JPH025407A - 電子線描画用接続精度測定方法 - Google Patents
電子線描画用接続精度測定方法Info
- Publication number
- JPH025407A JPH025407A JP63155497A JP15549788A JPH025407A JP H025407 A JPH025407 A JP H025407A JP 63155497 A JP63155497 A JP 63155497A JP 15549788 A JP15549788 A JP 15549788A JP H025407 A JPH025407 A JP H025407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scale
- connection accuracy
- electron beam
- field
- exposure
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- Granted
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子線描画装置によって描画される二描画領域
の接続精度を測定する、電子線描画用精度測定方法に関
する。
の接続精度を測定する、電子線描画用精度測定方法に関
する。
近年、半導体集積回路の高集積化、高品質化が進むにつ
れ、半導体製造装置に関しても高信頼性が追求されてい
る。半導体集積回路の高集積化については、超ＬＳＩか
らなる高密度記憶回路装置が開発されつつあるが、高集
積化が進むにつれ、パターンは微細化され、従来の紫外
光による縮少投影露光法では実現が困難となってきてい
る。
れ、半導体製造装置に関しても高信頼性が追求されてい
る。半導体集積回路の高集積化については、超ＬＳＩか
らなる高密度記憶回路装置が開発されつつあるが、高集
積化が進むにつれ、パターンは微細化され、従来の紫外
光による縮少投影露光法では実現が困難となってきてい
る。
一方、高品質化に於いては回路パターンの寸法精度のよ
り高いものを得るため、より精度の高い露光装置を用い
る必要があるが、電子ビーム直接描画法は、ウェハー上
に直接回路パターンを形成するため投影露光法に比べ高
精度の微細なパターン形成が可能であり、超ＬＳＩの開
発に、この電子ビーム描画法が利用されつつある。
り高いものを得るため、より精度の高い露光装置を用い
る必要があるが、電子ビーム直接描画法は、ウェハー上
に直接回路パターンを形成するため投影露光法に比べ高
精度の微細なパターン形成が可能であり、超ＬＳＩの開
発に、この電子ビーム描画法が利用されつつある。
ところで、電子ビーム描画装置を用いて、第５図に示す
如き、チップ１を描画とする場合、この描画装置のステ
ージを移動することなく、電子ビームの偏向のみによっ
て描画可能の領域、即ちフィールドの寸法が、チップ１
の寸法よりも小さい場合、チップを幾つかのフィールド
Ｆｌ、Ｆ２゜Ｆ３．Ｆ４に分割し、１つのフィールドを
描画する毎にステージを移動し、次のフィールドを描画
するということを繰り返す必要がある。この場合、隣り
合ったフィールドの接続精度は高精度パターン形成に於
いて重大な要素となる。
如き、チップ１を描画とする場合、この描画装置のステ
ージを移動することなく、電子ビームの偏向のみによっ
て描画可能の領域、即ちフィールドの寸法が、チップ１
の寸法よりも小さい場合、チップを幾つかのフィールド
Ｆｌ、Ｆ２゜Ｆ３．Ｆ４に分割し、１つのフィールドを
描画する毎にステージを移動し、次のフィールドを描画
するということを繰り返す必要がある。この場合、隣り
合ったフィールドの接続精度は高精度パターン形成に於
いて重大な要素となる。
第６図、第７図は従来の平行方向および垂直方向の接続
精度測定用パターンの一例の平面図である。第６図はフ
ィールド境界２の平行方向の接続精度を測定するパター
ンを示す。平行方向接続精度測定は、まず、フィールド
Ｆ１の描画時、フィールドＦ１の右端に線幅ｅ１．ピッ
チＰ１の数本に直線群である主尺目盛ｌＯが形成される
。これらの直線のうち真中に直線１１は他よりも長く形
成される。フィールドＦ１描画後ステージが移動し、隣
のフィールドＦ２の描画が行なわれる。このフィールド
Ｆ２の左端には線幅！２．ピッチＰ２で主尺目盛１０と
し同じ本数の直線群である副尺目盛２０が描画される。
精度測定用パターンの一例の平面図である。第６図はフ
ィールド境界２の平行方向の接続精度を測定するパター
ンを示す。平行方向接続精度測定は、まず、フィールド
Ｆ１の描画時、フィールドＦ１の右端に線幅ｅ１．ピッ
チＰ１の数本に直線群である主尺目盛ｌＯが形成される
。これらの直線のうち真中に直線１１は他よりも長く形
成される。フィールドＦ１描画後ステージが移動し、隣
のフィールドＦ２の描画が行なわれる。このフィールド
Ｆ２の左端には線幅！２．ピッチＰ２で主尺目盛１０と
し同じ本数の直線群である副尺目盛２０が描画される。
ここで、フィールドＦ１とＦ２との間に平行方向のズレ
がない場合には直線１１と直線２１のそれぞれの中心線
が一致するが、もしフィールドＦ２がＦｌに対して下方
向にＦ２−ＰＬだけズしていれば直線１５と２５の中心
線が一致する。このように、どの直線に於いてその中心
線が一致するかを光学顕微鏡で観察することにより、フ
ィールド境界に平行な方向の接続精度測定が行なわれる
。
がない場合には直線１１と直線２１のそれぞれの中心線
が一致するが、もしフィールドＦ２がＦｌに対して下方
向にＦ２−ＰＬだけズしていれば直線１５と２５の中心
線が一致する。このように、どの直線に於いてその中心
線が一致するかを光学顕微鏡で観察することにより、フ
ィールド境界に平行な方向の接続精度測定が行なわれる
。
第７図はフィールド境界２に垂直の方向の接続精度評価
用パターンを示す。これは、フィールド境界２の両側に
境界から距ＭＳＬに位置に境界と平行に線幅ｅ３の直線
を描画する。その後、測長機よって、ピッチＰ３あるい
はピッチＰ４を測定値の設計値からズレがフィールド境
界に垂直方向のフィールド接続精度となる。
用パターンを示す。これは、フィールド境界２の両側に
境界から距ＭＳＬに位置に境界と平行に線幅ｅ３の直線
を描画する。その後、測長機よって、ピッチＰ３あるい
はピッチＰ４を測定値の設計値からズレがフィールド境
界に垂直方向のフィールド接続精度となる。
上述した従来の接続精度測定パターンは、フィールド境
界に垂直の方向の接続精度測定に於いて、平行な方向の
接続精度測定が光学顕微鏡で直接読み取ることが可能な
のに対し、垂直な方向の接続精度は直読不可能であり、
境界に平行な２直線の距離を測長機によって測長して求
める必要があり、測定に時間がかかると共に、測長機が
必要でり、かつこの測長機の精度によって接続精度測定
値が影響されるなどという欠点がある。
界に垂直の方向の接続精度測定に於いて、平行な方向の
接続精度測定が光学顕微鏡で直接読み取ることが可能な
のに対し、垂直な方向の接続精度は直読不可能であり、
境界に平行な２直線の距離を測長機によって測長して求
める必要があり、測定に時間がかかると共に、測長機が
必要でり、かつこの測長機の精度によって接続精度測定
値が影響されるなどという欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、垂直方向の精
度も同時に直接読みとることが出来ると共に、測長機を
不要とした電子線描画用接続精度測定方法を提供するこ
とにある。
度も同時に直接読みとることが出来ると共に、測長機を
不要とした電子線描画用接続精度測定方法を提供するこ
とにある。
本発明の電子線描画用接続精度測定方法の構成は、電子
線描画装置によって隣合って露光される２露光領域の一
方の露光領域境界に沿って主尺目盛りを露光し、他方の
領域に沿って副尺目盛を露光し、前記主尺目盛と副尺目
盛とを拡大観察することによりこれら２つの領域の間の
接続精度を測定する電子線描画用接続精度測定方法に於
いて、前記主尺目盛の露光パターンは前記露光領域境界
と垂直方向の複数の直線より成り、がつ前記露光領域境
界より順次一定距離れて形成され、前記副尺目盛の露光
パターンは前記露光領域境界と垂直方向の複数の直線よ
り成り、かつ前記露光境界に接して形成されたものを用
いることを特徴とする。
線描画装置によって隣合って露光される２露光領域の一
方の露光領域境界に沿って主尺目盛りを露光し、他方の
領域に沿って副尺目盛を露光し、前記主尺目盛と副尺目
盛とを拡大観察することによりこれら２つの領域の間の
接続精度を測定する電子線描画用接続精度測定方法に於
いて、前記主尺目盛の露光パターンは前記露光領域境界
と垂直方向の複数の直線より成り、がつ前記露光領域境
界より順次一定距離れて形成され、前記副尺目盛の露光
パターンは前記露光領域境界と垂直方向の複数の直線よ
り成り、かつ前記露光境界に接して形成されたものを用
いることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明する精度測定パターン
の平面図で、この接続精度評価パターンは主尺目盛５０
及び副尺目盛６０により構成される。露光領域（フィー
ルド）ＦＬに露光される主尺目盛５０は、幅１１の直線
が平行に複数本並んでおり、直線５１はフィールド境界
２に接しているが、直線５２，５３．５４はフィールド
境界からそれぞれピッチＰＬ、Ｐ２．Ｐ３離れている。
の平面図で、この接続精度評価パターンは主尺目盛５０
及び副尺目盛６０により構成される。露光領域（フィー
ルド）ＦＬに露光される主尺目盛５０は、幅１１の直線
が平行に複数本並んでおり、直線５１はフィールド境界
２に接しているが、直線５２，５３．５４はフィールド
境界からそれぞれピッチＰＬ、Ｐ２．Ｐ３離れている。
直線５５，５６．５７についてもそれぞれピッチＰＩ、
Ｐ２．Ｐ３Ｍれている。また、露光領域ＦＲに露光され
る副尺目盛りＯは、幅ｇ２の直線群で全てフィールド境
界２に接している。主尺０盛５０の１本の直線、例えば
直線５１に対し、副尺目盛６０では２本の直線６１ Ｒ
、６１１−が組になり、計３本の直線で１つの目盛を形
成している。
Ｐ２．Ｐ３Ｍれている。また、露光領域ＦＲに露光され
る副尺目盛りＯは、幅ｇ２の直線群で全てフィールド境
界２に接している。主尺０盛５０の１本の直線、例えば
直線５１に対し、副尺目盛６０では２本の直線６１ Ｒ
、６１１−が組になり、計３本の直線で１つの目盛を形
成している。
これは、第２図に示す如くフィールド境界２と平行方向
にフィールド接続ズレがある場合には、副尺目盛６１
Ｒ，が主尺目盛５１から離れたところズレでしまうが、
副尺目盛６１Ｌと主尺目盛５１とが利用可能だからであ
る。
にフィールド接続ズレがある場合には、副尺目盛６１
Ｒ，が主尺目盛５１から離れたところズレでしまうが、
副尺目盛６１Ｌと主尺目盛５１とが利用可能だからであ
る。
露光データ的には、フィールドＦＩ−とフィールドＦＲ
との間でフィールド境界２に垂直方向のズレがない時に
は直線５１と直線６１Ｒ，６１Ｌとは接触し、直線５２
と直線６２Ｒ，６２Ｌ直線５５と直線６２Ｒ，６２Ｌと
は接触しない。
との間でフィールド境界２に垂直方向のズレがない時に
は直線５１と直線６１Ｒ，６１Ｌとは接触し、直線５２
と直線６２Ｒ，６２Ｌ直線５５と直線６２Ｒ，６２Ｌと
は接触しない。
ところで、通常フィールドの接続精度は露光装置の解像
度よりも］桁下の位で測定されるため距離Ｐ１は解像限
界よりも小さな寸法である。例えば直線５２と直線６２
Ｒ，，６２Ｌの現像後のパターンは、第３図に示す如く
、データ的には接触していない３本の直線が接触してし
まい正確な接続精度測定が不可能である。そこで本実施
例では、この様な影響を避けるため、第１図に示す如く
接Ｖｔ、精度評価パターンの隣、フィールドＦ Ｉ−内
にリファレスパターン（７０，８０）を配置している。
度よりも］桁下の位で測定されるため距離Ｐ１は解像限
界よりも小さな寸法である。例えば直線５２と直線６２
Ｒ，，６２Ｌの現像後のパターンは、第３図に示す如く
、データ的には接触していない３本の直線が接触してし
まい正確な接続精度測定が不可能である。そこで本実施
例では、この様な影響を避けるため、第１図に示す如く
接Ｖｔ、精度評価パターンの隣、フィールドＦ Ｉ−内
にリファレスパターン（７０，８０）を配置している。
このリファレンスパターンは接続精度評価パターンと同
一の主尺目盛７０、副尺目盛８０から構成されており、
その位置関係は、フィールド接続誤差のない時の主尺目
盛５０と副尺目盛６０との位置関係と同じものである。
一の主尺目盛７０、副尺目盛８０から構成されており、
その位置関係は、フィールド接続誤差のない時の主尺目
盛５０と副尺目盛６０との位置関係と同じものである。
露光の結果、例えば直線７５と８５Ｒ，８５Ｌとが接触
、直線７６と８６Ｒ，８６Ｌとが非接触とすると解像力
はＰ２となり、この状態で直線５６と６６Ｒ，６６Ｌが
接触、直線５７と６７Ｒ６７Ｌとが非接触の場合フィー
ルドＦｌ−と■・′Ｒとは１Ｐ３−Ｐ２１だけ左側にず
れて重なり合っていることが古用定される。また、直電
泉７６ピ８６Ｒ８６Ｌとが接触、直線７７と８７Ｒ１８
７１−が非接触とすると解像力はＰ、となり、この状態
直線５５と６５Ｒ，６５ｊ−とが接触、直線５６と６６
Ｒ，６６Ｌが非接触の場合にはフィールドＦＬとＦ Ｒ
とは： Ｐ Ｉ Ｐ ２ ：たけ右端にずれて離れて
いることがわかる。
、直線７６と８６Ｒ，８６Ｌとが非接触とすると解像力
はＰ２となり、この状態で直線５６と６６Ｒ，６６Ｌが
接触、直線５７と６７Ｒ６７Ｌとが非接触の場合フィー
ルドＦｌ−と■・′Ｒとは１Ｐ３−Ｐ２１だけ左側にず
れて重なり合っていることが古用定される。また、直電
泉７６ピ８６Ｒ８６Ｌとが接触、直線７７と８７Ｒ１８
７１−が非接触とすると解像力はＰ、となり、この状態
直線５５と６５Ｒ，６５ｊ−とが接触、直線５６と６６
Ｒ，６６Ｌが非接触の場合にはフィールドＦＬとＦ Ｒ
とは： Ｐ Ｉ Ｐ ２ ：たけ右端にずれて離れて
いることがわかる。
ここで、リファレンスパターン７０−８０は、接続精度
評価パターン毎に隣に配置しなくても、リファレンスと
なｔしば良く、１フイールド内に１ケ所あるいは１チツ
プ内に１ケ所、１ウエハー内に１ケ所と種々配置の仕方
が可能である。また、ピッチＰＬ、Ｐ２．Ｐ３は必要と
する接続精度によって適宜選択される。
評価パターン毎に隣に配置しなくても、リファレンスと
なｔしば良く、１フイールド内に１ケ所あるいは１チツ
プ内に１ケ所、１ウエハー内に１ケ所と種々配置の仕方
が可能である。また、ピッチＰＬ、Ｐ２．Ｐ３は必要と
する接続精度によって適宜選択される。
第４図は本発明の第２の実施例を説明する平面図である
。本実施例は、基本的には第１の実権例と同じであるが
、接続精度測定パターンの光学須微鏡観察時に、より高
精度な測定のなめ、高倍率対物レンズを用いて測定が可
能になる様に、単純化、縮小化したものである。フィー
ルドＰＬとフィールドＦＲとの接続精度測定パターンは
、主尺目盛９０と副尺目盛１００で形成され、リファレ
ンスパターンは、主尺目盛り０とリファレンス副尺目盛
１１０とで形成され、主尺目盛は両者に共用としている
。
。本実施例は、基本的には第１の実権例と同じであるが
、接続精度測定パターンの光学須微鏡観察時に、より高
精度な測定のなめ、高倍率対物レンズを用いて測定が可
能になる様に、単純化、縮小化したものである。フィー
ルドＰＬとフィールドＦＲとの接続精度測定パターンは
、主尺目盛９０と副尺目盛１００で形成され、リファレ
ンスパターンは、主尺目盛り０とリファレンス副尺目盛
１１０とで形成され、主尺目盛は両者に共用としている
。
接続精度測定に第１の実施例では合計４つの目盛パター
ンが用いられているが、本実施例では３つのパターンに
減少されると共に、副尺目盛１００．１１０は第１の実
施例の副尺目盛６０，８０に対し単純化、縮小化されて
いる。
ンが用いられているが、本実施例では３つのパターンに
減少されると共に、副尺目盛１００．１１０は第１の実
施例の副尺目盛６０，８０に対し単純化、縮小化されて
いる。
以上説明したように本発明の電子線描画用接続精度測定
パターンを用いれば、光学順微鏡により観察するだけで
フィールド接合境界の水平方向および垂直方向のフィー
ルド接合精度を高精度にかつ短時間に直接測定可能であ
る。従って、その測定結果は直に描画装置にフィードバ
ックされ、高品雪の半導体装置を安価に天産に提供でき
るという効果がある。
パターンを用いれば、光学順微鏡により観察するだけで
フィールド接合境界の水平方向および垂直方向のフィー
ルド接合精度を高精度にかつ短時間に直接測定可能であ
る。従って、その測定結果は直に描画装置にフィードバ
ックされ、高品雪の半導体装置を安価に天産に提供でき
るという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２図、第３
図は第１の実施例を説明するための平面図、第４図は本
発明の第２の実施例の平面図、第５図、第６図は従来の
精度測定パターン例を説明するチップおよびパターンの
平面図、第７図は従来の垂直方向お精度測定を説明する
平面図である。 １・・・チップ、２・・・フィールド境界、１０．３０
．５０．９０−・・主尺目盛、２０．４ｏ、６０−・・
副尺目盛、７０・・・リファレンス主尺目盛、８０．１
１０・・・リファレンス副尺目盛、ＦＬ、ＦＲｌＦｌ、
Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４・・・描画フィールド。
図は第１の実施例を説明するための平面図、第４図は本
発明の第２の実施例の平面図、第５図、第６図は従来の
精度測定パターン例を説明するチップおよびパターンの
平面図、第７図は従来の垂直方向お精度測定を説明する
平面図である。 １・・・チップ、２・・・フィールド境界、１０．３０
．５０．９０−・・主尺目盛、２０．４ｏ、６０−・・
副尺目盛、７０・・・リファレンス主尺目盛、８０．１
１０・・・リファレンス副尺目盛、ＦＬ、ＦＲｌＦｌ、
Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４・・・描画フィールド。
Claims (1)
- 電子線描画装置によって隣合って露光される２露光領域
の一方の露光領域境界に沿って主尺目盛りを露光し、他
方の領域に沿って副尺目盛を露光し、前記主尺目盛と副
尺目盛とを拡大観察することによりこれら２つの領域の
間の接続精度を測定する電子線描画用接続精度測定方法
に於いて、前記主尺目盛の露光パターンは前記露光領域
境界と垂直方向の複数の直線より成り、かつ前記露光領
域境界より順次一定距離離れて形成され、前記副尺目盛
の露光パターンは前記露光領域境界と垂直方向の複数の
直線より成り、かつ前記露光境界に接して形成されたも
のを用いることを特徴とする電子線描画用接続精度測定
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63155497A JPH07111951B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 電子線描画用接続精度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63155497A JPH07111951B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 電子線描画用接続精度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025407A true JPH025407A (ja) | 1990-01-10 |
| JPH07111951B2 JPH07111951B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15607344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63155497A Expired - Lifetime JPH07111951B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 電子線描画用接続精度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111951B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134150A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 口腔洗浄装置 |
| KR19990074688A (ko) * | 1998-03-13 | 1999-10-05 | 윤종용 | 마스크 오정렬 검사용 키 |
| JP2004200508A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148347A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Jeol Ltd | Measurement of connection accuracy for electron beam exposure |
| JPS6175519A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Sanyo Electric Co Ltd | フオトマスク |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63155497A patent/JPH07111951B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148347A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Jeol Ltd | Measurement of connection accuracy for electron beam exposure |
| JPS6175519A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Sanyo Electric Co Ltd | フオトマスク |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134150A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 口腔洗浄装置 |
| KR19990074688A (ko) * | 1998-03-13 | 1999-10-05 | 윤종용 | 마스크 오정렬 검사용 키 |
| JP2004200508A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111951B2 (ja) | 1995-11-29 |
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