JPH0252845B2 - - Google Patents
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- JPH0252845B2 JPH0252845B2 JP58114995A JP11499583A JPH0252845B2 JP H0252845 B2 JPH0252845 B2 JP H0252845B2 JP 58114995 A JP58114995 A JP 58114995A JP 11499583 A JP11499583 A JP 11499583A JP H0252845 B2 JPH0252845 B2 JP H0252845B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は主成分としてCoおよびCrを有する磁
気材料の連続層を与える主表面を有する非磁気基
板を含む磁気記録素子に関するものである。
(デイジタル型の)磁気記録装置は、伝達ヘツ
ド(または書込み/読出しヘツド)が、(デイジ
タル)データを記録するように磁気記録素子上の
小領域を磁化し、データを読出す磁化領域を走査
するために用いられる。従来、唯一の商業的に有
用な装置は素子の主要表面に平行な磁化容易軸を
有する縦方向磁気記録を素子上に用いる。縦方向
磁気記録では、透磁性が大きい材料のコアを有す
る環状のヘツドを使用し、狭い間隙を設け、この
間隙をフラツクスと結合関係にある磁気記録素子
の移動方向に横断して置く。コアに巻付けたコイ
ルに加えた電流パルスは、間隙の一端、間隙付近
の磁気部分、および間隙の他端を含む通路に沿つ
て閉鎖するコア内に磁気フラツクスのラインを発
生する。この方法で磁気層を通過するフラツクス
は、その影響でデータを記録する。データを読出
す際に素子上の磁化領域が間隙を越えて移動する
場合、フラツクスラインがコイルを通過し内蔵情
報を表示する電気信号を誘起する結果として、コ
アを介してフラツクスの密閉が実現される。
この種の縦方向磁気記録装置の欠点は、素子
が、限られた直線ビツト密度だけを取扱えること
にある。この制限は、磁気層の磁気領域を磁気的
に素子の縦方向に置いたために生じる。この縦方
向記録方法は、情報トラツクの直線cm当りに貯え
られる接合点の数が制限される結果として、ビツ
ト境界で一定の最大減磁界を示す。
縦方向磁気記録によつて設けられるものよりも
かなり高い直線ビツト密度を達成するために、原
則として磁気記録の垂直方法を使用することがで
きる。垂直磁気記録において、磁気素子表面に垂
直方向に向いた磁区を生じるように、磁気層の平
面において磁気層を縦方向に通過する代りに、磁
気フラツクスは上部から下部まで磁気層を横断し
て通過する。この記録方法はビツト境界で最小減
磁界を示し、その結果、縦方向磁気記録装置にお
ける接合点の数と比較して、磁気素子の直線cm当
りの一層大きい数の垂直方向に向いた接合点を収
容することができる。
上記から明らかなように、垂直磁気記録は縦方
向磁気記録よりも大き直線書込み密度を伴う。し
かし、縦方向磁気記録が大規模に市販品として使
用されているのに対して、垂直磁気記録はまだ試
験段階である。しかし、垂直磁化を商品規模で使
用していない理由のひとつは、垂直磁気記録の利
点を十分に実現できる適当な記録材料がまだ手に
入らないからである。
アイ・イー・イー・トランスアクシヨンズ・オ
ン・マグネチツクス、第Mag―17巻、第6号、
1981年11月、第3172〜74頁(1)に記載されたスギタ
らによる論文「真空蒸着によるCo―Cr垂直記録
媒体」には、蒸着したCo1-xCrxフイルムの用途と
して垂直磁気記録が記述されている。この種のフ
イルムの飽和磁化(σs)はx〓0.25にてσs0)
の値が増大すると共に極めて減少する。高いσs値
は低濃度のCrを用いて得られる。垂直記録材料
としてCo―Crフイルムを使用するには、高いσs
値のほかに高い保磁力Heが必要である。さらに、
磁化は基板面に垂直でなければならない。これら
特別な要求は比較的高濃度のCrを使用する場合
にのみ実現される。これは、σsがまだあまり減少
しておらず、しかも、垂直対称の要求をすでに満
足しているため、最適温度を見出す必要があるこ
とを示している。この種のパラメーターの最適な
組合せは多方面の刊行物に記載されてきた。
The present invention relates to a magnetic recording element comprising a non-magnetic substrate having a major surface providing a continuous layer of magnetic material having Co and Cr as principal components. (Digital) magnetic recording devices have a transmission head (or write/read head) that magnetizes a small area on a magnetic recording element to record (digital) data and scans the magnetized area to read data. used for To date, the only commercially available devices use longitudinal magnetic recording on the device with the easy axis of magnetization parallel to the major surface of the device. Longitudinal magnetic recording uses an annular head with a core of highly permeable material, with a narrow gap placed across the direction of movement of the magnetic recording element in coupling relationship with the flux. A current pulse applied to a coil wound around the core generates a line of magnetic flux within the core that closes along a path that includes one end of the gap, the magnetic portion near the gap, and the other end of the gap. The flux passing through the magnetic layer in this manner records data under its influence. When the magnetized region on the element moves across the gap when reading data, flux sealing is achieved through the core as a result of the flux line passing through the coil and inducing an electrical signal that displays the embedded information. be done. A disadvantage of this type of longitudinal magnetic recording device is that the device can only handle a limited linear bit density. This limitation arises because the magnetic regions of the magnetic layer are magnetically placed in the longitudinal direction of the element. This longitudinal recording method exhibits a constant maximum demagnetizing field at the bit boundaries as a result of the limited number of junctions that can be stored per linear cm of information track. In principle, perpendicular methods of magnetic recording can be used to achieve linear bit densities considerably higher than those provided by longitudinal magnetic recording. In perpendicular magnetic recording, instead of passing longitudinally through the magnetic layer in the plane of the magnetic layer, producing magnetic domains oriented perpendicular to the surface of the magnetic element, magnetic flux passes across the magnetic layer from top to bottom. do. This recording method exhibits a minimum demagnetizing field at the bit boundaries, resulting in a greater number of vertically oriented junctions per linear cm of magnetic element compared to the number of junctions in longitudinal magnetic recording devices. can be accommodated. As is clear from the above, perpendicular magnetic recording involves greater linear writing density than longitudinal magnetic recording. However, while longitudinal magnetic recording is used commercially on a large scale, perpendicular magnetic recording is still in the experimental stage. However, one of the reasons why perpendicular magnetization has not been used on a commercial scale is that suitable recording materials that can fully realize the advantages of perpendicular magnetic recording are not yet available. IE Transactions on Magnetics, Vol. 17, No. 6,
The paper by Sugita et al., "Co-Cr perpendicular recording media by vacuum deposition", published in November 1981, pp. 3172-74 (1), describes the use of vapor-deposited Co1 - xCrx films for perpendicular magnetic recording. is described. The saturation magnetization (σ s ) of this kind of film is σ s 0) at x〓0.25.
decreases significantly as the value of increases. High σ s values are obtained using low concentrations of Cr. The use of Co—Cr films as perpendicular recording materials requires a high σ s
In addition to the high coercivity, a high coercive force H e is required. moreover,
Magnetization must be perpendicular to the substrate plane. These special requirements are only realized when using relatively high concentrations of Cr. This indicates that it is necessary to find the optimum temperature because σ s has not yet decreased much and the requirement of vertical symmetry is already satisfied. Optimal combinations of parameters of this type have been described in various publications.
【表】
本発明の目的はかなり改良された特性を有する
垂直記録方法のための記録媒体を提供することで
ある。
この目的は上記種類の記録媒体によつて達成さ
れ、層が1原子%以上、多くて5原子%までの分
量のptを含有することを特徴とする。
前記少量のptをCo―Cr合金、特に15〜30原子
%のCrを含むCo―Cr合金に添加すると、100%以
上の飽和磁化σsの増加となり、垂直異方性および
高い値の保持力を維持する。これら合金の公称組
成を次に示す。
Co1-xCrxPty(式中、0<x<1および0.01<y
0.05である)。
以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。第1a図および第1b図は伝達ヘツド11お
よび記録素子14を備えた垂直記録用装置の側面
図およびこの装置に使用する伝達ヘツドの断面図
である。高導磁性の材料、例えば80原子%のニツ
ケルおよび20原子%の鉄から成るニツケル―鉄合
金のU形コア1は、分子蒸着技術、例えばスパツ
タリングによつて、基板2に薄層を形成して設け
る。コア1は中間のコア部分5を介して相互に連
結する伝達リム3およびフラツクスリターンリム
4を有する。第1b図に示すように、伝達リム3
の領域ではコア1の層厚はd1であり、フラツクス
リターンリム4の領域ではd2であり、d2>d1であ
るが、また伝達リム3の端部の幅はW1であり、
フラツクスリターンリム4の端部の幅はW2であ
る。従つてリム3の端部の断面積(これは単位表
面積当りの達成できるビツト密度を決定する)は
W1d1であり、リム4の断面積はW2d2である。コ
イル6を伝達リム3の周りに設ける。コイル6を
付勢するときリム4が書込まないために、W2d2
はW1d1よりもかなり大きくなければならず、少
なくとも5〜10倍の大きさが好ましい。記録素子
14が第1a図に示すように、速度vで紙面に垂
直に動くと、0.1〜1μmである伝達リム3の端部
の厚さ寸法d1は、直線cm当りのフラツクス接合数
を決定する。次いで2〜20μmである伝達リム3
の幅寸法W1は、記録素子に書込まれるトラツク
の幅を決定する。操作中に、コア1は例えば移動
磁気記録素子14より上の高さhである。いわゆ
るインコンタクト記録の場合、hはゼロである。
磁気記録素子14は垂直磁気異方性を有する磁気
層7を与える非磁気基板8を有する磁気デイスク
またはテープである。
データコード電流をコイル6に加える場合(10
巻のコイルを示す)、磁気フラツクスのための閉
路をリム3内に発生し、コア部分5、リム4、大
きい断面積を有する空気間隙S1、磁気層7、もど
り路8、現実の記録を生じるリム3に向い合つて
いる磁気層7、小さい断面積の空気間隙S2を介し
て、リム3に戻る。
所望の方法で電流極性を逆転すると、磁気層7
において垂直の向い合つている磁化を有する領域
を形成する。
伝達リム3とフラツクスリターンリム4との間
の距離は、書込み工程中に直接リム3からリム4
にフラツクスが横切ることを十分に妨げる距離で
ある。さらに、距離Sは例えば伝達リム3の周り
にコイル6を収容するための空間を与える。垂直
磁気記録を最適に用いることができるために、寸
法W1は2〜20μmが好ましく、この場合5μmの寸
法が特性値であり、一方、寸法d1は0.1〜1μmが
好ましく、この場合0.2μmの寸法が特性値であ
る。
第2図は、x方向で測定した書込みフイールド
H(これは連結ワイヤ9,10を介してコイル6
を付勢する際にヘツド11によつて発生する)を
示す。伝達リム3の位置に相当する領域R1にお
いて、書込みフイールドは極めて高いが、フラツ
クスクリターンリム4の位置に相当する領域R2
において、書込みフイールドは書込みのない位置
よりもはるかに低い。鋭角を有する書込みフイー
ルドでは特異性が強く誤まつて書込むことがある
ので、フラツクスリターンリム4のコーナー1
2,13をさらに丸くする。読出し操作による読
出し情報は、フラツクスリターンリム4の「捕
獲」断面が大きいと平均し、伝達リム3によつて
読出される信号に少しも有効に寄与しないであろ
う。
本発明によれば、磁気層7は少量のptを添加し
たCo―Cr合金を有する。この層の厚さは約
500nmである。
マエダらによつて記述された研究論文(2)には、
蒸着したCo―Crフイルムにおいて、六方相に加
えて正方(hcp)相を形成できることが論証され
た。hcp相と正方相の微結晶に同時に起る核生成
と成長は、hcp相の結晶が基板表面に垂直軸Cを
もつ成長方向を有するミクロ構造を生成するため
厄介である。この厄介な正方相を低い基板温度を
用いて押えることができる(130〜150℃)。基板
の加熱は常に蒸着中に起るため、この種の低い基
板温度の正しい調整はむしろ困難である。マエダ
ら2により記述されたように、この種の低い基板
温度は、所望のhcp相を犠性にして上記相の他に
fcc相が形成する危険を伴う。前記fcc相の存在
は、基板に垂直の成長方向〔101〕を導くので極
めて厄介であり、これによつてhcp相の垂直な磁
気容易軸が失われる。
本発明は核生成と成長の速度がPtの添加によ
りかなり影響される事実に基づくものである。
特に四方相をfcc相の生成を押えるため1%以
上のPtを添加して成功した。X線照射による金
属フイルムの研究によれば、微結晶の配向は六方
C軸が基板に垂直である方向に相当する。意外な
ことに、飽和磁化は極めて増加する(2%のPt
を添加するだけで100%以上まで増加する)。
第3図は磁気測定の結果例を示す。さらにこの
結果を第2表に示す。Table 1 The object of the invention is to provide a recording medium for perpendicular recording methods with considerably improved properties. This object is achieved by a recording medium of the type mentioned above, characterized in that the layer contains an amount of pt of at least 1 atomic % and at most up to 5 atomic %. Adding a small amount of pt to a Co-Cr alloy, especially a Co-Cr alloy containing 15-30 at. maintain. The nominal compositions of these alloys are shown below. Co 1-x Cr x Pt y (where 0<x<1 and 0.01<y
0.05). Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings. 1a and 1b show a side view of a perpendicular recording device with a transfer head 11 and a recording element 14, and a sectional view of the transfer head used in this device. A U-shaped core 1 of a highly magnetically conductive material, for example a nickel-iron alloy consisting of 80 atomic % nickel and 20 atomic % iron, is deposited in a thin layer on a substrate 2 by molecular vapor deposition techniques, eg sputtering. establish. The core 1 has a transmission rim 3 and a flux return rim 4 which are interconnected via an intermediate core part 5. As shown in Figure 1b, the transmission rim 3
In the region of the core 1, the layer thickness is d 1 , and in the region of the flux return rim 4 it is d 2 , d 2 > d 1 , and the width of the end of the transmission rim 3 is W 1 . ,
The width of the end of the flux return rim 4 is W2 . The cross-sectional area of the end of the rim 3 (which determines the achievable bit density per unit surface area) is therefore
W 1 d 1 and the cross-sectional area of the rim 4 is W 2 d 2 . A coil 6 is provided around the transmission rim 3. Since the rim 4 does not write when energizing the coil 6, W 2 d 2
must be significantly larger than W 1 d 1 , preferably at least 5 to 10 times larger. When the recording element 14 moves perpendicular to the plane of the paper with a speed v, as shown in FIG. do. Then the transmission rim 3 which is 2-20μm
The width dimension W1 determines the width of the track written on the recording element. During operation, the core 1 is for example at a height h above the moving magnetic recording element 14. In the case of so-called in-contact recording, h is zero.
The magnetic recording element 14 is a magnetic disk or tape having a non-magnetic substrate 8 providing a magnetic layer 7 with perpendicular magnetic anisotropy. When applying data code current to coil 6 (10
winding coil), a closed circuit for the magnetic flux is generated in the rim 3, the core part 5, the rim 4, the air gap S 1 with a large cross-sectional area, the magnetic layer 7, the return path 8, the real recording. The resulting magnetic layer 7 facing the rim 3 returns to the rim 3 via an air gap S 2 of small cross-section. Reversing the current polarity in the desired manner will cause the magnetic layer 7 to
forming regions with perpendicular opposing magnetizations. The distance between the transmission rim 3 and the flux return rim 4 is such that the distance between the rim 3 and the flux return rim 4 is such that the distance between the rim 3 and the flux return rim 4 is
This is a distance that sufficiently prevents the flux from crossing. Furthermore, the distance S provides space for accommodating the coil 6, for example around the transmission rim 3. In order to be able to use perpendicular magnetic recording optimally, the dimension W 1 is preferably 2 to 20 μm, in which case a dimension of 5 μm is the characteristic value, while the dimension d 1 is preferably 0.1 to 1 μm, in this case 0.2 μm The dimensions are the characteristic values. FIG. 2 shows the write field H measured in the x direction (which is connected to the coil 6 via the connecting wires 9, 10
(generated by the head 11 when energizing the head 11). In the region R 1 corresponding to the position of the transmission rim 3 the writing field is very high, but in the region R 2 corresponding to the position of the flux screen return rim 4
At , the write field is much lower than the non-write position. Since writing fields with acute angles have strong idiosyncrasies and may cause mistaken writing, the corner 1 of the flux return rim 4 is
Make 2 and 13 even more round. The readout information by the readout operation will average out if the "capture" cross-section of the flux return limb 4 is large and will not contribute any usefully to the signal read out by the transmission limb 3. According to the invention, the magnetic layer 7 comprises a Co--Cr alloy with the addition of a small amount of pt. The thickness of this layer is approximately
It is 500nm. In the research paper (2) described by Maeda et al.
It has been demonstrated that in addition to the hexagonal phase, a tetragonal (hcp) phase can be formed in deposited Co--Cr films. The simultaneous nucleation and growth of hcp phase and tetragonal phase microcrystals is troublesome because the hcp phase crystals produce a microstructure with a growth direction with axis C perpendicular to the substrate surface. This troublesome tetragonal phase can be suppressed by using a low substrate temperature (130-150°C). Correct adjustment of such low substrate temperatures is rather difficult, since heating of the substrate always occurs during deposition. As described by Maeda et al.2, this kind of low substrate temperature sacrifices the desired hcp phase to the above-mentioned phases.
with the risk of fcc phase formation. The presence of the fcc phase is extremely troublesome as it leads to a growth direction [101] perpendicular to the substrate, which causes the perpendicular magnetic easy axis of the hcp phase to be lost. The invention is based on the fact that the rate of nucleation and growth is significantly influenced by the addition of Pt. In particular, we succeeded in adding 1% or more of Pt to suppress the formation of the fcc phase in the tetragonal phase. According to studies of metal films by X-ray irradiation, the orientation of the microcrystals corresponds to the direction in which the hexagonal C-axis is perpendicular to the substrate. Surprisingly, the saturation magnetization increases significantly (2% Pt
increase to over 100% by simply adding FIG. 3 shows an example of the results of magnetic measurement. Further, the results are shown in Table 2.
【表】
比較のために、次の値:
σs―4gmT;HC⊥=23kA/m;HC*‖=
28kA/m
を示すCo1-xCrxPty合金(x=0.25およびy=
0.01)を用いる。
第3図はポリエステル合成樹脂の非磁気キヤリ
ヤ上に蒸着した500nm厚さのCCo0.78Cr0.22Pt0.02層
のヒステリシスループを示す図である。垂直残留
磁気の値σR⊥平行残留磁気の値σR‖をかなり越
え、これは問題の合金を垂直記録法に極めてよく
適合させる。
層が1原子%以下のPtを含む場合、σR⊥はσR‖
よりも大きくない。
層の製造法を次に示す。金属のCo,Crおよび
Ptの蒸気混合物を、超高真空鐘に設置した石英
基板上に蒸着した。3個の各電子ビーム蒸発器に
よつて蒸気混合物が得られ、この蒸発速度は石英
結晶オシレータによつて独立して制御することが
できる。基板温度は約250℃である。3発生源
(蒸発器)の幾何学的配置は、各コーナーに発生
源を有する正三角形に特徴がある。基板は発生源
から約30cmの三角形の中心より上に垂直に存在す
る。基板表面上の垂線に関して、蒸気フラツクス
の入射角は約15度である。蒸着速度は10〜20A/
秒で変化する。蒸着のための超高真空系の基礎圧
力は1.3×10-8Pa(1.3×10-13Kgf/cm2)より良く、
蒸着中は1×10-6Pa(1×10-11Kgf/cm2)であつ
た。
上記方法は蒸着層の組成を変化させる場合、実
験規模の実験に極めて適している。しかし、工場
規模の生産には、一定の組成を決定する場合、所
望の組成の合金から成る単一蒸着源を使用すると
よい。蒸着の他に、基板に磁気層を設けるために
スパツタリングを用いることができる。[Table] For comparison, the following values: σ s −4gmT; H C ⊥=23kA/m; H C* ‖=
Co 1-x Cr x Pt y alloy showing 28kA/m (x=0.25 and y=
0.01) is used. FIG. 3 shows the hysteresis loop of a 500 nm thick layer of CCo 0.78 Cr 0.22 Pt 0.02 deposited on a non-magnetic carrier of polyester synthetic resin. The value of the perpendicular remanence σ R ⊥ considerably exceeds the value of the parallel remanence σ R ‖, which makes the alloy in question extremely well suited for perpendicular recording methods. If the layer contains less than 1 atomic % Pt, σ R ⊥ becomes σ R ‖
not greater than The method for manufacturing the layer is shown below. Co, Cr and metals
A vapor mixture of Pt was deposited onto a quartz substrate placed in an ultra-high vacuum bell. A vapor mixture is obtained by each of the three electron beam evaporators, the evaporation rate of which can be independently controlled by a quartz crystal oscillator. The substrate temperature is approximately 250°C. The geometry of the three sources (evaporators) is characterized by an equilateral triangle with a source at each corner. The substrate lies vertically above the center of the triangle approximately 30 cm from the source. The angle of incidence of the vapor flux with respect to the normal on the substrate surface is approximately 15 degrees. Deposition speed is 10~20A/
Changes in seconds. The base pressure of ultra-high vacuum system for vapor deposition is better than 1.3×10 -8 Pa (1.3×10 -13 Kgf/cm 2 ),
During the deposition, the pressure was 1×10 −6 Pa (1×10 −11 Kgf/cm 2 ). The above method is very suitable for experimental scale experiments when changing the composition of the deposited layer. However, for factory-scale production, if a fixed composition is determined, a single source of alloy of the desired composition may be used. In addition to vapor deposition, sputtering can be used to provide the magnetic layer on the substrate.
第1a図は記録素子および伝達ヘツドを有する
垂直型のデータ内蔵装置の側面図、第1b図は第
1a図の伝達ヘツドにおける線b―bの断面
図、第2図は第1図の伝達ヘツドを付勢した際の
X軸に沿つた磁界Hを示すグラフであり、第3図
は第1の2象限におけるCo―Cr―Pt合金のσ―
Hループを示すグラフである。
1……コア、2……基板、3……伝達リム、4
……フラツクスリターンリム、5……コア部分、
6……コイル、7……磁気層、8……非磁気基板
またはもどり路、9,10……連結ワイヤ、11
……ヘツド、12,13……コーナー、14……
記録素子。
FIG. 1a is a side view of a vertical data storage device having a recording element and a transmission head, FIG. 1b is a sectional view taken along line bb of the transmission head of FIG. 1a, and FIG. 2 is a side view of the transmission head of FIG. 1. Fig. 3 is a graph showing the magnetic field H along the X axis when energized.
It is a graph showing an H loop. 1...core, 2...substrate, 3...transmission rim, 4
...Flux return rim, 5...Core part,
6... Coil, 7... Magnetic layer, 8... Non-magnetic substrate or return path, 9, 10... Connection wire, 11
...Head, 12, 13...Corner, 14...
recording element.
Claims (1)
の連続層を与え、この層が主表面に対し横断した
磁気異方性を示す前記主表面を有する非磁気基板
を含む磁気記録素子において、 磁気材料がさらに1原子%以上、多くて5原子
%までの分量のPtを含有することを特徴とする
磁気記録素子。 2 層が15〜30原子%のCrを含む特許請求の範
囲第1項記載の磁気記録素子。[Scope of Claims] 1. Magnetic recording comprising a non-magnetic substrate provided with a continuous layer of magnetic material having Co and Cr as main components, the main surface of which exhibits magnetic anisotropy transverse to the main surface. A magnetic recording element, characterized in that the magnetic material further contains Pt in an amount of 1 atomic % or more, and at most 5 atomic %. 2. The magnetic recording element according to claim 1, wherein the layer contains 15 to 30 atom % of Cr.
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