH07109663B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025246A true JPH025246A (ja) | 1990-01-10 |
| JPH07109663B2 JPH07109663B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15573166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153929A Expired - Fee Related JPH07109663B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109663B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5627012A (en) * | 1995-02-13 | 1997-05-06 | Tdk Corporation | Method for preparing phase change optical recording medium |
| US5965323A (en) * | 1997-02-27 | 1999-10-12 | Tdk Corporation | Method for preparing optical recording medium |
| US6242157B1 (en) | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| US6537721B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| WO2003034420A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium manufacturing method and optical recording medium manufacturing apparatus |
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63153929A patent/JPH07109663B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5627012A (en) * | 1995-02-13 | 1997-05-06 | Tdk Corporation | Method for preparing phase change optical recording medium |
| US6242157B1 (en) | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| US5965323A (en) * | 1997-02-27 | 1999-10-12 | Tdk Corporation | Method for preparing optical recording medium |
| US6537721B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
| WO2003034420A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium manufacturing method and optical recording medium manufacturing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109663B2 (ja) | 1995-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |