JPH0254957A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、リードの配線
技術の改良に係り、例えば、デュアル・イン・ライン形
の樹脂封止パッケージを備えている半導体集積回路装置
（以下、ＤＩＬＰ・ＩＣ１または、単にＩＣということ
がある。）の製造に利用して有効な技術に関する。

〔従来の技術〕

従来から、メモリー系の半導体集積回路装置においては
、３００ｍ１　！　　（７，６２ｍ）の折り曲げ幅を有
するデュアル・イン・ライン形の樹脂封止パッケージが
使用されている。

最近、メモリー系の半導体集積回路装置は集積度の高ま
りに伴って、その半導体ペレットが長手方向に大きくな
ってきている。また、メモリー系の半導体集積回路装置
においては、半導体ペレットにおけるポンディングパッ
ドが、細長く形成された半導体ペレットにおける両方の
短辺に偏って配置されているという特徴がある。

そのため、メモリー系の半導体集積回路装置においてそ
の集積度がさらに高まった場合、デュアル・イン・ライ
ン形の樹脂封止パッケージにおいて３００ｍ１ｌの折り
曲げ幅を維持するのは、もねめで困難になるという問題
点がある。すなわち、横幅が制限されているデュアル・
イン・ライン形（７）　樹１ｍ　ｉ１止パッケージにお
いて、長大化され、かつ、ポンディングパッドが短辺に
偏って配置されている半導体ペレットを収めようとした
場合、パッケージ内におけるインナリードについての配
線スペースが不足してしまうためである。

そこで、長大化され、かつ、ポンディングパッドが短辺
に偏って配置されている半導体ペレットを封止する場合
であっても、インナリードの配線スペースを充分に確保
することができる樹脂封止パッケージを備えている半導
体装置を提供することが要望される。

このような要望に応するために、次のような半導体装置
が提案されている。

すなわち、半導体ペレットと、互いに電気的に独立され
て外部端子を構成している複数本のリードと、各リード
と前記半導体ペレットとの間にそれぞれ橋絡されている
ボンディングワイヤと、これら半導体ペレット、リード
およびボンディングワイヤ群を樹脂封止するパッケージ
とを備えている半導体装置であって、前記リード群のう
ち少なくとも一部のリードにおけるインナ部（以下、イ
ンナリードということがある。）を前記パッケージ内に
おいて前記半導体ペレットの下方に配線し、このインナ
リードと半導体ペレットとの間に絶縁層を介設したもの
である。

この半導体装置によれば、リード群のうち少なくとも一
部のインナリードが、その一部を樹脂封止パッケージ内
において半導体ペレットの下方に配線されているため、
当１亥インナリードについての配線スペースを充分に確
保することができる。

したがって、例えば、横幅が制限されているデュアル・
イン・ライン形の樹脂封止パッケージにおいて、長大化
され、かつ、ポンディングパッドがその短辺に偏って配
置されている半導体ペレットを収めようとした場合であ
っても、パッケージ内においてインナリードを充分に配
線することができる。

また、前記半導体ペレットの下方に配線されたインナリ
ードと、半導体ペレットとの間に絶縁層が介設されてい
るため、半導体ペレットとリード群との絶縁は良好に保
たれるとともに９．半導体ペレットを樹脂封止パッケー
ジ内において強固に固定することができる。

なお、このような半導体装置を述べである例としては、
日本国特許庁公開特許公報、特開昭５７−１１４２６１
号、特開昭６１−２１８１３９号、および、特開昭６１
−２５８４５８号、がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述したような半導体装置においては、温度サイクルが
加わり、または、加えられた場合、半導体ペレット、リ
ード、樹脂封止パッケージ、および半導体ペレットとリ
ードとの間に介設された絶縁層を構成する各材料につい
ての熱膨張係数差に基因すると考察されるクラックが、
樹脂封止パッケージに局所的に発生するという問題点が
あることが、本発明者によって明らかにされた。

本発明の目的は、このようなりラックの発生を防止する
ことができる半導体装置およびその製造方法を提供する
ことにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細会の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本圃において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、半導体ペレットと、互いに電気的に独立され
て外部端子をそれぞれ構成している複数木のリードと、
各リードのインナ部と前記半導体ペレットとの間にそれ
ぞれ橋絡されているボンディングワイヤと、これら半導
体ペレット、リードのインナ部およびボンディングワイ
ヤを樹脂封止するパッケージとを備えており、前記リー
ド群のうち少なくとも一部のリードは、そのインナ部の
一部が前記パッケージ内において前記半導体ペレットの
下方にそれぞれ配線されており、このインナ部群と前記
半導体ペレットどの間には絶！＆層が介設されている半
導体装置において、前記半導体ペレットの下方に配線さ
れたリード群のうち少なくとも一部のリードには、この
リードの前記半導体ペレットの外縁に対向する境界線に
おける樹脂部の占拠面積比を大きくさせるための貫通孔
を、この境界線に内外方向に跨がって開設したものであ
る。

また、前記半導体装置において、前記半導体ペレフトの
下方に配線されたリード群のうち少なくとも一部のリー
ドは、少なくとも前記半導体ペレット下面の周辺に対応
する部分について、リード間の応力を低減させるように
、各リードの幅方向に複数本に分岐したものである。

さらに、前記半導体装置において、前記絶縁層を矩形の
シート形状に形成されている絶縁シートにより構成する
とともに、この絶縁シートはその短辺の寸法が前記半導
体ペレットの短辺の寸法よりも小さ（設定したものであ
る。

〔作用〕

前記した第１の手段によれば、半導体ペレットの下方に
配線されたインナリードに開設されている貫通孔により
、インナリードの実効面積が減少されているとともに、
樹脂部の実効面積が増加されているため、リードと樹脂
部との接着強度が高められる。その結果、温度サイクル
が加わる状況下において発生する応力によるパッケージ
内部における樹脂クランクの発生は防止されることにな
る。

また、前記したインナリードが幅方向に複数本に分岐さ
れている第２の手段によれば、万一、リード群の上面に
樹脂部との剥離が発生したとしても、個々の亀裂状の隙
間幅を狭くすることができるため、リードの強度、およ
びリードの固定強度を低下させることなく、リード端の
応力を低減させることができる。その結果、温度サイク
ルが加わる状況下において発生する応力による樹脂クラ
ックの発生は防止されることになる。

半導体ペレットとリード群との間に介設されたｖＡ縁レ
シート短辺側寸法を半導体ペレットの短辺側寸法よりも
小さくした前記第３の手段によれば、絶縁シート端部に
発生する樹脂部における応力集中を穫端に低減させるこ
とができるため、温度サイクルが力ｌわる状況下におい
て発生する応力による絶縁シート端部からの樹脂クラッ
クの発生を防止することができる。

〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例であるＤＩＬＰ−ＩＣを示す
一部切断斜視図、第２図はその側面図中央縦断面図、第
３図はその正面図中央縦断面図である。

本実施例において、本発明に係る半導体装置はＤＩＬＰ
・ＩＣ１７として構成されており、半導体ベレッ）１４
と、互いに電気的に独立されて外部端子を構成しており
、後記する樹脂封止パッケージの外部に引き出されてい
るアウタ部（以下、アウタリードという。）７、および
パッケージの内部に配線されているインナ部（以下、イ
ンナリードという、）８から成る複数本のり一部６と、
各インナリードと前記半導体ペレットとの間にそれぞれ
橋絡されているボンディングワイヤ１５と、これら半導
体ペレット、インナリードおよびボンディングワイヤ群
を樹脂封止するパッケージ１６とを備えている。そして
、前記インナリード８群のうち少なくとも一部のインナ
リード８Ｂが、その一部を前記パッケージ内において前
記半導体ペレットの下方に配線されており、半導体ペレ
ットの下方に配線されたインナリード８Ｂ群の一部上に
絶縁シート１１が固着されているとともに、この絶縁シ
ート上に半導体ペレットがボンディングされている。さ
らに、各インナリード８Ｂには貫通孔１０が半導体ペレ
ット１４の外縁の内外にわたるように開設されている。

また、パッケージの外部において、アウタリード群はバ
ット・ウィング形状に屈曲成形されており、対向するリ
ードの折り曲げ幅は３００ｍ１ｌに設定されている。こ
のように構成されているＤＩＬＰｉＣは、次のような製
造方法により製造されている。

以下、本発明の一実施例であるこのＤＩＬＰ・Ｉｃの製
造方法が説明される。この説明により、前記ＤＩＬＰ・
ＩＣについての構成の詳細が明らかにされる。

本実施例において、本発明に係るＤＩＬＰ−ＩＣの製造
方法には、第４図に示されている多連リードフレーム１
が使用されている。この多連り−１フレームは４２７０
イやコバール等のような鉄系（鉄またはその合金）材料
、または、燐青銅や無酸素銅等のような銅系（銅または
その合金）材料からなる薄い（例えば、肉厚が０．２５
＋ｗ）板材を用いられて、打ち抜きプレス加工またはエ
ツチング加工等のような適当な手段により一体成形され
ている。この多連リードフレーム１には複数の単位リー
ドフレーム２が一方向に１列に並設されている。

単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが開設されてい
る外枠３を一対備えており、両外枠３．３は所定の間隔
で平行で、かつ、一連にそれぞれ延設されている。隣り
合う単位リードフレーム２．２間には一対のセクション
枠４が両外枠３．３間に互いに平行に配されて一体的に
架設されており、これら外枠、セクション枠により形成
される略長方形の枠体内に単位リードフレーム２が構成
されている。

各単位リードフレーム２において、両外枠３．３には一
対のダム部材５が両セクション枠４．４の内側位置にお
いて互いに平行に、かつ略対称形状になるようにそれぞ
れ配されて一体的に架設されている６両ダム部材５．５
には複数本のり一部６が長手方向に等間隔に配されて、
互いに平行で、ダム部材５と直交するように一体的に突
設されている。ダム部材５における隣り合うリード６．
６間の部分は後述するパッケージ成形時に後記するレジ
ンの流れをせき止めるダム５ａを実質的に構成するよう
になっている。

各リード６の外側部分は後述するように樹脂封止パッケ
ージの外部に突出されるため、アウタリード７をそれぞ
れ構成するようになっており、各アウタリード７はその
先端部がセクション枠４に機械的にそれぞれ接続される
ことにより、それに保持された状態になっている。

他方、各リード６の内側部分は後述するように樹脂封止
パッケージの内部に封入されるため、インナリード８を
それぞれ構成するようになっている。そして、各インナ
リード８の自由端部である内側端部は、単位リードフレ
ーム２の空所内における両短辺側の所定位置を通る一直
線上に整列するようにそれぞれ配設されており、これら
端部は後記する半導体ペレットのポンディングパッドに
対向されることにより、ワイヤボンディング部９をそれ
ぞれ実質的に構成するようになっている。

本実施例において、このインナリード８群は２種類に大
別することができる。すなわち、一方は通常のＤＩＬＰ
ＩＣにおけるインナリードと同様、単位リート′フレー
ム２の空所内の周辺部における空スペースを利用して配
線されるインナリード（以下、周辺部インナリード８Ａ
という。）の−群であり、他方は、通常のＤＩＬＰ−Ｉ
Ｃにおけるインナリードと全く異なり、単位リードフレ
ーム２の空所内の中央部における空スペースを利用して
配線されるインナリード（以下、中央部インナリード８
Ｂという。）の−群である。周辺部インナリード８Ａは
そのワイヤボンディング部９Ａが周辺部側から中央部に
向けて延設されており、中央部インナリード８Ｂはその
ワイヤボンディング部９Ｂが中央部側から周辺部に向け
て延設されている。但し、周辺部および中央部いずれの
インナリード８Ａ、８Ｂにおけるワイヤボンディング部
９Ａ、９Ｂも所定の位万で一直線上に整列されている。

そして、中央部インナリード８Ｂ群は後記する半導体ペ
レットの下方に配線されることになる。

このようにして、本実施例に係る単位リードフレーム２
においては、中央部インナリード８Ｂ群が単位リードフ
レーム２の空所内における中央部領域に配線されている
ため、当該空所全体をきわめてを効に使用することがで
き、その結果、単位リードフレーム２の空所が細長く設
定されている場合であっても、インナリード８群の全て
を、互いに接触し合うことなく、適正かつ安全に配線す
ることができる。

さらに、本実施例においては、各中央部インナリード８
Ｂには貫通孔１０がそれぞれ開設されている。この貫通
孔１０は、このインナリード８Ｂの後記する半導体ペレ
ットの外縁に対向する境界線における樹脂部の占拠面積
比を大きくさせるための孔であり、この貫通孔の作用の
詳細は後に説明される。この貫通孔１０は長円形形状に
形成されており、前記境界線に跨がって、内外にそれぞ
れ延長されている。すなわち、貫通孔１０は半導体ペレ
ットの真下位置から、ダム部材５に至るまで延長されて
いる。

このように構成されているリードフレーム１には各単位
リードフレーム２毎に絶縁シート・ボンディング作業、
ペレット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・ボンデ
ィング作業が実施される。

これらのボンディング作業はリードフレーム１が直列方
向にピッチ送りされることにより、各単位リードフレー
ム２毎に順次実施される。そして、これらのボンディン
グ作業により、第５図および第６図に示されている中間
製品が製造される。

まず、絶縁シート・ボンディング作業により、絶縁シー
ト１１が単位リードフレーム２における中央部インナリ
ード８Ｂ群上に、接着剤からなるボンディングＪｉ５１
２を介設されて接着される。このとき、絶縁シートｌｌ
はその外側縁辺が中央部インナリード８Ｂ群にそれぞれ
開設されている貫通孔１０の長手方向における略中央部
と直交するように配置される。

本実施例において、この絶縁シート１１はポリイミド系
樹脂フィルムのように絶縁性が良好な材料を用いられて
形成されている。絶縁シート１１は後記する半導体ペレ
ットの平面形状よりも若干大きめの長方形形状に形成さ
れている。絶縁性維持と、機械的強度との相関関係から
、絶縁シートｌは厚さが１２５μｍ程度であることが望
ましい。

ボンディング層１２を形成する接着剤としては、ポリエ
ーテルアミドイミド等のような熱可塑性のものが使用さ
れている。

次に、前工程において所要の集積回路が作り込まれた半
導体ペレット（以下、ペレットという。

）１４が各単位リードフレーム２における絶縁シートｌ
ｌ上に、接着剤からなるボンディング層１３を介設され
てボンディングされる。このとき、ペレット１４は絶縁
シート１１に対して略同心的に配設される。

ペレットを絶縁シートに固着するボンディング層１３を
形成するための接着剤としては、例えば、ポリピロメリ
ット酸イミド、ポリケトンイミド等の熱硬化性ポリイミ
ド系樹脂接着剤の上に非導電性のペースト材、例えば、
シリコーンゴム、エポキシゴム、エポキシ系樹脂、ポリ
イミド系樹脂等を積層した多層接着剤が使用されている
。

ここで、本実施例において、ペレット１４は４メガビツ
ト・ランダム・アクセス・メモリー（以下、４ＭＤＲＡ
Ｍということがある。）系の半導体集積回路素子として
製作されており、第７図に示されているように、回路レ
イアウトされている。

すなわち、ペレット１４の中央部にはメモリーマット２
０が設けられ、そのＸ方向の中央部にはＹ軸に並行にＹ
デコーダ２１がメモリーマット２０に沿って設けられ、
そのＹ方向の中央部にはＸ軸に並行にワードドライバ２
２、およびＸデコーダ２３がメモリーマット２０に沿っ
て設けられている。また、長手方向の一端部には、それ
ぞれＲＡＳ系回路２４、ＣＡＳ系・ＷＥ系回路２５およ
びＸ９、ＩＯおよびＹ９．１０アドレスバンフア２６が
設けられ、その内側にメインアンプ２７が設けられ、隅
部にはＤｏｕｔバッファ２８が設けられている。他端に
はＲＡＳ系回路２４、Ｘアドレスバッファ２９、Ｘジェ
ネレータ３０、Ｘ、　Ｘジェネレータ３１．Ｙアドレス
バッファ３２および５ＨＲ−ＰＣジェネレータ３３が設
けられている。また、短手方向の右側端部にはセンスア
ンプ・コ・モン入出力・コモンソース３４が設けられ、
左側端部の上端部にはメモリーマット２０の上端子２０
Ａが設けられ、下端部にはメモリーマット２０の下端子
２０Ｂが設けられている。

そして、第８図に示されているように、このペレット１
４に設けられている各回路の電極（パッド）Ａｌ〜Ａ　
＋ｓおよびＰ、　Ｓ−Ｐ、はペレットの長手方向の両端
部、すなわち、両方の短辺部分に配設されている。１ｔ
ｉ　（パッド）Ａｔ〜Ａ＋ｓはボンディング用パッドで
あり、電極（パッド）Ｐ１〜Ｐ、は電気的特性試験時に
使用されるブロービング用のパッドである。

次に、ワイヤボンディング工程において、絶縁シート１
１にボンディングされたペレット１４のｔ掘バッドＡ１
〜Ａ１１と、各単位リードフレーム２におけるインナリ
ード８のワイヤボンディング部９との間に、ワイヤ１５
がその両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される
。

このボンディングワイヤ１５の素材としては、例えば、
直径３０μｍの金（Ａｕ）線材が使用される。

また、ワイヤボンディング装置としては、超音波熱圧着
式ワイヤボンディング装置（図示せず）が使用される。

このワイヤボンディング装置にはボンディング工具とし
てキャピラリーが使用されており、ペレット側の第１ボ
ンディング部は、放電電極によってワイヤ素材の先端部
に溶融生成されたボールがペレットの電極パッドにキャ
ピラリーにより押しつけられることにより、形成される
。

また、インナリード側の第２ボンディング部は、ワイヤ
素材の中間部がインナリードのボンディング部にキャピ
ラリーにより超音波エネルギを付勢されながら押しつけ
られることにより、形成される。なお、インナリード８
の表面におけるボンディング部９の領域には、銀めっき
被ＩＩＩ　（図示せず）が被着されている。

これにより、ペレット１４に作り込まれている集積回路
は、電極パッド、ワイヤ１５、インナリード８およびア
ウタリード７を介して電気的に外部に引き出されること
になる。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リードフレーム毎
に樹脂封止するパッケージ群が、第９図および第１０図
に示されているようなトランスファ成形装置を使用され
て単位リードフレーム群について同時成形される。

第９図および第“ｌＯ：図に示されているトランスファ
成形装置５０はシリンダ装置等（図示せず）によって互
いに型締めされる一対の上型５１と下型５２とを備えて
おり、上型５１と下型５２との合わせ面には上型キャビ
ティー凹部５３ａと下型キャビティー凹部５３ｂとが互
いに協働してキャビティー５３を形成するように複数組
没設されている。そして、キャビティー５３は前記絶縁
シート１１を収容し得るように構成されている。

上型５１の合わせ面にはボット５４が開設されており、
ボット５４にはシリンダ装置（図示せず）により進退さ
れるプランジャ５５が成形材料としての樹脂（エポキシ
系の樹脂にシリカ等の強化材料を添加したもの、以下、
レジンという。）を送給し得るように挿入されている。

他方、下型５２の合わせ面にはカル５６がボット５４と
の対向位置に配されて没設されているとともに、複数条
のランナ５７がボット５４にそれぞれ接続するように放
射状に配されて没設されている。各ランナ５７の他端部
は下側キャビティー凹部５３ｂにそれぞれ接続されてお
り、その接続部にはゲート５８がレジンをキャビティー
５３内に注入し得るように形成されている。また、下型
５２の合わせ面には逃げ凹所５９がリードフレームの厚
みを逃げ得るように、多連リードフレーム１の外形より
も若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の一
定温さに没設されている。

前記構成にかかる多連リードフレーム１を用いて樹脂封
止形パッケージを前記トランスファ成形装置を用いて成
形する場合、上型５１および下型５２における各キャビ
ティー５３は各単位リードフレーム２における一対のダ
ム部材５．５間の空間にそれぞれ対応される。

トランスファ成形時において、前記構成にかかる多連リ
ードフレーム１は下型５２に没設されている逃げ凹所５
９内に、各単位リードフレーム２における絶縁シート１
１およびペレット１４が各キャビティー５３内にそれぞ
れ収容されるように配されてセットされる。このとき、
第１０図に示されているように、中央部インナリード８
Ｂ群にそれぞれ開設されている貫通孔１０のそれぞれが
キャビティー四部５３ｂの開口縁から内外に突出するよ
うに、成形型およびリードフレームの各構成が設定され
ている。

続いて、上型５１と下型５２とが型締めされ、ボンド５
４からプランジャ５５によりレジン６０がランナ５７お
よびゲート５８を通じて各キャビティー５３に送給され
て圧入される。ゲート５８からキャビティー５３に注入
されたレジン６０はキャビティ−５３内全体に拡散され
て行く。

このとき、中央部インナリード８Ｂのそれぞれに貫通孔
１０が開設されていることにより、レジン６０はこれら
の貫通孔１０を容易に流通することができるため、レジ
ン６０はキャビティー５３の上下空間に効果的に拡散し
て行き、キャビティ−５３内全体に確実に充填される。

また、レジン６０はこの貫通孔１０の内部にも充填され
ることになる。そして、貫通孔１０の内部に充填された
レジン６０の一部は、貫通孔１０のキャビティー５３内
から外部へ延長されている部分にまで達することになる
。

注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ１
６が成形されると、上型５１および下型５２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によりパ
ッケージ１６群が離型される。

このようにして、第１１図に示されているように、パッ
ケージ１６群を成形された多連リードフレーム１はトラ
ンスファ成形装置５０から脱装される。そして、このよ
うに樹脂成形されたパッケージ１４の内部には、絶縁シ
ート１１、ペレット１４、インナリード８およびボンデ
ィングワイヤ１５が樹脂封止されることになる。

その後、樹脂封止パッケージ１６はダム５ａと両側のア
ウタリード７．７との間に生成されたぼり、および前記
貫通孔ＩＯの露出部空間内に生成されたばりを除去され
る。

次いで、多連リードフレームは図示しない電解めっき装
置や、はんだディンプ装置等のような適当な手段により
、金属露出面全体にわたってはんだ被膜を被着される。

また、多連リードフレームは、リード切断成形工程にお
いて各単位リードフレーム毎に順次、リード切断装置（
図示せず）により、外枠およびダムを切り落とされた後
、リード成形装置（図示せず）により、アウタリードを
バット・ウィング形状に屈曲成形される。このとき、ア
ウタリード７の屈曲部７ａには貫通孔ｌＯが開設されて
いるため、屈曲成形が過度の歪力を生ずることなく、適
正に実行されることになる。

以上のような製造方法によって、第１図〜第３図に示さ
れているＤＩＬＰ−１ｃ１７が製造されたことになる。

次に作用を説明する。

前記製造方法により製造されたＤＩＬＰ−ＩＣは出荷前
に抜き取り検査を実施される。抜き取り検査としては、
温度サイクル試験や熱衝撃試験が含まれる環境試験が実
施される。また、このＤＩＬＰ−ＩＣがプリント配線基
板等に実装される際、はんだディンプ処理や、リフロー
はんだ処理によっても、このＤＩＬＰ・ＩＣは加熱され
るため、温度サイクルが加わる状況下に置かれる。さら
に、このＤＩＬＰ−ＩＣが実装された後の稼働中におい
ても、自己発熱や、他の電子機器等の影害を受けて加熱
されるため、温度サイクルが加わる状況下に置かれるこ
とがある。

ところで、このような環境試験、または実装時に温度サ
イクルがＤＩＬＰ−ＩＣに加わった場合、インナリード
群がペレットの下方に配線され、この中央部インナリー
ド群とベレッ１−との間に絶縁層が介設されている樹脂
封止パッケージを備えた半導体装置においては、樹脂封
止パッケージにりラックが発生するという問題点がある
ことが、本発明者によって明らかにされた。

すなわち、温度サイクル時においては、リードフレーム
の製作に使用されている全屈材料の熱膨張係数（４２Ｎ
ｉ−Ｆｅのｔｘ＝ｏ、４Ｘ１０−’／”Ｃ，Ｃｕのｃｒ
＝　１．　７　Ｘ　１０−’／−Ｃ）と、封止樹脂に使
用されている樹脂材料の熱膨張係数（レジンのα＝　１
．ＯＸ　１０−Ｓ／”Ｃ）との差に起因する応力により
、樹脂封止パッケージの体内にクラックがインナリード
との接触箇所に局所的に発生される。

しかし、本実施例においては、中央部インナリード８Ｂ
には貫通孔１０がペレット１４の真下位置からパッケー
ジ１６の外部に至るまで延びるように開設されているた
め、温度サイクルのが加わった場合に発生する応力によ
るクラックの発生は防止されることになる。

すなわち、貫通孔１０が開設されている中央部インナリ
ード８Ｂは、貫通孔が゛開設されていない従来の中央部
インナリードに比べて、その封止樹脂部分に対する面積
比が小さいため、中央部インナリード８Ｂと、封止樹脂
部分との接着強度は高くなる。その結果、温度サイクル
が加わった場合に発生ずる応力が中央部インナリード８
Ｂとそれに接着している樹脂部分との間に作用したとし
ても、中央部インナリード８Ｂと樹脂部分との接着はこ
れに耐えることができるため、その封止樹脂部分におい
てクラックが発生することはない。

ここで、第１２図はレジン熱膨張係数αと、温度サイク
ル状況下においてクラックが１％全発生る時のサイクル
数との関係について実験した結果を示す線図である。

第１２図において、（Ａｌは中央部インナリードに長方
形状の貫通孔が開設されている本実施例の場合を示す特
性曲線であり、（Ｂ）は中央部インナリードに貫通孔が
開設されていない従来例の場合を示す特性曲線である。

第１３図はパッケージ端におけるレジン占有面積率と、
温度サイクル数との関係について実験した結果を示す線
図である。

第１３図において、（Ａ）はレジン熱膨張係数αが１．
Ｏｘ　１０−’／’ｃの場合の特性直線であり、（Ｂ）
はレジン熱膨張係数αが１．７Ｘ１０−’／°Ｃの場合
の特性曲線である。

第１４図は、本実施例におけるリードフレームの硬度と
、９０度繰り返し曲げリード破断回数との関係について
実験した結果を示す線図である。

第１４図において、（Ａ）はインナリードに長方形状の
貫通孔１０が開設された本実施例の場合を示す特性曲線
であり、０．５．０．４５．０゜４．０．２５等の数字
は、長方形状の貫通孔が開設されている部分のリード幅
である。（Ｂ）はインナリードに貫通孔が開設されてい
ない従来例の場合を示す特性曲線である。

これら各線図に示されている実験結果からも、本実施例
によれば前述した効果が得られることが理解されるであ
ろう。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　インナリード群のうち少なくとも一部のイン
ナリードを樹脂封止パッケージ内において半導体ペレッ
トの下方に配線することにより、インナリード群につい
ての配線スペースを充分に確保することができるため、
高集積化されたメモリー系の半導体集積回路装置の場合
のように、デュアル・イン・ライン形の樹脂封止パッケ
ージにおいて、長大化され、かつ、ポンディングパッド
がその短辺に偏って配置されている半導体ペレットを収
めようとした場合であっても、樹脂封止パッケージ内に
おいてインナリードを適正に配線することができる。

（２）　　前記（＋）により、４ＭＤＲＡＭのように高
集積化されたペレットが搭載されるＤＩＬＰ・ＩＣにお
いても、折り曲げ間隔につき３００ｍ１　Ｉの規格を維
持することができるため、メモリー系の半導体集積回路
装置において、所望の汎用性ないし互換性を維持するこ
とができる。

（３）　　インナリード群のうち少なくとも一部のイン
ナリードを樹脂封止パッケージ内において半導体ペレッ
トの下方に配線することにより、半導体ペレットの外方
における空きスペースを相対的に大きく設定させること
ができるため、インナリードの配線についての設計の自
由度を相対的に高めることができ、半導体ペレットにお
けるポンディングパッドの配置変更に対処し易くさせる
ことができる。

（４）　　インナリード群のうち少なくとも一部のもの
が中央部の空所に配線されているリードフレームを用意
しておき、このリードフレームにおけるその中央部イン
ナリード群上に絶縁シートを固着し、この絶縁シート上
に半導体ペレットをボンディングすることにより、半導
体ペレットを樹脂封止パッケージ内において強固に固定
することができるとともに、半導体ペレットとインナリ
ードとの絶縁を良好に維持することができるため、前記
（１）においても、樹脂封止パッケージを備えている半
導体装置の性能の低下を防止することができる。

（５）　　中央部インナリードに封止樹脂部の面積比を
増加させるための貫通孔を開設することにより、そのイ
ンナリードと封止樹脂部との接着強度を高めることがで
きるため、温度サイクルが加わる状況下において発生す
る応力による封止樹脂クラックの発生を防止することが
できる。

（６）貫通孔をパッケージの外部にまで延設することに
より、アウタリードの屈曲成形時における曲げ荷重を緩
和させることができるため、その屈曲成形時にリードと
パッケージ開口縁との間に隙間が発生されるのを防止す
ることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、中央部インナリードに開設される貫通孔社、第
１５図〜第２２図に示されているように、適宜変形する
ことができる。

第１５図に示されている貫通孔１０Ａは、樹脂封止パッ
ケージ１Ｇの内部においては大きい幅に形成されており
、パッケージ１６の外部においては小さい幅になるよう
に形成されている。

この貫通孔１０Ａによれば、パッケージの内部において
は、封止樹脂部の占拠面積比を充分に確保することがで
きるとともに、パッケージの外部においては、ばつの発
生程度を最小限度に抑制することができる。しかも、ア
ウタリード７において断面積の減少が抑制されるため、
アウタリードの強度の低下を回避することができる。

また、本実施例おいては、貫通孔１０Ａの外部の小幅部
分はアウタリード７の屈曲部までは延長されていない、
したがって、この部分にばりが生成された場合において
も、アウタリード７の屈曲成形作業が影響を受けること
はない、また、ばりの発生程度はきわめて軽微であるた
め、ぼり取り作業を省略することも可能である。

第１６図に示されている貫通孔１０Ｂはパッケージ１６
の外部に露出した部分が小幅に形成されているとともに
、この小幅部分がアウタリード７の屈曲部にまで延長さ
れている。

この実施例によれば、小幅部分の寸法設定により、アウ
タリード７の屈曲成形時における曲げ荷重の低減効果と
、屈曲後におけるアウタリードの強度とについての調和
を図ることができる。

第１７図に示されている貫通孔１．ＯＣはその外側端部
が半円形状に形成されており、その半円形状部のみがパ
ッケージ１６の外部に露出するように設定されている。

本実施例によれば、パッケー、ジー１６の内部において
封止樹脂の占拠面積比を充１分に高めることができる。

第１８図に示されている貫通孔ＬＯＤはその外側端部が
両隅部につき若干面取り部を有する矩形形状に形成され
ており、その矩形形状部の部分がパッケージ１６から微
小寸法だけ露出するように設定されている。

本実施例によれば、第１７図に示されている場合に比べ
て、ばりの生成程度を抑制することができる。

第１９図に示されている貫通孔１０Ｅはその外側端部が
パッケージ１６の内外境界線上に位置するように構成さ
れている。

本実施例によれば、パッケージ１６の内部において封止
樹脂の占拠面積比を充分に高めることができるとともに
、貫通孔１０Ｅが外部に露出するのを回避することがで
きる。したがって、ばりの生成を回避することができる
とともに、アウタリード７についての強度の低下を回避
することができる。

第２０図に示されている貫通孔１０Ｆはその外側端部が
パッケージ１６の内部におけるその境界線付近に位置す
るように構成されている。

本実施例によれば、前述したようなパッケージ１６の成
形時において、成形型の合わせ精度に誤差が生じた場合
等においても、貫通孔１０Ｆの端部がパッケージ１６の
外部に露出してしまう事態を回避することができる。

第２１図および第２２図に示されている変形例において
アウタリード７に樹脂から形成されたリブＩＯＧがパッ
ケージ１６外部に露出した貫通孔１０と一体的に形成さ
れている。このリブＩＯＧは貫通孔１０に樹脂が充填さ
れるとともに、アウタリード７の屈曲部内側空間に突設
された状態に形成されている０貫通孔ＩＯが開設された
アウタリード７はこのリブＩＯＧにより補強されること
になる。

〔実施例２〕 第２３図は本発明の他の実施例を示す一部切断斜視図で
ある。

本実施例において、ペレット１４の真下に配線された中
央部インナリード８Ｂ群のそれぞれは、半導体ペレット
１４下面の周辺に対向する部分がリードの幅方向に２分
割されており、この各分割部１日と１８との間の間隙１
８ａには樹脂部が形成されている。

本実施例によれば、中央部インナリード８Ｂのペレット
１４により高い熱応力を受ける部分が、幅の狭い複数の
部分に分割され、かつ互いに間隔をあけて離されている
ので、リード間の封止樹脂部に作用する応力が低減され
、その結果、樹脂封止パッケージ１６の内部においてク
ランクが発生するのを防止することができる。その作用
は次の通り説明される。

ところで、中央部のインナリード部群上にペレットが絶
縁シートを介して搭載された場合、半導体ペレットが搭
載されていない部分のリード上面は、半導体ペレットと
封止樹脂との線膨張係数差に起因した熱応力が加わる。

樹脂の線膨張係数は通常、半導体ペレットに比べて大き
いので、半導体ペレットの周囲のリード部分には、樹脂
モールド温度からの冷却によって、第２４図にＦ、で示
されているような引張応力が作用し、その応力は半導体
ペレットの下端部近傍において特に大きくなる。

リードと封止樹脂との接着界面は、引張応力に対しては
、ごく弱い接着強度しか有していないので、半導体ペレ
ットの周囲のリード上面では封止樹脂部が容易に剥離し
、この部分は引張応力を負担することができなくなる。

このため、隣接するリード間では、引張応力が第２５図
にＦ！で示されているようにリードの上端部に集中し、
温度サイクル試験等の過酷な温度環境下では、第２６図
に示されているように、リード間に樹脂クランクＣが発
生するという問題があった。ここで、第２５図および第
２６図は、第２４図のＸ−Ｘ線に沿う各断面図である。

そして、半導体ペレット下端部の直下部近傍では、各リ
ードの上面が剥離して、引張応力場の中に、亀裂状の隙
間が周期的に並んだような状態となっている。引張応力
場に亀裂が周期的に並んだ場合の亀裂端の応力は、亀裂
長さが短い程、また、亀裂長さと、亀裂間隔との比が小
さい程、小さくなる。この周期亀裂のモデルにおける亀
裂長さは、樹脂封止パッケージに封止されている個々の
リード幅に、また、亀裂間隔はリード間隔に対応してい
る。

したがって、半導体ペレット下端部直下の中央部リード
幅を狭くすれば、隣接するインナリード間に充填された
樹脂のインナリード端における応力を低減させることが
できる。しかし、従来構造のままで中央部インナリード
幅を狭くすると、リードの強度および樹脂によるリード
の固定強度が不足するので、充分にリード幅を狭くする
ことばできない。

そこで、中央部インナリードを幅方向に複数本に分割す
る本実施例によれば、リード上面に剥離が生じても個々
の亀裂状隙間の幅を狭くすることができるので、リード
の強度およびリードの固定強度を低下させることなく、
リード端の応力を低減させることができる。

なお、第２３図に示されているＤＩＬＰ・■Ｃ１７Ａの
製造方法は前記実施例と同様である。すなわち、まず、
絶縁シート１１が中央部インナリード８Ｂ群上に、その
縁辺が分割部１８．１８間の間隙Ｌ８ａに直交するよう
に配されて接着される。次いで、絶縁シート１１上にペ
レット１４が接着される。続いて、ペレット１４のパッ
ドと、インナリード８のボンディング部９との間にワイ
ヤ１５が橋絡される。その後、樹脂封止パッケージ１６
が絶縁シート１１、ペレット１４、インナリード８およ
びワイヤ１５を樹脂封止するように成形される。

本実施例によれば、ペレットの真下に配線されたインナ
リードが幅方向に分割されることにより、このリードの
全体断面積をあまり減少させることなく、幅を小さく抑
制することができるため、リード強度および樹脂による
リードの固定強度を低下させることなく、リード間の応
力を低減することができ、その結果、リード間の樹脂ク
ラックの発生を防止することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな（、その要臀を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、中央部インナリードの分割は、２分割だけでな
く、３本以上に分割しても良い。但し、分割された複数
本の分割部間の間隙の幅が狭いと、その部分の樹脂の応
力が高くなって、クラックが発生し易くなる。クラック
を生じさせないためには、分割された分割部の個々の幅
の狭い部分相互の間に、できるだけ広い間隙を設けるこ
とが望ましく、最低でも、リードの板厚以上の幅の間隙
を設けることが必要である。

中央部インナリードの分割部の形状は、図示したような
平行な直線状のみでなく、途中で屈曲させても、また途
中で幅を変化させても良い。分割部の長さは、間隙の幅
と同程度もしくはそれより若干短くても良い。

中央部インナリード８Ｂがボンディング部９Ｂの側にお
いてペレット１４の上端部直下を通過する部分では、イ
ンナリード８Ｂの幅をリード固定強度に関係なく、自由
に狭くすることができるので、必ずしも前記実施例のよ
うに幅方向に分割する必要はない。

また、中央部インナリードの分割は、すべてのインナリ
ードについて行う必要はなく、例えば、ペレット側辺に
おける中央部直下のリード等のように、特に、応力条件
が厳しいリードのみに限定して行ってもよい。

リードをパッケージを外部に引き出す方向は、第２３図
に示されているように２方向に限定されるものではなく
、■方向、あるいは３方向以上であってもよい。また、
パッケージの側面からだけではなく、パッケージの上面
、または下面からリードを引き出しても良い。

さらに、第２３図においては、アウタリードをパッケー
ジの外部で下方に折り曲げる場合を例にとって示しであ
るが、パッケージ外部でのリードは任意の方向、形状に
折り曲げてよいし、また、折り曲げなくともよい。

樹脂封止パッケージの外形と、ペレットの端部との間に
寸法的余裕がある場合、または、外形が四辺形のパッケ
ージの４方向からリードを引き出す場合には、ボンディ
ングワイヤの接続を第２７図に示されているようにペレ
ットのリード外部引出し側で行ってもよい。この場合、
インナリード８へのワイヤ１５による接続は、第２７図
に示されているように、１本のインナリード８を複数本
に分割した部分１８．１８のうちのいずれか１本に対し
てのみ行っても、また、複数本に対して重複して行って
も、さらに分割していない部分に対して行ってもよい。

第２３図および第２７図ではいずれも、タブを廃して、
リード群のみによってペレットが支えられる構造が示さ
れている。しかし、この実施例は、リードの一部をペレ
ットの直下部に配設する構造であれば、特開昭６１−２
１８１３９号公報記載のような、タブを併用した構造の
場合にも有効である。また、ペレットをリードに取付け
る向き広間公報、および特開昭６１−２１８１３９号公
報に記載されているように、ペレットの回路形成面、非
回路形成面のいずれをリード側に向けてもよい。

ペレットとリードの間の絶縁層の形成はフィルム状の絶
縁シート１１によるほか、リードの上面あるいはペレッ
トの下面に酸素被膜を形成させたり、電気絶縁性のコー
ティングを施して形成してもよい。接着剤として絶縁性
接着剤を使用することも有効である。

また、絶縁を施す範囲も、ペレット下面の全面である必
要はなく、ペレットとリードとが接触する部分のみに限
定しても、また部分的に絶縁シートを挿入して、ペレッ
ト下面とり一部３上面との間に隙間を設けてもよい。

第２８図はこの実施例の変形例であるリード部分を示す
斜視図であり、リードから上の部分が取り除かれて示さ
れている。分割されたり一部８は、分割部分の両側で連
結されて閉ループを形成する必要はなく、第２８図に示
されているように分割されたままペレット１４の下部に
延ばされていても良い。

第２９図は他の変形例であるリード部分を示す斜視図で
ある。リード８の分割された個々の部分１８の幅の合計
の値は、パッケージ１６外部でのり−ド８の最大幅に比
べて、必ずしも小さくする必要はない。第２９図に示さ
れているように、リード８の分割部１８の個々の幅が狭
く、かつ、互いに十分な間隔をもって離れていれば、合
計の幅が外部のリード幅より広くなっても、タラワクを
防止する効果があり、強固なリード強度および固定強度
を得ることができる。

第３０図は、さらに別の変形例であるリード部分を示す
斜視図である。ペレット１４の寸法が大型化するにした
がって、ペレット１４の端部がパッケージ１６の側端に
接近し、ペレットによって発生する熱応力は、ペレット
下端部のみでなく、パッケージ側端、ペレット端間の領
域全体に強く作用するようになる。特に、パッケージ１
６の側端部では、樹脂モールド後のアウタリード７の切
断・成形によって、リードと樹脂との接着界面が剥離し
易く、ペレット下端部の場合同様、隣接するリード間の
樹脂に高い応力集中が生じ易い。第３０図の実施例のよ
うに、ペレット１４下端部直下でのリードの分割をパッ
ケージ１６の外部まで延長すれば、ペレットの端部がパ
ッケージ１６の側端に接近している場合にも、隣接する
リード間の樹脂クランクを防止することができる。

第３１図はさらに別の変形例であるリード部分を示す斜
視図である。ペレット下端とパッケージ側端との間の領
域の樹脂部に作用する応力は、第２４図に示されている
ようにペレット下端部とパッケージ側端部において特に
高くなっているので、それら以外の部分に、分割部分１
８、■８同士を互いに連結する部分１８ｂを設け、リー
ドの幅方向の分割を複数箇所に独立させてもよい。この
場合、連結部１８ｂによって発生する応力集中は、分割
部１８の場合と同様、連結部１８ｂの幅が狭いほど軽減
されるので、連結部１８ｂの幅は、分割部１８の幅と同
等もしくはそれ以下とすることが望ましい。、但し、こ
こで連結部１８ｂの幅とは、リードの幅方向と垂直な方
向に測った幅をいう。

第３２図はさらに別の変形例であるリード部分を示す斜
視図である。アウタリード７の屈曲部がパッケージ１６
の側端に接近している場合、第３０図および第３１図の
実施例のように、リード屈曲部７ａのリード幅が、パッ
ケージ１６の側端部の合計のリード幅より広くなってい
ると、リード成形時の幅の広い部分を折り曲げるのに要
する大きな力が、幅の狭いパッケージ１６側端部のリー
ドに作用するので、リードと樹脂部との接着界面および
リード周辺の樹脂部が損傷を受は易い。第３２図のよう
に、リードの分割をリード折り曲げ部７ａを越える部分
までさらに延長することによって、リード成形時のリー
ド、樹脂接着界面近傍の損傷を防止することができる。

第３３図および第３４図はさらに別の変形例であるリー
ド部分を示す斜視図である。隣接するり一部間の樹脂部
が受ける応力は、樹脂部側端部よりも、ペレット１４下
端部の方が大きくなっている。また、リード強度および
リード固定強度を確保するためには、パッケージ１６側
端部近傍のリード幅をできるだけ広くすることが望まし
い、そこで、リード８の分割された個々の部分１８の幅
を、第３３図の例に示されているように徐々に、あるい
は第３４図の例に示されているように段階的に変化させ
、パッケージ側端部近傍における幅を、ペレット１４下
端部より広くすることによって、樹脂クラック防止効果
を損なうことな（、リード強度およびリード固定強度を
向上させることができる。この方法は、リードの分割を
、パッケージ１６の外部まで延長して行う場合だけでな
く、パッケージ１６の内部において、パッケージ側端近
傍まで行う場合にも有効である。

さらに、第３５図に例示すように各リードの分割部１９
は複数の線材で構成してもよい、要するに封止樹脂がリ
ード分割部内に入り込んでいれば足りる。

（実施例３） 第３６図は本発明は別の他の実施例を示す平面断面図、
第３７図はその正面断゛面図、第３８図〜第４０図はそ
の作用を説明するための各説明図である。

本実施例においては、ペレット１４と、その真下に配線
された中央部インナリード８Ｂ群との間に介設された絶
縁シートＬＬＡは、その短辺側の寸法がペレット１４の
短辺側の寸法よりも小さくなるように形成されている。

ところで、ペレットが中央部に配線されたインナリード
群上に絶縁シートを介されて固着されている樹脂封止パ
ッケージであって、絶縁シートの寸法がペレットの寸法
よりも大きい従来の構造においては、このパッケージに
温度サイクルが与えられると、第３８図および第３９図
に示されているように、パッケージの内部においてクラ
ックＣ１、およびＣ２が発生することがある。

絶縁シートの端部からのクラックＣＩが発生する原因は
、絶縁シートが軟質（フィルム）で応力を殆ど分担しな
いため、その端部に接する樹脂部に、ペレットの材料と
、材料としての樹脂との線膨張係数の差による熱応力が
集中し、その樹脂部が疲労破壊するためである。

また、リード８．８間に発生するレジンクラックＣ１は
リードコーナ部の応力集中により発生する。このクラッ
クの発生には、絶縁シートのコーナ部から発生したクラ
ックＣ１により、リード間の応力が増大されることが原
因の一つになっている。したがって、リードコーナ部の
クランクＣ２は絶縁シートコーナ部からのクランクＣ１
に比し、従属的なりラックである。

以上のような構成による樹脂封止パッケージでは、ペレ
ットがリードフレームのタブに固着されている通常のパ
ッケージに比べ、熱疲労寿命はｌ／１０程度に低下する
ことがあり、信転性の点で必ずしも満足できるものでは
なかった。このため、温度サイクル等による信鎖性の向
上が要望されていた。

本実施例は、電気絶縁物の短辺側の寸法を素子短辺側の
寸法よりも小さくすることにより、この問題点を解決し
たものである。

次に作用を説明する。

第４０図は、ペレットの寸法を一定とし、絶縁シートの
寸法を変えた場合における樹脂封止パッケージの封止樹
脂部に発生する応力の変化を示す線図である。

第４０図から理解されるように、Ｘ＞ｏに設定されてい
る従来の構造においては、絶縁シート端部の点ａにおい
て、応力集中のため、過大な応力が発生し、クラックの
原因になる。ここで、Ｘは次式で与えられる値である。

Ｘ−（絶縁シート寸法−ペレット寸法）／２このＸの値
が小さくなるにつれて絶縁シートの点ａの応力は若干減
少する。これは、Ｘの値が小さくなるにつれて絶縁シー
トと、パッケージ端部との距Ｎｄが大きくなるためであ
る。しかし、レジンクランクが発生しないほどには低下
しない。

第４０図に示されているように、絶縁シートの寸法がペ
レット寸法より小さくなると（Ｘが負の値になる）、ａ
点の応力集中は不連続的に小さくなり、殆ど応力集中は
なくなる。逆に、このとき、ペレット端部の点すの応力
が大きくなるが、樹脂部とペレットとの間の剥離が生じ
なければ、発生応力はさほど高くならず、クラックを生
じないレベルに抑えられる。

そこで、このような場合においては、例えば、ペレット
を構成する材料と接着性の良好なレジンを選べばよい。

そして、従来構造においてＸ＝＋ＩＱＯμｍに構成され
ている場合と、本実施例においてｘ＝−１００ｔＩｍに
構成されている場合とを比較すると、発生応力は、第４
０図に示されているように、従来の場合はσ１に、本実
施例の場合はσ２になり、本実施例の応力σ２は従来品
の応力σ、に比し約４０％低下する。

なお、絶縁シートの短辺側寸法を素子短辺側寸法よりも
１００μｍ程度小さくしても、製造上、なんらの不都合
も生じない。

本実施例によれば、ペレットと中央部インナリードとの
間にある絶縁シートの短辺側寸法を、ペレットの短辺側
寸法よりも小さくすることにより、絶縁シート端部に発
生する樹脂部の応力集中を極端に低減することができる
ため、絶縁シート端部からのレジンクラックの発生を防
止することができる。

第４１図は本実施例の変形例を示す拡大部分縦断面図で
あり、中央部インナリード８Ｂには段差１９がその絶縁
シート１１Ａ外縁との略対向する位置に配されて、下向
きに形成されており、この段差１９によりペレット下面
とリード上面との距離ｅが拡げられている。

その効果は第４２図、および第４３図により説明される
。第４２図にはタブレスパッケージ部分横断面図が示さ
れており、図中のＺ−２部のレジン応力分布が第４３図
に示されている。ペレット側面においてレジン応力が最
も高く、パッケージ厚み方向距離において、ペレットか
ら離れるにつれてレジン応力は急激に低下する。このた
め、リードに段差をつけることにより、リード上面付近
のレジン応力は第４３図に示されているようにσ３から
σ４に低下し、これにより、リードからのレジンクラッ
クの発生を防止することができる。

第４４図は別の変形例を示す拡大部分断面図であり、第
４１図に示されでいる構造に加え、ベレッｔ−ｍ面外周
部に溝が刻設されている。これにより、ペレットと樹脂
とが安定的に固定されるため、ペレットと樹脂部との剥
離によるペレット端部のレジンの応力集中を防止するこ
とができる。

〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

ペレットがインナリードに絶縁層を介されて固着されて
いる樹脂封止パッケージを備えている半導体装置におい
て、そのリードと封止樹脂部との接着強度を高めること
ができ、また、リード間の応力を低減させることができ
、また、絶縁層端部に発生する封止樹脂部の応力集中を
低減することができるため、温度サイクルによりパッケ
ージにクラックが発生するのを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるＤＩＬＰ・ＩＣを示す
一部切断斜視図、 第２図はその側面図中央縦断面図、 第３図はその正面図中央樅断面図である。 第４図〜第１１図は本発明の一実施例であるＤＩＬＰ−
ＩＣの製造方法を示すものであり、第４図はそれに使用
される多連リードフレームを示す一部省略平面図、 第５図および第６図は絶縁シート、ペレットおよびワイ
ヤボンディング後を示す平面図および正面図縦断面図、 第７図はペレットの回路レイアウトを示す平面図、 第８図はペレットのパッドレイアウトを示す平面図、 第９図は樹脂封止パッケージの成形工程を示す縦断面図
、 第１０図は同じく一部省略平面図、 第１１図は樹脂封止パッケージ成形後の多連リードフレ
ームを示す一部省略平面図である。 第１２図、第１３図および第１４図はその作用を説明す
るための各線図である。 第１５図、第１６図、第１７図、第１８図、第１９図、
第２０図、第２１図および第２２図は本実施例の各変形
例をそれぞれ示す各拡大部分斜視図である。 第２３図は本発明の他の実施例であるＤ　Ｉ　Ｌ　Ｐ・
ＩＣを示す一部切断斜視図、 第２４図、第２５図、第２６図はその作用を説明するた
めの各説明図である。 第２７図は実施例２の変形例を示す一部切断斜視図、 第２８図、第２９図、第３０図、第３１図、第３２図、
第３３図、第３４図および第３５図は同じく他の各変形
例をそれぞれ示すリード部の各斜視図、 第３６図は本発明は別の他の実施例を示す平面断面図、 第３７図はその正面断面図、 第３８図、第３９図および第４０図はその作用を説明す
るための各説明図である。 第４１図は実施例３の変形例を示す拡大部分縦断面図、 第４２図および第４３図はその作用を説明するための各
説明図、 第４４図は他の変形例を示す拡大部分縦断面図である。 １・・・多連リードフレーム、２・・・単位リードフレ
ーム、３・・・外枠、４・・・セクション枠、５・・・
ダム部材、５ａ・・・ダム、６・・・リード、７・・・
アウタリード（アウタ部）、８・・・インナリード、８
Ａ・・・周辺部インナリード、８Ｂ・・・中央部インナ
リード、９．９Ａ、９Ｂ・・・ワイヤボンディング部、
１０，１０Ａ〜ＩＯＦ・・・貫通孔、ＩＯＧ・・・リブ
、１１・・・絶縁シート、１２．１３・・・ボンディン
グ層、１４・・・ベレント、１５・・・ボンディングワ
イヤ、１６・・・樹脂封止パッケージ、１７・・・ＤＩ
ＬＰ−ＩＣ（半導体装Ｕ）、１８・・・分割部、１８ａ
・・・間隙、１９・・・段差。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットと、互いに電気的に独立されて外部
   端子をそれぞれ構成している複数本のリードと、各リー
   ドのインナ部と前記半導体ペレットとの間にそれぞれ橋
   絡されているボンディングワイヤと、これら半導体ペレ
   ット、リードのインナ部およびボンディングワイヤを樹
   脂封止するパッケージとを備えており、前記リード群の
   うち少なくとも一部のリードは、そのインナ部の一部が
   前記パッケージ内において前記半導体ペレットの下方に
   それぞれ配線されており、このインナ部群と前記半導体
   ペレットとの間には絶縁層が介設されている半導体装置
   において、前記半導体ペレットの下方に配線されたリー
   ド群のうち少なくとも一部のリードには、このリードの
   前記半導体ペレットの外縁に対向する境界線における樹
   脂部の占拠面積比を大きくさせるための貫通孔が、この
   境界線に内外方向に跨がって開設されていることを特徴
   とする半導体装置。 ２、前記貫通孔が前記パッケージの外方であって、前記
   リードのアウタ部における屈曲部まで延長されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
   。 ３、前記貫通孔が前記パッケージの外方であって、前記
   リードのアウタ部における屈曲部よりも内寄りの位置ま
   で延長されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の半導体装置。 ４、前記貫通孔におけるパッケージの外方に延長された
   部分が、パッケージの内側部分よりも小幅に形成されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第２項または第３
   項記載の半導体装置。 ５、前記貫通孔の端末が前記パッケージの内部に位置さ
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   半導体装置。 ６、前記リードのワイヤボンディング部群が、前記パッ
   ケージ内において前記半導体ペレットの短辺に対向する
   位置に偏在して配設されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体装置。 ７、半導体ペレットと、互いに電気的に独立されて外部
   端子をそれぞれ構成している複数本のリードと、各リー
   ドのインナ部と前記半導体ペレットとの間にそれぞれ橋
   絡されているボンディングワイヤと、これら半導体ペレ
   ット、リードのインナ部およびボンディングワイヤを樹
   脂封止するパッケージとを備えており、前記リード群の
   うち少なくとも一部のリードは、そのインナ部の一部が
   前記パッケージ内において前記半導体ペレットの下方に
   それぞれ配線されており、このインナ部群と前記半導体
   ペレットとの間には絶縁層が介設されている半導体装置
   において、前記半導体ペレットの下方に配線されたリー
   ド群のうち少なくとも一部のリードは、少なくとも前記
   半導体ペレット下面の周辺に対応する部分について、リ
   ード間の応力を低減させるように、各リードの幅方向に
   複数本に分岐されていることを特徴とする半導体装置。 ８、前記リードの分岐部分が複数本の線材により構成さ
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の
   半導体装置。 ９、半導体ペレットと、互いに電気的に独立されて外部
   端子をそれぞれ構成している複数本のリードと、各リー
   ドのインナ部と前記半導体ペレットとの間にそれぞれ橋
   絡されているボンディングワイヤと、これら半導体ペレ
   ット、リードのインナ部およびボンディングワイヤを樹
   脂封止するパッケージとを備えており、前記リード群の
   うち少なくとも一部のリードは、そのインナ部の一部が
   前記パッケージ内において前記半導体ペレットの下方に
   それぞれ配線されており、このインナ部群と前記半導体
   ペレットとの間には絶縁層が介設されている半導体装置
   において、前記絶縁層が矩形のシート形状に形成されて
   いる絶縁シートにより構成されているとともに、この絶
   縁シートはその短辺の寸法が前記半導体ペレットの短辺
   の寸法よりも小さく設定されていることを特徴とする半
   導体装置。 １０、前記絶縁シートには段差が短辺の端部付近に配さ
   れて、前記リード群における絶縁シートの接着端より外
   側が下げられることにより、前記半導体ペレットとリー
   ド群表面との距離が大きくなるように形成されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の半導体装置
   。 １１、前記半導体ペレットの裏面には溝部が前記絶縁シ
   ートの短辺外端よりも外側に配されて形成されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の半導体装
   置。 １２、リード群のうち少なくとも一部のものが、そのイ
   ンナ部の一部が中央部の空所に配線されているとともに
   、このインナ部の少なくとも一部には貫通孔が長手方向
   に延在するように開設されており、かつ、リード群のワ
   イヤボンディング部が所定位置に配列されているリード
   フレームが用意される工程と、前記中央部のリード群上
   に絶縁シートが固着される工程と、前記絶縁シート上に
   半導体ペレットがボンディングされる工程と、前記半導
   体ペレットと前記リード群のワイヤボンディング部のそ
   れぞれとの間にボンディングワイヤが橋絡される工程と
   、前記半導体ペレット、リードのインナ部およびボンデ
   ィングワイヤ群を樹脂封止するパッケージが樹脂成形さ
   れる工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の
   製造方法。