JPH025336A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造に用いることの可能なイオン
注入装置に関するものである。

従来の技術 従来のイオン注入装置を第２図に示す。第２図で、ＰＨ
３ガスはイオン発生領域（イオン源）１、分析磁界領域
２および加速管３を通過させて供給される。従来の装置
では、イオン源でガスに電子をぶつけることによりイオ
ンを発生させている。

この場合、ＰＨ３ガスを利用すると、イオンの発生率は
Ｐ＋が約６０％、Ｐ２＋が約３６％、Ｐ−１が約４％で
ある。

発明が解決しようとする課題 このような従来の技術では、Ｐ＋十を注入する場合、多
量のガスが必要となり、また注入時間が長（なるという
問題点がある。

課題を解決するための手段 本発明は、原料ガスに電子をぶつけてイオン化させるイ
オン源系を、原料ガスが２回以上通過できるように構成
したイオン注入装置である。

作用 本発明によると、発生したイオンをもう一度イオン源を
通してやることによって、Ｐ＋＋の発生率は３６％と高
くなり、原料ガスを有効に利用することができる。

実施例 本発明の一実施例を第１図を用いて述べる。第１図にお
いて、第２図と同一部分には同一番号を付す。第１図は
、イオン源１１へのガスの径路をループ状にして、必要
に応じて２回以上電子をぶつけることを可能にしたもの
である。

この実施例のイオン注入装置を利用すると、ＰＨ３ガス
を利用した場合、従来の１０倍程度のＰ＋十を得ること
ができる。また、この装置は従来利用できなかった３価
以上のイオンの利用も可能である。また、ＰＨ３ガスに
かわってＢＦ３Ａ　ｓ　Ｈ３ガス等も利用できることは
言うまでもない。

発明の効果 本発明によれば、イオン注入に用いる原料ガスをイオン
発生領域内に繰り返し導びいて、同領域を複数回通過さ
せる構成になしたことにより、多価イオンを多量に生成
することができ、これを利用することによって、低加速
エネルギーで十分な深さのイオン注入が可能になり、半
導体装置の製造性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例イオン注入装置の要部断面図
、第２図は従来のイオン注入装置の要部断面図である。 １・・・・・・イオン源、２・・・・・・分析磁界、３
・・・・・・加速管。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. イオン源となる原料ガスをイオン発生領域内に複数回導
   びいて通過させることを特徴とするイオン注入装置。