JPH0253781B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

半導体および半導体マイクロ回路の製造に於い
て、半導体およびマイクロ回路を製造する材料を
通常フオトレジストと言われている有機高分子物
質、例えば光にさらすとエツチレジスト（耐触
膜）を形成する物質で被覆する事がしばしば必要
になる。これらのフオトレジストは支持体、例え
ばシリコーン、SiO₂あるいはアルミニウム支持
体の特定の部位を腐触剤溶液から保護するために
使用され、一方腐蝕剤は支持体の未保護部位を選
択的に攻撃する。エツチング工程および残留腐触
溶液の洗浄工程に次いで実質的な仕上げ操作を可
能ならしめるため耐触膜を保護表面から除去しな
ければならない。 支持体からフオトレジストを除去する従来の方
法は支持体と有機剥離剤とを接触することであ
る。従来これらの有機剥離剤は支持体から高分子
フオトレジストを持ち上げて除去する作用をする
種々の成分から構成されていた。然しながら、こ
れら従来の剥離溶液は通常フエノール又はフエノ
ール化合物および塩素化炭化水素化合物を含有し
ていた。フエノールあるいはフエノール化合物あ
るいは塩素化炭化水素化合物の使用はフエノール
の毒性およびフエノールあるいはクレゾール、フ
エノールスルフオン酸等の如きフエノール化合物
の廃棄あるいは塩素化炭化水素の廃棄に起因する
汚染問題のため極めて不都合である。 フエノールを含まず、且つ塩素化炭化水素を含
まない剥離剤はNeisius等の米国特許第4070203号
明細書に開示されている。炭素原子12〜20個のア
ルキルベンゼンスルフオン酸成分および沸点が
150℃以上の塩素を含まない芳香族炭化水素成分
を有するに過ぎないこれらの剥離剤は剥離操作後
に脱イオン水の如き水性洗浄剤で無機支持体を容
易には洗滌できないという点で不利である。それ
どころか、ポリマーが沈澱し、又は芳香族溶媒が
オイルビーズを形成するのを避けるためには別の
有機溶媒が必要とされ、あるいは水を使用する場
合は、水を大量に必要とする。オイルビーズの形
成は“オイリングアウト”と言われていて、無機
支持体の上に望ましからざる油状層を残存させる
傾向がある。 本発明の目的は、実質的にフエノール、フエノ
ール化合物および塩素化炭化水素を含有していな
い効果的なフオトレジスト剥離溶液を提供するこ
とである。 本発明の別の目的は、洗滌工程の間炭化水素溶
媒がオイルアウトせず、且つポリマーが再沈澱し
ない様な、水で実質的にきれいに洗滌出来る溶液
を提供することである。 更に本発明の目的は、フエノール、フエノール
化合物および塩素化炭化水素化合物を含まず且つ
脱イオン水の如き水性洗滌剤で洗滌可能な剥離溶
液を用いてフオトレジストの高分子コーチングを
無機支持体から除去する方法を提供することであ
る。 これらの、および他の目的は以下逐次明らかに
される。 要約すると、本発明によれば、無機支持体から
高分子有機物質を除去するための実質的にフエノ
ール化合物および塩素化炭化水素化合物を含有せ
ず、かつ水のみで実質的にきれいに洗滌可能な剥
離溶液が提供される。この剥離溶液は (イ) 界面活性を有する、炭素原子12〜20個のアル
キルアリールスルフオン酸：約15〜約65重量パ
ーセント； (ロ) ハイドロトロープ性を有する、炭素原子６〜
９個の芳香族スルフオン酸；約20〜約80重量パ
ーセント；および (ハ) ハロゲンを含まない沸点が150℃以上の芳香
族炭化水素溶媒；０〜約40重量パーセントから
成る。 又、本発明によれば、無機支持体の表面から被
覆されたフオトレジストの有機高分子物質と上述
した剥離剤組成物とをそのコーチングがゆるくな
る様充分な時間接触させ、そして支持体から組成
物およびフオトレジストを水で洗滌する工程から
成る、無機支持体からフオトレジスト有機高分子
コーチング物質を除去する方法が提供される。 本発明はフオトレジストを効果的に除去する組
成物およびフエノールあるいはフエノール化合物
あるいは塩素化炭化水素化合物を使用せずに、無
機支持体からフオトレジストを不利益なしに除去
する方法を提供する。驚くべきことに、界面活性
を有するスルフオン酸自体がフオトレジスト剥離
剤として有効に作用するということがわかつた。
このことは、この様な剥離剤溶液に関する従来技
術の組成物が界面活性剤として該化合物を使用し
ていたが、支持体からフオトレジストを効果的に
除去するためにはフエノールあるいはフエノール
化合物が必要であつたという意味で思い及ばぬこ
とである。 或る種の界面活性剤即ち炭素原子12〜20個のス
ルフオン酸は、それ自体有機フオトレジストを除
去するのに効果的であることがわかつた。 本発明で使用されるアリールスルフオン酸の例
はヘキシルベンゼンスルフオン酸、ヘプチルベン
ゼンスルフオン酸、オクチルベンゼンスルフオン
酸、デジルベンゼンスルフオン酸、ドデシルベン
ゼンスルフオン酸、トリデシルベンゼンスルフオ
ン酸、クオデシルベンゼンスルフオン酸
（quadecyl benzensulfonic acid）等である。 これらの界面活性を有するスルフオン酸の混合
物も、その炭素原子の平均数が12〜20の間である
限り使用され得る。炭素原子が15以上の高級スル
フオン酸、特にドデシルベンゼンスルフオン酸を
過半量で含む溶液がこれらの混合物の中でも好ま
しい。 デシルベンゼンスルフオン酸も特に効果的であ
ることがわかつたが、本発明で使用される好まし
い、界面活性を有するスルフオン酸はドデシルベ
ンゼンスルフオン酸である。 スルフオン酸の粘度は可成り高いので、剥離剤
溶液による処理後支持体を取り出したときに剥離
剤溶液から持ち出される物質の量を減少させるた
め粘度を低くすることが望ましい。界面活性を有
するスルフオン酸の粘度は炭化水素溶媒の添加に
よつて減少される。使用されるべき溶媒または溶
媒系は界面活性を有するスルフオン酸の剥離効果
を妨げない物質でなければならない。溶媒または
溶媒系自体は剥離、即ちスルフオン酸の作用に対
して臨界的でない。なぜならば溶媒の作用は単に
粘度を減少してスルフオン酸を水でより洗滌され
易くすることであるからである。勿論、溶媒はス
ルフオン酸と相溶性がなければならず、且つそれ
らと反応してはならず、そして最も好ましい溶媒
はアルミニウムの如き物質に腐食を導入しないも
のである。本発明の場合、該溶媒は塩素化炭化水
素、フエノールあるいはフエノール化合物を含有
していてはならない。これらのガイドライン内
で、本発明によつて界面活性を有するスルフオン
酸と関連して使用される溶媒は沸点が150℃以上
のハロゲンを含まない芳香族炭化水素である。芳
香族炭化水素に添加して他の溶媒も使用すること
ができる。斯る他の溶媒は、選択された石油誘導
原料から近代的な方法で製造されている比較的沸
点は高いが融点は比較的に低いイソパラフイン系
炭化水素である。これらイソパラフイン類は室温
またはそれよりわずかに高い温度で液体である
が、約150℃以下で沸とうしてはならない。それ
らは設定されたパラメータ内にある限り直鎖ある
いは有枝鎖であり得る。代表的なイソパラフイン
系炭化水素は商品名“Isopar”として市販されて
おり、一般に炭素原子11個の化合物約60％、同じ
く10個の化合物20％および同じく12個の化合物20
％から成ることを特徴としている。好ましくは、
イソパラフイン系炭化水素は芳香族炭化水素溶媒
の重量当り約２〜30重量％パラフイン系溶媒で存
在する。 芳香族炭化水素溶媒の好ましい成分はアルキル
炭素が１〜14個のアルキルアリール化合物であ
る。 この様な化合物は１個以上のアルキル鎖を持つ
ベンゼンリングを含んでいる。各アルキル鎖は直
鎖または有枝鎖であり得るが、直鎖アルキル基が
生分解性のため好ましい。この様な化合物の好ま
しい例はトルエン、キシレン、エチルベンゼン、
トリメチルベンゼン、クメン、フエニルオクタン
およびドデシルベンゼンである。他の好ましい例
はフエニルノナン、トリデシルベンゼン、トリデ
シルトルエンおよびトリエチルベンゼンである。
これらの混合物もまた使用され得る。好ましい芳
香族炭化水素溶媒は９〜13個のアルキル炭素ある
いは総計15〜19個の炭素を有する化合物の混合物
である。最も好ましいのはドデジルベンゼンある
いは総計平均約18個の炭素原子を有するものの混
合物である。 組成物は好ましくは約５〜30wtパーセントの
芳香族炭化水素化合物を含む。例えば15〜19個の
炭素原子を有する好ましい芳香族炭化水素あるい
は最も好ましいドデジルベンゼンが約５〜30wt
％使用される。 この組成物はパークロロエチレンおよびジクロ
ロベンゼンの如きハロゲン化炭化水素を含んでい
ない。この様な溶液はハロゲン化炭化水素を含ん
でいる溶液に比較して通常生分解性である。 勿論、フエノール、フエノール化合物および塩
素化炭化水素を含まぬ溶媒であれば他の溶媒でも
使用され得る。然しながら、その様な他の化合物
は芳香族炭化水素より少量が好ましい。又、本発
明の組成物はベンゼンスルフオン酸、トルエンス
ルフオン酸、キシレンスルフオン酸、エチルベン
ゼンスルフオン酸、メチルエチルベンゼンスルフ
オン酸、トリメチルベンゼンスルフオン酸、プロ
ピルベンゼンスルフオン酸、クメンスルフオン酸
あるいはそれらの混合物であり得る炭素原子６〜
９個のハイドロトロープ性を有する芳香族スルフ
オン酸を含む。 本発明では指定したハイドロトロープ性を有す
るスルフオン酸は“ハイドロトロープ”と総称さ
れ、そしてベンゼンスルフオン酸を含まないグル
ープは“アルキルアリールハイドロトロープ”と
総称される。アルキルアリール炭化水素ハイドロ
トロープ類は７〜９個の炭素原子を持つことが好
ましい。トルエンスルフオン酸およびベンゼンス
ルフオン酸が好ましく、そしてより好ましくはベ
ンゼンスルフオン酸である。アルキルベンゼンス
ルフオン酸の幾つかはパラスルフオン酸の如きア
イソマーあるいはパラーおよびオルトトルエンス
ルフオン酸の如きアイソマーの混合物であること
ができる。 驚くべき事に、ハイドロトロープ性を有する芳
香族スルフオン酸はそれ自体効果的な剥離剤であ
ることもわかつた、特に若しベンゼンスルフオン
酸が主ハイドロトロープの場合、必要とされる、
より大きな分子である、界面活性を有するアルキ
ルアリールスルフオン酸は最少量でよい。それ
故、ハイドロトロープ性を有する芳香族スルフオ
ン酸は組成物総量の約20〜約80重量％、好ましく
は約25〜約80重量％から成る。又、ベンゼンスル
フオン酸が主ハイドロトロープで、全組成物の０
〜10重量％が少くとも上述したアルキルアリール
ハイドロトロープの１つでありそしてハイドロト
ロープのバランスはベンゼンスルフオン酸である
ことも好ましい。特に好ましい例は、トルエンス
ルフオン酸が０〜約10重量パーセントでハイドロ
トロープのバランスがベンゼンスルフオン酸であ
る組成物である。 ハイドロトロープ性スルフオン酸は、芳香族炭
化水素が若し存在する場合水で洗滌後オイルアウ
トしない様に充分な量でなければならない。ハイ
ドロトロープ性スルフオン酸約20〜55重量％内の
比率は、アルキルベンゼンスルフオン酸の場合、
たとえばトルエンスルフオン酸でも充分ではな
い。芳香族炭化水素溶媒がオイルアウトするのを
防止するにはベンゼンスルフオン酸は通常約20〜
約45重量％で充分であるが、然し、若し溶媒がこ
の組成物の約30％以上の場合この範囲の極小近
傍、約25％以下は好ましくない。この範囲内で、
選択されて界面活性を有するスルフオン酸および
芳香族炭化水素溶媒のためのハイドロトロープ性
スルフオン酸の満足すべき量は、サンプルに水を
添加して油滴を観察することによつて容易に決定
される。 水洗における曇りは容認出来、それ故本発明は
完全にきれいに水洗滌可能な剥離剤に限定されな
い。然しながら、肉眼で観察される程大きな油滴
は容認出来ない。なぜならばそれらは支持体上に
オイルアウトする傾向があることがわかつたから
である。それ故、この組成物は、“洗滌水がきれ
いなままであり単にくもるだけで肉眼観察出来る
油滴を形成しない様な水で実質的にきれいに洗滌
可能”であるべきである。然しながら、好ましく
は、本発明の組成物は水洗浴あるいはスプレー中
に入れられる剥離剤１部当り10〜100容量部の如
き合理的な比率の本発明の組成物を水洗するため
に使用された後でも洗滌水が“無色”である様な
“きれいに水洗可能”なものである。 重量部における比率の全範囲は界面活性を有す
るスルフオン酸約15〜65％、ハイドロトロープ性
スルフオン酸約20〜80％および芳香族炭化水素溶
媒０〜約40％である。好ましくは、ハイドロトロ
ープ性スルフオン酸はベンゼンスルフオン酸であ
る。好ましくは、界面活性剤はドデジルベンゼン
スルフオン酸である。好ましい範囲は界面活性を
有するアルキルアリールスルフオン酸約15〜55
％；ハイドロトロープ性芳香族スルフオン酸約25
〜80％および芳香族炭化水素溶媒約５〜30％であ
る。 特に好ましい範囲は下記の如し（重量％）；

【表】 組成物Ａは極めて好ましい剥離剤であつて、(1)
大部分のフオトレジストを速く且つ完全に剥離す
るのに十分な量の高分子量界面活性剤および(2)水
洗後溶媒がオイルアウトするのを防ぐのに十分な
量のハイドロトロープを含む。組成物Ａのハイド
ロトロープは恐らくは副次的な剥離作用しか果さ
ない。組成物Ｂは、大部分のフオトレジストを速
く且つ完全に剥離し且つ比較的低比率の溶媒もオ
イルアウトさせないような十分な量のハイドロト
ロープが存在する剥離剤の極めて好ましい代表例
である。これら好ましいタイプの剥離剤の選択
は、フオトレジストのタイプおよびその支持体上
で受けた履歴（殊に、焼付け時間および温度）、
認容される剥離条件、製造貯蔵および使用の間の
望ましい物性および他の二次的な要因に依存す
る。 本発明の組成物は、米国特許第4165295号明細
書（1976年10月４日出願）に記載されている様に
フツ化物インヒビターによる金属腐食に対して好
ましくは安定である。かくして、この組成物には
約４〜500ppmのフツ化物が存在するのが好まし
く、そして約10〜200ppmのフツ化物の存在が更
に好ましい。米国特許第4215005号明細書（1978
年１月30日出願）に記載されている様にこのフツ
化物はモルフオリン、ジメチルフオルムアミド、
アニリン等の如き窒素を含む錯化剤で、好ましく
は錯化剤対フツ化物のモル比が約10：１および約
１：10、そしてより好ましくは約２：１および約
１：２で錯化され得る。フツ化物は貯蔵および使
用の間揮発から保護される。 本発明の組成物は、スルフオン酸および水との
組み合せによる剥離の間金属腐食を防止するため
実質的に無水であるのが好ましく；例えば、１％
以下の水、好ましくは0.5％以下の水および、よ
り好ましくは0.2％以下の水を含む。 本発明の剥離剤溶液によつて除去されるべき高
分子有機物質は通常、比較的低分子量のポリイソ
プレン、ポリビニルシンナメートおよびフエノー
ルホルムアルデヒド樹脂から選択されるポリマー
から成るフオトレジストである。これらのフオト
レジストは支持体、例えばSiO₂、シリコンある
いはアルミニウムに適用されて被覆する。ついで
この被覆された支持体は光、例えば120ボルト650
ワツトの水晶ランプに６〜12インチの距離で１〜
15秒さらされ、さらされたフオトレジストを硬化
する。ネガテイブフオトレジストの場合、光に暴
露されない、即ちフオトレジストの光から被覆さ
れない部分が、暴露されたフオトレジストを溶解
しないマイルドな溶媒で除去してパターン、例え
ば暴露支持体上に電気回路パターンの部分を残
す。ポジテイブフオトレジストの場合、除去され
るのはフオトレジストの暴露部分である。ついで
残存しているフオトレジストをベーキングして更
に硬化させ、そして支持体のフオトレジストでお
おわれていない部分にエツチング或いは他の処理
をほどこす。エツチング剤は緩衝酸化物、酸ある
いは更にフオトレジストを硬化させるプラズマエ
ツチング剤である。ついで硬化されたフオトレジ
ストは、支持体が更に処理されたり、または使用
される前に除去される。本発明の剥離溶液を使用
する場合、ベーキングされたフオトレジストで被
覆された支持体は約50゜〜約180℃、好ましくは
90゜および120℃の間の温度で剥離溶液と接触させ
られる。フオトレジストを剥離するに要する時間
は、フオトレジストで使用されている特定のポリ
マーおよびフオトレジスト処理条件に応じて可成
りの程度変化する。通常１および10分間の間であ
るが、レジストによつてはベーキング温度に依存
して、高分子フオトレジストが支持体からゆるく
なる前に剥離溶液と15分、30分又は１時間程度接
触させる必要がある。多くのフオトレジストは完
全で且つ支持体から溶けて離れるが、中にはゆる
くされついで浮かされてから剥離剤組成物に溶解
されるものもある。 本発明の組成物で剥離されるフオトレジストの
例は下記のポジテイブおよびネガテイブレジスト
である；

【表】 フオトレジストが支持体から除去されてから該
支持体を水性洗滌液で水洗する。ブチルセルソル
ブあるいはメチルセルソルブの如き溶媒によるリ
ンスが剥離工程の後に続く。然しながら、本発明
の組成物は水だけを使用した時も芳香族炭化水素
のオイルアウトやあるいはポリマーの再沈澱が殆
どまたは全く起らない点で実質的に水できれいに
洗滌可能なものであるので、剥離後直接半導体処
理において一般に使用されている純度の脱イオン
水でリンスするのが好ましい。 本発明の組成物およびその変性組成物はまたペ
イント、ワニス、フラツクスおよびフオトレジス
ト等の種々の高分子樹脂を種々の不活性支持体か
ら剥離するのに使用され得る。それ故、本発明
は、高分子樹脂で被覆された不活性支持体をその
樹脂がゆるむのに十分な時間、下記の (イ) 炭素原子12〜20個を含む界面活性を有するア
ルキルアリールスルフオン酸約15〜約65wt
％； (ロ) 炭素原子６〜９個を含むハイドロトロープ性
芳香族スルフオン酸約20〜80wt％； (ハ) 沸点150℃以上の、ハロゲンを含まない芳香
族炭化水素溶媒０〜約40wt％ から成り、フエノール化合物および塩素化炭化水
素化合物を含まず、かつ水で実質的にきれいに洗
滌可能な組成物と接触させ、次いで水で支持体か
ら該組成物およびフオトレジストを洗滌、除去す
ることから成る不活性支持体から高分子樹脂を剥
離する方法も包含するものである。 この様な方法の好ましい形態は高分子樹脂がポ
リイソプレン、ポリビニルシンナメートあるいは
フエノールフオルムアルデヒドフオトレジストで
ある場合である。より好ましい方法は組成物が前
記組成“Ａ”および“Ｂ”で示された比率の組成
物である場合である。 実施例１〜24及び比較例１〜５ 二酸化ケイ素支持体を２種の有機フオトレジス
ト、即ポリイソプレンタイプのネガテイブレジス
ト（Phillip A.Hunt社製Waycoat HR−100）お
よびフエノールフオルムアルデヒドタイプ
（Shipley社の“Shipley AZ 1350）のポジテイブ
レジストで被覆した。 ポジテイブレジストを各支持体上で180℃で30
分間ベーキングした。ネガテイブレジストも各支
持体上で150℃で60分間ベーキングした。ついで、
支持体を表−１に示した各種の剥離溶液中に１分
間浸漬してから取り出してゆつくり撹拌している
水の入つているビーカ中においた。若しフオトレ
ジストが支持体に残つている場合は、その例を剥
離時間２分間でくり返した。若しフオトレジスト
が支持体上に依然として残存している場合はフオ
トレジストが支持体上に観察されなくなるまで３
分間〜10分間迄の剥離時間で例をくり返した。一
旦剥離時間が決定されたら、その実験に使用され
る洗滌水の入つたビーカーを検査して無色ならば
“清浄”、不透明の場合は“曇り”、そして油滴あ
るいは油層が観察されたら“油状”と記す。 表−１に記した様に、フエノール、フエノール
化合物および塩素化炭化水素化合物を含まない本
発明の組成物を使用して高分子フオトレジストを
水による洗滌で無機支持体から除去するのに非常
に効果的な結果が得られた。表−１および２で使
用した略号を説明すると次の通りである：BSA
−約１％の遊離硫酸を含むJim Walter
Associates社から入手したベンゼンスルフオン
酸．DDBSA−Ｃ−16が約18％、Ｃ−17が38％、
Ｃ−18が33％、およびＣ−19が10％の炭素原子分
布を有し、且つ約2.0％の遊離炭化水素および0.5
％の遊離硫酸を含むStepan Chemical Co.から入
手したドデジルベンゼンスルフオン酸。TSA−
約1.0％の遊離硫酸を含むJim Walter
Associates社から入手したトルエンスルフオン
酸。DDB−炭素原子分布がＣ−16が約18％、Ｃ
−17が38％、Ｃ−18が33％およびＣ−19が10％で
あるStepan Chemical社から入手したドデシルベ
ンゼン。CSA−クメンスルフオン酸。XSA−キ
シレンスルフオン酸。EBSA−エチルベンゼンス
ルフオン酸。HBSA−ヘキシルベンゼンスルフ
オン酸あるいは平均炭素原子数が約22のスルフオ
ン酸。DBSA−デシルベンゼンスルホン酸あるい
は平均炭素原子数が約16のスルホン酸。TDBSA
−トリデシルベンゼンスルフオン酸あるいは平均
炭素原子数が約19のスルフオン酸。HDB−ヘキ
サデシルベンゼンあるいは平均炭素原子数が約12
の芳香族炭化水素。DB−デシルベンゼンあるい
は平均炭素原子が約16の芳香族炭化水素。TDB
−トリデシルベンゼンあるいは平均炭素原子数が
約19の芳香族炭化水素。商標又は商標名で同定さ
れる使用されたフオトレジストは下記の通りであ
ると信じられる。

【表】

【表】

【表】 実施例 25〜31 表−２の組成物を使用して実施例１〜24の剥離
工程をくり返した。各実施例による表−２に示し
たフオトレジストの急速な剥離においてオイルア
ウトあるいはフオトレジストポリマーの再沈澱は
殆どあるいは全く観察されなかつた。

【表】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ (イ) 界面活性を有する、炭素原子12〜20個の
   アルキルアリールスルフオン酸：15〜65重量パ
   ーセント、 (ロ) ハイドロトロープ性を有する、炭素原子６〜
   ９個の芳香族スルフオン酸：20〜80重量パーセ
   ント、および (ハ) 沸点が150℃以上のハロゲンを含まない芳香
   族炭化水素溶媒：０〜40重量パーセント から成り、フエノール化合物および塩素化炭化水
   素化合物を含まず且つ水のみで実質的にきれいに
   洗滌可能な、無機支持体からフオトレジストを剥
   離するための組成物。 ２ ハイドロトロープ性芳香族スルフオン酸がベ
   ンゼンスルフオン酸である特許請求の範囲第１項
   記載の組成物。 ３ 界面活性を有するスルフオン酸がドデシルベ
   ンゼンスルフオン酸である特許請求の範囲第２項
   記載の組成物。 ４ (イ) 界面活性を有するアルキルアリールスル
   フオン酸；15〜55重量パーセント、 (ロ) ハイドロトローフ性芳香族スルフオン酸；25
   〜80重量パーセントおよび (ハ) ハロゲンを含まない芳香族炭化水素溶媒；５
   〜30重量パーセント から成る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ５ (イ) 界面活性を有するアルキルアリールスル
   フオン酸；45〜55重量パーセント、 (ロ) ハイドロトロープ性芳香族スルフオン酸；20
   〜50重量パーセントおよび (ハ) ハロゲンを含まない芳香族炭化水素溶媒；５
   〜25重量パーセント から成る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ６ (イ) 界面活性を有するアルキルアリールスル
   フオン酸；15〜45重量パーセント； (ロ) ハイドロトロープ性芳香族スルフオン酸：50
   〜80重量パーセントおよび (ハ) ハロゲンを含まない芳香族炭化水素溶媒：０
   〜10重量パーセント から成る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ７ ハイドロトロープ性芳香族スルフオン酸がベ
   ンゼンスルフオン酸および組成物の重量当り０〜
   10重量％の炭素原子７〜９個のアルキルアリール
   スルフオン酸の少なくとも１種から成る特許請求
   の範囲第１項記載の組成物。 ８ フオトレジストで被覆された不活性支持体を (イ) 界面活性を有する、炭素原子12〜20個のアル
   キルアリールスルフオン酸：15〜65重量パーセ
   ント、 (ロ) ハイドロトロープ性を有する、炭素原子６〜
   ９個の芳香族スルフオン酸：20〜80重量パーセ
   ントおよび (ハ) 沸点が150℃以上の、ハロゲンを含まない芳
   香族炭化水素溶媒：０〜40重量パーセント から成り、フエノール化合物および塩素化炭化水
   素化合物を含まず、且つ水のみで実質的にきれい
   に洗滌可能な、無機支持体からフオトレジストを
   剥離するための組成物と十分な時間接触させて該
   フオトレジストをゆるくしそして該組成物および
   フオトレジストを水で該支持体から洗滌、除去す
   ることから成る、該不活性支持体からフオトレジ
   ストを剥離する方法。 ９ 水が脱イオン水である特許請求の範囲第８項
   記載の方法。 １０ フオトレジストがポリイソプレン、ポリビ
   ニルシンナメートおよびフエノールフイルムアル
   デヒドフオトレジストより成る群から選択される
   フオトレジストである特許請求の範囲第８項記載
   の方法。