JPH0254589A - 面発光レーザの製造方法 - Google Patents
面発光レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH0254589A JPH0254589A JP20520688A JP20520688A JPH0254589A JP H0254589 A JPH0254589 A JP H0254589A JP 20520688 A JP20520688 A JP 20520688A JP 20520688 A JP20520688 A JP 20520688A JP H0254589 A JPH0254589 A JP H0254589A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- face
- epitaxial layer
- fusion
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エピタキシャル層の積層方向に共振方向・が
平行である共振器を有する面発光レーザの製造方法に関
するものである。
平行である共振器を有する面発光レーザの製造方法に関
するものである。
基板に積層形成したエピタキシャル層の上下面に共振器
を形成して、その積層方向にレーザ光を出射する面発光
レーザが、デバイスの高集積化の要求に伴って開発され
ている。このような面発光レーザの製造工程にあっては
基板に多数の穴を掘る必要がある。
を形成して、その積層方向にレーザ光を出射する面発光
レーザが、デバイスの高集積化の要求に伴って開発され
ている。このような面発光レーザの製造工程にあっては
基板に多数の穴を掘る必要がある。
第２図は従来の面発光レーザの製造工程を示す模式図で
ある。まず厚さ３００μｍ程度のｎ−ＧａＡｓ基板２１
上に、基板側から順に１−ＧａＡｌＡｓクラッド層２２
ａ。
ある。まず厚さ３００μｍ程度のｎ−ＧａＡｓ基板２１
上に、基板側から順に１−ＧａＡｌＡｓクラッド層２２
ａ。
活性層２２ ｂ ＋ ｐ −Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓク
ラッド層２２ｃ及びキャップ層２２ｄから構成されるエ
ピタキシャル層２２を全膜厚１０μｍ程度に亘って積層
形成した後、エピタキシャル層２２（キャップ層２２ｄ
）上面に電極及び反射膜２３を形成する（第２図（ａｌ
）、次に、ｎ−ＧａＡｓ基板２１を膜厚１００μｍ程度
まで薄膜化し、その一部を除去してエピタキシャル層２
２下面を露出し、次いでこの露出面に反射膜２４を形成
すると共にｎ−ＧａＡｓ基板２１の下面に電極２５を形
成する（第２図（ｂ））。
ラッド層２２ｃ及びキャップ層２２ｄから構成されるエ
ピタキシャル層２２を全膜厚１０μｍ程度に亘って積層
形成した後、エピタキシャル層２２（キャップ層２２ｄ
）上面に電極及び反射膜２３を形成する（第２図（ａｌ
）、次に、ｎ−ＧａＡｓ基板２１を膜厚１００μｍ程度
まで薄膜化し、その一部を除去してエピタキシャル層２
２下面を露出し、次いでこの露出面に反射膜２４を形成
すると共にｎ−ＧａＡｓ基板２１の下面に電極２５を形
成する（第２図（ｂ））。
この製造工程において、ｎ−ＧａＡｓ基板２１の薄膜化
の限界値は以後の製造工程を考慮すると、前述したよう
に１００μｍ程度である。従ってｎ−ＧａＡＳ基板２１
の一部が除去されて掘られる穴の寸法は第２図（ｂ）に
示す如くなって、露出されるエピタキシャル層２２の開
口面の径が１００μｍ以上となる。
の限界値は以後の製造工程を考慮すると、前述したよう
に１００μｍ程度である。従ってｎ−ＧａＡＳ基板２１
の一部が除去されて掘られる穴の寸法は第２図（ｂ）に
示す如くなって、露出されるエピタキシャル層２２の開
口面の径が１００μｍ以上となる。
従来では以上のようにして製造されているので、エピタ
キシャル層の開口面が大きくなって、製造される面発光
レーザは共振器周辺が薄い構造となって、機械的強度が
小さく、熱抵抗、シリーズ抵抗が大きくなるという問題
点がある。
キシャル層の開口面が大きくなって、製造される面発光
レーザは共振器周辺が薄い構造となって、機械的強度が
小さく、熱抵抗、シリーズ抵抗が大きくなるという問題
点がある。
また、薄膜化された後の基板の厚さは１００μｍ以上必
要であるので、エピタキシャル層の開口面が小さい多数
の穴を基板に均一に掘ることは実質上不可能であるとい
う問題点がある。
要であるので、エピタキシャル層の開口面が小さい多数
の穴を基板に均一に掘ることは実質上不可能であるとい
う問題点がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、電極
１反射膜を形成したエピタキシャル層の上面をヒートシ
ンクに融着した後、基板に加工処理を施すことにより、
基板の薄膜化を推進できるので、エピタキシャル層の開
口面が小さい多数の穴を基板に均一に掘ることができ、
しかも機械的強度を太き（、熱抵抗及びシリーズ抵抗を
小さくできる面発光レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
１反射膜を形成したエピタキシャル層の上面をヒートシ
ンクに融着した後、基板に加工処理を施すことにより、
基板の薄膜化を推進できるので、エピタキシャル層の開
口面が小さい多数の穴を基板に均一に掘ることができ、
しかも機械的強度を太き（、熱抵抗及びシリーズ抵抗を
小さくできる面発光レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
本発明に係る面発光レーザの製造方法は、基板上に積層
形成したエピタキシャル層の上面の一部に電極２反射膜
を形成する第１の工程と、前記基板の一部を除去して前
記エピタキシャル層の下面を一部露出し、この露出面に
反射膜を形成し、また基板の下面に電極を形成する第２
の工程とを有する面発光レーザの製造方法において、前
記第１の工程終了後に前記エピタキシャル層の上面をヒ
ートシンクに融着ｅ体化し、次いで前記第２の工程を行
うことを特徴とする。
形成したエピタキシャル層の上面の一部に電極２反射膜
を形成する第１の工程と、前記基板の一部を除去して前
記エピタキシャル層の下面を一部露出し、この露出面に
反射膜を形成し、また基板の下面に電極を形成する第２
の工程とを有する面発光レーザの製造方法において、前
記第１の工程終了後に前記エピタキシャル層の上面をヒ
ートシンクに融着ｅ体化し、次いで前記第２の工程を行
うことを特徴とする。
本発明の面発光レーザの製造方法にあっては、電極９反
射膜を形成したエピタキシャル層の上面にヒートシンク
を融着した後、第２の工程（基板の一部除去、電極９反
射膜の形成）を行うこととする。そうすると基板を大幅
に薄膜化した場合にあっても第２の工程を行なえる。従
って基板を薄くできるので、エピタキシャル層の開口面
が小さい穴を掘ることが可能である。またエピタキシャ
ル層の開口面は小さいので、機械的強度は大きく、しか
も熱抵抗及びシリーズ抵抗は小さい。
射膜を形成したエピタキシャル層の上面にヒートシンク
を融着した後、第２の工程（基板の一部除去、電極９反
射膜の形成）を行うこととする。そうすると基板を大幅
に薄膜化した場合にあっても第２の工程を行なえる。従
って基板を薄くできるので、エピタキシャル層の開口面
が小さい穴を掘ることが可能である。またエピタキシャ
ル層の開口面は小さいので、機械的強度は大きく、しか
も熱抵抗及びシリーズ抵抗は小さい。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係る面発光レーザの製造方法の工程を
示す模式図である。まず厚さ３００μｍ程度のｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１上に、基板側から順にｎ−ＧａＡｌＡｓクラ
ツド層２ａ＋活性層２ｂ、 ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層２Ｃ及びキャップ層２ｄから構成されるエピタキシャ
ル層２を膜厚１０μｍ程度に亘って積層形成した後、エ
ピタキシャル層２ （キャップ層２ｄ）上面に電極及び
反射膜３を形成し、電極及び反射膜３の表面を含んでエ
ピタキシャル層２ （キャップ層２ｄ）上面に’Ａｕ／
Ｉｎからなる融着材７を蒸着する（第１図（ａ））。
示す模式図である。まず厚さ３００μｍ程度のｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１上に、基板側から順にｎ−ＧａＡｌＡｓクラ
ツド層２ａ＋活性層２ｂ、 ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層２Ｃ及びキャップ層２ｄから構成されるエピタキシャ
ル層２を膜厚１０μｍ程度に亘って積層形成した後、エ
ピタキシャル層２ （キャップ層２ｄ）上面に電極及び
反射膜３を形成し、電極及び反射膜３の表面を含んでエ
ピタキシャル層２ （キャップ層２ｄ）上面に’Ａｕ／
Ｉｎからなる融着材７を蒸着する（第１図（ａ））。
一方、Ｓｉからなる膜厚２５０１！ｍ程度のヒートシン
ク６の一面にも前記融着材７と同材質の融着材８を蒸着
し、エピタキシャル層２及びヒートシンク６を、両融着
材７，８を接触させる態様にて、融着一体化する。
ク６の一面にも前記融着材７と同材質の融着材８を蒸着
し、エピタキシャル層２及びヒートシンク６を、両融着
材７，８を接触させる態様にて、融着一体化する。
次いで、ラッピングまたはエツチングによりｎ−ＧａＡ
ｓ基板１を膜厚２０μｍ程度まで薄膜化し、その一部を
除去してエピタキシャル層２下面を露出する。最後にこ
の露出面に反射膜４を形成すると共にｎ−ＧａＡｓ基板
１の下面に電極５を形成する（第１図（ｂ））。
ｓ基板１を膜厚２０μｍ程度まで薄膜化し、その一部を
除去してエピタキシャル層２下面を露出する。最後にこ
の露出面に反射膜４を形成すると共にｎ−ＧａＡｓ基板
１の下面に電極５を形成する（第１図（ｂ））。
本発明ではｎ−ＧａＡｓ基板１の薄膜化は２０μｍ程度
まで可能であるので、ｎ−ＧａＡｓ基板１に掘られる穴
の径寸法は第１図（ｂｌに示す如くなり、エピタキシャ
ル層２の開口面の径は２０μｍ程度となる。以上のよう
にして本発明ではエピタキシャル層の開口面が小さい穴
を基板に多数形成することが可能である。
まで可能であるので、ｎ−ＧａＡｓ基板１に掘られる穴
の径寸法は第１図（ｂｌに示す如くなり、エピタキシャ
ル層２の開口面の径は２０μｍ程度となる。以上のよう
にして本発明ではエピタキシャル層の開口面が小さい穴
を基板に多数形成することが可能である。
本発明では従来例に比してエピタキシャル層の開口面が
大幅に小さくなるので、共振器部分の近傍まで基板が存
在することになり、機械的強度は大きく、熱抵抗及びシ
リーズ抵抗は小さくなる。
大幅に小さくなるので、共振器部分の近傍まで基板が存
在することになり、機械的強度は大きく、熱抵抗及びシ
リーズ抵抗は小さくなる。
因に従来例では４０Ω以上であったシリーズ抵抗が、本
発明例では３０Ω程度となり、大幅に改善されている。
発明例では３０Ω程度となり、大幅に改善されている。
以上詳述した如く本発明の製造方法では、基板の大幅な
薄膜化を図れるので、エピタキシャル層の開口面が小さ
い多数の穴を基板に均一に形成することができる。
薄膜化を図れるので、エピタキシャル層の開口面が小さ
い多数の穴を基板に均一に形成することができる。
また機械的強度が向上するので、製造工程中における取
扱いが容易−となる。更に本発明方法にて製造された面
発光レーザは、熱抵抗及びシリーズ抵抗が低減されるの
で、素子特性が向上する等本発明は優れた効果を奏する
。
扱いが容易−となる。更に本発明方法にて製造された面
発光レーザは、熱抵抗及びシリーズ抵抗が低減されるの
で、素子特性が向上する等本発明は優れた効果を奏する
。
第１図は本発明に係る面発光レーザの製造方法の工程を
示す模式図、第２図は従来の面発光レーザの製造方法の
工程を示す模式図である。 １・・・ｎ−ＧａＡｓ基板 ２・・・エピタキシャル層
３・・・電極及び反射膜 ４・・・反射膜 ５・・・
電極 ６・・・ヒートシンク
示す模式図、第２図は従来の面発光レーザの製造方法の
工程を示す模式図である。 １・・・ｎ−ＧａＡｓ基板 ２・・・エピタキシャル層
３・・・電極及び反射膜 ４・・・反射膜 ５・・・
電極 ６・・・ヒートシンク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に積層形成したエピタキシャル層の上面の一
部に電極、反射膜を形成する第１の工程と、前記基板の
一部を除去して前記エピタキシャル層の下面を一部露出
し、この露出面に反射膜を形成し、また基板の下面に電
極を形成する第２の工程とを有する面発光レーザの製造
方法において、 前記第１の工程終了後に前記エピタキシャル層の上面を
ヒートシンクに融着一体化し、次いで前記第２の工程を
行うことを特徴とする面発光レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20520688A JPH0254589A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 面発光レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20520688A JPH0254589A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 面発光レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254589A true JPH0254589A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16503158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20520688A Pending JPH0254589A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 面発光レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254589A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0560358A3 (en) * | 1992-03-11 | 1994-05-18 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| EP1341278A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-03 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device |
| KR100407955B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2003-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 퓨전 기판 위에 ＧａＡｓ을 형성하는 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63196946A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 後向き推論方法 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20520688A patent/JPH0254589A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63196946A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 後向き推論方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0560358A3 (en) * | 1992-03-11 | 1994-05-18 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| KR100407955B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2003-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 퓨전 기판 위에 ＧａＡｓ을 형성하는 방법 |
| EP1341278A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-03 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device |
| US7157743B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device |
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