JPH0254645B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0254645B2 JPH0254645B2 JP2735884A JP2735884A JPH0254645B2 JP H0254645 B2 JPH0254645 B2 JP H0254645B2 JP 2735884 A JP2735884 A JP 2735884A JP 2735884 A JP2735884 A JP 2735884A JP H0254645 B2 JPH0254645 B2 JP H0254645B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- heat treatment
- iron oxide
- perpendicularly
- film surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
＜技術分野＞
本発明は高記録密度磁気記録装置、特に磁気デ
イスクの磁性媒体として用いられる、膜面に垂直
に磁気異方性を付与した酸化鉄薄膜の製造方法に
関するものである。 ＜技術的背景と問題点＞ 膜面に垂直に磁気異方性を付与した磁性媒体を
用い、膜面に垂直に磁化することで情報を記録す
るいわゆる垂直磁化記録方式は、記録密度が高く
なる程記録磁化方向にビツト形状が伸びた形にな
るため反磁界が減少し、記録磁化は安定化する。
このため、従来用いられてきた膜面に沿つて平行
に磁気異方性を付与した面内磁化膜に比べ、高い
記録密度が達成できることが判明している。この
資料としては、（S.Iwasakietl：LEEE Trans
Magn.、MAG‐13（1977）1272）がある。 かかる垂直磁化記録方式に用いられる磁性媒体
としては、従来コバルト・クロム合金やコバル
ト・ルテニウム合金等コバルト（Co）基合金金
属膜が使われている。この資料としては、（Ｓ・
Iwasaki etal；IEEE Trans Magn.、MAG‐14
（1978）849、S.Hirono etal；Jpn.J.Apol.
PHys.20（1981）L571）がある。 このCo基合金薄膜は、面に垂直にＣ軸がそろ
つた組識となつている。また、Coの結晶磁気異
方性は一軸性であり、磁化容易軸はＣ軸なので、
結局Co基合金薄膜は膜面に垂直に磁気異方性が
付与される、いわゆる垂直異方性化膜である。因
に、膜面に垂直に測定した場合の残留磁化の方が
膜面に平行に測定した場合の残留磁化より大きい
場合の垂直異方性磁化膜は特に垂直磁化膜とよば
れる。 このような垂直異方性磁化膜であるCo基合金
薄膜の欠点としては、この膜が金属膜であるため
に腐食しやすいものであり、しかも表面硬度が足
りないことである。 ＜発明の目的＞ 本発明は、上述のCo基合金薄膜の欠点を除き、
耐食性が高く又表面硬度の優れた酸化鉄薄膜につ
き、誘導磁気異方性を膜面に垂直に付与した垂直
異方性磁化膜の製造方法の提供を目的とする。 ＜発明の構成＞ かかる目的を達成する本発明は、オスミウム
（Os）を添加した酸化鉄を主成分とする薄膜の膜
面に垂直に磁場を加えながら熱処理を施すことを
特徴とする。 ＜実施例＞ 実施例 １ 直径20cmの鉄（Fe）ターゲツト上にオスミウ
ム（Os）およびCoペレツトを配置し、アルゴン
（Ar）と酸素（O2）が１：１の混合ガス雰囲気中
で応応スパツタリングを行ないヘマタイト（α‐
Fe5O3）薄膜を基板上に形成する。スパツタリン
グ方式は高周波二極スパツタ方式でありスパツタ
リング電力は300W、スパツタ雰囲気圧力は２×
10-2Torrである。基板はガラス基板を用いてい
る。膜中へのOs及びCo添加量はターゲツト上の
ペレツトの量を増減することで制御可能である。
膜厚0.1μｍのα‐Fe2O3膜中にOsおよびCoが金属
元素のみの比率で各々2.3及び3.6at％添加した。
ついで、このａ‐Fe2O3薄膜について以下の３種
類の熱処理を施す。 (1) 加湿した水素（H2）気流中で250℃に１時間
加熱し、マグネタイトFe3O4膜を得る。この
際、膜面に垂直に外部磁場10KOeを加える。 (2) 加湿したH2気流中で250℃に１時間加熱して
Fe3O4膜を得た後、大気中で310℃に４時間加
熱してマグヘマイト（γ‐Fe2O3）膜を得る。
大気中で加熱する際に、膜面に垂直に外部磁場
10KOeを加える。 (3) 加湿したH2気流中で250℃に１時間加熱して
Fe3O4膜を得た後、大気中で310℃に４時間加
熱してγ‐Fe2O3膜を形成した。このγ‐
Fe2O3膜面に垂直に10KOeの外部磁場を加えな
がら、大気中で380℃に１時間加熱する。この
処理ではγ‐Fe2O3の状態が保たれる。 以上に述べた３種類の熱処理を施した後、膜面
に平行方向と垂直方向にヒステリシスループを測
定した。各熱処理後の保磁力（Hc）および残留
磁化（Mr）の値を表‐１に示す。
イスクの磁性媒体として用いられる、膜面に垂直
に磁気異方性を付与した酸化鉄薄膜の製造方法に
関するものである。 ＜技術的背景と問題点＞ 膜面に垂直に磁気異方性を付与した磁性媒体を
用い、膜面に垂直に磁化することで情報を記録す
るいわゆる垂直磁化記録方式は、記録密度が高く
なる程記録磁化方向にビツト形状が伸びた形にな
るため反磁界が減少し、記録磁化は安定化する。
このため、従来用いられてきた膜面に沿つて平行
に磁気異方性を付与した面内磁化膜に比べ、高い
記録密度が達成できることが判明している。この
資料としては、（S.Iwasakietl：LEEE Trans
Magn.、MAG‐13（1977）1272）がある。 かかる垂直磁化記録方式に用いられる磁性媒体
としては、従来コバルト・クロム合金やコバル
ト・ルテニウム合金等コバルト（Co）基合金金
属膜が使われている。この資料としては、（Ｓ・
Iwasaki etal；IEEE Trans Magn.、MAG‐14
（1978）849、S.Hirono etal；Jpn.J.Apol.
PHys.20（1981）L571）がある。 このCo基合金薄膜は、面に垂直にＣ軸がそろ
つた組識となつている。また、Coの結晶磁気異
方性は一軸性であり、磁化容易軸はＣ軸なので、
結局Co基合金薄膜は膜面に垂直に磁気異方性が
付与される、いわゆる垂直異方性化膜である。因
に、膜面に垂直に測定した場合の残留磁化の方が
膜面に平行に測定した場合の残留磁化より大きい
場合の垂直異方性磁化膜は特に垂直磁化膜とよば
れる。 このような垂直異方性磁化膜であるCo基合金
薄膜の欠点としては、この膜が金属膜であるため
に腐食しやすいものであり、しかも表面硬度が足
りないことである。 ＜発明の目的＞ 本発明は、上述のCo基合金薄膜の欠点を除き、
耐食性が高く又表面硬度の優れた酸化鉄薄膜につ
き、誘導磁気異方性を膜面に垂直に付与した垂直
異方性磁化膜の製造方法の提供を目的とする。 ＜発明の構成＞ かかる目的を達成する本発明は、オスミウム
（Os）を添加した酸化鉄を主成分とする薄膜の膜
面に垂直に磁場を加えながら熱処理を施すことを
特徴とする。 ＜実施例＞ 実施例 １ 直径20cmの鉄（Fe）ターゲツト上にオスミウ
ム（Os）およびCoペレツトを配置し、アルゴン
（Ar）と酸素（O2）が１：１の混合ガス雰囲気中
で応応スパツタリングを行ないヘマタイト（α‐
Fe5O3）薄膜を基板上に形成する。スパツタリン
グ方式は高周波二極スパツタ方式でありスパツタ
リング電力は300W、スパツタ雰囲気圧力は２×
10-2Torrである。基板はガラス基板を用いてい
る。膜中へのOs及びCo添加量はターゲツト上の
ペレツトの量を増減することで制御可能である。
膜厚0.1μｍのα‐Fe2O3膜中にOsおよびCoが金属
元素のみの比率で各々2.3及び3.6at％添加した。
ついで、このａ‐Fe2O3薄膜について以下の３種
類の熱処理を施す。 (1) 加湿した水素（H2）気流中で250℃に１時間
加熱し、マグネタイトFe3O4膜を得る。この
際、膜面に垂直に外部磁場10KOeを加える。 (2) 加湿したH2気流中で250℃に１時間加熱して
Fe3O4膜を得た後、大気中で310℃に４時間加
熱してマグヘマイト（γ‐Fe2O3）膜を得る。
大気中で加熱する際に、膜面に垂直に外部磁場
10KOeを加える。 (3) 加湿したH2気流中で250℃に１時間加熱して
Fe3O4膜を得た後、大気中で310℃に４時間加
熱してγ‐Fe2O3膜を形成した。このγ‐
Fe2O3膜面に垂直に10KOeの外部磁場を加えな
がら、大気中で380℃に１時間加熱する。この
処理ではγ‐Fe2O3の状態が保たれる。 以上に述べた３種類の熱処理を施した後、膜面
に平行方向と垂直方向にヒステリシスループを測
定した。各熱処理後の保磁力（Hc）および残留
磁化（Mr）の値を表‐１に示す。
【表】
この表‐１から判明するように全ての試料にお
いて膜面に垂直方向の保磁力（Hc⊥）の方が膜
面に平行な保磁力（Hc）よりも大きくなつて
おり、垂直異方性磁化膜となつていることを示し
ている。特に、熱処理(3)を施した場合には、膜面
の垂直方向の残留磁化（Mr⊥）も膜面に平行方
向の残留磁化（Mr）より大きくなつており、
膜面に平行方向よりも垂直方向に磁化された方が
安定な、いわゆる垂直磁化膜であることを示して
いる。 実施例 ２ 実施例１と同様の作製条件でOsのみを金属元
素のみの比率で5.0at％添加したα‐Fe2O3膜を作
製した。膜厚は0.1μｍである。このα−Fe2O3膜
を加湿した水素気流中で250℃に１時間加熱し、
Fe3O4とした後、大気中で310℃に４時間加熱し
てγ−Fe2O3とする。このOs添加γ−Fe2O3膜に
ついて再度、大気中で250℃から680℃の範囲で15
分間加熱する。なお、この際膜面に垂直に
10KOeの外部磁場を印加する。 第１図には保磁力（Hc）及び残留磁化（Mr）
の磁場中熱処理温度依存性を示す。磁場中熱処理
温度が350℃以上の場合には膜面に垂直に測定し
たHcやMrの方が膜面に平行に測定したHcやMr
よりも大きく、垂直磁化膜が形成されている。 実施例 ３ 実施例２と同一条件でOsを０〜9.5at％含む
0.2μｍ厚さのα‐Fe2O3薄膜を形成した。この薄
膜を加湿水素気流中で250〜320℃に１時間加熱し
た後、大気中で310℃に４時間加熱しγ−Fe2O3
を主成分とする薄膜を得た。Ｘ線回拆によると
Osを9.5at％添加した膜にはγ−Fe2O3相以外に
微量のα−Fe2O3相が混在していることが確認さ
れている。このOs添加γ−Fe2O3薄膜を膜面に垂
直に10KOeの外部磁場を加えながら大気中で400
℃に15分間加熱した。この磁場中熱処理後のγ−
Fe2O3膜の保磁力（Hc）と残留磁化（Mr）の添
加量依存性を第２図に示す。Hc⊥とMr⊥は膜面
に垂直に測定した保磁力と残留磁化を、Hcと
Mrは膜面に平行に測定した保磁力と残留磁化
を各々示す。Os添加量が0.37〜9.5at％の範囲で
Hc⊥＞Hcが成立し、垂直磁気異方性膜が得ら
れている。特にOs添加量が3.5〜9.5at％の範囲で
は、Mr⊥＞Mrが成立し、垂直磁化膜が得られ
ている。なお、磁場中熱処理時の外部磁場が
4KOeの時も、同様の効果が得られた。 実施例 ４ 表面を熱酸化した直径50mmのシリコン（Sf）円
板を基板として用い、他の条件は実施例２と同様
にしてOsを６％添加した0.2μｍ厚のγ−Fe2O3薄
膜を形成した。このγ−Fe2O3薄膜面に垂直に外
部磁場7KOeを加えながら大気中で400℃に30分
間加熱し、垂直磁化膜とした。この垂直磁化膜の
磁気特性は以下の通りである。Hc⊥＝1400Oe、
Hc＝500Oe、Mr⊥＝100Gauss、Mr＝
30Gauss。 このOs添加γ−Fe2O3垂直磁化膜面に直径2.29
mmのMn‐Znフエライト球を押しつけ、相対速度
が１ｍ／secとなるようにデイスクを回転させ、
1000回通過後の媒体面の傷の深さを測定した。
又、スパツタリング法で表面を熱酸化したSi基板
上に81.3at％Co‐18.7at％Cr垂直磁化膜を作製
し、同様の摩耗試験を行つた。Co‐Cr膜の作製
条件は以下の通りである。ターゲツトは直径100
mmの81.3at％Co‐18.7at％Cr円板、スパツタ雰囲
気は２×10-2TorrのArガスであり、高周波電力
200Wを加えて0.2μｍ厚のCo‐Cr膜を得た。この
Co‐Cr膜の磁気特性はHc⊥＝1700Oe、Hc＝
900Oe、Mr⊥＝90Gauss、Mr＝48Gaussであ
る。第３図には、フエライト球の荷重と摩耗傷の
深さの関係を示す。Os添加γ−Fe2O3膜Ａの摩耗
深さはCo‐Cr膜Ｂの約1/5と少ないことがわか
る。 次に、上記のγ−Fe2O3膜とCo‐Cr膜につい
てウインチエスター形のMn‐Znフエライトヘツ
ドを用い、記録再生特性を評価した。ヘツドのコ
ア幅は70μｍ、コイル巻数は20回、ギヤツプ長さ
は0.3μｍであり、周速５ｍ／secで測定した。こ
の時のヘツド浮上量は0.05μｍである。孤立波再
生出力の1/2の出力が得られる記録密度（D50）
はγ−Fe2O3膜が3200FRPM（FluxReversals
per Millmenter）、Co‐Cr膜が3170FRPMであ
つた。即ち、本発明によるγ−Fe2O3垂直磁化膜
は、従来用いられてきたCo‐Cr垂直磁化膜とほ
ぼ同等の記録密度が得られることが確認された。 最後に、上記のOs添加γ−Fe2O3薄膜とCo‐
Cr薄膜を、湿度90％、温度80℃の雰囲気中に100
日間放置し、耐候性を調べた。Os添加γ−Fe2O3
薄膜では腐食等の兆候は目視によつても光学顕微
鏡観察によつても認められなかつたが、Co‐Cr
膜では１cm2当り２〜３箇所の腐食が認められた。 ＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明によつて作製され
たOs添加酸化鉄の重直異方性磁化膜は、垂直磁
気記録に適した磁気特性を有すると同時に、従来
用いられてきたCo‐Cr膜等の金属薄膜と比べ、
耐摩耗特性や耐食性に優れる等、実用に供する場
合の信頼性を著しく向上させる利点がある。
いて膜面に垂直方向の保磁力（Hc⊥）の方が膜
面に平行な保磁力（Hc）よりも大きくなつて
おり、垂直異方性磁化膜となつていることを示し
ている。特に、熱処理(3)を施した場合には、膜面
の垂直方向の残留磁化（Mr⊥）も膜面に平行方
向の残留磁化（Mr）より大きくなつており、
膜面に平行方向よりも垂直方向に磁化された方が
安定な、いわゆる垂直磁化膜であることを示して
いる。 実施例 ２ 実施例１と同様の作製条件でOsのみを金属元
素のみの比率で5.0at％添加したα‐Fe2O3膜を作
製した。膜厚は0.1μｍである。このα−Fe2O3膜
を加湿した水素気流中で250℃に１時間加熱し、
Fe3O4とした後、大気中で310℃に４時間加熱し
てγ−Fe2O3とする。このOs添加γ−Fe2O3膜に
ついて再度、大気中で250℃から680℃の範囲で15
分間加熱する。なお、この際膜面に垂直に
10KOeの外部磁場を印加する。 第１図には保磁力（Hc）及び残留磁化（Mr）
の磁場中熱処理温度依存性を示す。磁場中熱処理
温度が350℃以上の場合には膜面に垂直に測定し
たHcやMrの方が膜面に平行に測定したHcやMr
よりも大きく、垂直磁化膜が形成されている。 実施例 ３ 実施例２と同一条件でOsを０〜9.5at％含む
0.2μｍ厚さのα‐Fe2O3薄膜を形成した。この薄
膜を加湿水素気流中で250〜320℃に１時間加熱し
た後、大気中で310℃に４時間加熱しγ−Fe2O3
を主成分とする薄膜を得た。Ｘ線回拆によると
Osを9.5at％添加した膜にはγ−Fe2O3相以外に
微量のα−Fe2O3相が混在していることが確認さ
れている。このOs添加γ−Fe2O3薄膜を膜面に垂
直に10KOeの外部磁場を加えながら大気中で400
℃に15分間加熱した。この磁場中熱処理後のγ−
Fe2O3膜の保磁力（Hc）と残留磁化（Mr）の添
加量依存性を第２図に示す。Hc⊥とMr⊥は膜面
に垂直に測定した保磁力と残留磁化を、Hcと
Mrは膜面に平行に測定した保磁力と残留磁化
を各々示す。Os添加量が0.37〜9.5at％の範囲で
Hc⊥＞Hcが成立し、垂直磁気異方性膜が得ら
れている。特にOs添加量が3.5〜9.5at％の範囲で
は、Mr⊥＞Mrが成立し、垂直磁化膜が得られ
ている。なお、磁場中熱処理時の外部磁場が
4KOeの時も、同様の効果が得られた。 実施例 ４ 表面を熱酸化した直径50mmのシリコン（Sf）円
板を基板として用い、他の条件は実施例２と同様
にしてOsを６％添加した0.2μｍ厚のγ−Fe2O3薄
膜を形成した。このγ−Fe2O3薄膜面に垂直に外
部磁場7KOeを加えながら大気中で400℃に30分
間加熱し、垂直磁化膜とした。この垂直磁化膜の
磁気特性は以下の通りである。Hc⊥＝1400Oe、
Hc＝500Oe、Mr⊥＝100Gauss、Mr＝
30Gauss。 このOs添加γ−Fe2O3垂直磁化膜面に直径2.29
mmのMn‐Znフエライト球を押しつけ、相対速度
が１ｍ／secとなるようにデイスクを回転させ、
1000回通過後の媒体面の傷の深さを測定した。
又、スパツタリング法で表面を熱酸化したSi基板
上に81.3at％Co‐18.7at％Cr垂直磁化膜を作製
し、同様の摩耗試験を行つた。Co‐Cr膜の作製
条件は以下の通りである。ターゲツトは直径100
mmの81.3at％Co‐18.7at％Cr円板、スパツタ雰囲
気は２×10-2TorrのArガスであり、高周波電力
200Wを加えて0.2μｍ厚のCo‐Cr膜を得た。この
Co‐Cr膜の磁気特性はHc⊥＝1700Oe、Hc＝
900Oe、Mr⊥＝90Gauss、Mr＝48Gaussであ
る。第３図には、フエライト球の荷重と摩耗傷の
深さの関係を示す。Os添加γ−Fe2O3膜Ａの摩耗
深さはCo‐Cr膜Ｂの約1/5と少ないことがわか
る。 次に、上記のγ−Fe2O3膜とCo‐Cr膜につい
てウインチエスター形のMn‐Znフエライトヘツ
ドを用い、記録再生特性を評価した。ヘツドのコ
ア幅は70μｍ、コイル巻数は20回、ギヤツプ長さ
は0.3μｍであり、周速５ｍ／secで測定した。こ
の時のヘツド浮上量は0.05μｍである。孤立波再
生出力の1/2の出力が得られる記録密度（D50）
はγ−Fe2O3膜が3200FRPM（FluxReversals
per Millmenter）、Co‐Cr膜が3170FRPMであ
つた。即ち、本発明によるγ−Fe2O3垂直磁化膜
は、従来用いられてきたCo‐Cr垂直磁化膜とほ
ぼ同等の記録密度が得られることが確認された。 最後に、上記のOs添加γ−Fe2O3薄膜とCo‐
Cr薄膜を、湿度90％、温度80℃の雰囲気中に100
日間放置し、耐候性を調べた。Os添加γ−Fe2O3
薄膜では腐食等の兆候は目視によつても光学顕微
鏡観察によつても認められなかつたが、Co‐Cr
膜では１cm2当り２〜３箇所の腐食が認められた。 ＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明によつて作製され
たOs添加酸化鉄の重直異方性磁化膜は、垂直磁
気記録に適した磁気特性を有すると同時に、従来
用いられてきたCo‐Cr膜等の金属薄膜と比べ、
耐摩耗特性や耐食性に優れる等、実用に供する場
合の信頼性を著しく向上させる利点がある。
第１図は磁場中熱処理温度と保磁力（Hc）及
び残留磁化（Mr）の関係を示すグラフ、第２図
はOs添加量と磁場中熱処理後の保磁力（Hc）及
び残留磁化（Mr）の関係を示すグラフ、第３図
はフエライト球圧子荷重と摩耗キズ深さの関係を
示すグラフである。 図中、Mr⊥は膜面垂直方向残留磁化、Mrは
膜面平行方向残留磁化、Hc⊥は膜面垂直方向保
磁力、Hcは膜面平行方向保磁力である。
び残留磁化（Mr）の関係を示すグラフ、第２図
はOs添加量と磁場中熱処理後の保磁力（Hc）及
び残留磁化（Mr）の関係を示すグラフ、第３図
はフエライト球圧子荷重と摩耗キズ深さの関係を
示すグラフである。 図中、Mr⊥は膜面垂直方向残留磁化、Mrは
膜面平行方向残留磁化、Hc⊥は膜面垂直方向保
磁力、Hcは膜面平行方向保磁力である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ オスミウムOsを添加した酸化鉄を主成分と
する薄膜の膜面に垂直に磁場を加えながら熱処理
を施すことを特徴とする垂直異方性磁化膜の製造
方法。 ２ 上記酸化鉄をヘマタイトａ‐Fe2O3とし、水
素気流中で加熱する上記熱処理を行なうことによ
りマグネタイトFe3O4を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の垂直異方性磁化膜
の製造方法。 ３ 上記酸化鉄をマグネタイトFe3O4とし、大気
中で加熱する上記熱処理を行なうことによりマグ
ヘマイトγ‐Fe2O3を形成することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の垂直異方性磁化膜の
製造方法。 ４ 上記酸化鉄をマグヘマイトγ‐Fe2O3とし、
大気中で加熱する上記熱処理を行なうことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の垂直異方性磁
化膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2735884A JPS60173820A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 垂直異方性磁化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2735884A JPS60173820A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 垂直異方性磁化膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173820A JPS60173820A (ja) | 1985-09-07 |
| JPH0254645B2 true JPH0254645B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=12218823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2735884A Granted JPS60173820A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 垂直異方性磁化膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173820A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW569195B (en) | 2001-01-24 | 2004-01-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Micro-particle arranged body, its manufacturing method, and device using the same |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP2735884A patent/JPS60173820A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60173820A (ja) | 1985-09-07 |
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