JPH0254953A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPH0254953A JPH0254953A JP63206179A JP20617988A JPH0254953A JP H0254953 A JPH0254953 A JP H0254953A JP 63206179 A JP63206179 A JP 63206179A JP 20617988 A JP20617988 A JP 20617988A JP H0254953 A JPH0254953 A JP H0254953A
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- resin
- lead
- thermoplastic resin
- container
- metal container
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体素子に関し、特に車輌の交
流発を機に内蔵される整流素子に用いられる。
流発を機に内蔵される整流素子に用いられる。
（従来技術）
従来の整流素子における代表的な構造は、第４図（ａ＞
平面図と、第４図（ａＮＶ−ＩＶ線に沿う第４図（ｂ）
断面図とによって示される。 両図において、１は銅板
でわん状に成形した後に粗面化ニッケルメッキを施した
放熱用金属容器、２は整流Ｒ能をもつメサ型シリコンチ
ップで、シリコンチップ２の一方の主面に形成された電
極は金属容器１の内底面に半田接合されている。 ３は
シリコンチップ２の主面に垂直なリードで、シリコンチ
ップ２の他方の電極は、このリード３のヘディング端３
ａに半田接合されている。 なお、４ａ 、４ｂはいず
れも上記半田接合のための半田層であり、またリードの
クツション部３ｂはリードの棒状他端部３Ｃを曲げたと
きの影響をなくすために形成したものである。 半田付
けの組立てをした金属容器１内には、ジャンクション被
覆に常用されているシリコーンゴム封止材をボッティン
グにより充填し、図示のごとく樹脂封止部５を形成して
、整流素子が完成する。 ところが、シリコーンゴムは
加熱硬化に伴い収縮して、金属容器１と樹脂封止部５と
の間に空隙を生じやすく、そのため金属容器の開縁部１
ａには、小溝を設けてシリコーンゴムの密着を高める手
段を講じている。
平面図と、第４図（ａＮＶ−ＩＶ線に沿う第４図（ｂ）
断面図とによって示される。 両図において、１は銅板
でわん状に成形した後に粗面化ニッケルメッキを施した
放熱用金属容器、２は整流Ｒ能をもつメサ型シリコンチ
ップで、シリコンチップ２の一方の主面に形成された電
極は金属容器１の内底面に半田接合されている。 ３は
シリコンチップ２の主面に垂直なリードで、シリコンチ
ップ２の他方の電極は、このリード３のヘディング端３
ａに半田接合されている。 なお、４ａ 、４ｂはいず
れも上記半田接合のための半田層であり、またリードの
クツション部３ｂはリードの棒状他端部３Ｃを曲げたと
きの影響をなくすために形成したものである。 半田付
けの組立てをした金属容器１内には、ジャンクション被
覆に常用されているシリコーンゴム封止材をボッティン
グにより充填し、図示のごとく樹脂封止部５を形成して
、整流素子が完成する。 ところが、シリコーンゴムは
加熱硬化に伴い収縮して、金属容器１と樹脂封止部５と
の間に空隙を生じやすく、そのため金属容器の開縁部１
ａには、小溝を設けてシリコーンゴムの密着を高める手
段を講じている。
完成した整流素子が整流器の放熱フィンに組み込まれ電
気的に接続される状態は、整流素子の電解試験のための
アセンブリ及び試験回路に近似である。 第５図（ａ
）は電解試験アセンブリの斜視図、第５図（ｂ ）はそ
の試験回路図である。
気的に接続される状態は、整流素子の電解試験のための
アセンブリ及び試験回路に近似である。 第５図（ａ
）は電解試験アセンブリの斜視図、第５図（ｂ ）はそ
の試験回路図である。
第５図（ａ ）において、５１．５２は正逆各４個の整
流素子で、それぞれそのわん状金属容器下面において、
５０ｘ ２０ｘ ２ｎｎのＮｉメツｑ Ｃｕ製又はＮＤ
製放熱フィン５３．５４に５ｎ１００％半田５５で接合
されるとともに、正逆のリードは並列に接続される。
なお、電解試験条件については後述する。
流素子で、それぞれそのわん状金属容器下面において、
５０ｘ ２０ｘ ２ｎｎのＮｉメツｑ Ｃｕ製又はＮＤ
製放熱フィン５３．５４に５ｎ１００％半田５５で接合
されるとともに、正逆のリードは並列に接続される。
なお、電解試験条件については後述する。
上記従来の整流素子には次の問題点があった。
ａ、封止材のシリコーンゴム５は柔かいために、リード
３が接続の際などに引張られなり、過度に曲げられて、
直接外力がシリコンチップ２に加わり、シリコンチップ
２にクラックや割れが生じやすい。
３が接続の際などに引張られなり、過度に曲げられて、
直接外力がシリコンチップ２に加わり、シリコンチップ
２にクラックや割れが生じやすい。
ｂ、封止材のシリコーンゴム５は耐水性が悪いために、
外気からの保護が十分でなく、多湿の所では逆方向の洩
れ電流の増大など、電気的特性が損なわれる。
外気からの保護が十分でなく、多湿の所では逆方向の洩
れ電流の増大など、電気的特性が損なわれる。
Ｃ１封止材のシリコーンゴム５は金属との接着力が弱い
ために、塩水噴′Ｍ電解試験等の環境試験において、金
属容器やリードとの界面から剥離が生じ、この部分から
浸水して電気的特性を損なう。
ために、塩水噴′Ｍ電解試験等の環境試験において、金
属容器やリードとの界面から剥離が生じ、この部分から
浸水して電気的特性を損なう。
この問題解決のため、樹脂封止部５としてシリコーンゴ
ム下層とエポキシ樹脂上層の２層を積層して封止する方
法、その２層封止素子の整流器組立て後にエポキシ樹脂
の流動浸漬によって整流器全体をさらに被覆をする方法
（特開昭６１−１３６５１号公報）などが提案されてい
るが、なお十分な結果が得られなかった。
ム下層とエポキシ樹脂上層の２層を積層して封止する方
法、その２層封止素子の整流器組立て後にエポキシ樹脂
の流動浸漬によって整流器全体をさらに被覆をする方法
（特開昭６１−１３６５１号公報）などが提案されてい
るが、なお十分な結果が得られなかった。
また、一般にリードフレーム上の半導体素子を、熱硬化
性樹脂のトランスファー成形によって封止することはよ
く知られている。 熱硬化性樹脂の成形では金属部材へ
のパリの発生が大きいから、金属部材を十分圧接できる
構造の金型によってパリの発生を抑えなければならない
、 ところが、平面的なリードフレームと異なって第４
図（ｂ）に示されるような金属部材が立体的な！ｒ４造
の整流素子では、金属容器やリードを金型面で圧接する
ことがむずかしいので、熱硬化性樹脂の成形時にパリの
発生が大きい、 このパリは半田付は性、溶接性、導通
性を損なうので除去しなければならないが、この除去が
容易でなく、除去できたとしても除去時にリードの変形
、汚れなどを生じて、この点からも半田付は性を悪化さ
せる。
性樹脂のトランスファー成形によって封止することはよ
く知られている。 熱硬化性樹脂の成形では金属部材へ
のパリの発生が大きいから、金属部材を十分圧接できる
構造の金型によってパリの発生を抑えなければならない
、 ところが、平面的なリードフレームと異なって第４
図（ｂ）に示されるような金属部材が立体的な！ｒ４造
の整流素子では、金属容器やリードを金型面で圧接する
ことがむずかしいので、熱硬化性樹脂の成形時にパリの
発生が大きい、 このパリは半田付は性、溶接性、導通
性を損なうので除去しなければならないが、この除去が
容易でなく、除去できたとしても除去時にリードの変形
、汚れなどを生じて、この点からも半田付は性を悪化さ
せる。
熱可塑性樹脂による封止は、ＬＦ、Ｄなどの光学的透明
性を要する特殊用途のものの場合に採用されているが、
−数的には採用されておらず、整流素子においても現在
はシリコーンゴム・タイプとなっている。
性を要する特殊用途のものの場合に採用されているが、
−数的には採用されておらず、整流素子においても現在
はシリコーンゴム・タイプとなっている。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、従来のシリコーンゴム封止整流素子の
欠点である、外力に対する強度、耐電解特性などを向上
させた、新規な樹脂封止型整流素子を提供することにあ
る。
欠点である、外力に対する強度、耐電解特性などを向上
させた、新規な樹脂封止型整流素子を提供することにあ
る。
［発明の構成〕
（課題を解決するための手段と作用）
本発明の樹脂封止型半導体素子は、半導体チップが、チ
ップ一主面の電極でわん状の金属容器の内底に半田接合
し、チップ池主面の電極でリードの一端に半田接合して
いるとともに、少なくとも金属容器内に射出成形して充
填された熱可塑性樹脂の樹脂封止部によって該半導体チ
ップが封止されている素子であって、該熱可塑性樹脂の
示差熱分析によるピーク頂点温度が２７０℃以上である
ことを特徴とする。
ップ一主面の電極でわん状の金属容器の内底に半田接合
し、チップ池主面の電極でリードの一端に半田接合して
いるとともに、少なくとも金属容器内に射出成形して充
填された熱可塑性樹脂の樹脂封止部によって該半導体チ
ップが封止されている素子であって、該熱可塑性樹脂の
示差熱分析によるピーク頂点温度が２７０℃以上である
ことを特徴とする。
高分子材料の示差熱分析によるＤＴＡ曲線を求めると（
ＪＩＳ Ｋ７１２１−１９８７ ）、吸熱又は発熱に
よって曲線のベースラインからピークが発生するが、通
常このピークは当該高分子の融点と解釈される。 この
高分子材料が２以上の高分子の混合物である場合、ある
いは高分子がいくつかの変態をとる場合には２以上のピ
ークが現れる。
ＪＩＳ Ｋ７１２１−１９８７ ）、吸熱又は発熱に
よって曲線のベースラインからピークが発生するが、通
常このピークは当該高分子の融点と解釈される。 この
高分子材料が２以上の高分子の混合物である場合、ある
いは高分子がいくつかの変態をとる場合には２以上のピ
ークが現れる。
２以上のピークが現れるときには本発明でいうピークは
、最初のピーク（低い温度のピーク）を意味する。
、最初のピーク（低い温度のピーク）を意味する。
整流器への該整流素子の組付は最高温度は、放熱フィン
への半田付は工程で生じ、その温度は約２４０℃である
が、熱可塑性樹脂の最初のピーク頂点温度が２７０℃以
上であると、整流素子に影響のないことが確認された。
への半田付は工程で生じ、その温度は約２４０℃である
が、熱可塑性樹脂の最初のピーク頂点温度が２７０℃以
上であると、整流素子に影響のないことが確認された。
Ｉ＆初のピークが融点を意味する場合であってもまた変
態を意味する場合であってもそれを区別する必要はない
、 そのいずれであっても高分子材料の体積の変化や変
形を伴い、封止状態の変化がまず起こるからである。
態を意味する場合であってもそれを区別する必要はない
、 そのいずれであっても高分子材料の体積の変化や変
形を伴い、封止状態の変化がまず起こるからである。
なお、高分子融点のピークは、ベースラインから緩やか
な立上りを示すから、本発明でいうピーク頂点温度は、
曲線のピーク頂点における温度（ＴｐＩ）であって、曲
線がベースラインから離れる温度あるいは曲線がベース
ラインに戻る温度ではない、 またこのピーク頂点温度
は、昇温速度などによって大きく変化することはない、
なおまた、本発明でいうピーク頂点温度は、前記した
とおり、２以上のピーク頂点が現れるときには最初のピ
ーク頂点の温度を意味するが、最初のピークの積分値が
全ピークの積分値合計の１０％以下であるときには、第
二のピーク頂点を最初のピーク頂点とみなして最初のピ
ーク頂点は無視される。
な立上りを示すから、本発明でいうピーク頂点温度は、
曲線のピーク頂点における温度（ＴｐＩ）であって、曲
線がベースラインから離れる温度あるいは曲線がベース
ラインに戻る温度ではない、 またこのピーク頂点温度
は、昇温速度などによって大きく変化することはない、
なおまた、本発明でいうピーク頂点温度は、前記した
とおり、２以上のピーク頂点が現れるときには最初のピ
ーク頂点の温度を意味するが、最初のピークの積分値が
全ピークの積分値合計の１０％以下であるときには、第
二のピーク頂点を最初のピーク頂点とみなして最初のピ
ーク頂点は無視される。
示差熱分析による最初のピーク頂点温度が２７０℃以上
であれば、２４０℃以下の素子組付は温度を経た素子の
封止状態は保証されるが、それに加えて、熱可塑性樹脂
の熱変形温度（荷重たわみ温度ともいう：試験方法ＪＩ
Ｓ Ｋ７２０７−１９８３）が２６０℃以上であれば
素子の封止状態はより高く保証される。
であれば、２４０℃以下の素子組付は温度を経た素子の
封止状態は保証されるが、それに加えて、熱可塑性樹脂
の熱変形温度（荷重たわみ温度ともいう：試験方法ＪＩ
Ｓ Ｋ７２０７−１９８３）が２６０℃以上であれば
素子の封止状態はより高く保証される。
（実施例）
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。 なお
、以下の図面で、第４図におけると同一の狩野で示した
ものは、従来例におけると同じ内容であるので、その説
明を省略する。
、以下の図面で、第４図におけると同一の狩野で示した
ものは、従来例におけると同じ内容であるので、その説
明を省略する。
第１図（ａ ）は第一実施例の平面図、第１図（ｂ）は
第１図（ａ）Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
第１図（ａ）Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
第１図＜ａ ＞及び（ｂ ）において、１は放熱用を兼
ねる金属容器、２は半導体チップ、１３は一＠１３ａが
ヘディングされただけの丸棒状のリードである。 半導
体チップ２は半ＥＦＪ層４ａ 、 ４ｂによって、金属
容器１の内底とリード１３のヘディングＲｉ １３ ａ
に半田接合されている。 半導体チップ２のジャンクシ
ョンが露出するメサ面は、従来と同種のシリコーンゴム
で比較的浅く被覆保護層１５が被覆されている。
ねる金属容器、２は半導体チップ、１３は一＠１３ａが
ヘディングされただけの丸棒状のリードである。 半導
体チップ２は半ＥＦＪ層４ａ 、 ４ｂによって、金属
容器１の内底とリード１３のヘディングＲｉ １３ ａ
に半田接合されている。 半導体チップ２のジャンクシ
ョンが露出するメサ面は、従来と同種のシリコーンゴム
で比較的浅く被覆保護層１５が被覆されている。
上記の組立てをしたものを、３枚構造（中間型はスライ
ド式）の多数個取りインジェクション金型に装入し、図
示のように、金属容器の開縁部１ｂをいぐるんだ鍔１６
ａをもつとともにリード軸に山をもつ形状で、金属容器
内に熱可塑性樹脂の射出成形をして樹脂封止部１６を形
成する。
ド式）の多数個取りインジェクション金型に装入し、図
示のように、金属容器の開縁部１ｂをいぐるんだ鍔１６
ａをもつとともにリード軸に山をもつ形状で、金属容器
内に熱可塑性樹脂の射出成形をして樹脂封止部１６を形
成する。
樹脂封止部１６の山形形状は、金型へのリード１３の装
入を容易にする。
入を容易にする。
本実施例で用いた熱可塑性樹脂は第１表に示される。
表中、ピーク頂点温度は融点として示しまた、ロックウ
ェル硬さ（ＪＩＳ Ｋ７２０２−１９８２ ＞を併記
した。
表中、ピーク頂点温度は融点として示しまた、ロックウ
ェル硬さ（ＪＩＳ Ｋ７２０２−１９８２ ＞を併記
した。
そのうちのポリエステル樹脂は、芳香核の密度が高い芳
香族ポリエステルであって、エコノールＥは次の基本骨
格をもっている。 その示差熱分析では、はぼ６０重量
％含有する樹脂の融点とみられる３２０℃で最初のピー
クを示し、さらに４５０℃で分解とみられる第二のピー
クを示した。
香族ポリエステルであって、エコノールＥは次の基本骨
格をもっている。 その示差熱分析では、はぼ６０重量
％含有する樹脂の融点とみられる３２０℃で最初のピー
クを示し、さらに４５０℃で分解とみられる第二のピー
クを示した。
また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂のピクトレック
スとスミブロイは、次の構造式を有している。
スとスミブロイは、次の構造式を有している。
一方、対照例としてとりあげた融点２７０℃末溝の熱可
塑性樹脂を、第２表に示す。
塑性樹脂を、第２表に示す。
この実施例の熱可塑性樹脂（第１表）を用いた場合も、
対照例の熱可塑性樹脂（第２表）を用いた場合も、従来
例のシリコーンゴムを用いたときに比べて、リードが大
きく曲げられたり、強く引張られても、半導体チップの
クラックの発生がないなど、外力に対してはるかに強く
なる。
対照例の熱可塑性樹脂（第２表）を用いた場合も、従来
例のシリコーンゴムを用いたときに比べて、リードが大
きく曲げられたり、強く引張られても、半導体チップの
クラックの発生がないなど、外力に対してはるかに強く
なる。
ところが、実用的な耐湿性、耐薬品性については、本実
施例の結果は対照例のものとはっきりと差がみられた。
施例の結果は対照例のものとはっきりと差がみられた。
その差は、素子断面を観察したところ、放熱フィンに
半田付けをした際の熱可塑性樹脂の変形の有無によるも
のであることが確認された。 特に苛酷な電解試験では
、従来例のシリコーンゴムを用いたものが耐量２０サイ
クル程度であったものが、実施例の融点２７０℃以上の
熱可塑性樹脂をもつもの、特に融点２７０℃以上でかつ
熱変形温度２６０℃以上の熱可塑性樹脂を用いたものは
、耐量２０サイクル程上で飛躍的に向上した。
半田付けをした際の熱可塑性樹脂の変形の有無によるも
のであることが確認された。 特に苛酷な電解試験では
、従来例のシリコーンゴムを用いたものが耐量２０サイ
クル程度であったものが、実施例の融点２７０℃以上の
熱可塑性樹脂をもつもの、特に融点２７０℃以上でかつ
熱変形温度２６０℃以上の熱可塑性樹脂を用いたものは
、耐量２０サイクル程上で飛躍的に向上した。
そして融点２７０°Ｃ未満の熱可塑性樹脂を用いた対照
例では、半田付けによって金属容器との界面に異状が認
められたものは１０サイクルに満たないものがあり、ま
た異状がはっきり認められないものも従来例と同等の２
０サイクル程度であった。
例では、半田付けによって金属容器との界面に異状が認
められたものは１０サイクルに満たないものがあり、ま
た異状がはっきり認められないものも従来例と同等の２
０サイクル程度であった。
その電解試験方法は次のとおりである。 正逆各４素子
を前記第５図（ａ ）のように組み立て、これを前記第
５図（ｂ）のように配線し、Ｄ Ｃ１５Ｖで５０Ａの通
電状態のまま、常温で１０％食塩水中に１６秒間浸漬後
、空気中に３０分間放置するというサイクルを繰り返す
、 測定は浸水試験を１サイクル実施し、２５±５℃の
空気中で６±１時間放置後、逆方向洩れ電流■２を求め
て、所定値を外れたサイクル数により評価する。
を前記第５図（ａ ）のように組み立て、これを前記第
５図（ｂ）のように配線し、Ｄ Ｃ１５Ｖで５０Ａの通
電状態のまま、常温で１０％食塩水中に１６秒間浸漬後
、空気中に３０分間放置するというサイクルを繰り返す
、 測定は浸水試験を１サイクル実施し、２５±５℃の
空気中で６±１時間放置後、逆方向洩れ電流■２を求め
て、所定値を外れたサイクル数により評価する。
第２図は本発明の第二実施例を示す。 第二実施例では
、金属容器の開縁部２１ａを樹脂封止部２６に対して拡
げてアンダーカットにするとともに樹脂封止部２６内の
り−ド２３に鍔部２３ａを設けて樹脂封止部２６との接
着を高めている。
、金属容器の開縁部２１ａを樹脂封止部２６に対して拡
げてアンダーカットにするとともに樹脂封止部２６内の
り−ド２３に鍔部２３ａを設けて樹脂封止部２６との接
着を高めている。
この樹脂封止部２６の形状は金型加工の容易さから、デ
ィスク状にしたものである。 また、第二実施例におけ
るジャンクション被覆保護層２５の樹脂に、シリコーン
変性ポリアミド樹脂を溶剤に溶かして塗布し、５０℃、
５時間、２００℃、５時間、２７０°Ｃ，２時間のステ
ップ加熱をして被覆しなも０である。
ィスク状にしたものである。 また、第二実施例におけ
るジャンクション被覆保護層２５の樹脂に、シリコーン
変性ポリアミド樹脂を溶剤に溶かして塗布し、５０℃、
５時間、２００℃、５時間、２７０°Ｃ，２時間のステ
ップ加熱をして被覆しなも０である。
次に、第３図に第三実施例を示す、 第三実施例では、
リード３３の樹脂封止部外と樹脂封止部内の一部３３ａ
、３３ｂを細くして、成形時に半導体チップに外力が加
わらないようにするとともに使用時に樹脂封止部に外力
が加わらないようにしたものである。 なお、本発明に
おけるリードの形状は、第４図のようなものなど種々の
変形が考えられる。
リード３３の樹脂封止部外と樹脂封止部内の一部３３ａ
、３３ｂを細くして、成形時に半導体チップに外力が加
わらないようにするとともに使用時に樹脂封止部に外力
が加わらないようにしたものである。 なお、本発明に
おけるリードの形状は、第４図のようなものなど種々の
変形が考えられる。
第二及び第三の実施例では、前記第一実施例の結果を上
回る結果を示した。
回る結果を示した。
［発明の効果］
本発明の樹脂封止型整流素子によれば、示差熱分析によ
るピーク頂点温度が２７０°Ｃ以上の熱可塑性樹脂、あ
るいは２７０℃以上の該ピーク頂点温度かつ２６０℃以
上の熱変形温度をもつ熱可塑性樹脂を射出成形して樹脂
封止部を形成しながら、リードが大きく曲げられたり、
強く引張られるなど外力が加わっても半導体チップにク
ラックなどがなくなる。 また耐湿性、耐薬品性がよく
、特に電解試験では耐１が従来品の２０サイクルに比較
して、８０サイクルと飛躍的に向上した。 これは本戦
用規格の整流素子の場合、これを完全にクリアするもの
である。
るピーク頂点温度が２７０°Ｃ以上の熱可塑性樹脂、あ
るいは２７０℃以上の該ピーク頂点温度かつ２６０℃以
上の熱変形温度をもつ熱可塑性樹脂を射出成形して樹脂
封止部を形成しながら、リードが大きく曲げられたり、
強く引張られるなど外力が加わっても半導体チップにク
ラックなどがなくなる。 また耐湿性、耐薬品性がよく
、特に電解試験では耐１が従来品の２０サイクルに比較
して、８０サイクルと飛躍的に向上した。 これは本戦
用規格の整流素子の場合、これを完全にクリアするもの
である。
また、従来整流素子では、シリコーンゴムのボヴティン
グ以外に樹脂封止方法が実施されていなかったものを、
本発明のように特定の熱可塑性樹脂の射出成形によって
製品化することができる。
グ以外に樹脂封止方法が実施されていなかったものを、
本発明のように特定の熱可塑性樹脂の射出成形によって
製品化することができる。
これを熱硬化性樹脂のトランスファー成形に比較すれば
次のような利点を生ずる。
次のような利点を生ずる。
（ｉ ）金属部材へのパリの発生がなく、半田付は性、
溶接性、導３ｆｆｉ性、リードの変形などの点で有利で
ある。
溶接性、導３ｆｆｉ性、リードの変形などの点で有利で
ある。
（１１）スプルー、ランナーなど樹脂の再生が可能であ
る。
る。
（ｉｉｉ）熱硬化性樹脂の成形時間は２分程度であるの
に比べて、熱可塑性樹脂のそれは約１０秒であり、加工
時間がはるかにみじかい。
に比べて、熱可塑性樹脂のそれは約１０秒であり、加工
時間がはるかにみじかい。
第１図（ａ ）は本発明第一実施例にかかる整流素子の
平面図、第１図（ｂ ）は第１図（ａ）Ｉ−■線に沿う
断面図、第２図は第二実施例にかかる整流素子の断面図
、第３図は第三実施例にかかる整流素子の断面図、第４
図（ａ ）は従来例の整流素子の平面図、第４図（ｂ
）は第４図（ａ）ＩＶ−■ｖ線に治う断面図、第５図（
ａ ）は電解試験アセンブリの斜視図、第５図（ｂ）は
電解試験の配線回路図である。 １．２１・・・金属容器、 ２・・・半導体チップ、３
．１３．２３．３３＝・・リード、 ４ａ、４ｂ−・
・半田層、 ５・・・シリコーンゴム、 １５．２５
・・・被覆保護層、 １６．２６・・・樹脂封止部。 特許出願人 株式会社 東 芝 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ） 第 図 第 図 Ｃ ｂ 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ） 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ）
平面図、第１図（ｂ ）は第１図（ａ）Ｉ−■線に沿う
断面図、第２図は第二実施例にかかる整流素子の断面図
、第３図は第三実施例にかかる整流素子の断面図、第４
図（ａ ）は従来例の整流素子の平面図、第４図（ｂ
）は第４図（ａ）ＩＶ−■ｖ線に治う断面図、第５図（
ａ ）は電解試験アセンブリの斜視図、第５図（ｂ）は
電解試験の配線回路図である。 １．２１・・・金属容器、 ２・・・半導体チップ、３
．１３．２３．３３＝・・リード、 ４ａ、４ｂ−・
・半田層、 ５・・・シリコーンゴム、 １５．２５
・・・被覆保護層、 １６．２６・・・樹脂封止部。 特許出願人 株式会社 東 芝 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ） 第 図 第 図 Ｃ ｂ 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ） 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １半導体チップが、チップ一主面の電極でわん状の金属
容器の内底に半田接合し、チップ他主面の電極でリード
の一端に半田接合しているとともに、少なくとも該金属
容器内に射出成形して充填された熱可塑性樹脂の樹脂封
止部によって該半導体チップが封止されている素子であ
って、該熱可塑性樹脂の示差熱分析によるピーク頂点温
度が２７０℃以上であることを特徴とする樹脂封止型半
導体素子。 ２熱可塑性樹脂の熱変形温度が２６０℃以上である請求
項１記載の樹脂封止型半導体素子。 ３半導体チップが、そのＰＮ接合表面にジャンクション
保護用のゴム又は樹脂の被覆保護層を有する請求項１記
載の樹脂封止型半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206179A JPH0254953A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206179A JPH0254953A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254953A true JPH0254953A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0533827B2 JPH0533827B2 (ja) | 1993-05-20 |
Family
ID=16519122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63206179A Granted JPH0254953A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254953A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132395A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nissan Motor Co Ltd | エアブリーザ装置 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63206179A patent/JPH0254953A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132395A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nissan Motor Co Ltd | エアブリーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0533827B2 (ja) | 1993-05-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |