JPH0252420A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH0252420A JPH0252420A JP20345688A JP20345688A JPH0252420A JP H0252420 A JPH0252420 A JP H0252420A JP 20345688 A JP20345688 A JP 20345688A JP 20345688 A JP20345688 A JP 20345688A JP H0252420 A JPH0252420 A JP H0252420A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は処理装置に関する。
(従来の技術)
処理装置例えば、半導体製造プロセスに於ける熱処理工
程において熱処理用反応管内に腐食性の高いガスを流す
度合が多くなった。例えば塩酸酸化プロセスではドライ
02ガス中にMCIを数%添加する事により、Naなど
の金属不純物を安定な形で捕捉する効果があり、安定し
た特性のデバイスを製造することができる。また酸化用
反応管を一定期間毎に高温下でHCIを2〜3%を添加
したドライ02ガスで熱処理することにより、反応管内
の汚れを取り除くことができ、安定したプロセスを朋待
することができる等色々なメリットがある。しかし腐食
性の高いガスに耐えられるように反応管まわりの装置を
すべて石英ガラス等で制作する事は強度や寸法精度の問
題から難しく、例えば反応管を保持するマニホールドや
反応管の開口部を塞ぐキャップ等金属で作られた部分は
耐食性のあるステンレス(SUS)で作られたりまた、
さらに耐食性を増すためにSUSの表面にNi系の合金
をコーティングする等の耐腐食方法がとられてきた。特
に腐食性の強いHCIガス等を使用する場合などでは腐
食性ガスと接する部分の金属には、SUSの表面をNi
系の合金でコーティングしたものが用いられている。ま
た、プラズマエツチング装置等の反応容器内壁の腐食防
止を目的とした金属酸化物層をコーティングした技術が
特公昭57−52423号公報に開示されている。
程において熱処理用反応管内に腐食性の高いガスを流す
度合が多くなった。例えば塩酸酸化プロセスではドライ
02ガス中にMCIを数%添加する事により、Naなど
の金属不純物を安定な形で捕捉する効果があり、安定し
た特性のデバイスを製造することができる。また酸化用
反応管を一定期間毎に高温下でHCIを2〜3%を添加
したドライ02ガスで熱処理することにより、反応管内
の汚れを取り除くことができ、安定したプロセスを朋待
することができる等色々なメリットがある。しかし腐食
性の高いガスに耐えられるように反応管まわりの装置を
すべて石英ガラス等で制作する事は強度や寸法精度の問
題から難しく、例えば反応管を保持するマニホールドや
反応管の開口部を塞ぐキャップ等金属で作られた部分は
耐食性のあるステンレス(SUS)で作られたりまた、
さらに耐食性を増すためにSUSの表面にNi系の合金
をコーティングする等の耐腐食方法がとられてきた。特
に腐食性の強いHCIガス等を使用する場合などでは腐
食性ガスと接する部分の金属には、SUSの表面をNi
系の合金でコーティングしたものが用いられている。ま
た、プラズマエツチング装置等の反応容器内壁の腐食防
止を目的とした金属酸化物層をコーティングした技術が
特公昭57−52423号公報に開示されている。
(発明が解決しようとする課B)
しかし、通常のコーティングは、第3図に示すように例
えばステンレスやアルミニュームの母材金属(1)の表
面に耐食性を持つ酸化皮膜、即ち、不働態皮膜(2)を
コーティングするが、この母材(1)は種々の結晶欠陥
や不純物の偏析が含まれ、例えば母材(1)の表面部分
に結晶と結晶の境目である結晶粒界(3)が存在すると
、この結晶粒界では、コーティングされた不働態皮膜(
2)が丈夫でなく皮膜が破れてしまい(4)、ここが腐
食の起点となり腐食が始まってゆく。この欠点を防ぐた
めに第2の不働態皮膜(5)を施すがどうしても不働態
皮膜(5)に欠陥(6)例えばピンホールができてしま
いこの欠陥(6)から再び腐食が始まることになるため
、この欠陥を軽減するために第3の不働態皮膜(7)と
幾重にもコーティングを施している。このように耐食性
の強さは、腐食ガスが、幾重にも施した不働態皮膜の欠
陥を伝わって最後に母材金属に到達するまでの時間とな
る。一方、第4図に示すようにアモルファス合金(11
)は腐食され易い結晶粒界や上記ピンホール等の欠陥を
含まない性質を持った非晶質金属で、結晶に比べて化学
的に反応し易いため、腐食される環境では直ちに表面で
化学反応が起こり表面にアモルファス合金の中の例えば
クロムが濃縮されて純クロムに近い成分の酸化膜即ち不
働態皮膜(12)が急速に厚く形成される為、極めて耐
食性の高い性質を持つ。従って、母材金属(13)に結
晶粒界(14)が有っても、不働態皮膜(12)、アモ
ルファス合金(11) Nに保護され腐食が進まず、腐
食が進む速度はほとんどゼロに近くなる。他方、例えば
SUS母材にNr系のコーティングを施したものは、H
CIガス充填の雰囲気の中でコーティングをしていない
5US316と比べて腐食速度は約171O即ち、約1
0倍の耐食性を有している。しかしながら実際のHC’
1等のプロセスでは腐食が激しくコーティングしたSU
Sでも使えない場所や腐食がそれほと激しくなくても、
ゴミ等の発生つながるため定期的に腐食部分の清掃、交
換等の為装置を停止しなければならずメインテナンスに
非常に時間がかかるとゆう問題があった。またN1等の
コーティングで強化したSUS等でも耐食性が足りない
部分では金属の表面を石英ガラスでカバーし金属と石英
ガラスカバーとの間をN2等の不活性ガスでパージする
方法がとられているがガスの配管や、構造、制御が複雑
になると共に石英ガラスのカバーをするため形状的制約
即ち機構的な制約を受は最適形状等を作ることができな
いという問題点があった。
えばステンレスやアルミニュームの母材金属(1)の表
面に耐食性を持つ酸化皮膜、即ち、不働態皮膜(2)を
コーティングするが、この母材(1)は種々の結晶欠陥
や不純物の偏析が含まれ、例えば母材(1)の表面部分
に結晶と結晶の境目である結晶粒界(3)が存在すると
、この結晶粒界では、コーティングされた不働態皮膜(
2)が丈夫でなく皮膜が破れてしまい(4)、ここが腐
食の起点となり腐食が始まってゆく。この欠点を防ぐた
めに第2の不働態皮膜(5)を施すがどうしても不働態
皮膜(5)に欠陥(6)例えばピンホールができてしま
いこの欠陥(6)から再び腐食が始まることになるため
、この欠陥を軽減するために第3の不働態皮膜(7)と
幾重にもコーティングを施している。このように耐食性
の強さは、腐食ガスが、幾重にも施した不働態皮膜の欠
陥を伝わって最後に母材金属に到達するまでの時間とな
る。一方、第4図に示すようにアモルファス合金(11
)は腐食され易い結晶粒界や上記ピンホール等の欠陥を
含まない性質を持った非晶質金属で、結晶に比べて化学
的に反応し易いため、腐食される環境では直ちに表面で
化学反応が起こり表面にアモルファス合金の中の例えば
クロムが濃縮されて純クロムに近い成分の酸化膜即ち不
働態皮膜(12)が急速に厚く形成される為、極めて耐
食性の高い性質を持つ。従って、母材金属(13)に結
晶粒界(14)が有っても、不働態皮膜(12)、アモ
ルファス合金(11) Nに保護され腐食が進まず、腐
食が進む速度はほとんどゼロに近くなる。他方、例えば
SUS母材にNr系のコーティングを施したものは、H
CIガス充填の雰囲気の中でコーティングをしていない
5US316と比べて腐食速度は約171O即ち、約1
0倍の耐食性を有している。しかしながら実際のHC’
1等のプロセスでは腐食が激しくコーティングしたSU
Sでも使えない場所や腐食がそれほと激しくなくても、
ゴミ等の発生つながるため定期的に腐食部分の清掃、交
換等の為装置を停止しなければならずメインテナンスに
非常に時間がかかるとゆう問題があった。またN1等の
コーティングで強化したSUS等でも耐食性が足りない
部分では金属の表面を石英ガラスでカバーし金属と石英
ガラスカバーとの間をN2等の不活性ガスでパージする
方法がとられているがガスの配管や、構造、制御が複雑
になると共に石英ガラスのカバーをするため形状的制約
即ち機構的な制約を受は最適形状等を作ることができな
いという問題点があった。
本発明は上記点を改善するために成されたもので、耐腐
食性の優れた処理装置を提供しようとするものである。
食性の優れた処理装置を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
この発明は処理室内の、露出している金属部分の少なく
とも一部分をアモルファスコーティングしたことを特徴
とする処理装置を得るものである。
とも一部分をアモルファスコーティングしたことを特徴
とする処理装置を得るものである。
(作用)
本発明によれば、処理室内の、露出している金属部分の
少なくとも一部分をアモルファスコーティングしたこと
により、耐腐食性を非常に高くできる効果がある。
少なくとも一部分をアモルファスコーティングしたこと
により、耐腐食性を非常に高くできる効果がある。
(実施例)。
以下本発明処理装置を縦型CVD装置に適用した一実施
例につき図面を参照して説明する。
例につき図面を参照して説明する。
縦型CVD装置は第1図に示すように、軸方向を垂直軸
とする円筒状プロセスチューブ(21)を有し、このプ
ロセスチューブ(21)は耐腐食性の優れた例えば石英
ガラス製で、外筒(21a)と内筒(21b)とから成
り、内W (2l b)内には半導体ウェハ(22)を
水平状態で、かつ、上下で離間した状態で複数枚配列支
持した例えば石英ガラス製のボート(23)があり、こ
のボートはく23)は垂直方向に沿って搬入可能であり
、また、このボー) (23)の下方にはボート(23
)を炉芯に位置させ、プロセスチューブ内の熱を下方に
逃がさないための保温筒(24)が配管されている。ま
た内筒(21b)には耐腐食性の優れた例えば石英ガラ
ス製またはアモルファスコーティングしたステンレス製
のプロセスガス導入管(25)がその下端より上端に向
かって挿入支持されており、上記ボー) (23)に配
列支持されたウェハ(22)とウェハ(22)とのほぼ
中間に位置するようにガス噴き出し孔(26)が設けら
れ、この噴き出し孔(26)と対向した位置の内筒(2
l b)のほぼ半周〜415周にわたりガス排出孔(2
7)が複数個形成されている。そしてプロセスガス等の
排気は上記排出孔(27)を介して外筒(21a)に導
き、外筒(21a)の下端を保持している例えばステン
レス製で内表面をアモルファスコーティングした円環状
マニホールド(28)部分のガス導出口(28a)を介
して排気するようになっている。また また前記プロセ
スチューブ(21)の周囲には加熱装置(29)として
例えばカンタル線から成る抵抗加熱ヒーターが包むが如
く配置されている。そして、前記保温筒(24)を保持
し、マニホールド(28)と当接しプロセスチューブ内
の気密を保つ例えばステンレス製で表面をアモルファス
コーティングした円板状蓋体(30)を上下動して前記
ボート(23)をプロセスチューブ(21)に対してロ
ード、アンロードするローダ−装置く31)が設けられ
ている。また上記マニホールド(28)と蓋体く30)
との当接部には図示しないシール部材例えば0−リング
が設けられ気密保持が可能となっている。尚、この保温
W (24)を回転自在に構成することができ、温度、
ガスの均一性を向上することが可能である。
とする円筒状プロセスチューブ(21)を有し、このプ
ロセスチューブ(21)は耐腐食性の優れた例えば石英
ガラス製で、外筒(21a)と内筒(21b)とから成
り、内W (2l b)内には半導体ウェハ(22)を
水平状態で、かつ、上下で離間した状態で複数枚配列支
持した例えば石英ガラス製のボート(23)があり、こ
のボートはく23)は垂直方向に沿って搬入可能であり
、また、このボー) (23)の下方にはボート(23
)を炉芯に位置させ、プロセスチューブ内の熱を下方に
逃がさないための保温筒(24)が配管されている。ま
た内筒(21b)には耐腐食性の優れた例えば石英ガラ
ス製またはアモルファスコーティングしたステンレス製
のプロセスガス導入管(25)がその下端より上端に向
かって挿入支持されており、上記ボー) (23)に配
列支持されたウェハ(22)とウェハ(22)とのほぼ
中間に位置するようにガス噴き出し孔(26)が設けら
れ、この噴き出し孔(26)と対向した位置の内筒(2
l b)のほぼ半周〜415周にわたりガス排出孔(2
7)が複数個形成されている。そしてプロセスガス等の
排気は上記排出孔(27)を介して外筒(21a)に導
き、外筒(21a)の下端を保持している例えばステン
レス製で内表面をアモルファスコーティングした円環状
マニホールド(28)部分のガス導出口(28a)を介
して排気するようになっている。また また前記プロセ
スチューブ(21)の周囲には加熱装置(29)として
例えばカンタル線から成る抵抗加熱ヒーターが包むが如
く配置されている。そして、前記保温筒(24)を保持
し、マニホールド(28)と当接しプロセスチューブ内
の気密を保つ例えばステンレス製で表面をアモルファス
コーティングした円板状蓋体(30)を上下動して前記
ボート(23)をプロセスチューブ(21)に対してロ
ード、アンロードするローダ−装置く31)が設けられ
ている。また上記マニホールド(28)と蓋体く30)
との当接部には図示しないシール部材例えば0−リング
が設けられ気密保持が可能となっている。尚、この保温
W (24)を回転自在に構成することができ、温度、
ガスの均一性を向上することが可能である。
次に金属部分から成るマニホールド(28)部分及び蓋
体く30)のアモルファスコーティングを第2図を用い
て説明する。
体く30)のアモルファスコーティングを第2図を用い
て説明する。
例えば材質ステンレスのマニホールド(28)は内部の
露出した表面(40)や円管状ガス導出口(2日)の内
表面(42)で反応ガス及び反応生成物と触れる可能性
のある部分および、プロセスチューブ外筒(21a)及
び内筒(2l b)との当接する表面(41)部分にア
モルファスコーティングが施されている。また、例えば
材質ステンレスの蓋体(30)は上記マニホールド(2
8)と当接し、反応容器を形成し反応ガスや反応生成物
と触れる可能性の有る内表面(43)にアモルファスコ
ーティングが施されている。ざらにマニホールド(28
)と蓋体く30)とが当接する対向表面各々にアモルフ
ァスコーティングをしてもよい。また、アモルファス金
属母材としては耐腐食性の優れたTa系を才料またはC
r系材料を用い厚さ5〜20ミクロンに例えばスパッタ
リング方法等によりアモルファスコーティングする。
露出した表面(40)や円管状ガス導出口(2日)の内
表面(42)で反応ガス及び反応生成物と触れる可能性
のある部分および、プロセスチューブ外筒(21a)及
び内筒(2l b)との当接する表面(41)部分にア
モルファスコーティングが施されている。また、例えば
材質ステンレスの蓋体(30)は上記マニホールド(2
8)と当接し、反応容器を形成し反応ガスや反応生成物
と触れる可能性の有る内表面(43)にアモルファスコ
ーティングが施されている。ざらにマニホールド(28
)と蓋体く30)とが当接する対向表面各々にアモルフ
ァスコーティングをしてもよい。また、アモルファス金
属母材としては耐腐食性の優れたTa系を才料またはC
r系材料を用い厚さ5〜20ミクロンに例えばスパッタ
リング方法等によりアモルファスコーティングする。
次に上述した縦型CVD装置の動作を説明する。
図示しないウェハ移替え装置によりカセットからウェハ
(22)をボート(23)移し替え、ウェハ(22)が
積載されたボート(23)をローダ−装置(31)によ
り所定量上昇させ、上記プロセスチューブ(21)内の
予め定められた位置に、プロセスチューブの内筒(21
b)内壁に接触させる事なく搬入する。この時、上記プ
ロセスチューブ(21)下方のマニホールド(2日)と
上記蓋体(30)を当接させることにより、自動的にウ
ェハ(22)を位置決めすると共に上記プロセスチュー
ブ(21)内部を気密にする。次に、上記プロセスチュ
ーブ(21)内を所望の圧力状態例えば0.1〜3To
rrに保つように図示しない真空ポンプで排気制御し、
加熱1ll(29)により所望の温度例えば600 S
−1200℃程度に設定する。そして、この設定後上記
排気制御しながらガス供給源から図示しないマスフロー
コントローラ等で流量制御しながら反応ガス例えば。
(22)をボート(23)移し替え、ウェハ(22)が
積載されたボート(23)をローダ−装置(31)によ
り所定量上昇させ、上記プロセスチューブ(21)内の
予め定められた位置に、プロセスチューブの内筒(21
b)内壁に接触させる事なく搬入する。この時、上記プ
ロセスチューブ(21)下方のマニホールド(2日)と
上記蓋体(30)を当接させることにより、自動的にウ
ェハ(22)を位置決めすると共に上記プロセスチュー
ブ(21)内部を気密にする。次に、上記プロセスチュ
ーブ(21)内を所望の圧力状態例えば0.1〜3To
rrに保つように図示しない真空ポンプで排気制御し、
加熱1ll(29)により所望の温度例えば600 S
−1200℃程度に設定する。そして、この設定後上記
排気制御しながらガス供給源から図示しないマスフロー
コントローラ等で流量制御しながら反応ガス例えば。
5i82CI2(ジクロロルシラン)とH2(水素)を
プロセスチューブ(21)内にガス導入管(25)から
所定時間供給するとプロセスチューブ(21)内に設置
されたウェハ(22)表面には次に示すSi膜が堆積す
る。
プロセスチューブ(21)内にガス導入管(25)から
所定時間供給するとプロセスチューブ(21)内に設置
されたウェハ(22)表面には次に示すSi膜が堆積す
る。
S i H2C12+H2→Si+2HClこの場合上
記プロセスチューブ(21)内で強い酸化力を持つMC
Iが生成される。しかし、プロセス容器を形成している
うち金属製のマニホールド(2日)および蓋体(30)
の内表面はアモルファスコーティングが施して有るため
反応ガスおよびHCI等の反応生成物が内表面に接触ま
たは堆積する事があっても腐食は起こらず、腐食による
ゴミの発生はほとんど無く、上記プロセスナューブ(2
工)内およびウェハ(22)の汚染を防止する事ができ
る。また、アモルファス合金の特徴として耐摩耗性にも
優れているためマニホールド(28)と蓋体く30)と
の当接するときの微少な摩擦の繰り返し等によるゴミの
発生を防止する事が可能である。
記プロセスチューブ(21)内で強い酸化力を持つMC
Iが生成される。しかし、プロセス容器を形成している
うち金属製のマニホールド(2日)および蓋体(30)
の内表面はアモルファスコーティングが施して有るため
反応ガスおよびHCI等の反応生成物が内表面に接触ま
たは堆積する事があっても腐食は起こらず、腐食による
ゴミの発生はほとんど無く、上記プロセスナューブ(2
工)内およびウェハ(22)の汚染を防止する事ができ
る。また、アモルファス合金の特徴として耐摩耗性にも
優れているためマニホールド(28)と蓋体く30)と
の当接するときの微少な摩擦の繰り返し等によるゴミの
発生を防止する事が可能である。
このようなCVD処理後、反応ガスの供給を止め、不活
性ガス例えば、N2ガスをガス導入管(25)より導入
し、上記プロセスチューブ内を常圧復帰した後、上記ウ
ェハを積載したボー)(23)をローダ−装置(31)
によりプロセスチューブ(21)内より取り出し図示し
ない移替え装置に渡し処理が終了する。
性ガス例えば、N2ガスをガス導入管(25)より導入
し、上記プロセスチューブ内を常圧復帰した後、上記ウ
ェハを積載したボー)(23)をローダ−装置(31)
によりプロセスチューブ(21)内より取り出し図示し
ない移替え装置に渡し処理が終了する。
上記実施例では縦型CVD装置について説明したが、上
記実施例に限らず、反応ガスや反応生成物と接し酸化ま
たは腐食され易い場所の金属表面にアモルファスコーテ
ィングを施すことにより耐腐食性の効果が期待できる0
例えば、処理装置の排気部分は、第5図に示すように処
理室内からの排気ガスの排気を行なう例えばステンレス
製箱型状のスカベンジャー(51)に於て、このスカベ
ンジャー(51)内部には例えば石英ガラス製の反応管
を保持する円環状例えばステンレス製マニホールド(5
2)があり、このマニホルド(52)の開口をプロセス
時には熱遮蔽しく排気ガス等は流れる)、ウェハを積載
した例えば石英ガラス製ボートを反応管内へロード・ア
ンロードする時は待避する如く円板状例えばステンレス
製のシャッター(53)が、例えばエアーシリンダー等
からなる駆動機構(54)により駆動される。また、反
応管からの排気ガスや反応生成物は排気管(55)を通
りスカベンジャー(51)より負圧に保たれた外部の排
気処理装置へと排出される。上述のようにスカベンジャ
ー(51)内にはプロセス中の反応ガスや反応生成物が
流れ、または付着し、酸化や腐食しやすいため上記スカ
ベンジャ−(51)内部表面や上記シャッター(53)
の全面および駆動機構(54)のスカベンジャー(51
)内部に配置される金属製機器や部品、排気管(55)
および、その他スカベンジャー(51)因に配置または
取り付けられる部品等にアモルファスコーティングを施
すと良い。
記実施例に限らず、反応ガスや反応生成物と接し酸化ま
たは腐食され易い場所の金属表面にアモルファスコーテ
ィングを施すことにより耐腐食性の効果が期待できる0
例えば、処理装置の排気部分は、第5図に示すように処
理室内からの排気ガスの排気を行なう例えばステンレス
製箱型状のスカベンジャー(51)に於て、このスカベ
ンジャー(51)内部には例えば石英ガラス製の反応管
を保持する円環状例えばステンレス製マニホールド(5
2)があり、このマニホルド(52)の開口をプロセス
時には熱遮蔽しく排気ガス等は流れる)、ウェハを積載
した例えば石英ガラス製ボートを反応管内へロード・ア
ンロードする時は待避する如く円板状例えばステンレス
製のシャッター(53)が、例えばエアーシリンダー等
からなる駆動機構(54)により駆動される。また、反
応管からの排気ガスや反応生成物は排気管(55)を通
りスカベンジャー(51)より負圧に保たれた外部の排
気処理装置へと排出される。上述のようにスカベンジャ
ー(51)内にはプロセス中の反応ガスや反応生成物が
流れ、または付着し、酸化や腐食しやすいため上記スカ
ベンジャ−(51)内部表面や上記シャッター(53)
の全面および駆動機構(54)のスカベンジャー(51
)内部に配置される金属製機器や部品、排気管(55)
および、その他スカベンジャー(51)因に配置または
取り付けられる部品等にアモルファスコーティングを施
すと良い。
またアモルファスコーティングされた金属は耐摩耗性に
優れているため反応管やウェハ周辺部の塵埃を嫌う摺動
部例えば拡散装置等の炉口付近に設けられるドアーやシ
ャッター またはウェハの把持装置、移し変え装置、搬
送装置、その他駆動部品等に適用するとよい。また、ア
モルファスコーティング方法は金属表面の全面でなくと
もよく、適用部品の形状等によっては部分的に施しても
良く例えばメツシュ状等にアモルファス金属層を設けて
も良い。
優れているため反応管やウェハ周辺部の塵埃を嫌う摺動
部例えば拡散装置等の炉口付近に設けられるドアーやシ
ャッター またはウェハの把持装置、移し変え装置、搬
送装置、その他駆動部品等に適用するとよい。また、ア
モルファスコーティング方法は金属表面の全面でなくと
もよく、適用部品の形状等によっては部分的に施しても
良く例えばメツシュ状等にアモルファス金属層を設けて
も良い。
このようにCVD装置、拡散・酸化装置の他、エツチン
グ装置、アッシング装置、洗浄装置、塗布装置等でも同
様な効果が得られる。
グ装置、アッシング装置、洗浄装置、塗布装置等でも同
様な効果が得られる。
(発明の効果)
以上述べたように本発明によれば、処理室内の露出して
いる金属部分の少なくとも一部分をアモルファスコーテ
ィングすることにより、耐腐食性が非常に高く、メイン
テナンス性が良く腐食によるゴミの発生を非常に少なく
てきる効果がある。
いる金属部分の少なくとも一部分をアモルファスコーテ
ィングすることにより、耐腐食性が非常に高く、メイン
テナンス性が良く腐食によるゴミの発生を非常に少なく
てきる効果がある。
また加工のし易い金属が使えるため機構的制約に縛られ
ることがなく最適形状に設計製作できる効果がある。
ることがなく最適形状に設計製作できる効果がある。
第1図は本発明装置の一実施例を説明するための縦型C
VDVi置の構成図、第2図は第1図のマニホールド近
傍の説明図、第3図乃至第4図は第1図のコーティング
の説明図、第5図は他の実施例の説明図である。
VDVi置の構成図、第2図は第1図のマニホールド近
傍の説明図、第3図乃至第4図は第1図のコーティング
の説明図、第5図は他の実施例の説明図である。
Claims (1)
- 処理室内の、露出している金属部分の少なくとも一部分
をアモルファスコーティングしたことを特徴とする処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20345688A JPH0252420A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20345688A JPH0252420A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6261917A Division JP2714576B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252420A true JPH0252420A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16474425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20345688A Pending JPH0252420A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252420A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| JP2017028144A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100682A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルフアス合金被覆鋼板 |
| JPS6293038A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-28 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | アモルフアスコ−テイングされた容器又は管状部材の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP20345688A patent/JPH0252420A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100682A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルフアス合金被覆鋼板 |
| JPS6293038A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-28 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | アモルフアスコ−テイングされた容器又は管状部材の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
| US5750436A (en) * | 1993-07-03 | 1998-05-12 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Thermal processing method and apparatus therefor |
| KR100330130B1 (ko) * | 1993-07-03 | 2002-08-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 열처리 방법 및 그 장치 |
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| JP2017028144A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
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