JPH0721638B2 - 基板の処理方法 - Google Patents

基板の処理方法

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JPH0721638B2
JPH0721638B2 JP61167898A JP16789886A JPH0721638B2 JP H0721638 B2 JPH0721638 B2 JP H0721638B2 JP 61167898 A JP61167898 A JP 61167898A JP 16789886 A JP16789886 A JP 16789886A JP H0721638 B2 JPH0721638 B2 JP H0721638B2
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は基板の処理方法に関するものである。さらに詳
しくいえば、本発明は、半導体素子の製造工程におい
て、エツチング処理後のレジストパターンを剥離液によ
り除去したのちの基板のリンス効果に優れ、かつ人体に
対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極めて少
ない上に、火災上の安全性にも優れた特定の溶剤で基板
をリンス処理する方法に関するものである。
従来の技術 ICやLSIなどの半導体素子の製造においては、通常まず
シリコンウエハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜を形
成し、次いでその表面にホトレジストを均一に塗布して
感光層を設けたのち、露光及び現像処理を施してレジス
トパターンを形成し、続してこのレジストパターンをマ
スクとして、下層部の酸化膜を選択的にエツチングした
のち、基板上のレジストパターンを完全に除去するとい
う工程がとられている。
従来、ホトレジストパターンの除去には、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法及び有機溶剤を使用して
溶解剥離除去する方法が知られているが、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法は作業上危険性を伴うの
で、有機溶剤を使用する方法が一般的に用いられてい
る。
ホトレジストパターンの除去に使用される有機溶剤とし
ては、例えばアルキルベンゼンスルホン酸、芳香族炭化
水素とアルキルベンゼンスルホン酸との混合物などが知
られている。
しかしながら、これらの有機溶剤を用いる方法において
は、該有機溶剤によりホトレジストパターンを溶解剥離
するために、剥離除去後すぐに基板を水洗いすると、基
板上に残存している剥離液中に溶解しているホトレジス
トが析出して、基板上に再付着する。したがつてホトレ
ジストパターンを剥離除去後、基板をすぐに水洗いする
ことができず、基板のリンス処理が不可欠である。
このリンス処理は、基板上に残存している剥離液を完全
に洗い流し、該剥離液中に溶解しているホトレジストが
基板上に再付着するのを防止するために行われる。
このようなリンス処理に用いられるリンス液としては、
従来トリクロロエチレン、メタノール、イソプロピルア
ルコール、アセトン、メチルエチルケトンなどが知られ
ている。しかしながら、これらのリンス液は、基板上の
剥離液の洗浄には有効ではあるが、トリクロロエチレン
の場合、近年人体に対する有害性や廃液による環境問題
が大きくクローズアップされ、また、その他のものは低
引火点溶剤であり、防災上及び貯蔵上の問題を有し、さ
らに揮発速度が速く、作業環境に悪影響を及ぼすなど、
種々の問題点を有している。また、ネガ型のゴム系ホト
レジストを用いた場合のリンス液にはトリクロロエチレ
ンが有効であるが、ポジ型のノボラツク系ホトレジスト
を用いた場合のリンス液にはトリクロロエチレンは使用
できないため、その他のリンス液を用いなければなら
ず、使用するホトレジストによりリンス液が変わること
は、作業効率の著しい低下を免れないという問題が生じ
る。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、半導体素子の製造工程におけるこのようなリ
ンス処理の問題を解決し、剥離液によるレジストパター
ン除去後の基板のリンス処理において、リンス効果に優
れ、剥離液中に溶解しているホトレジストの基板への再
付着を防止でき、かつ人体に対する毒性や廃水処理など
の環境面での問題が極めて少なく、火災上の安全性に優
れ、また使用するホトレジストの種類に制限されないリ
ンス液を用いる基板の処理方法の提供を目的としてなさ
れたものである。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、リンス液として
特定のエーテル化合物を主成分とする溶剤を用いること
により、その目的を達成しうることを見出し、この知見
に基づいて本発明を成すに至つた。
すなわち、本発明は、基板上に所望のホトレジストパタ
ーンを設けてエッチング処理を行い、次いで該レジスト
パターンを剥離液で除去したのち、該基板を一般式 （式中のR1は炭素数１〜４のアルキル基、R2は水素原子
又はメチル基、ｎは２又は３である） で表わされるエーテル化合物の中から選ばれた少なくと
も１種を主成分として含有する溶剤を用いてリンス処理
することを特徴とする剥離液中のホトレジストの再付着
を防止するための基板の処理方法を提供するものであ
る。
本発明方法において、リンス液の溶剤に用いられる前記
一般式（Ｉ）で表わされるエーテル化合物としては、例
えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、
トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルなどを挙げること
ができる。これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、２
種以上混合して用いてもよい。
本発明方法におけるリンス液は、前記一般式（Ｉ）で表
わされるエーテル化合物の中から選ばれた少なくとも１
種から成る溶剤であつても十分なリンス効果を発揮しう
るが、添加剤として、一般式 （式中のR3、R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子、ア
ルキル基又はヒドロキシアルキル基を示すが、R3、R4及
びR5のうち、少なくとも１つはヒドロキシアルキル基で
ある） で表わされる脂肪族アミン化合物の中から選ばれた少な
くとも１種を添加することによつて、リンス処理時に基
板上に付着した剥離液、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸などの酸が中和されるので、前記一般式（Ｉ）で表
わされるエーテル化合物のリンス作用が、該酸によつて
妨害されることはなく、その結果該エーテル化合物のリ
ンス効果を長時間、安定に保つことができる。
この脂肪族アミン化合物としては、例えばモノエタノー
ルアミン、ブチルモノエタノールアミン、エチルジエタ
ノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどを挙げ
ることができる。そして、前記一般式（Ｉ）で表わされ
るエーテル化合物とこの一般式（II）で表わされる脂肪
族アミン化合物との配合割合は、ネガ型ホトレジストを
使用した場合には、重量基準で100:0ないし85:15の範囲
が、またポジ型ホトレジストを使用した場合には、重量
基準で100:0ないし50:50の範囲が好ましい。脂肪族アミ
ン化合物の量が、エーテル化合物との合計量に対して、
ネガ型ホトレジストに使用するときには15重量％を、ま
たポジ型ホトレジストに使用するときには50重量％を超
えるとリンスが不完全となり好ましくない。この場合、
目視ではリンスが不完全であることは判明しにくいが、
例えば基板上に水蒸気を吹き付けるとレジストパターン
跡が観察されることから、リンスの不完全さを簡便に知
ることができる。
次に、本発明の基板の処理方法の１例について説明する
と、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリコンウエハー
などから成る基板上に、ホトレジストを均一に塗布し、
乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層に所望のパタ
ーンを露光したのち、現像処理を施し、さらにポストベ
ークしてレジストパターンを形成する。次に、このレジ
ストパターンをマスクとして、下層部の酸化膜を選択的
にエツチングしたのち、基板上の該レジストパターンを
剥離液により完全に除去し、次いで前記リンス液を用い
て基板にリンス処理を施し、該剥離液を完全に洗い流
す。
発明の効果 本発明の基板の処理方法は、リンス液として、リンス効
果に優れ、剥離液中に溶解しているホトレジストの基板
への再付着を防止でき、かつ人体に対する毒性や廃水処
理などの環境面での問題が極めて少なく、消防上の安全
性にも優れたものを用いることから、実用性の高い基板
の処理を行うことができる。またこのリンス液は、剥離
処理するレジストパターンがネガ型又はポジ型のいずれ
のホトレジストから形成されたものであつても、剥離後
のリンス処理に有効に使用できるので作業効率も大幅に
向上できる。
実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１〜17、比較例１〜11 シリコン基板上にポジ型ホトレジスト（OFPR-800東京応
化工業社製）及びネガ型ゴム系ホトレジスト（OMR-83東
京応化工業社製）をそれぞれ１μｍ膜厚に塗布したもの
を準備し、それぞれ露光、現像後、180℃で30分間ポス
トベークを行つたのち、塩素系溶剤とアルキルベンゼン
スルホン酸から成る市販の剥離液を用いて120℃で５分
間浸漬剥離し、次いで第１表及び第２表に示す組成のリ
ンス液でリンス処理したのち、水洗してスピンナーによ
り乾燥した。その結果を第１表（対象：ネガ型ホトレジ
スト）及び第２表（対象：ポジ型ホトレジスト）に示
す。
また、比較のため、トリクロロエチレンによりリンス処
理後乾燥した場合、及びメタノール、イソプロピルアル
コール、メチルエチルケトンでリンス処理液、水洗いし
た場合、さらにトリクロロエチレン浸漬後、メチルエチ
ルケトンに浸漬して水洗した場合の結果も第１表（対
象：ネガ型ホトレジスト）及び第２表（対象：ポジ型ホ
トレジスト）に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−155942（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−78402（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−147736（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−23783（ＪＰ，Ｂ１)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に所望のホトレジストパターンを設
    けてエッチング処理を行い、次いで該レジストパターン
    を剥離液により除去したのち、該基板を一般式 （式中のR1は炭素数１〜４のアルキル基、R2は水素原子
    又はメチル基、ｎは２又は３である） で表わされるエーテル化合物の中から選ばれた少なくと
    も１種を主成分として含有する溶剤を用いてリンス処理
    することを特徴とする剥離液中のホトレジストの再付着
    を防止するための基板の処理法。
  2. 【請求項２】溶剤がエーテル化合物の他に、一般式 （式中のR3、R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子、ア
    ルキル基又はヒドロキシアルキル基を示すが、R3、R4及
    びR5のうち少なくとも１つはヒドロキシアルキル基であ
    る） で表わされる脂肪族アミン化合物の中から選ばれた少な
    くとも１種を含有するものである特許請求の範囲第１項
    記載の方法。
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