JPH0252476A - 半導体レーザ出力制御装置 - Google Patents
半導体レーザ出力制御装置Info
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- JPH0252476A JPH0252476A JP63203669A JP20366988A JPH0252476A JP H0252476 A JPH0252476 A JP H0252476A JP 63203669 A JP63203669 A JP 63203669A JP 20366988 A JP20366988 A JP 20366988A JP H0252476 A JPH0252476 A JP H0252476A
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- semiconductor laser
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- laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザプリンタ、レーザファクシミリ、レー
ザ書込み複写機等における半導体レーザ出力制御装置に
関する。
ザ書込み複写機等における半導体レーザ出力制御装置に
関する。
従来の技術
レーザビームプリンタ等においては、レーザビームのパ
ワーを一定にするため、半導体レーザのレーザパワー（
光出力）を検出する検出器（これは、半導体レーザパッ
ケージ内にフォトダイオードを使用すると簡単な構成と
なる）を備え、この検出器からの出力信号に応じて半導
体レーザに注入する定電流源からの電流値を変えること
により、レーザビームのパワーを一定化する方法は既に
知られている。
ワーを一定にするため、半導体レーザのレーザパワー（
光出力）を検出する検出器（これは、半導体レーザパッ
ケージ内にフォトダイオードを使用すると簡単な構成と
なる）を備え、この検出器からの出力信号に応じて半導
体レーザに注入する定電流源からの電流値を変えること
により、レーザビームのパワーを一定化する方法は既に
知られている。
このような制御を、第３図に示すレーザプリンタの例で
説明する。まず、半導体レーザ１より射出されたレーザ
ビームはコリメートレンズ２によりコリメートされ、回
転多面鏡よりなる光走査装置３で偏向され、ｆθレンズ
４により感光体５の帯電された表面に結像される。この
結像スポットが光走査装置３の回転に従い矢印Ｘ方向な
る主走査方向に反復して移動すると同時に、感光体５が
回転して副走査する。第１の光検出器６は感光体５の軸
心方向において情報書込み領域外に設けられ、光走査装
置３で偏向されたレーザビームを検出して同期信号を発
生させる。信号処理回路７は情報信号（ビデオデータ）
を半導体レーザ駆動回路８に印加するが、そのタイミン
グを光検出器６からの同期信号により制御する。
説明する。まず、半導体レーザ１より射出されたレーザ
ビームはコリメートレンズ２によりコリメートされ、回
転多面鏡よりなる光走査装置３で偏向され、ｆθレンズ
４により感光体５の帯電された表面に結像される。この
結像スポットが光走査装置３の回転に従い矢印Ｘ方向な
る主走査方向に反復して移動すると同時に、感光体５が
回転して副走査する。第１の光検出器６は感光体５の軸
心方向において情報書込み領域外に設けられ、光走査装
置３で偏向されたレーザビームを検出して同期信号を発
生させる。信号処理回路７は情報信号（ビデオデータ）
を半導体レーザ駆動回路８に印加するが、そのタイミン
グを光検出器６からの同期信号により制御する。
一方、半導体レーザ駆動回路８は信号処理回路７からの
情報信号に応じて半導体レーザ１を駆動する。従って、
情報信号で変調されたレーザビームが感光体５上に照射
されて静電潜像が形成される。この静電潜像は現像器（
図示せず）により現像され、転写器（図示せず）により
紙などに転写される。
情報信号に応じて半導体レーザ１を駆動する。従って、
情報信号で変調されたレーザビームが感光体５上に照射
されて静電潜像が形成される。この静電潜像は現像器（
図示せず）により現像され、転写器（図示せず）により
紙などに転写される。
また、半導体レーザ１から後方に射出されるレーザビー
ムは光検出手段としての第２の光検出器９に入射し、そ
の光強度が検出される。この光検出器９の出力信号に応
じて制御回路１０が半導体レーザ駆動回路８を制御して
半導体レーザ１の出力光量が一定になるように制御する
。この場合、半導体レーザ１から後方に射出されるレー
ザビームを光検出器９に入射させてその光強度を検出さ
せるようにしているが、これは前述した如き半導体レー
ザパッケージ内に封入された光検出器を利用する場合に
相当するものである。この方式によれば、前方に射出さ
れるレーザビームの一部を光検出器に導く光強度検出方
式のように実際に利用できるレーザビームの光強度を低
下させることがなく有利である。
ムは光検出手段としての第２の光検出器９に入射し、そ
の光強度が検出される。この光検出器９の出力信号に応
じて制御回路１０が半導体レーザ駆動回路８を制御して
半導体レーザ１の出力光量が一定になるように制御する
。この場合、半導体レーザ１から後方に射出されるレー
ザビームを光検出器９に入射させてその光強度を検出さ
せるようにしているが、これは前述した如き半導体レー
ザパッケージ内に封入された光検出器を利用する場合に
相当するものである。この方式によれば、前方に射出さ
れるレーザビームの一部を光検出器に導く光強度検出方
式のように実際に利用できるレーザビームの光強度を低
下させることがなく有利である。
次に、レーザ駆動回路８と制御回路１０との詳細を第４
図に示す。まず、光検出器９により検出され増幅器１１
により増幅されたレーザビームの強度に比例した出力Ｖ
ｐｄは、比較手段としての比較器１２において基準電圧
Ｖ ｒｅｆと比較され、その比較結果に応じて高レベル
又は低レベルの信号を出力する。Ｖ ｐｄ ＜ Ｖ ｒ
ｅｆの時に低レベル、Ｖｐｄ≧Ｖ ｒｅｆの時に高レベ
ルとなる。
図に示す。まず、光検出器９により検出され増幅器１１
により増幅されたレーザビームの強度に比例した出力Ｖ
ｐｄは、比較手段としての比較器１２において基準電圧
Ｖ ｒｅｆと比較され、その比較結果に応じて高レベル
又は低レベルの信号を出力する。Ｖ ｐｄ ＜ Ｖ ｒ
ｅｆの時に低レベル、Ｖｐｄ≧Ｖ ｒｅｆの時に高レベ
ルとなる。
比較器１２の出力が高レベルである場合、即ち、半導体
レーザ１の光出力Ｖｐｄが基準電圧Ｖ ｒｅｆより大き
い場合には、タイミング信号ＰＣＨＫによりエツジ検出
器１３（比較器１２からの出力の変わり目を検出し、ア
ップダウンカウンタ１４のカウント動作の許可／禁止を
制御する）を介してアップダウンカウンタ１４のカウン
ト動作が許可されると、アップダウンカウンタ１４はダ
ウンカウンタとして動作する。アップダウンカウンタ１
４の出力はＤ／Ａコンバータ１５でアナログ出力に変換
され、その出力に応じて半導体レーザ駆動回路８から半
導体レーザ１への電流が変えられる。
レーザ１の光出力Ｖｐｄが基準電圧Ｖ ｒｅｆより大き
い場合には、タイミング信号ＰＣＨＫによりエツジ検出
器１３（比較器１２からの出力の変わり目を検出し、ア
ップダウンカウンタ１４のカウント動作の許可／禁止を
制御する）を介してアップダウンカウンタ１４のカウン
ト動作が許可されると、アップダウンカウンタ１４はダ
ウンカウンタとして動作する。アップダウンカウンタ１
４の出力はＤ／Ａコンバータ１５でアナログ出力に変換
され、その出力に応じて半導体レーザ駆動回路８から半
導体レーザ１への電流が変えられる。
この場合であれば、半導体レーザ１の駆動電流が減少し
、増幅器１１の出力電圧が低下する。そして、比較器１
２の出力が高レベルから低レベルに反転すると、アップ
ダウンカウンタ１４のカウント動作を禁止する。
、増幅器１１の出力電圧が低下する。そして、比較器１
２の出力が高レベルから低レベルに反転すると、アップ
ダウンカウンタ１４のカウント動作を禁止する。
一方、比較器１２の出力が低レベル（即ち、半導体レー
ザ１め光出力Ｖｐｄが基準電圧Ｖ ｒｅｆより小）の場
合に、タイミング信号ＰＣＨＫによりアップダウンカウ
ンタ１４のカウント動作が許可されると、アップダウン
カウンタ１４はアップカウンタとして動作する。そして
、アップダウンカウンタ１４の出力はＤ／Ａコンバータ
１５でアナログ出力に変換され、その出力に応じて半導
体レーザ駆動回路８から半導体レーザ１への゛正流が変
化する。
ザ１め光出力Ｖｐｄが基準電圧Ｖ ｒｅｆより小）の場
合に、タイミング信号ＰＣＨＫによりアップダウンカウ
ンタ１４のカウント動作が許可されると、アップダウン
カウンタ１４はアップカウンタとして動作する。そして
、アップダウンカウンタ１４の出力はＤ／Ａコンバータ
１５でアナログ出力に変換され、その出力に応じて半導
体レーザ駆動回路８から半導体レーザ１への゛正流が変
化する。
このように比較器１２からの出力が高レベルから低レベ
ルに反転した時点でカウント動作を停止することにより
第５図（ａ）に示すように基Ｑ電圧Ｖ ｒｅｆより若干
低い光出力に保持される。一方、比較器１２からの出力
が低レベルから高レベルに反転した時点でカウント動作
を停止させると第５図（ｂ）に示すように基ヘヘ電圧Ｖ
ｒｅｆより若干高い光出力に保持されることになる。
ルに反転した時点でカウント動作を停止することにより
第５図（ａ）に示すように基Ｑ電圧Ｖ ｒｅｆより若干
低い光出力に保持される。一方、比較器１２からの出力
が低レベルから高レベルに反転した時点でカウント動作
を停止させると第５図（ｂ）に示すように基ヘヘ電圧Ｖ
ｒｅｆより若干高い光出力に保持されることになる。
つまり、Ｖｐｄ≧Ｖ ｒｅｆの時とＶｐｄ＜Ｖｒｅｆの
時とでは出力状態の基準電圧Ｖ ｒｅｆに対して高低が
入れ代わった時点でカウンタ１４を止めると、安定状態
の電圧に八■で示すような差が生じることになる。
時とでは出力状態の基準電圧Ｖ ｒｅｆに対して高低が
入れ代わった時点でカウンタ１４を止めると、安定状態
の電圧に八■で示すような差が生じることになる。
そこで、比較器１２の出力が低レベルから高レベルに反
転した時はアップダウンカウンタ１４をダウンカウンタ
として動作するようにする。こうすれば、低レベルから
高レベルに反転し、再度、高レベルから低レベルに反転
した時にカウント動作が止められ、第５図（Ｃ）に示す
ように基準電圧Ｖ ｒｅｆよりも若干低い光出力に維持
され、何れの場合も第５図（ａ）か第５図（ｃ）の状態
となり、常に一定の光出力に保持される。即ち、半導体
レーザ１の保持電流は常に一定となる。
転した時はアップダウンカウンタ１４をダウンカウンタ
として動作するようにする。こうすれば、低レベルから
高レベルに反転し、再度、高レベルから低レベルに反転
した時にカウント動作が止められ、第５図（Ｃ）に示す
ように基準電圧Ｖ ｒｅｆよりも若干低い光出力に維持
され、何れの場合も第５図（ａ）か第５図（ｃ）の状態
となり、常に一定の光出力に保持される。即ち、半導体
レーザ１の保持電流は常に一定となる。
これは、逆に、アップダウンカウンタ１４は半導体レー
ザ１の光出力が減少し基準電圧Ｖ ｒｅｆを赳えた時に
はカウント動作禁止とはならず、半導体レーザ１の光出
力が増加し基準電圧Ｖｒｅｆを越えた時にカウント動作
禁止となるようにしても、半導体レーザ１の保持電流を
常に一定とすることができる。
ザ１の光出力が減少し基準電圧Ｖ ｒｅｆを赳えた時に
はカウント動作禁止とはならず、半導体レーザ１の光出
力が増加し基準電圧Ｖｒｅｆを越えた時にカウント動作
禁止となるようにしても、半導体レーザ１の保持電流を
常に一定とすることができる。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来方式による場合において、例え
ば第４図中のＤ／Ａコンバータ１５の分解能を８ビツト
である場合に、更に精度を上げたい場合には、このＤ／
Ａコンバータ１５を分解能の高いものに交換しなければ
ならず、多大なるコストアップとなる。
ば第４図中のＤ／Ａコンバータ１５の分解能を８ビツト
である場合に、更に精度を上げたい場合には、このＤ／
Ａコンバータ１５を分解能の高いものに交換しなければ
ならず、多大なるコストアップとなる。
この点について、更に説明する。第４図において、Ｄ／
Ａコンバータ１５の入力データの全てがＬ”の場合に半
導体レーザｌに注入される電流が０であり、入力データ
が“°Ｈ”の場合に半導体レーザ１に注入される電流が
最大Ｉ ｍａｘとなるように設定される（両者の関係が
全く逆でもよい）。
Ａコンバータ１５の入力データの全てがＬ”の場合に半
導体レーザｌに注入される電流が０であり、入力データ
が“°Ｈ”の場合に半導体レーザ１に注入される電流が
最大Ｉ ｍａｘとなるように設定される（両者の関係が
全く逆でもよい）。
この時、Ｄ／Ａコンバータ１５の分解能を８ビツト＝２
５６とすると、入力データが１カウント進む毎にＩ’ｍ
ａｘ ／ ２５６の電流が変化することになる。
５６とすると、入力データが１カウント進む毎にＩ’ｍ
ａｘ ／ ２５６の電流が変化することになる。
ここに、半導体レーザ１への注入電流に対する半導体レ
ーザ１の出力特性の一例を示すと第６図に示すようにな
る（図示例は、はぼ標市的なものである）。この特性例
によれば、約４０ｍＡの注入電流からレーザ発振し、７
０ｍＡ前後で定格出力の５ｍＷとなる。即ち、Ｉｍａｘ
＝７０ｍＡであり、Ｄ／Ａコンバータ１５の１ステツプ
は７０ｍＡ／２５６４０．３ｍＡにより、約０．３ｍＡ
となる。ところが、第６図よりスロープ効率を考えると
、５ｍＷ／ （７０−５０）ｍＡ’；０．２５ｍＷ／ｍ
Ａとなる。従って、１ステツプの゛乱流変化０．３ｍＡ
では、０．２５ｍＷ／ｍＡＸ０．３ｍＡによりＯ，１ｍ
Ｗの出力変化となる。そこで、半導体レーザ１の出力を
より高精度に制御し高画像品質化を図るため、これより
も更に細かい出力変化、従って、更に微小なるステップ
での電流制御が必要な場合には、Ｄ／Ａコンバータ１５
の分解能を上げざるを得す、コスト高となるものである
。
ーザ１の出力特性の一例を示すと第６図に示すようにな
る（図示例は、はぼ標市的なものである）。この特性例
によれば、約４０ｍＡの注入電流からレーザ発振し、７
０ｍＡ前後で定格出力の５ｍＷとなる。即ち、Ｉｍａｘ
＝７０ｍＡであり、Ｄ／Ａコンバータ１５の１ステツプ
は７０ｍＡ／２５６４０．３ｍＡにより、約０．３ｍＡ
となる。ところが、第６図よりスロープ効率を考えると
、５ｍＷ／ （７０−５０）ｍＡ’；０．２５ｍＷ／ｍ
Ａとなる。従って、１ステツプの゛乱流変化０．３ｍＡ
では、０．２５ｍＷ／ｍＡＸ０．３ｍＡによりＯ，１ｍ
Ｗの出力変化となる。そこで、半導体レーザ１の出力を
より高精度に制御し高画像品質化を図るため、これより
も更に細かい出力変化、従って、更に微小なるステップ
での電流制御が必要な場合には、Ｄ／Ａコンバータ１５
の分解能を上げざるを得す、コスト高となるものである
。
問題点を解決するための手段
半導体レーザからの光出力を検出する光検出手段と、こ
の光検出手段からの出力信号を基準値と比較する比較手
段とともに、この比較手段からの比較出力に応じて前記
半導体レーザへの注入電流の設定値を可変設定する注入
電流設定手段を設けるが、この注入電流設定手段は電流
可変ステップの幅の相異なる複数のものとする。
の光検出手段からの出力信号を基準値と比較する比較手
段とともに、この比較手段からの比較出力に応じて前記
半導体レーザへの注入電流の設定値を可変設定する注入
電流設定手段を設けるが、この注入電流設定手段は電流
可変ステップの幅の相異なる複数のものとする。
作用
一方の注入電流設定手段の電流可変ステップの幅を粗く
して粗調用とし、他方の注入電流設定手段の電流可変ス
テップの幅を細かくて微調用とし、両者を組合せること
により、Ｄ／Ａコンバータの分解能を変更することなく
、全体として微小ステップでの半導体レーザの電流制御
が可能となる。
して粗調用とし、他方の注入電流設定手段の電流可変ス
テップの幅を細かくて微調用とし、両者を組合せること
により、Ｄ／Ａコンバータの分解能を変更することなく
、全体として微小ステップでの半導体レーザの電流制御
が可能となる。
実施例
本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明す
る。第３図ないし第６図で示した部分と同一部分は同一
符号を用いて示す。本実施例では、まず、アップダウン
カウンタ１４に加え、比較器１２からの比較出力が入力
されるもう１つのアップダウンカウンタ１６が設けられ
ている。また、第４図中のレーザ駆動回路８をなす部分
として、半導体レーザ１には２つのスイッチ素子Ｑ、、
Ｑ２を含みビデオ信号により制御される差動回路１７
と、この差動回路１７に直列に接続されて注入電流設定
手段となる２つの定電流源１８．１９とが設けられてい
る。これらの定電流源１８，１９、即ち差動回路１７に
はバイアス電流設定回路２０が接続されている。
る。第３図ないし第６図で示した部分と同一部分は同一
符号を用いて示す。本実施例では、まず、アップダウン
カウンタ１４に加え、比較器１２からの比較出力が入力
されるもう１つのアップダウンカウンタ１６が設けられ
ている。また、第４図中のレーザ駆動回路８をなす部分
として、半導体レーザ１には２つのスイッチ素子Ｑ、、
Ｑ２を含みビデオ信号により制御される差動回路１７
と、この差動回路１７に直列に接続されて注入電流設定
手段となる２つの定電流源１８．１９とが設けられてい
る。これらの定電流源１８，１９、即ち差動回路１７に
はバイアス電流設定回路２０が接続されている。
ここに、前記定電流源１８は８ビツトの分解能を持つＤ
／Ａコンバータ１５の出力により制御されることにより
２５６の電流可変ステップの幅を持つもので、増幅器２
１、抵抗Ｒ，，Ｒ，、Ｒ，及びトランジスタＱ３からな
る。また、定電流源１９はアップダウンカウンタ１６の
出力により選択制御されて４通りの電流可変ステップの
幅を持つもので、可変電源Ｖｃｃと２つのスイッチ素子
Ｔ人。
／Ａコンバータ１５の出力により制御されることにより
２５６の電流可変ステップの幅を持つもので、増幅器２
１、抵抗Ｒ，，Ｒ，、Ｒ，及びトランジスタＱ３からな
る。また、定電流源１９はアップダウンカウンタ１６の
出力により選択制御されて４通りの電流可変ステップの
幅を持つもので、可変電源Ｖｃｃと２つのスイッチ素子
Ｔ人。
ＴＢと、各々に接続された分圧抵抗ＲＡＴ ＲＢと、
共通なるトランジスタＱ、と、抵抗Ｒ１とからなる。
共通なるトランジスタＱ、と、抵抗Ｒ１とからなる。
また、バイアス電流設定回路２０はトランジスタＱ、と
、可変抵抗ＶＲとからなる。
、可変抵抗ＶＲとからなる。
このような構成において、変調回路により変調されたビ
デオ信号（レーザ点灯信号）により半導体レーザ１は点
灯する。パワーチエツク時であれば、半導体レーザ１は
連続点灯状態とされる。
デオ信号（レーザ点灯信号）により半導体レーザ１は点
灯する。パワーチエツク時であれば、半導体レーザ１は
連続点灯状態とされる。
このような点灯時には前述した従来例に準じて半導体レ
ーザ１の出力制御が行われる。この際、本実施例にあっ
ては複数の定電流源１８．１９を持ち、かつ、定電流源
１９側のｂ点における最大電圧は電源Ｖｃｃにより決め
られるように構成されている。そして、スイッチ素子Ｔ
＾＋ＴＢはアップダウンカウンタ１６の出力ＱＡ、ＱＢ
により選択駆動され、抵抗ＲＡ＋ ＲＢ、Ｒ４の分圧の
下に、ｂ点の電圧を４通りのステップに分けるものであ
る。
ーザ１の出力制御が行われる。この際、本実施例にあっ
ては複数の定電流源１８．１９を持ち、かつ、定電流源
１９側のｂ点における最大電圧は電源Ｖｃｃにより決め
られるように構成されている。そして、スイッチ素子Ｔ
＾＋ＴＢはアップダウンカウンタ１６の出力ＱＡ、ＱＢ
により選択駆動され、抵抗ＲＡ＋ ＲＢ、Ｒ４の分圧の
下に、ｂ点の電圧を４通りのステップに分けるものであ
る。
このアップダウンカウンタ１６はアップダウンカウンタ
１４と同じく比較器１２からの出力により、アップ又は
ダウンの方向が決定され、かつ、そのカウント動作はカ
ウントアツプ時にはアップダウンカウンタ１４が最大値
の時に出力されるＲ Ｃ：ｉｊ力、カウントダウン時に
はアップダウンカウンタ１４が最小値の時に出力される
ＲＣ出力により行われる。
１４と同じく比較器１２からの出力により、アップ又は
ダウンの方向が決定され、かつ、そのカウント動作はカ
ウントアツプ時にはアップダウンカウンタ１４が最大値
の時に出力されるＲ Ｃ：ｉｊ力、カウントダウン時に
はアップダウンカウンタ１４が最小値の時に出力される
ＲＣ出力により行われる。
この結果、Ｄ／Ａコンバータ１５として８ビツトの分解
能を持つものを用いた場合において、第４図の従来例と
第１図による本実とを対比してみると、第２図に示すよ
うに、従来では最小パワー−最大パワー間を２５６ステ
ツプに分割しているに過ぎないが、本実によれば定電流
源１９側による粗調１ステ′ツブを定電流源１８側によ
り微調２５６ステツプに分割しており、全体では２５６
×４＝１０２４なる微小ステップでの制御が可能となる
。
能を持つものを用いた場合において、第４図の従来例と
第１図による本実とを対比してみると、第２図に示すよ
うに、従来では最小パワー−最大パワー間を２５６ステ
ツプに分割しているに過ぎないが、本実によれば定電流
源１９側による粗調１ステ′ツブを定電流源１８側によ
り微調２５６ステツプに分割しており、全体では２５６
×４＝１０２４なる微小ステップでの制御が可能となる
。
なお、本実施例では定電流源１８．］、９に対しバイア
ス電流設定回路２０を付加しており、この回路の存在に
より半導体レーザ１に常に一定のバイアス電流を注入し
ておくことができる。即ち、バイアス電流をＩ ｂｉａ
ｓとすると、８ビツトのＤ／Ａコンバータ１５の１ステ
ツプの変化は（Ｉ ｍａｘ−Ｉｂ１ａｓ） ／ ２５６
となり、Ｉ ｂｉａｓ＝ Ｏｍ Ａの場合よりも１ステ
ツプに対する電流変化を小さくし得ることが判る。もつ
とも、このようなバイアス電流設定回路２０がなくても
特に支障はない。
ス電流設定回路２０を付加しており、この回路の存在に
より半導体レーザ１に常に一定のバイアス電流を注入し
ておくことができる。即ち、バイアス電流をＩ ｂｉａ
ｓとすると、８ビツトのＤ／Ａコンバータ１５の１ステ
ツプの変化は（Ｉ ｍａｘ−Ｉｂ１ａｓ） ／ ２５６
となり、Ｉ ｂｉａｓ＝ Ｏｍ Ａの場合よりも１ステ
ツプに対する電流変化を小さくし得ることが判る。もつ
とも、このようなバイアス電流設定回路２０がなくても
特に支障はない。
また、電流値の粗調、微調を１つの定電流源により実現
することも十分に可能ではあるが、本実施例では２つの
定′北流源１８．１９を備えており、粗調、微調が互い
に影響し合うことなく独立して調整できることになる。
することも十分に可能ではあるが、本実施例では２つの
定′北流源１８．１９を備えており、粗調、微調が互い
に影響し合うことなく独立して調整できることになる。
また、第１図において電源Ｖｃｃの電圧を、光出力のモ
ニタ結果に応じて適切に設定するような回路に変更する
ことにより、光出力制御の精度を向上させることも可能
である。
ニタ結果に応じて適切に設定するような回路に変更する
ことにより、光出力制御の精度を向上させることも可能
である。
更には、２つの定電流源１８．１９に限らず、３個以上
の定電流源（注入電流設定手段）を備え、調整ステップ
数を更に増やしてもよい。
の定電流源（注入電流設定手段）を備え、調整ステップ
数を更に増やしてもよい。
発明の効果
本発明は、上述したように比校手段からの比較出力に応
じて半導体レーザへの注入電流の設定値を可変設定する
注入電流設定手段を設けるが、この注入電流設定手段を
電流可変ステップの幅の相異なる複数のものとしたので
、一方の注入電流設定手段の電流可変ステップの幅を粗
くして粗調用とし、他方の注入電流設定手段の電流可変
ステップの幅を細かくて微調用とすることにより、低い
分解能で安価なり／Ａコンバータを用いながら、これら
の粗、微調なるステップの組合せによって全体として微
小ステップでの半導体レーザの電流制御が可能となり、
半導体レーザの出力を高精度に制御し、高画像品質の確
保等に寄与することができる。
じて半導体レーザへの注入電流の設定値を可変設定する
注入電流設定手段を設けるが、この注入電流設定手段を
電流可変ステップの幅の相異なる複数のものとしたので
、一方の注入電流設定手段の電流可変ステップの幅を粗
くして粗調用とし、他方の注入電流設定手段の電流可変
ステップの幅を細かくて微調用とすることにより、低い
分解能で安価なり／Ａコンバータを用いながら、これら
の粗、微調なるステップの組合せによって全体として微
小ステップでの半導体レーザの電流制御が可能となり、
半導体レーザの出力を高精度に制御し、高画像品質の確
保等に寄与することができる。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
従来例と対比して示すステップ数の説明図、第３図は従
来例を示すレーザプリンタのブロック構成図、第４図は
その制御系のブロック図、第５図は動作説明図、第６図
は半導体レーザの注入電流−光出力特性図である。 ｌ・・・半導体レーザ、９・・・光検出手段、１２・・
・比較手段、１８．１９・・・注入電流設定手段Ｊ
５１Ｋ （ａ）
従来例と対比して示すステップ数の説明図、第３図は従
来例を示すレーザプリンタのブロック構成図、第４図は
その制御系のブロック図、第５図は動作説明図、第６図
は半導体レーザの注入電流−光出力特性図である。 ｌ・・・半導体レーザ、９・・・光検出手段、１２・・
・比較手段、１８．１９・・・注入電流設定手段Ｊ
５１Ｋ （ａ）
Claims (1)
- 半導体レーザからの光出力を検出する光検出手段と、こ
の光検出手段からの出力信号を基準値と比較する比較手
段と、この比較手段からの比較出力に応じて前記半導体
レーザへの注入電流の設定値を可変設定する電流可変ス
テップの幅の相異なる複数の注入電流設定手段とからな
ることを特徴とする半導体レーザ出力制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203669A JPH0252476A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 半導体レーザ出力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203669A JPH0252476A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 半導体レーザ出力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252476A true JPH0252476A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16477893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63203669A Pending JPH0252476A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 半導体レーザ出力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252476A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015188047A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 発光制御装置、露光装置、および発光制御装置の調整方法 |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP63203669A patent/JPH0252476A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015188047A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 発光制御装置、露光装置、および発光制御装置の調整方法 |
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