JPH0252425A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0252425A JPH0252425A JP20345788A JP20345788A JPH0252425A JP H0252425 A JPH0252425 A JP H0252425A JP 20345788 A JP20345788 A JP 20345788A JP 20345788 A JP20345788 A JP 20345788A JP H0252425 A JPH0252425 A JP H0252425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- loading
- loading area
- boat
- processing
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は処理装置に関する。
(従来の技術)
一般に半導体製造工程において、半導体ウェハ(以下、
ウェハと略記する)上に絶縁膜や化合物半導体や有機金
属等の各種薄膜を形成するために加熱処理炉が用いられ
ているに のような処理炉には、量産性を向上させるため、通常1
00枚以上のウェハを一度に処理するようになっている
。
ウェハと略記する)上に絶縁膜や化合物半導体や有機金
属等の各種薄膜を形成するために加熱処理炉が用いられ
ているに のような処理炉には、量産性を向上させるため、通常1
00枚以上のウェハを一度に処理するようになっている
。
上記処理炉には、炉を横方向に配置する横形炉と、上記
炉を縦方向に配置する縦形炉とが存在している。最近は
、設置スペースを小さくできる縦形炉が注目されている
。
炉を縦方向に配置する縦形炉とが存在している。最近は
、設置スペースを小さくできる縦形炉が注目されている
。
この縦形炉による処理に関する機構は、第6図に示す。
上記縦形炉の処理装置、例えばCVD装置、の炉内にウ
ェハを搬送する搭載台、例えばボートを上下方向に昇際
するローデング機構が設けられている。上記ボートには
多数のウェハが所定の間隔を設けて搭載されている。
ェハを搬送する搭載台、例えばボートを上下方向に昇際
するローデング機構が設けられている。上記ボートには
多数のウェハが所定の間隔を設けて搭載されている。
上記ボートのローデング機構の上方向には長さ方向を垂
直として1反応炉が設けられている。このような縦形炉
は、上記ローデング機構によって縦でた状態を保って搬
送部から授受し、これを上方向に上昇させて、上記反応
炉内に装着するので、このローデング機構の近傍には障
害物を近づけないように、搬送口を除いて周囲を金属で
囲われている。
直として1反応炉が設けられている。このような縦形炉
は、上記ローデング機構によって縦でた状態を保って搬
送部から授受し、これを上方向に上昇させて、上記反応
炉内に装着するので、このローデング機構の近傍には障
害物を近づけないように、搬送口を除いて周囲を金属で
囲われている。
そのために、この金属で囲われたローデングエリア内で
は、ボートの受は渡しが不備で、上記ボートをウェハご
と下面に落下する場合がある。この落下したボー1〜及
びウェハのあとしまつをオペレータが照射のほとんど無
い暗いローデングエリアで行なっているのが一般的であ
る。
は、ボートの受は渡しが不備で、上記ボートをウェハご
と下面に落下する場合がある。この落下したボー1〜及
びウェハのあとしまつをオペレータが照射のほとんど無
い暗いローデングエリアで行なっているのが一般的であ
る。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述したようなローデングエリアを金属
で囲われた処理装置には以下に示すような問題点がある
。
で囲われた処理装置には以下に示すような問題点がある
。
先ず、ローデングエリアの外囲を金属で囲っているので
、このローデングエリアの外部で照明されている照明光
が、上記金属で遮蔽されることになる。従って、搬送系
から授受したボートを1反応管に装着する課程での目視
a祭が困難であった。
、このローデングエリアの外部で照明されている照明光
が、上記金属で遮蔽されることになる。従って、搬送系
から授受したボートを1反応管に装着する課程での目視
a祭が困難であった。
次に、上記目しa察をしたとしても、横形炉のように反
応管を横置きにしたのと異なり、何時だおれるかの不安
定要素が大きいので、搬送時のタイミングが悪くボート
を下面に落下させてしまう場合がある。
応管を横置きにしたのと異なり、何時だおれるかの不安
定要素が大きいので、搬送時のタイミングが悪くボート
を下面に落下させてしまう場合がある。
この場合に、上記ボートは石英材製であり、暗い所で取
り除き作業を行う時に、オペレータが上記石英材片及び
ウェハの破片によって負傷してしまう欠点があった。
り除き作業を行う時に、オペレータが上記石英材片及び
ウェハの破片によって負傷してしまう欠点があった。
本発明は、上記問題点に対処してなされたもので、ロー
デングエリアを通過する非処理体の搬送状況を所望によ
り目視*Ii!4でき、このことにより、非処理体等の
破損物の取り除きを容易にし1作業性を向上することが
できる処理装置を提供しようとするものである。
デングエリアを通過する非処理体の搬送状況を所望によ
り目視*Ii!4でき、このことにより、非処理体等の
破損物の取り除きを容易にし1作業性を向上することが
できる処理装置を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、被処理体に所定の処理する気密な処理部と、
この処理部に被処理体が搬送される搬送手段をローデン
グエリアとを具備し、少なくとも上記ローデングエリア
を周囲から隔離するように遮蔽された処理装置において
、上記被処理体が通過される上記ローデングエリアの隔
離空間部に照明灯を設けたことを特徴としている。
この処理部に被処理体が搬送される搬送手段をローデン
グエリアとを具備し、少なくとも上記ローデングエリア
を周囲から隔離するように遮蔽された処理装置において
、上記被処理体が通過される上記ローデングエリアの隔
離空間部に照明灯を設けたことを特徴としている。
(作用効果)
本発明によれば、被処理体が通過されるローデングエリ
アに照明灯を設けたことにより、被処理体の通過状況が
容易に目視w1察ができ、このことにより、被処理体の
通過不具合により生じる後処理が容易に実施でき、従っ
てこの不具合による後処理するに際し、作業性を向上さ
せることができる。
アに照明灯を設けたことにより、被処理体の通過状況が
容易に目視w1察ができ、このことにより、被処理体の
通過不具合により生じる後処理が容易に実施でき、従っ
てこの不具合による後処理するに際し、作業性を向上さ
せることができる。
(実施例)
以下1本発明装置を半導体ウェハを多数枚毎同時にバッ
チ処理する縦形CVD装置に適用した一実施例について
図面を参照して説明する。
チ処理する縦形CVD装置に適用した一実施例について
図面を参照して説明する。
上記装置は、第2図に示すように、縦形反応炉で軸方向
を垂直にした反応管■から成る処理部■と、この処理部
(2)内に挿入する多数枚の被処理体、例えば半導体ウ
ェハ■を搭載した搭載台、例えばボート(イ)を、上記
処理部■の下方の予め定められた位置から上記反応管■
にロードアンロードする上下動機構■が設けられたロー
デングエリア0とから構成されている。
を垂直にした反応管■から成る処理部■と、この処理部
(2)内に挿入する多数枚の被処理体、例えば半導体ウ
ェハ■を搭載した搭載台、例えばボート(イ)を、上記
処理部■の下方の予め定められた位置から上記反応管■
にロードアンロードする上下動機構■が設けられたロー
デングエリア0とから構成されている。
上記処理部■には、耐熱性で処理ガスに対して反応しに
くい材質、例えば石英からなる反応管■が、二重管構造
で設けられている。即ち、この反応管■は、上面が封止
された筒状の外管(1a)と、この外管(1a)の内部
に非接触状態の内管(1b)とから構成されている。こ
のような反応管(ト)を同軸的に囲繞、する如く筒状加
熱機構、例えばコイル状に、巻回されたヒータ■が設け
られている。このヒータ■は上記ウェハ■の載置される
領域を所量する温度、例えば500〜1000℃に均一
加熱する加熱機構、例えば交流電源(図示せず)に接続
されている。即ち、この交流電源から電力を印加するこ
とにより、ヒータ■が加熱する。
くい材質、例えば石英からなる反応管■が、二重管構造
で設けられている。即ち、この反応管■は、上面が封止
された筒状の外管(1a)と、この外管(1a)の内部
に非接触状態の内管(1b)とから構成されている。こ
のような反応管(ト)を同軸的に囲繞、する如く筒状加
熱機構、例えばコイル状に、巻回されたヒータ■が設け
られている。このヒータ■は上記ウェハ■の載置される
領域を所量する温度、例えば500〜1000℃に均一
加熱する加熱機構、例えば交流電源(図示せず)に接続
されている。即ち、この交流電源から電力を印加するこ
とにより、ヒータ■が加熱する。
また、上記反応管■の内管(1b)内には、内管(1b
)部に所定の処理ガスを供給するためのガス供給管(8
)が接続されている。
)部に所定の処理ガスを供給するためのガス供給管(8
)が接続されている。
このガス供給管(8)は、図示しないマスフローコント
ローラ等を介在して、ガス供給減に接続されている。さ
らに、上記反応管■の外管(1a)には、排気管■)が
接続されている。
ローラ等を介在して、ガス供給減に接続されている。さ
らに、上記反応管■の外管(1a)には、排気管■)が
接続されている。
この排気管(9)は、反応管0)内を所望の圧力に減圧
及び、処理ガス等を排出可能な真空ポンプ(図示せず)
に接続されている。
及び、処理ガス等を排出可能な真空ポンプ(図示せず)
に接続されている。
即ち、処理ガスを反応管■内に供給すると、処理ガスは
、内管(1b)下部から上部に流れ、この時に、ウェハ
■に処理を行い、そして、上部外管(1a)側にUター
ンし、外管(1a)上部から下部方向に流出される。
、内管(1b)下部から上部に流れ、この時に、ウェハ
■に処理を行い、そして、上部外管(1a)側にUター
ンし、外管(1a)上部から下部方向に流出される。
上記のように構成された反応管ω内を気密に設定する如
く蓋体(10)が、着脱自在に設けられている。上記蓋
体(10)の上方には、ウェハ■を搭載したボート(イ
)がインロ一方式で載置されている。このボート(イ)
は多数枚のウェハ、例えば100乃至150枚程原水平
方向になるように所定の間隔を設けて搭載可能になって
いる。
く蓋体(10)が、着脱自在に設けられている。上記蓋
体(10)の上方には、ウェハ■を搭載したボート(イ
)がインロ一方式で載置されている。このボート(イ)
は多数枚のウェハ、例えば100乃至150枚程原水平
方向になるように所定の間隔を設けて搭載可能になって
いる。
そして、上記ボート(イ)を上記反応管(ト)内の予め
定められた高さ位置に設定可能で、上記反応管ω内の熱
を逃さないための保温筒(11)が上記ボート(イ)と
蓋体(10)との間に設けられている。
定められた高さ位置に設定可能で、上記反応管ω内の熱
を逃さないための保温筒(11)が上記ボート(イ)と
蓋体(10)との間に設けられている。
ここで、上記蓋体(10)は、上下動機構、例えば駆動
モータが連結されたボールネジと、このボールネジに螺
合結合したナツトとからなる上下動機構(ハ)に支持さ
れている。
モータが連結されたボールネジと、このボールネジに螺
合結合したナツトとからなる上下動機構(ハ)に支持さ
れている。
即ち、上記ボート(イ)は処理部■と、この処理部■の
下方に設けられたローデングエリア0では保温筒(11
)上にボート(イ)を図示しない水平方向に移動する搬
送装置により授受している。
下方に設けられたローデングエリア0では保温筒(11
)上にボート(イ)を図示しない水平方向に移動する搬
送装置により授受している。
上記搬送装置の駆動は、制御部により制御されている。
このような装置において1図示しない搬送装置より授受
したボート←)は、上下動機4i!!■によって上昇す
る空間、即ち、ローデングエリア0に障害物が侵入しな
いようにバーリア、例えばアルミ板が周囲に施されてい
る。
したボート←)は、上下動機4i!!■によって上昇す
る空間、即ち、ローデングエリア0に障害物が侵入しな
いようにバーリア、例えばアルミ板が周囲に施されてい
る。
本実施の特徴的構成は、第1図に示す。上記アルミ板で
周囲を包囲したローデングエリア(0が、照るくなるよ
うに構成したことにある。
周囲を包囲したローデングエリア(0が、照るくなるよ
うに構成したことにある。
即ち、上記ローデングエリア■には図示しない搬送機構
によって、上記ボート(イ)が搬出入される搬入口(1
2)を有した側面と、上記ローデングエリア(0内をメ
ンテナンスする際に開閉されるメンテナンス開閉口(1
3)を有した側面と、上記ボート(イ)を反応管■に装
着させる上下動機構■を側設する面と、周囲から隔離す
るために用いられた側面の西側面によって周囲から隔離
するように構成されている。
によって、上記ボート(イ)が搬出入される搬入口(1
2)を有した側面と、上記ローデングエリア(0内をメ
ンテナンスする際に開閉されるメンテナンス開閉口(1
3)を有した側面と、上記ボート(イ)を反応管■に装
着させる上下動機構■を側設する面と、周囲から隔離す
るために用いられた側面の西側面によって周囲から隔離
するように構成されている。
上記ローデングエリア0の上下動機構■を両端を上下方
向に側設した面と平行に照明灯例えば蛍光灯(14)が
搬入口(12)側例えば右側方向に設けられている。
向に側設した面と平行に照明灯例えば蛍光灯(14)が
搬入口(12)側例えば右側方向に設けられている。
上記蛍光灯(14)は、メンテナンス開閉口(13)の
、1(13a)を開くことにより点灯回路と、手動でス
イッチオンする点灯回路とがオア(OR)回路に形成さ
れている。
、1(13a)を開くことにより点灯回路と、手動でス
イッチオンする点灯回路とがオア(OR)回路に形成さ
れている。
次に上述したCVD装置によるウェハへの膜形成処理に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、図示しないウェハ 替え装置によりウェハ■をボ
ート(イ)上に積載する。そして、このボート(イ)を
、図示しないボート搬送装置でローデングエリア(0に
搬送する。即ち、ローデングエリア(0に設定した保温
fi(u)上に、ボート(イ)を載置する。
ート(イ)上に積載する。そして、このボート(イ)を
、図示しないボート搬送装置でローデングエリア(0に
搬送する。即ち、ローデングエリア(0に設定した保温
fi(u)上に、ボート(イ)を載置する。
そして、上記ボート(イ)を、搬送機構(ハ)により所
定量上昇させ、上記反応管(ト)内の予め定められた位
置に反応管■の内壁に接触させることなく搬入する。こ
の時、上記反応管■下端部と上記蓋体(10)を当接さ
せることにより、自動的にウェハの位置を位置決めする
と共に上記反応管(ト)内部を気密にする。次に、上記
反応管ω内を所望の低圧状態例えば0.1〜3 Tor
rに保つように図示しない真空ポンプで排気制御する。
定量上昇させ、上記反応管(ト)内の予め定められた位
置に反応管■の内壁に接触させることなく搬入する。こ
の時、上記反応管■下端部と上記蓋体(10)を当接さ
せることにより、自動的にウェハの位置を位置決めする
と共に上記反応管(ト)内部を気密にする。次に、上記
反応管ω内を所望の低圧状態例えば0.1〜3 Tor
rに保つように図示しない真空ポンプで排気制御する。
又、予めヒータ■に電力を印加し、ヒータ■を所望の温
度例えば500〜1000℃程度に設定する。そして、
上記設定後、上記排気制御しながらガス供給源から図示
しないマスフローコントローラ等で流量を調節しつつ処
理ガス例えばSiH4と0□を反応管■の内管(1b)
内に、ガス供給管(8)から所定時間供給する。すると
、反応管■内管(1b)内に設置されたウェハ(3)表
面には、下式■に示すSin、膜が堆積する。
度例えば500〜1000℃程度に設定する。そして、
上記設定後、上記排気制御しながらガス供給源から図示
しないマスフローコントローラ等で流量を調節しつつ処
理ガス例えばSiH4と0□を反応管■の内管(1b)
内に、ガス供給管(8)から所定時間供給する。すると
、反応管■内管(1b)内に設置されたウェハ(3)表
面には、下式■に示すSin、膜が堆積する。
SiH,+ 0□→Sin、 + 282↑ ・・・
・・・ ■又、処理済ガスは、所定のルートにより外管
(1a)に接続された排気管(9)から排気される。こ
のCVD処理後、処理ガスの供給を停止し、反応管■内
部を不活性ガス例えばN2ガスに置換し、常圧復帰する
。そして、上記処理後のウェハ(3)を積載したボート
(イ)をローデングエリア0に搬送機構■により搬送し
処理が終了する。
・・・ ■又、処理済ガスは、所定のルートにより外管
(1a)に接続された排気管(9)から排気される。こ
のCVD処理後、処理ガスの供給を停止し、反応管■内
部を不活性ガス例えばN2ガスに置換し、常圧復帰する
。そして、上記処理後のウェハ(3)を積載したボート
(イ)をローデングエリア0に搬送機構■により搬送し
処理が終了する。
本実施例の特徴的作用について説明する。
上記反応管■内に多数枚のウェハ■を搭載したボート(
へ)を挿入する過程を、蛍光灯(14)が点灯している
ので、目視Illを容易に行うことができ、この目視観
察によってローデング状態が把握でき、不具合状態を認
識できれば直ちにローデング駆動を瞬間に対応させるこ
とができる。
へ)を挿入する過程を、蛍光灯(14)が点灯している
ので、目視Illを容易に行うことができ、この目視観
察によってローデング状態が把握でき、不具合状態を認
識できれば直ちにローデング駆動を瞬間に対応させるこ
とができる。
また、搬送の受は渡しが不備に終り、ウェハ■を搭載し
たボート(へ)が隔離された領域の下面に落下して破損
すると、この破損片を容易に取り除くことが可能になる
。
たボート(へ)が隔離された領域の下面に落下して破損
すると、この破損片を容易に取り除くことが可能になる
。
上述したように、この実施例によれば、被処理体に所定
の処理す秘密な処理部と、この処理部に被処理体を搬送
するローデングエリアとを具備し、少なくとも上記ロー
デングエリアを周囲から隔離するように遮蔽された処理
装置で、上記被処理体が通過される上記ローデングエリ
アに照明灯を設けたことにより、隔離された上記ローデ
ングエリアが照明でき、ウェハを搭載したボートの搬送
課程が把握でき、このことにより、ボートの不安定状態
を防止でき、ひいては作業能率の向上につながる。
の処理す秘密な処理部と、この処理部に被処理体を搬送
するローデングエリアとを具備し、少なくとも上記ロー
デングエリアを周囲から隔離するように遮蔽された処理
装置で、上記被処理体が通過される上記ローデングエリ
アに照明灯を設けたことにより、隔離された上記ローデ
ングエリアが照明でき、ウェハを搭載したボートの搬送
課程が把握でき、このことにより、ボートの不安定状態
を防止でき、ひいては作業能率の向上につながる。
この発明は、上記実施例に限定するものではなく、例え
ば拡酸、酸化装置のアニール装置、エピタキシャル成長
装置等の熱処理装置やスパッタ・エツチング・イオン流
入装置等様々な処理をする装置に適用できる。
ば拡酸、酸化装置のアニール装置、エピタキシャル成長
装置等の熱処理装置やスパッタ・エツチング・イオン流
入装置等様々な処理をする装置に適用できる。
また上記照明灯で蛍光灯を利用したものについて説明し
たが、これに限定するものではなく、照明として用いら
れる照明手段、例えば電球、イルミネータ、グラスファ
イバを用いた照明等であれば何れでも良い。
たが、これに限定するものではなく、照明として用いら
れる照明手段、例えば電球、イルミネータ、グラスファ
イバを用いた照明等であれば何れでも良い。
さらに、上下動機構を側設した面に蛍光打釘を取り付け
るように説明したが、これに限定するものではなく、照
明部を一番目視しやすい所に設けるようにしても何ら問
題はない。
るように説明したが、これに限定するものではなく、照
明部を一番目視しやすい所に設けるようにしても何ら問
題はない。
さらに、被処理体をウェハを用いて説明したが、これに
限定するものてば無く、テレビ画面で有名な液晶画面(
または液晶表示装置ともいう)等であっても良い。
限定するものてば無く、テレビ画面で有名な液晶画面(
または液晶表示装置ともいう)等であっても良い。
第1図は本発明装置の照明灯装置を説明するためのロー
デングエリア断面説明図、第2図は第1図装置の一実施
例を説明するための縦型CVD装置断面説明図である。 2・・・処理部 5・・・上下動機構6・
・・ローデングエリア 12・・・搬入口13・・・
メンテナンス開閉口 14・・・蛍光灯第1図 特許出願人 チル相模株式会社 5rg肱代豚
デングエリア断面説明図、第2図は第1図装置の一実施
例を説明するための縦型CVD装置断面説明図である。 2・・・処理部 5・・・上下動機構6・
・・ローデングエリア 12・・・搬入口13・・・
メンテナンス開閉口 14・・・蛍光灯第1図 特許出願人 チル相模株式会社 5rg肱代豚
Claims (1)
- 被処理体に所定の処理する気密な処理部と、この処理部
に被処理体が搬送される搬送手段を配置したローデング
エリアとを具備し、少なくとも上記ローデングエリアを
周囲から隔離するように遮蔽された処理装置において、
上記被処理体が通過される上記ローデングエリアの隔離
空間部に照明灯を設けたことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203457A JP2670514B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203457A JP2670514B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252425A true JPH0252425A (ja) | 1990-02-22 |
| JP2670514B2 JP2670514B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=16474442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63203457A Expired - Lifetime JP2670514B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2670514B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652141U (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-15 | 光洋リンドバーグ株式会社 | 半導体熱処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106428U (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | ||
| JPS6367242U (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-06 | ||
| JPS63177426A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 気相成長方法及び装置 |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP63203457A patent/JP2670514B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106428U (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | ||
| JPS6367242U (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-06 | ||
| JPS63177426A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 気相成長方法及び装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652141U (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-15 | 光洋リンドバーグ株式会社 | 半導体熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2670514B2 (ja) | 1997-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6753506B2 (en) | System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing | |
| JP2729106B2 (ja) | ウェファ処理クラスタ・ツール・バッチ予熱及び脱気方法及び装置 | |
| JP2639771B2 (ja) | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 | |
| US4567352A (en) | Flashlight-radiant apparatus | |
| JP4421238B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理装置の洗浄方法 | |
| US7965927B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| JPH02138728A (ja) | 熱処理方法及びその装置 | |
| JP2001168047A (ja) | 半導体製造用加熱装置 | |
| JPH0252425A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2006093188A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| US5296412A (en) | Method of heat treating semiconductor wafers by varying the pressure and temperature | |
| TW201421545A (zh) | 被處理體的處理方法 | |
| KR0175065B1 (ko) | 종형 열처리 장치 | |
| JP3297857B2 (ja) | クラスタツール装置 | |
| JPH09143691A (ja) | 成膜・熱処理装置 | |
| JP4003206B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP4466942B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2003224079A (ja) | 熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2005243775A (ja) | 基板処理装置および雰囲気置換方法 | |
| JP2003100736A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH07161797A (ja) | 処理装置 | |
| JP2002057133A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4417023B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| CN118704085B (zh) | 一种mbe高纯源加料设备及加料方法 | |
| JP2006269810A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 12 |