JPH0254673B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0254673B2 JPH0254673B2 JP58025041A JP2504183A JPH0254673B2 JP H0254673 B2 JPH0254673 B2 JP H0254673B2 JP 58025041 A JP58025041 A JP 58025041A JP 2504183 A JP2504183 A JP 2504183A JP H0254673 B2 JPH0254673 B2 JP H0254673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- resistor
- circuit
- pulse
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ケーブル通信システムにおいて、光
源として使用されるレーザダイオードをパルス振
幅変調するレーザダイオード駆動回路に関するも
のである。
源として使用されるレーザダイオードをパルス振
幅変調するレーザダイオード駆動回路に関するも
のである。
一般に、レーザダイオードは印加電流パルスが
零になつた後でも、注入されたキヤリヤがキヤリ
ヤの寿命時間だけ残つており、自然発光する。こ
のキヤリヤ蓄積効果は引き続いて次のパルスを印
加するときに、前のパルスで蓄積されたキヤリヤ
に加わつて変調特性を変化させるいわゆるパター
ン効果を生み出す原因となる。
零になつた後でも、注入されたキヤリヤがキヤリ
ヤの寿命時間だけ残つており、自然発光する。こ
のキヤリヤ蓄積効果は引き続いて次のパルスを印
加するときに、前のパルスで蓄積されたキヤリヤ
に加わつて変調特性を変化させるいわゆるパター
ン効果を生み出す原因となる。
従来のレーザダイオード駆動回路として第１図
に示すように電流切換用の２つの駆動トランジス
タ１，２のエミツタを共通にして定電流源３に接
続し、一方のトランジスタ２のコレクタを接地
し、他方のトランジスタ１コレクタ抵抗４を介し
てレーザダイオード５に接続したものがある。端
子ａ，ｂにはパルス信号が入力し、トランジスタ
１をON、OFFしてレーザダイオード５へ電流パ
ルスを印加し、また端子ｃにはレーザダイオード
５の閾値電流Ithよりやゝ小さい直流バイアス電
流IDCを高周波阻止用インダクタンス６を介して
レーザダイオード５のバイアスとして印加する。
今第２図のように直流バイアス電流IDCにパルス
電流を重畳した電流波形が印加されると、トラン
ジスタ１がONしてレーザダイオード５にパルス
電流が流れたとき注入されたキヤリヤは、第２図
ｂに示すように、パルス電流がレーザダイオード
の閾値電流以下になつた後でも、キヤリヤの寿命
時間だけ残つており、このキヤリヤ蓄積効果は引
き続いて次のパルスを印加するときに、前のパル
スで蓄積されたキヤリヤに加わつて変調特性を変
化させる、いわゆるパターン効果を生み出す原因
となり、レーザダイオード出力は第２図ｃに示す
ように前にパルスがあるかないかで光出力パルス
幅が異なつてくる。
に示すように電流切換用の２つの駆動トランジス
タ１，２のエミツタを共通にして定電流源３に接
続し、一方のトランジスタ２のコレクタを接地
し、他方のトランジスタ１コレクタ抵抗４を介し
てレーザダイオード５に接続したものがある。端
子ａ，ｂにはパルス信号が入力し、トランジスタ
１をON、OFFしてレーザダイオード５へ電流パ
ルスを印加し、また端子ｃにはレーザダイオード
５の閾値電流Ithよりやゝ小さい直流バイアス電
流IDCを高周波阻止用インダクタンス６を介して
レーザダイオード５のバイアスとして印加する。
今第２図のように直流バイアス電流IDCにパルス
電流を重畳した電流波形が印加されると、トラン
ジスタ１がONしてレーザダイオード５にパルス
電流が流れたとき注入されたキヤリヤは、第２図
ｂに示すように、パルス電流がレーザダイオード
の閾値電流以下になつた後でも、キヤリヤの寿命
時間だけ残つており、このキヤリヤ蓄積効果は引
き続いて次のパルスを印加するときに、前のパル
スで蓄積されたキヤリヤに加わつて変調特性を変
化させる、いわゆるパターン効果を生み出す原因
となり、レーザダイオード出力は第２図ｃに示す
ように前にパルスがあるかないかで光出力パルス
幅が異なつてくる。
このパターン効果を防止するため、従来は、レ
ーザダイオードに印加するパルス電流のパルス振
幅やパルス幅、及びパルス電流に重畳する直流バ
イアス電流の値を変化させてキヤリヤ蓄積効果に
起因するパターン効果の発生率が最小となる動作
点を設定していた。しかし、この方法では、レー
ザダイオードの光出力電力や光出力パルスのパル
ス幅が自由に設定できないという欠点があつた。
ーザダイオードに印加するパルス電流のパルス振
幅やパルス幅、及びパルス電流に重畳する直流バ
イアス電流の値を変化させてキヤリヤ蓄積効果に
起因するパターン効果の発生率が最小となる動作
点を設定していた。しかし、この方法では、レー
ザダイオードの光出力電力や光出力パルスのパル
ス幅が自由に設定できないという欠点があつた。
本発明の目的は、上記欠点を改善するもので、
レーザダイオードにパルス電流を印加した直後に
該パルス電流とは極性が逆のパルスを加えること
により、蓄積されたキヤリヤを放出して、レーザ
ダイオードの光出力パルスのパターン効果を防止
するレーザダイオード駆動回路を提供することに
ある。
レーザダイオードにパルス電流を印加した直後に
該パルス電流とは極性が逆のパルスを加えること
により、蓄積されたキヤリヤを放出して、レーザ
ダイオードの光出力パルスのパターン効果を防止
するレーザダイオード駆動回路を提供することに
ある。
本発明によればレーザダイオードに駆動パルス
を提供する駆動用トランジスタと、この駆動用ト
ランジスタの出力とレーザダイオードの間に接続
される抵抗とを含み、レーザダイオードにバイア
ス電流を供給しつつ上記駆動パルスによつて駆動
するレーザダイオード駆動回路において、上記レ
ーザダイオードと抵抗の直列回路に並列に接続さ
れた抵抗とインダクタンス、又は直流レベルシフ
ト回路との直列回路を含み、駆動用トランジスタ
が導通から非導通状態になつたときインダクタン
スに生じる逆起電力により駆動パルスと逆極性の
電流をレーザダイオードに流すことを特徴とする
レーザダイオード駆動回路が得られる。
を提供する駆動用トランジスタと、この駆動用ト
ランジスタの出力とレーザダイオードの間に接続
される抵抗とを含み、レーザダイオードにバイア
ス電流を供給しつつ上記駆動パルスによつて駆動
するレーザダイオード駆動回路において、上記レ
ーザダイオードと抵抗の直列回路に並列に接続さ
れた抵抗とインダクタンス、又は直流レベルシフ
ト回路との直列回路を含み、駆動用トランジスタ
が導通から非導通状態になつたときインダクタン
スに生じる逆起電力により駆動パルスと逆極性の
電流をレーザダイオードに流すことを特徴とする
レーザダイオード駆動回路が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。第３図は本発明の第１の実施例を示す回
路図、第４図ａ，ｂ，ｃは第３図の回路の動作に
関し、ａはレーザダイオードに印加される電流波
形図、ｂはレーザダイオードに注入されるキヤリ
ヤの密度を示す線図、ｃはレーザダイオードの光
出力波形図である。
明する。第３図は本発明の第１の実施例を示す回
路図、第４図ａ，ｂ，ｃは第３図の回路の動作に
関し、ａはレーザダイオードに印加される電流波
形図、ｂはレーザダイオードに注入されるキヤリ
ヤの密度を示す線図、ｃはレーザダイオードの光
出力波形図である。
第３図の駆動回路は、従来のレーザダイオード
駆動回路として第１図に示したレーザダイオード
駆動回路においてレーザダイオード５と抵抗４の
直列回路に並列に抵抗７とインダクタンス８の直
列回路を接続したもので、端子ａ，ｂはパルス信
号の入力端子、端子ｃは直流バイアス電流IDCの
入力端子である。図において入力端子ａに高レベ
ル、入力端子ｂに低レベルの信号が入力されると
トランジスタ１が導通トランジスタ２が非導通と
なり同図にで示す経路に入力パルス電流に対応
してパルス電流（第４図中＊印の部分）が流れ
て、レーザダイオード５が発光する。次に入力端
子ａに低レベル入力端子ｂに高レベルの信号を加
えるとトランジスタ１が非導通トランジスタ２が
導通となる。このときインダクタンスによつて逆
起電力が生じ、第３図にで示す経路に電流が流
れる。すなわちレーザダイオード５にはパルス電
流とは逆極性の電流が流れて、この電流がレーザ
ダイオード内に蓄積されたキヤリヤを放出し（第
４図ｂ）キヤリヤ蓄積に起因するパターン効果を
抑圧する。したがつて第４図ｃに示すようにパル
ス幅t1の光出力が連続的に得られる。なお、抵抗
７とインダクタンス８の値はレーザダイオード５
のキヤリヤ蓄積時間を考慮して適切に設定する。
駆動回路として第１図に示したレーザダイオード
駆動回路においてレーザダイオード５と抵抗４の
直列回路に並列に抵抗７とインダクタンス８の直
列回路を接続したもので、端子ａ，ｂはパルス信
号の入力端子、端子ｃは直流バイアス電流IDCの
入力端子である。図において入力端子ａに高レベ
ル、入力端子ｂに低レベルの信号が入力されると
トランジスタ１が導通トランジスタ２が非導通と
なり同図にで示す経路に入力パルス電流に対応
してパルス電流（第４図中＊印の部分）が流れ
て、レーザダイオード５が発光する。次に入力端
子ａに低レベル入力端子ｂに高レベルの信号を加
えるとトランジスタ１が非導通トランジスタ２が
導通となる。このときインダクタンスによつて逆
起電力が生じ、第３図にで示す経路に電流が流
れる。すなわちレーザダイオード５にはパルス電
流とは逆極性の電流が流れて、この電流がレーザ
ダイオード内に蓄積されたキヤリヤを放出し（第
４図ｂ）キヤリヤ蓄積に起因するパターン効果を
抑圧する。したがつて第４図ｃに示すようにパル
ス幅t1の光出力が連続的に得られる。なお、抵抗
７とインダクタンス８の値はレーザダイオード５
のキヤリヤ蓄積時間を考慮して適切に設定する。
第５図は本発明の第２実施例を示す回路図であ
る。この回路は第３図に示す上記第１の実施例の
回路のインダクタンス８と接地間に直流レベルシ
フト用ダイオード９と１０を直列接続し、これと
並列に高周波バイパス用のコンデンサ１１を挿入
したものである。第３図の回路では高周波阻止用
のチヨークコイル６を通して入力端子ｃから供給
される直流バイアス電流は、レーザダイオード５
の他に抵抗４、抵抗７およびインダクタンス８に
も流れる。この電流は、レーザダイオード５のバ
イアスレベルを低下させるので、極力少ないこと
が望ましい。したがつて第２の実施例ではレーザ
ダイオード５の電圧降下とほぼ同程度の電圧降下
をダイオード９と１０により発生させて、インダ
クタンス８と抵抗４，７を通じて流れる電流を減
少させるようにしている。
る。この回路は第３図に示す上記第１の実施例の
回路のインダクタンス８と接地間に直流レベルシ
フト用ダイオード９と１０を直列接続し、これと
並列に高周波バイパス用のコンデンサ１１を挿入
したものである。第３図の回路では高周波阻止用
のチヨークコイル６を通して入力端子ｃから供給
される直流バイアス電流は、レーザダイオード５
の他に抵抗４、抵抗７およびインダクタンス８に
も流れる。この電流は、レーザダイオード５のバ
イアスレベルを低下させるので、極力少ないこと
が望ましい。したがつて第２の実施例ではレーザ
ダイオード５の電圧降下とほぼ同程度の電圧降下
をダイオード９と１０により発生させて、インダ
クタンス８と抵抗４，７を通じて流れる電流を減
少させるようにしている。
以上の説明から明らかなように本発明は、レー
ザダイオードにレーザダイオードの印加電流パル
スとは逆極性のパルス電流を供給するので、蓄積
されたキヤリヤが放出されレーザダイオードの光
出力パルスのパターン効果をなくす効果がある。
さらに本発明によればレーザダイオードに直列接
続される抵抗、およびこの直列回路に並列接続さ
れる抵抗及びインダクタンスの素子値を調整する
ことによりパターン効果の補正量を調整できる。
したがつてレーザダイオードの直流バイアス電流
印加パルス電流の振幅およびパルス幅を自由に設
定でき、光出力パルスの振幅やパルス幅の調整が
容易となる。
ザダイオードにレーザダイオードの印加電流パル
スとは逆極性のパルス電流を供給するので、蓄積
されたキヤリヤが放出されレーザダイオードの光
出力パルスのパターン効果をなくす効果がある。
さらに本発明によればレーザダイオードに直列接
続される抵抗、およびこの直列回路に並列接続さ
れる抵抗及びインダクタンスの素子値を調整する
ことによりパターン効果の補正量を調整できる。
したがつてレーザダイオードの直流バイアス電流
印加パルス電流の振幅およびパルス幅を自由に設
定でき、光出力パルスの振幅やパルス幅の調整が
容易となる。
第１図はパターン効果抑圧回路を付加していな
い従来のレーザダイオード駆動回路の回路図、第
２図ａ，ｂおよびｃは第１図の回路の動作に関す
る図で、ａはレーザダイオードに流れる電流の波
形図、ｂはレーザダイオードの内部に蓄積される
キヤリヤの密度、ｃはレーザダイオードの光出力
の波形図、第３図は本発明に係るレーザダイオー
ド駆動回路の第１の実施例を示す回路図、第４図
は第３図の回路の動作に関する図で、ａはレーザ
ダイオードに流れる電流の波形図、ｂはレーザダ
イオードに蓄積されるキヤリヤ密度、ｃはレーザ
ダイオード光出力の波形図、第５図は本発明の第
２実施例を示す回路図である。 １，２……トランジスタ、３……定電流源、
６，８……インダクタンス、４，７……抵抗器、
５……レーザダイオード、ａ，ｂ……データ入力
端子、ｃ……直流バイアス入力端子、１１……コ
ンデンサ、９，１０……ダイオード。
い従来のレーザダイオード駆動回路の回路図、第
２図ａ，ｂおよびｃは第１図の回路の動作に関す
る図で、ａはレーザダイオードに流れる電流の波
形図、ｂはレーザダイオードの内部に蓄積される
キヤリヤの密度、ｃはレーザダイオードの光出力
の波形図、第３図は本発明に係るレーザダイオー
ド駆動回路の第１の実施例を示す回路図、第４図
は第３図の回路の動作に関する図で、ａはレーザ
ダイオードに流れる電流の波形図、ｂはレーザダ
イオードに蓄積されるキヤリヤ密度、ｃはレーザ
ダイオード光出力の波形図、第５図は本発明の第
２実施例を示す回路図である。 １，２……トランジスタ、３……定電流源、
６，８……インダクタンス、４，７……抵抗器、
５……レーザダイオード、ａ，ｂ……データ入力
端子、ｃ……直流バイアス入力端子、１１……コ
ンデンサ、９，１０……ダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザダイオードと、前記レーザダイオード
に直列な抵抗と、前記レーザダイオードと前記抵
抗の直列回路に駆動パルスを供給する駆動用トラ
ンジスタとを含み、前記レーザダイオードにバイ
アス電流を供給しつつ前記駆動パルスによつて駆
動するレーザダイオード駆動回路において、 前記レーザダイオードと前記抵抗の直列回路に
並列に接続された抵抗とインダクタンスとの直列
回路を含み、前記駆動用トランジスタが導通から
非導通状態になつたとき前記インダクタンスに生
じる逆起電力により前記駆動パルスと逆極性の電
流を前記レーザダイオードに流すことを特徴とす
るレーザダイオード駆動回路。 ２ レーザダイオードと、前記レーザダイオード
に直列な抵抗と、前記レーザダイオードと前記抵
抗の直列回路に駆動パルスを供給する駆動用トラ
ンジスタとを含み、前記レーザダイオードにバイ
アス電流を供給しつつ前記駆動パルスによつて駆
動するレーザダイオード駆動回路において、 前記レーザダイオードと前記抵抗の直列回路に
並列に接続された抵抗とインダクタンスと直流レ
ベルシフト回路との直列回路を含み、前記駆動用
トランジスタが導通から非導通状態になつたとき
前記インダクタンスに生じる逆起電力により前記
駆動パルスと逆極性の電流を前記レーザダイオー
ドに流すことを特徴とするレーザダイオード駆動
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025041A JPS59151480A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025041A JPS59151480A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151480A JPS59151480A (ja) | 1984-08-29 |
| JPH0254673B2 true JPH0254673B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=12154822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58025041A Granted JPS59151480A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151480A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0680856B2 (ja) * | 1984-10-03 | 1994-10-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ |
| JPS61158968U (ja) * | 1985-03-26 | 1986-10-02 | ||
| JPS61224385A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181244A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser modulating circuit |
-
1983
- 1983-02-17 JP JP58025041A patent/JPS59151480A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59151480A (ja) | 1984-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0704948B1 (en) | Drive circuit for semiconductor light-emitting device | |
| US4243951A (en) | High repetition rate driver circuit for modulation of injection lasers | |
| EP0441965A1 (en) | Light-emitting diode drive circuit | |
| US4412331A (en) | Feedback circuit for controlling the peak optical output power of an injection laser | |
| US5315606A (en) | Laser diode driving circuit | |
| JPH0669544A (ja) | Ｌｅｄドライバ | |
| JPS5991746A (ja) | レ−ザ送信機とその動作方法 | |
| US6901091B2 (en) | Electronic driver circuit for directly modulated semiconductor lasers | |
| EP0082471B1 (en) | Diode driver circuit | |
| US4594717A (en) | Driver circuit for laser diode | |
| JPH0254673B2 (ja) | ||
| US6490301B1 (en) | Laser drive device | |
| JPS6317581A (ja) | 発光素子の駆動回路 | |
| US5442260A (en) | Light-emitting element drive circuit | |
| US4431930A (en) | Digital time domain noise filter | |
| US4379240A (en) | Latching pulse width modulation comparator | |
| US5739706A (en) | Magnetically recording apparatus | |
| JPH0370390B2 (ja) | ||
| JPS6377172A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JP3672424B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPS63110685A (ja) | 発光素子の駆動回路 | |
| JPS5928396A (ja) | 半導体レ−ザ駆動装置 | |
| US4504928A (en) | Current ramp generator | |
| JPS626576Y2 (ja) | ||
| JPH02137383A (ja) | 双安定半導体レーザの駆動方法 |