JPH0252467A - Photosensor device - Google Patents

Photosensor device

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JPH0252467A
JPH0252467A JP63204330A JP20433088A JPH0252467A JP H0252467 A JPH0252467 A JP H0252467A JP 63204330 A JP63204330 A JP 63204330A JP 20433088 A JP20433088 A JP 20433088A JP H0252467 A JPH0252467 A JP H0252467A
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JP
Japan
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chassis
substrate
sensor
hole
thickness
Prior art date
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Pending
Application number
JP63204330A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Tamura
祐二 田村
Kazuhiko Tsuboi
一彦 坪井
Kazuo Arai
和夫 荒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
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Publication of JPH0252467A publication Critical patent/JPH0252467A/en
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Abstract

PURPOSE:To make a thickness of an upper-part support part of a chassis sufficiently thick to obtain mechanical strength by a method wherein both a first substrate and a second substrate for a contact-type image sensor are supported directly by the chassis in such a way that any other member exists between both substrates and the chassis. CONSTITUTION:A chassis 1 is molded by an extrusion operation from a billet of Al; after this molding operation, a slender through hole 1b is made by a stamping operation. An LED array 3 is fixed to an inclined plane 1c inside the chassis 1 via an LED array support sheet 4; a SELFOC lens array 5 is inserted partly into the through hole 1b made from a horizontal plane 1a inside the chassis 1 and is fixed to the chassis 1. In this manner, a common substrate is not formed; a sensor substrate 7 and a substrate 13 for drive circuit use are bonded directly to the rear surface of the chassis 1. By this structure, a thickness l1 under the horizontal plane 1a inside the chassis becomes larger by a thickness of a common substrate 22; the chassis 1 becomes solid; when the through hole 1b is formed by the stamping operation, the chassis 1 is not deformed. In addition, when the chassis is worked, the chassis is not distorted.

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、光センサ装置に関し、例えば密着型イメージ
センサに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A. Field of Industrial Application The present invention relates to an optical sensor device, for example, a contact type image sensor.

口、従来技術 近年、密着型イメージセンサがファクシミリやイメージ
リーダー等における画像(原稿)読み取り装置として開
発されている。このイメージセンサは、読み取り長さと
同一寸法で原稿に対してほぼ密着し、光電変換を行うよ
うに構成されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, contact image sensors have been developed as image (original) reading devices in facsimile machines, image readers, and the like. This image sensor has the same size as the reading length and is configured to come into close contact with the document and perform photoelectric conversion.

密着型イメージセンサ(以下、単に「イメージセンサ」
と呼ぶ、)は、シャーシ内に照明用LEDアレイ、セル
フォックレンズアレイが支持され、シャーシ底面の開口
に受光素子部が支持され、シャーシ上端に原稿載置用ガ
ラス板が取付けられてなっている。そして、LEDアレ
イの光が原稿を照射し、その反射光がセルフォックレン
ズアレイによって受光素子部の受光素子上に結像し、こ
の結像による原稿の像情報が電気信号に変換されて出力
するようになっている。
Close-contact image sensor (hereinafter simply "image sensor")
) has an LED array for illumination and a SELFOC lens array supported in the chassis, a light receiving element supported in the opening on the bottom of the chassis, and a glass plate for placing documents on the top of the chassis. . Then, the light from the LED array illuminates the document, and the reflected light forms an image on the light-receiving element of the light-receiving element section by the SELFOC lens array, and the image information of the document resulting from this image formation is converted into an electrical signal and output. It looks like this.

第6図はイメージセンサの一例を示す概略図である。5
1は原稿、52は照明用LED (発光ダイオード)ア
レイ、53はセルフォックレンズアレイ、57は原稿5
1のガイド板、40はイメージセンサモジュール、41
は支持体、49はアルミニウム板、Aは受光素子部、日
は配線部、Cは受光素子の駆動IC部である。このよう
な構成のイメージセンサ装置では、原稿51は照明用L
EDアレイ52により照明され、原稿51の面上の像は
反射光54としてセルフォックレンズアレイ53により
、センサアレイ基板41上の受光素子部Aに等倍の実像
として結像される。
FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of an image sensor. 5
1 is a document, 52 is an illumination LED (light emitting diode) array, 53 is a SELFOC lens array, and 57 is a document 5
1 guide plate, 40 an image sensor module, 41
49 is a support body, 49 is an aluminum plate, A is a light receiving element portion, 1 is a wiring portion, and C is a driving IC portion of the light receiving element. In the image sensor device having such a configuration, the document 51 is
Illuminated by the ED array 52, the image on the surface of the original 51 is focused as reflected light 54 by the SELFOC lens array 53 onto the light receiving element portion A on the sensor array substrate 41 as a real image of the same size.

ここで用いられるイメージセンサモジュール40として
は、例えば第7図に示す如き構造のものが知られている
。即ち、センサ基板60と駆動回路基板61が分離され
ていて、各々が共通の支持体41上に接着によって固定
されている。センサ基板60上には、半導体受光層であ
るアモルファスシリコンを用いた、例えばpin(図面
では簡略に示している。)の読み取り部62からなる受
光素子部Aと、読み取り部の出力を引き出す配線63を
設けた配線部日が形成されている。
As the image sensor module 40 used here, for example, one having a structure as shown in FIG. 7 is known. That is, the sensor board 60 and the drive circuit board 61 are separated, and each is fixed onto a common support 41 by adhesive. On the sensor substrate 60, there is a light-receiving element part A made of a semiconductor light-receiving layer made of amorphous silicon, for example, a PIN (simply shown in the drawing) reading part 62, and a wiring 63 for drawing out the output of the reading part. A wiring section is formed.

一方、駆動回路基板61上には、センサ駆動用の半導体
チップ64がマウントされ、その半導体チップに接続さ
れる電源線、信号線等65が形成されている。
On the other hand, a semiconductor chip 64 for driving the sensor is mounted on the drive circuit board 61, and power lines, signal lines, etc. 65 connected to the semiconductor chip are formed.

両基板60−61間の電気的接続は、駆動回路基板61
上の半導体チップ64と、センサ基板60上の配線63
とのワイヤボンディングにより行われている。このワイ
ヤボンディングには金線66を用い、最初のボンディン
グ(通常はパッド67上へのポールボンディング)を半
導体チップ64側に行い、それに続くボンディングをセ
ンサ基板60上の配線部側に行うのが一般的である。
The electrical connection between both boards 60-61 is made by the drive circuit board 61.
The upper semiconductor chip 64 and the wiring 63 on the sensor board 60
This is done by wire bonding with. For this wire bonding, a gold wire 66 is used, and the first bonding (usually pole bonding onto the pad 67) is performed on the semiconductor chip 64 side, and the subsequent bonding is generally performed on the wiring part side on the sensor board 60. It is true.

こうした実装構造においては、センサ基板60と駆動回
路基板61とが分離されているので、以下の利点が生じ
る。まず、一般にセンサ基板60の製造歩留りは低く、
駆動回路基板61の製造歩留りは高いが、この両基板を
別個に製造し、センサ基板60の良品を選別した後に実
装することが可能なため、製造上の効率が向上する。ま
た、センサ基板上に半導体チ・ンプ64をマウントする
領域が不要になり、センサ基板の面積が小さくなるため
、センサ基板を多数個取りで作る際には取れ数が増大し
、製造コストが低下する。
In such a mounting structure, since the sensor board 60 and the drive circuit board 61 are separated, the following advantages arise. First, the manufacturing yield of the sensor substrate 60 is generally low;
Although the manufacturing yield of the drive circuit board 61 is high, since both boards can be manufactured separately and mounted after selecting good sensor boards 60, manufacturing efficiency is improved. In addition, since the area for mounting the semiconductor chip 64 on the sensor board is no longer required, and the area of the sensor board is reduced, the number of parts to be taken out increases when making multiple sensor boards, reducing manufacturing costs. do.

また、駆動回路基板61上の半導体チップ64とセンサ
基板60上の配線部63との間の電気的接続が一回のワ
イヤボンディングにより行われるため、第7図の横方向
の長さが小さくなり、コンパクトなセンサモジュールを
形成することができる。
Furthermore, since the electrical connection between the semiconductor chip 64 on the drive circuit board 61 and the wiring part 63 on the sensor board 60 is made by one-time wire bonding, the lateral length in FIG. 7 is reduced. , a compact sensor module can be formed.

第7図のイメージセンサモジュール40では、センサ基
板60側から受光するようにしてあり、従ってセンサ基
板60はガラス基板としていて、共通の支持体41には
読み取り部62の位置に貫通孔41aを設けである。上
記ワイヤボンディングによる融着は超音波をエネルギー
源としてなされ、超音波が分散することなく効率的にワ
イヤボンディングがなされるよう、共通の支持体41は
金属、特にアルミニウム製(ガラスからなっていても良
い。)としている。
In the image sensor module 40 shown in FIG. 7, light is received from the sensor substrate 60 side, so the sensor substrate 60 is a glass substrate, and a through hole 41a is provided in the common support 41 at the position of the reading section 62. It is. The above-mentioned fusion by wire bonding is performed using ultrasonic waves as an energy source, and the common support 41 is made of metal, especially aluminum (or glass) so that the wire bonding can be performed efficiently without dispersing the ultrasonic waves. Good.).

第5図はイメージセンサの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of the image sensor.

シャーシ21はアルミニウム製であって押出し加工によ
って成形される。シャーシ21内のflJi斜面21c
にはLEDアレイ3がLEDアレイ支持板4を介して支
持されている。シャーシ21の上端部には原稿支持用ガ
ラス仮2が載置される。シャーシ21内の水平面21a
から設けられた貫通孔21bにセルフォックレンズアレ
イ5が一部嵌大してシャーシ21に固定されている。セ
ルフォックレンズアレイ5は、ガラスエポキシの枠内に
径0.9〜1.1胴のセルフォックレンズが2列に多数
配置され、シリコン樹脂で固定されてなっている。シャ
ーシ21の下面にはアルミニウムの共通基板22(第7
図の41に相当)が接着によって固定されていて、共通
基板22にはセルフォックレンズアレイ5の下に貫通孔
22a(第7図の41aに相当)が設けられている。
The chassis 21 is made of aluminum and is formed by extrusion. flJi slope 21c inside chassis 21
An LED array 3 is supported via an LED array support plate 4. A document supporting glass 2 is placed on the upper end of the chassis 21 . Horizontal surface 21a inside chassis 21
The SELFOC lens array 5 is partially fitted into the through-hole 21b provided in the through hole 21b and is fixed to the chassis 21. The SELFOC lens array 5 includes a large number of SELFOC lenses each having a diameter of 0.9 to 1.1 cylinders arranged in two rows within a glass epoxy frame and fixed with silicone resin. On the bottom surface of the chassis 21 is an aluminum common board 22 (seventh board).
A through hole 22a (corresponding to 41a in FIG. 7) is provided in the common substrate 22 under the SELFOC lens array 5.

共通基板22には、読み取り部6(第7図の62に相当
)及び配線19(第7図の63に相当)を配置したガラ
スのセンサ基板7(第7図の60に相当)と、ICチッ
プ8(第7図の64に相当)及び信号線9(第7図の6
5に相当)を配置したガラスエポキシの駆動回路用基板
13(第7図の61に相当)とが固定されている。IC
チップ8は配線19及び信号線9にワイヤ10.10(
第7図の66.66に相当)によってワイヤボンディン
グで接続している。図中12は、信号線9を外部配線に
接続するためのコネクタである。
The common board 22 includes a glass sensor board 7 (corresponding to 60 in FIG. 7) on which a reading section 6 (corresponding to 62 in FIG. 7) and wiring 19 (corresponding to 63 in FIG. 7) are arranged, and an IC. Chip 8 (corresponding to 64 in Fig. 7) and signal line 9 (corresponding to 64 in Fig. 7)
A glass epoxy drive circuit board 13 (corresponding to 61 in FIG. 7) on which a glass epoxy drive circuit board 13 (corresponding to 61 in FIG. 7) is arranged is fixed. IC
The chip 8 connects the wiring 19 and the signal line 9 with wires 10 and 10 (
(corresponding to 66 and 66 in FIG. 7) are connected by wire bonding. In the figure, 12 is a connector for connecting the signal line 9 to external wiring.

LEDアレイ3からの光はガラス板2を通してその上で
移動しつつある原稿(図示せず)を照射し、その反射光
がセルフォックレンズアレイ5、シャーシの貫通孔21
b及びセンサ基板7を通って読み取り部6に結像する。
The light from the LED array 3 passes through the glass plate 2 and illuminates a document (not shown) that is moving on it, and the reflected light enters the SELFOC lens array 5 and the through hole 21 of the chassis.
b and passes through the sensor board 7 to form an image on the reading unit 6.

この像情報は電気信号に変換され、ICチンプ8、コネ
クタ12を経由して外部に出力する。シャーシ21の下
側は裏蓋14によって、シャーシ21の側面(図に於い
て正面及び背面)の開口は横M15によって夫々塞がれ
る。
This image information is converted into an electrical signal and output to the outside via the IC chimp 8 and the connector 12. The lower side of the chassis 21 is closed by the back cover 14, and the openings on the side surfaces (the front and back sides in the figure) of the chassis 21 are closed by the lateral M15.

第5図〜第7図の構造のイメージセンサは、前述したよ
うな利点を有するのであるが、本発明者が検討を加えた
結果、次のような欠点を有することが判明した。
Although the image sensor having the structure shown in FIGS. 5 to 7 has the above-mentioned advantages, as a result of studies conducted by the present inventor, it has been found that the image sensor has the following drawbacks.

(1)共通基板22の存在により、シャーシの水平面下
の厚さ(第5図にf!、2で示す。)が共通基板22の
厚さだけ減少することになってPlさ!2が小さくなる
。シャーシの貫通孔21bは押出し成形された素材に打
抜きによって形成させるので、厚さ2□が小さいとこの
打抜き加工時にシャーシが変形することがある。
(1) Due to the presence of the common board 22, the thickness below the horizontal plane of the chassis (indicated by f!, 2 in FIG. 5) is reduced by the thickness of the common board 22. 2 becomes smaller. Since the through-hole 21b of the chassis is formed by punching an extruded material, if the thickness 2□ is small, the chassis may be deformed during the punching process.

(2)センサ基板7及び駆動回路用基板13を共通基板
22に接着してから共通基板22をシャーシ21に接着
するので、接着作業を2回行わねばならず、手数がかか
る。
(2) Since the sensor board 7 and the drive circuit board 13 are bonded to the common board 22 and then the common board 22 is bonded to the chassis 21, the bonding work must be performed twice, which is time consuming.

(3)上記2回の接着により、各基板の上下方向の位置
の誤差が累積されて読み取り部6の位置を正確にするの
が難しく、焦点合せが難しい。
(3) Due to the above-mentioned bonding twice, errors in the vertical position of each substrate are accumulated, making it difficult to accurately position the reading section 6 and making focusing difficult.

ハ1発明の目的 本発明は、部品点数が減少して組立てが容易であり、か
つ精度の良い光センサ装置を提供することを目的として
いる。
C.1 Purpose of the Invention The present invention aims to provide an optical sensor device that has a reduced number of parts, is easy to assemble, and has high precision.

二1発明の構成 本発明は、受光素子部及びこの受光素子部の配線部を支
持する第一の基体と、半導体チップを支持する第二の基
体と、少なくとも前記第一及び第一の基体を支持するシ
ャーシとを有し、前記第一及び第二の基体が共に前記シ
ャーシに直接支持され、かつ、前記配線部と前記半導体
チップとが電気的に接続されている光センサ装置に係る
21 Structure of the Invention The present invention comprises a first base that supports a light-receiving element portion and a wiring portion of the light-receiving element portion, a second base that supports a semiconductor chip, and at least the first and first bases. The present invention relates to an optical sensor device having a supporting chassis, wherein both the first and second base bodies are directly supported by the chassis, and the wiring portion and the semiconductor chip are electrically connected.

なお、上記「直接支持」とは、第一及び第二の基体が実
質的に他の部材を介するごとなくシャーシに支持されて
いることを意味し、また、上記「シャーシJは、例えば
押出し加工によって成形された単一部材のみならず、前
記支持の面に基(反固定用部材がシャーシ本体に一体に
設けられた構造のものを含む。
Note that the above-mentioned "direct support" means that the first and second base bodies are supported by the chassis substantially without intervening other members, and the above-mentioned "chassis J is formed by, for example, extrusion processing. This includes not only a single member formed by molding, but also a structure in which an anti-fixing member is integrally provided on the support surface.

ホ、実施例 以下、本発明の詳細な説明する。E, Example The present invention will be explained in detail below.

第1図及び第3図はイメージセンサを示し、第1図は第
3図のI−1線矢視断面図、第3図は第1図のlll−
1線矢視断面図である。なお、第5図と共通する部分は
同じ符号を付して表わしてあり、これらの機能は前述の
説明と同様であるので説明を省略する。
1 and 3 show image sensors, FIG. 1 is a sectional view taken along the line I-1 in FIG. 3, and FIG.
It is a 1-line arrow sectional view. Note that the parts common to those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and since their functions are the same as those described above, their description will be omitted.

第4図はシャーシの平面図である。前述したように、シ
ャーシ1はアルミニウムのビレットがら押出し加工によ
って成形され、成形後に打抜きによって細長の貫通孔1
bが形成される。
FIG. 4 is a plan view of the chassis. As mentioned above, the chassis 1 is formed by extrusion processing from an aluminum billet, and after forming, the elongated through hole 1 is formed by punching.
b is formed.

第5図と同様に、LEDアレイ3はLEDアレイ支持板
4を介してシャーシ1内の傾斜面1cに固定され、セル
フォックレンズアレイ5はシャーシ1内の水平面1aか
ら設けられた貫通孔1bに一部嵌大してシャーシ1に固
定される。
Similarly to FIG. 5, the LED array 3 is fixed to the inclined surface 1c in the chassis 1 via the LED array support plate 4, and the SELFOC lens array 5 is inserted into the through hole 1b provided from the horizontal surface 1a in the chassis 1. It is partially enlarged and fixed to the chassis 1.

本例で注目すべきことは、共通基板(第5図の22)を
設けておらず、センサ基板7及び駆動回路用基板13が
シャーシ1の下面に直接接着されていることである。こ
の接着にはエポキシ樹脂系の接着剤が使用される。
What should be noted in this example is that a common board (22 in FIG. 5) is not provided, and the sensor board 7 and drive circuit board 13 are directly bonded to the bottom surface of the chassis 1. An epoxy resin adhesive is used for this bonding.

このような構造としているので、シャーシ内の水平面1
a下の厚さ!1は、第5図の厚さ2□に対して共通基板
22の厚さだけ大きくなってシャーシ1は堅固なものと
なり、貫通孔1bを打抜きによって形成するに際してシ
ャーシ1が変形することがない。その上、接着が1回で
あるので読み取り部6の上下方向の位置の誤差が小さく
なってその焦点合せが正確にかつ容易にでき、前述のシ
ャーシに歪が生じないことと相俟って精度の良いイメー
ジセンサとなる。また、第5図の共通基板22を設けな
いことにより、部品点数が減少し、接着工程も1工程で
済むので組立て作業が簡単になる。なお、ワイヤー0.
10によるワイヤボンディング接続は、両基板7.13
のシャーシ1への接着後にシャーシ1の上下を逆にして
おいて行つ。
With this structure, the horizontal surface 1 inside the chassis
Thickness under a! 1 is larger than the thickness 2□ in FIG. 5 by the thickness of the common substrate 22, and the chassis 1 becomes rigid, and the chassis 1 is not deformed when the through hole 1b is formed by punching. Furthermore, since the bonding is done only once, the error in the vertical position of the reading section 6 is reduced, making it possible to focus accurately and easily.This, combined with the fact that the chassis is not distorted as described above, improves accuracy. It becomes a good image sensor. Furthermore, since the common board 22 shown in FIG. 5 is not provided, the number of parts is reduced and the bonding process can be completed in one step, thereby simplifying the assembly work. In addition, wire 0.
10 wire bonding connections are made on both boards 7.13
After adhering to the chassis 1, the chassis 1 is turned upside down.

次に、本例に於ける読み取り部6の構造について説明す
る。
Next, the structure of the reading section 6 in this example will be explained.

第2図は第3図の■−■線矢視拡大部分断面図である。FIG. 2 is an enlarged partial sectional view taken along the line ■--■ in FIG.

読み取り部6は、I To (Indium Tin 
0xide)からなる透明導電膜16と、これに接続す
るクロム又はアルミニウムの第一の電極17と、透明4
品 電膜9上の水素を含んだ非晶質シリコンを主成分とする
pin半導体受光層18と、これに接続するクロム又は
アルミニウムの第二の電極(配線)19とからなって受
光素子部を構成し、pinとしである。第2図ではこれ
らの層は厚さを誇張して画いである。駆動用ICチップ
8にはワイヤー0.10がワイヤボンディングされ、一
方のワイヤー0は配線19にワイヤボンディングで接続
し、他方のワイヤ10は信号線9にワイヤボンディング
で接続する。駆動用ICチップ8は、ワイヤ10.10
をも含めて例えばシリコン樹脂11によって封止、保護
される。読み取り部6及び駆動用ICチップ8は、シャ
ーシ1、センサ基板7の長手方向に多数が夫々1列に並
んで設けられている。
The reading unit 6 is I To (Indium Tin).
A transparent conductive film 16 made of a transparent conductive film 16 made of
The light-receiving element portion is composed of a pin semiconductor light-receiving layer 18 on which the main component is amorphous silicon containing hydrogen, and a second electrode (wiring) 19 made of chromium or aluminum connected to this layer. Configure it and set the pin. In FIG. 2, these layers are exaggerated in thickness. Wires 0.10 are wire-bonded to the driving IC chip 8, one wire 0 is connected to the wiring 19 by wire bonding, and the other wire 10 is connected to the signal line 9 by wire bonding. The driving IC chip 8 is connected to the wire 10.10.
, and are sealed and protected by, for example, silicone resin 11. A large number of reading units 6 and driving IC chips 8 are arranged in a row in the longitudinal direction of the chassis 1 and the sensor board 7, respectively.

本例のようにセンサ基板を透明なガラス製とし、読み取
り部をpinとしてセンサ基板を通して受光することに
より、次のような利点がもたらされる。[TOの透明導
電膜を設けたガラス基板は市販されているので、これを
使用することにより、例えば太陽電池の製造と同じ工程
で読み取り部を形成せしめることができ、製造コス1〜
を低減できる。また、読み取り部に保護層(実施例では
図示省略した。)を設けるのにこれを透明とする必要が
なく、任意の保護層が選択できる。
By making the sensor substrate made of transparent glass as in this example, and using the reading section as a pin to receive light through the sensor substrate, the following advantages are brought about. [Glass substrates provided with TO transparent conductive films are commercially available, so by using them, the reading section can be formed in the same process as, for example, manufacturing solar cells, and the manufacturing cost is 1~
can be reduced. Further, when providing a protective layer (not shown in the embodiment) on the reading section, it is not necessary to make it transparent, and any protective layer can be selected.

上記の実施例のほか、本発明の技術思想に基いて種々の
変形が可能である。例えば、前記のワイヤボンディング
による電気的接続に替えて、フィルムキャリアテープに
よる電気的接続又はビームリードによる電気的接続を採
用して良い。また、シャーシに設けた貫通孔(第4図の
lb)を打抜き加工によって設けるのに替えて、押出し
加工によるシャーシ成形時にシャーシの全長に亘って上
記貫通孔と同じ幅の空間を設けるようにしても良い。こ
の場合は、シャーシ成形時にシャーシ上端に天蓋を一体
に設け、原稿照射のために天蓋にスリットを原稿の幅の
範囲に設ける。また、読み取り部の構造も、pinのほ
か、ブレーナ型やショットキバリアその他のサンドイン
チ構造が採用可能であり、駆動方式もIC駆動タイプ、
マトリックスタイプ等が可能である。読み取り部も密着
型以外にもできる。
In addition to the embodiments described above, various modifications are possible based on the technical idea of the present invention. For example, instead of the electrical connection using wire bonding, electrical connection using a film carrier tape or electrical connection using a beam lead may be used. Also, instead of forming the through hole (lb in Figure 4) in the chassis by punching, a space with the same width as the through hole is provided over the entire length of the chassis when the chassis is formed by extrusion. Also good. In this case, a canopy is integrally provided at the upper end of the chassis during chassis molding, and a slit is provided in the canopy within the width of the original for illumination of the original. In addition, the structure of the reading section can be a PIN type, a Brenna type, a Schottky barrier, or another type of sandwich structure, and the drive method can also be an IC drive type,
Matrix type etc. are possible. The reading section can also be of a type other than the contact type.

へ0発明の効果 本発明は、第一及び第二の基体が共にシャーシに直接支
持されているので、両基体とシャーシとの間に他の部材
が存在せず、シャーシの上部支持の部分の厚さを機械的
強度を持たせるのに充分な厚さとすることができる。従
って、シャーシ加工時にシャーシが歪むことがなく、ま
た部品点数が城って第一の基体に支持されている受光素
子部の位置の誤差が小さくなる。その結果、光センサ装
置の精度、歩留り共に向上し、更に部品点数が減ること
によってその組立て作業も簡単になって製造コストが低
減される。
Effects of the Invention In the present invention, since both the first and second base bodies are directly supported by the chassis, there are no other members between the two base bodies and the chassis, and the upper support portion of the chassis is The thickness can be made sufficient to provide mechanical strength. Therefore, the chassis is not distorted during chassis processing, the number of parts is reduced, and errors in the position of the light receiving element supported by the first base body are reduced. As a result, the accuracy and yield of the optical sensor device are improved, and the number of parts is reduced, which simplifies the assembly process and reduces manufacturing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第4図は本発明の実施例を示すものであって、 第1図は密着型イメージセンサの断面図(第3図の[−
I線矢視断面図)、 第2図は読み取り部(受光素子部)及びその周辺の断面
図(第3図の■−■綿矢視拡大部分断面図)、 第3図は第1図の■−■綿矢視断面図、第4図はシャー
シの平面図 である。 第5図〜第7図は従来例を示すものであって、第5図は
密着型イメージセンサの第1図と同様の断面図、 第6図は密着型イメージセンサの構造を説明するための
概略図、 第7図はイメージセンサモジμmルの断面図である。 なお、図面に示された符号において、 1・・・・・・・・・シャーシ 1a・・・・・・・・・シャーシ内の水平面1b・・・
・・・・・・シャーシの貫通孔3・・・・・・・・・L
EDアレイ 5・・・・・・・・・セルフォックレンズアレイ6・・
・・・・・・・読み取り部 7・・・・・・・・・センサ基板 8・・・・・・・・・駆動用ICチップ0・・・・・−
・・・接続用ワイヤ 3・・・・・・・・・駆動回路用基板 6・・・・・・・・・透明導電膜 7・・・・・・・・・第一の電極 8・・・・・・・・・半導体受光層 19・・・・・・・・・第二の電極(配線)である。 代理人   弁理士  逢坂 宏 第3 図 第6 図 第4 図 第7図 (自発) 手続行11正書 (1)、 明細書第11頁13〜14行目の 「透明導電膜9」 を 「透明導電膜16」 と訂正します。 )、 図面の第2図を別紙の通りに訂正します。 以 上〜 1゜ 事件の表示 昭和63年 特許願第204330号 2゜ 発明の名称 光センサ装置 3゜ 補正をする者 事件との関係
1 to 4 show embodiments of the present invention, and FIG. 1 is a cross-sectional view of a contact type image sensor ([-] in FIG. 3).
Figure 2 is a cross-sectional view of the reading section (light-receiving element) and its surroundings (enlarged partial cross-sectional view of ■-■ A sectional view taken along the arrows, and FIG. 4 is a plan view of the chassis. 5 to 7 show conventional examples, in which FIG. 5 is a sectional view similar to FIG. 1 of the contact type image sensor, and FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the structure of the contact type image sensor. The schematic diagram, FIG. 7, is a cross-sectional view of the image sensor module μm. In addition, in the symbols shown in the drawings, 1... Chassis 1a... Horizontal surface 1b in the chassis...
・・・・・・Chassis through hole 3・・・・・・・・・L
ED array 5...Selfoc lens array 6...
...Reading section 7...Sensor board 8...Drive IC chip 0...-
... Connection wire 3 ... Drive circuit board 6 ... Transparent conductive film 7 ... First electrode 8 ... . . . Semiconductor light-receiving layer 19 . . . Second electrode (wiring). Representative Patent Attorney Hiroshi Osaka 3 Figure 6 Figure 4 Figure 7 (self-motivated) Procedural line 11 official book (1), page 11 of the specification, lines 13-14, ``transparent conductive film 9'' is referred to as ``transparent''. I corrected it to ``conductive film 16''. ), Figure 2 of the drawing will be corrected as shown in the attached sheet. Above ~ 1゜Indication of the case 1988 Patent Application No. 204330 2゜Name of the invention Optical sensor device 3゜Relationship with the person who makes the amendment

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、受光素子部及びこの受光素子部の配線部を支持する
第一の基体と、半導体チップを支持する第二の基体と、
少なくとも前記第一及び第二の基体を支持するシャーシ
とを有し、前記第一及び第二の基体が共に前記シャーシ
に直接支持され、かつ、前記配線部と前記半導体チップ
とが電気的に接続されている光センサ装置。
1. A first base body that supports a light-receiving element part and a wiring part of this light-receiving element part, and a second base body that supports a semiconductor chip;
a chassis that supports at least the first and second substrates, the first and second substrates are both directly supported by the chassis, and the wiring section and the semiconductor chip are electrically connected. optical sensor device.
JP63204330A 1988-08-17 1988-08-17 Photosensor device Pending JPH0252467A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101666U (en) * 1989-01-31 1990-08-13

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101666U (en) * 1989-01-31 1990-08-13

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