JPH03190264A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH03190264A JPH03190264A JP1328364A JP32836489A JPH03190264A JP H03190264 A JPH03190264 A JP H03190264A JP 1328364 A JP1328364 A JP 1328364A JP 32836489 A JP32836489 A JP 32836489A JP H03190264 A JPH03190264 A JP H03190264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- high thermal
- thermal conductivity
- board
- radiation performance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に、熱抵
抗を低くするために高熱伝導板を埋め込んでなる樹脂封
止型半導体装置に関するものである。
抗を低くするために高熱伝導板を埋め込んでなる樹脂封
止型半導体装置に関するものである。
［従来の技術］
第１０図、第１１図は従来の樹脂封止型半導体装置を示
し、図において、（１）は半導体集積回路装置（以下Ｉ
Ｃチップと称する） 、（２）はＩＣチップ（１）を搭
載するアイランド、（３）はアイランド（２）を固定す
る吊リード、（４）はアイランド（２）を囲むように配
置された複数のインナーリード、（５）は金属細線、（
６）はモールド樹脂であり、（７）は複数のアウターリ
ードである。
し、図において、（１）は半導体集積回路装置（以下Ｉ
Ｃチップと称する） 、（２）はＩＣチップ（１）を搭
載するアイランド、（３）はアイランド（２）を固定す
る吊リード、（４）はアイランド（２）を囲むように配
置された複数のインナーリード、（５）は金属細線、（
６）はモールド樹脂であり、（７）は複数のアウターリ
ードである。
以上の構成になるものを組立てるには、まず、ＩＣチッ
プ（１）をアイランド（２）に固定し、ＩＣチップ（１
）とインナーリード（４）の間を金属細線（５）で電気
的に接合する１次にモールド樹脂（６）で封止する。そ
の後アウターリード（７）をメツキし、さらにリードカ
ット、リード加工を行う。
プ（１）をアイランド（２）に固定し、ＩＣチップ（１
）とインナーリード（４）の間を金属細線（５）で電気
的に接合する１次にモールド樹脂（６）で封止する。そ
の後アウターリード（７）をメツキし、さらにリードカ
ット、リード加工を行う。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような従来の樹脂封止型半導体装置では、構成材
料である、ＩＣチップと熱膨張率が等しく高強度のリー
ドフレーム材や封止樹脂は熱伝導率が低いため、パッケ
ージ全体に熱が拡がらず、放熱性が悪かった。
料である、ＩＣチップと熱膨張率が等しく高強度のリー
ドフレーム材や封止樹脂は熱伝導率が低いため、パッケ
ージ全体に熱が拡がらず、放熱性が悪かった。
さらに、熱抵抗を下げるために高熱伝導板をパッケージ
内に埋め込む構造のものは、通常の高熱伝導板は熱膨張
率が大きく、ＩＣチップや高強度リードフレーム材とは
簡単に組合わせることができなかった。
内に埋め込む構造のものは、通常の高熱伝導板は熱膨張
率が大きく、ＩＣチップや高強度リードフレーム材とは
簡単に組合わせることができなかった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、パッケージの熱抵抗を低くして、放熱性を高
めるとともに、ＩＣチップの熱膨張率に近い高強度のリ
ードフレーム材が使用できる樹脂封止型半導体装置を得
ることを目的とする。
たもので、パッケージの熱抵抗を低くして、放熱性を高
めるとともに、ＩＣチップの熱膨張率に近い高強度のリ
ードフレーム材が使用できる樹脂封止型半導体装置を得
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る樹脂封止型半導体装置は、予め数枚に分
割した高熱伝導板の一部微小部分と、リードフレームに
設けた微小な突起部分とを接続する。このとき、高熱伝
導板はできるだけダイパッド部分を覆うようにしている
。
割した高熱伝導板の一部微小部分と、リードフレームに
設けた微小な突起部分とを接続する。このとき、高熱伝
導板はできるだけダイパッド部分を覆うようにしている
。
さらに、この高熱伝導板は、パッケージ内にできるだけ
広がるようにする。また、高熱伝導板とリードフレーム
材との間には、薄い絶縁層を設けている。
広がるようにする。また、高熱伝導板とリードフレーム
材との間には、薄い絶縁層を設けている。
［作 用］
この発明においては、高熱伝導板が数枚に分割されてお
り、リードフレームと接続している部分は一部微小部な
ので、ダイボンド、ワイボンド等のアセンブリ工程中の
熱履歴に対して、リードフレームと高熱伝導板の熱膨張
率が互いに異なっていても、不具合が生じない。
り、リードフレームと接続している部分は一部微小部な
ので、ダイボンド、ワイボンド等のアセンブリ工程中の
熱履歴に対して、リードフレームと高熱伝導板の熱膨張
率が互いに異なっていても、不具合が生じない。
さらに、絶縁層は薄く、高熱伝導板は分割されているが
パッケージ全体に広がっているため、放熱性は良好であ
る。
パッケージ全体に広がっているため、放熱性は良好であ
る。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図〜第９図について説
明する。なお、第１０図と同一符号は同一部分である０
図において、（８）はリードフレーム（２０）に設けら
れた接続用の突起である。（９）は分割された高熱伝導
板で、ＩＣチップ（１）と平行にモールド樹脂（６）に
埋め込まれている。（１０）は薄い絶縁層、（１１）は
接着剤である。
明する。なお、第１０図と同一符号は同一部分である０
図において、（８）はリードフレーム（２０）に設けら
れた接続用の突起である。（９）は分割された高熱伝導
板で、ＩＣチップ（１）と平行にモールド樹脂（６）に
埋め込まれている。（１０）は薄い絶縁層、（１１）は
接着剤である。
リードフレーム（２０）は従来通りエツチングあるいは
パンチング等で形成される。そして、高熱伝導板（９）
も予めエツチングあるいはパンチング等で形成される
。このとき、高熱伝導板（９）は分割されているわけで
あるが、この分割数、形状は任意である。また、高熱伝
導板（９）は、安価で加工し易く、高熱伝導なもの°が
良いわけであり、通常、Ｃｕや＾ｌなどが使用される。
パンチング等で形成される。そして、高熱伝導板（９）
も予めエツチングあるいはパンチング等で形成される
。このとき、高熱伝導板（９）は分割されているわけで
あるが、この分割数、形状は任意である。また、高熱伝
導板（９）は、安価で加工し易く、高熱伝導なもの°が
良いわけであり、通常、Ｃｕや＾ｌなどが使用される。
次に、上記リードフレーム（２０）と高熱伝導板（９）
を接続する。このとき、リードフレームより接続部であ
る突起（８）に接続するようにする。また、リードフレ
ーム（２０）と高熱伝導板（９）との接合部分は微小な
面積になっていることが大切である。
を接続する。このとき、リードフレームより接続部であ
る突起（８）に接続するようにする。また、リードフレ
ーム（２０）と高熱伝導板（９）との接合部分は微小な
面積になっていることが大切である。
なお、この接続方法は、図示のように、絶縁層（１０）
を中間層にして接着剤（１１）で接着する。他の方法と
しては、かしめ構造などがある。
を中間層にして接着剤（１１）で接着する。他の方法と
しては、かしめ構造などがある。
その後は、従来の装置と同様であり、ＩＣチップ（１）
をアイランド（２）に固定し、ＩＣチップ（１）とイン
ナーリード（４）の間を金属細線（５）で電気的に接合
する８次にモールド樹脂（６）で封止する。
をアイランド（２）に固定し、ＩＣチップ（１）とイン
ナーリード（４）の間を金属細線（５）で電気的に接合
する８次にモールド樹脂（６）で封止する。
そして、アウターリード（７）をメツキし、リードカッ
ト、リード加工を行う。
ト、リード加工を行う。
以上の構成により、高熱伝導板（９）が数枚に分割され
ているので、アセンブリ工程中の熱履歴に対して、リー
ドフレーム（２０）と高熱伝導板（９）の熱膨張率が互
いに異なっていても、不具合が生じない、また、放熱性
の点では、高熱伝導板（９）がパッケージ全体に広がっ
ているので、熱放散が良好である。
ているので、アセンブリ工程中の熱履歴に対して、リー
ドフレーム（２０）と高熱伝導板（９）の熱膨張率が互
いに異なっていても、不具合が生じない、また、放熱性
の点では、高熱伝導板（９）がパッケージ全体に広がっ
ているので、熱放散が良好である。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、高熱伝導板が分割さ
れているので、熱抵抗が低くなり、放熱性が良好になる
。また、リードフレームの材料には、熱膨張率がＩＣチ
ップに近く、強度がすぐれたものを使用することができ
る効果もある。
れているので、熱抵抗が低くなり、放熱性が良好になる
。また、リードフレームの材料には、熱膨張率がＩＣチ
ップに近く、強度がすぐれたものを使用することができ
る効果もある。
第１図〜第９図はこの発明の一実施例を示し、第１図は
平面図、第２図は正断面図、第３図は第２図のＡ部詳細
図、第４図はリードフレームの平面図、第５図は同じく
正面図、第６図は高熱伝導板の平面図、第７図は同じく
正面図、第８図は部分組立平面図、第９図は同じく正面
図である。第１０図は従来の樹脂封止型半導体装置の平
面図、第１１図は第１０図の訂−訂線に沿う平面での断
面図である。 （１）・・・ＩＣチップ、（２）・・・アイランド、（
４）・・・インナーリード、（６）・・・モールド樹脂
、（７）・・・アウターリード、（８）・・・接続用突
起、（９）・・・高熱伝導板、（１０）・・・絶縁層、
（１１）・・・接着剤、（２０）・・・リードフレーム
。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照ＩＣチ、、ア フイラニド インナーリード モールド鷺胞 ７うヴーリード 高墾さ イ云４１ ηえ 肩８図 昂９図 １ 昂１０図 昂１１図
平面図、第２図は正断面図、第３図は第２図のＡ部詳細
図、第４図はリードフレームの平面図、第５図は同じく
正面図、第６図は高熱伝導板の平面図、第７図は同じく
正面図、第８図は部分組立平面図、第９図は同じく正面
図である。第１０図は従来の樹脂封止型半導体装置の平
面図、第１１図は第１０図の訂−訂線に沿う平面での断
面図である。 （１）・・・ＩＣチップ、（２）・・・アイランド、（
４）・・・インナーリード、（６）・・・モールド樹脂
、（７）・・・アウターリード、（８）・・・接続用突
起、（９）・・・高熱伝導板、（１０）・・・絶縁層、
（１１）・・・接着剤、（２０）・・・リードフレーム
。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照ＩＣチ、、ア フイラニド インナーリード モールド鷺胞 ７うヴーリード 高墾さ イ云４１ ηえ 肩８図 昂９図 １ 昂１０図 昂１１図
Claims (1)
- 半導体集積回路装置が搭載されたアイランドと、リード
フレームにより前記半導体集積回路装置から導出された
複数のリードと、前記アイランドおよび前記リードに近
接かつ絶縁して配置され複数に分割されている高熱伝導
板と、前記各部分を囲んでいるモールド樹脂でなるパッ
ケージとを備えてなる樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328364A JPH03190264A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328364A JPH03190264A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190264A true JPH03190264A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18209424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1328364A Pending JPH03190264A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190264A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251609A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0590960U (ja) * | 1992-05-08 | 1993-12-10 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1328364A patent/JPH03190264A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251609A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0590960U (ja) * | 1992-05-08 | 1993-12-10 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム |
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