JPH0254963B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0254963B2 JPH0254963B2 JP59072413A JP7241384A JPH0254963B2 JP H0254963 B2 JPH0254963 B2 JP H0254963B2 JP 59072413 A JP59072413 A JP 59072413A JP 7241384 A JP7241384 A JP 7241384A JP H0254963 B2 JPH0254963 B2 JP H0254963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- emitter follower
- follower transistor
- emitter
- Prior art date
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- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(A) 発明の技術分野
本発明は、トランジスタ回路、特に増幅段回路
の出力端にもうけたエミツタホロア・トランジス
タ（またはダイオードが直列に接続されたエミツ
タホロア・トランジスタ）の内部抵抗を変化させ
ることによつて次段回路に接続される際の周波数
特性を変化させるようにしたトランジスタ回路に
関するものである。
の出力端にもうけたエミツタホロア・トランジス
タ（またはダイオードが直列に接続されたエミツ
タホロア・トランジスタ）の内部抵抗を変化させ
ることによつて次段回路に接続される際の周波数
特性を変化させるようにしたトランジスタ回路に
関するものである。
(B) 技術の背景と問題点
従来から増幅段回路を有するトランジスタ回路
における帯域幅を決定する手段として、第１図に
示す如く、LSIにて構成される増幅器１の例えば
出力端にフイルタ２を外付けする構成がとられて
いる。この場合、増幅器１自体の周波数特性は、
上記フイルタ２で与えられる周波数特性よりも一
段と優れたもの、すなわち周波数帯域が広いもの
としておき、上記フイルタ２によつて所望の周波
数特性を決定させるようにされる。このために、
即ち増幅器１自体の周波数動性が必要以上のもの
に選ばれていることのために、非所望な発振を生
じたり帰還ループでの誤動作などが発生し易い難
点があつた。またフイルタ２を外付けするために
実装スペースなどの問題点が存在した。
における帯域幅を決定する手段として、第１図に
示す如く、LSIにて構成される増幅器１の例えば
出力端にフイルタ２を外付けする構成がとられて
いる。この場合、増幅器１自体の周波数特性は、
上記フイルタ２で与えられる周波数特性よりも一
段と優れたもの、すなわち周波数帯域が広いもの
としておき、上記フイルタ２によつて所望の周波
数特性を決定させるようにされる。このために、
即ち増幅器１自体の周波数動性が必要以上のもの
に選ばれていることのために、非所望な発振を生
じたり帰還ループでの誤動作などが発生し易い難
点があつた。またフイルタ２を外付けするために
実装スペースなどの問題点が存在した。
(C) 発明の目的と構成
本発明は上記の点を解決することを目的として
おり増幅回路段における周波数特性を所望なもの
に設定できるようにしたトランジスタ回路を提供
することを目的としている。そのため、本発明の
トランジスタ回路は、増幅段回路出力を次段回路
に接続してなるトランジスタ回路において、上記
増幅段回路の出力端に、エミツタホロア・トラン
ジスタ、またはダイオードが直列に接続されたエ
ミツタホロア・トランジスタをもうけると共に、
当該エミツタホロア・トランジスタの出力を上記
次段回路に接続するよう構成し、かつ上記エミツ
タホロア・トランジスタまたはダイオードが直列
に接続されたエミツタホロア・トランジスタに流
れるエミツタ電流の電流レベルを可変にすること
により、周波数帯域を変化させるようにしたこと
を特徴としている。以下図面を参照しつつ説明す
る。
おり増幅回路段における周波数特性を所望なもの
に設定できるようにしたトランジスタ回路を提供
することを目的としている。そのため、本発明の
トランジスタ回路は、増幅段回路出力を次段回路
に接続してなるトランジスタ回路において、上記
増幅段回路の出力端に、エミツタホロア・トラン
ジスタ、またはダイオードが直列に接続されたエ
ミツタホロア・トランジスタをもうけると共に、
当該エミツタホロア・トランジスタの出力を上記
次段回路に接続するよう構成し、かつ上記エミツ
タホロア・トランジスタまたはダイオードが直列
に接続されたエミツタホロア・トランジスタに流
れるエミツタ電流の電流レベルを可変にすること
により、周波数帯域を変化させるようにしたこと
を特徴としている。以下図面を参照しつつ説明す
る。
(D) 発明の実施例
第２図および第３図は本発明に原理を説明する
説明図、第４図および第５図は夫々本発明の一実
施例を示す。
説明図、第４図および第５図は夫々本発明の一実
施例を示す。
トランジスタ回路における入力インピーダンス
は、一般に、抵抗R1と静電容量C1との並列回路
によつて等価される。そして、高周波領域におい
ては上記静電容量C1が周波数特性に大きい影響
を与える形となり、上記並列回路は静電容易C1
のみのものとみなすことが可能となる。
は、一般に、抵抗R1と静電容量C1との並列回路
によつて等価される。そして、高周波領域におい
ては上記静電容量C1が周波数特性に大きい影響
を与える形となり、上記並列回路は静電容易C1
のみのものとみなすことが可能となる。
このために、エミツタホロア・トランジスタに
対して次段回路を接続した第２図図示の構成の等
価回路は第３図図示の如きものとみなすことがで
きる。なお図において、３は増幅回路段、４はエ
ミツタホロア・トランジスタ、５は次段回路の入
力段トランジスタ、Zeは出力端側をみたインピ
ーダンス、Ｚは次段入力インピーダンス、ieはエ
ミツタ電流を表わしている。またC1は入力段ト
ランジスタ５を高周波領域で等価したものを表わ
している。
対して次段回路を接続した第２図図示の構成の等
価回路は第３図図示の如きものとみなすことがで
きる。なお図において、３は増幅回路段、４はエ
ミツタホロア・トランジスタ、５は次段回路の入
力段トランジスタ、Zeは出力端側をみたインピ
ーダンス、Ｚは次段入力インピーダンス、ieはエ
ミツタ電流を表わしている。またC1は入力段ト
ランジスタ５を高周波領域で等価したものを表わ
している。
このため、第３図図示等価回路から、静電容量
C1の端子電圧v1は、 v1＝１／１＋sC1rev0 となり、周波数特性で3dB低下する周波数fcは fc＝１／2πC1re〔Hz〕 で与えられる。そしてトランジスタ４の内部抵抗
reはエミツタ電流ieをmA単位で与えると、 re≒26／ie〔mA〕〔Ω〕 で表わされる。これらのことから、トランジスタ
４の内部抵抗reをieの可変により設定することに
よつて、第１図図示のフイルタ２を用いることな
く、周波数特性を所望のものに設定することが可
能となる。
C1の端子電圧v1は、 v1＝１／１＋sC1rev0 となり、周波数特性で3dB低下する周波数fcは fc＝１／2πC1re〔Hz〕 で与えられる。そしてトランジスタ４の内部抵抗
reはエミツタ電流ieをmA単位で与えると、 re≒26／ie〔mA〕〔Ω〕 で表わされる。これらのことから、トランジスタ
４の内部抵抗reをieの可変により設定することに
よつて、第１図図示のフイルタ２を用いることな
く、周波数特性を所望のものに設定することが可
能となる。
第４図は本発明の一実施例を示し、図中の符号
３，４，５は第２図に対応し、Ｒは可変抵抗、
６，７はエミツタ電流設定用トランジスタ、４−
０エミツタホロア・トランジスタ、４−１，４−
２は夫々ダイオード、R1，R2は夫々抵抗を表わ
している。
３，４，５は第２図に対応し、Ｒは可変抵抗、
６，７はエミツタ電流設定用トランジスタ、４−
０エミツタホロア・トランジスタ、４−１，４−
２は夫々ダイオード、R1，R2は夫々抵抗を表わ
している。
可変抵抗Ｒの値を変化せしめることによつて、
図示電圧Veが変化し、トランジスタ６を流れる
電流i1は i1＝Ve／R1 となり、トランジスタ７を流れる電流ieも ie＝Ve／R2 で与えられるものとなる。そして、エミツタホロ
ア・トランジスタ４−０を含む内部抵抗re′は、 re′≒｛１＋（ダイオードの個数）｝ ×26／ie〔mA〕〔Ω〕 で与えられるものとなり、可変抵抗Ｒの値を可変
することによつて、ieが変化し、内部抵抗re′を
変化させることにより周波数帯域を変化させるこ
とが可能となる。
図示電圧Veが変化し、トランジスタ６を流れる
電流i1は i1＝Ve／R1 となり、トランジスタ７を流れる電流ieも ie＝Ve／R2 で与えられるものとなる。そして、エミツタホロ
ア・トランジスタ４−０を含む内部抵抗re′は、 re′≒｛１＋（ダイオードの個数）｝ ×26／ie〔mA〕〔Ω〕 で与えられるものとなり、可変抵抗Ｒの値を可変
することによつて、ieが変化し、内部抵抗re′を
変化させることにより周波数帯域を変化させるこ
とが可能となる。
第５図は本発明の他の実施例を示している。図
中の符号３，４，４−０，４−１，４−２，５，
６，７，Ｒは第４図に対応し、８はトランジスタ
を表わしている。
中の符号３，４，４−０，４−１，４−２，５，
６，７，Ｒは第４図に対応し、８はトランジスタ
を表わしている。
図示の場合、トランジスタ６と７とのエミツタ
の抵抗値を等しいものとすると、夫々のトランジ
スタに流れるエミツタ電流は等しい値i1となる。
一方トランジスタ８を流れる電流をie′に選んだ
とすると、上述の内部抵抗re′を決定する電流ie
は ie＝i1＋ie′ で与えられることとなり、可変抵抗Ｒの値や図示
電圧V2の値を選ぶことによつて、所望の周波数
特性を得ることが可能となる。
の抵抗値を等しいものとすると、夫々のトランジ
スタに流れるエミツタ電流は等しい値i1となる。
一方トランジスタ８を流れる電流をie′に選んだ
とすると、上述の内部抵抗re′を決定する電流ie
は ie＝i1＋ie′ で与えられることとなり、可変抵抗Ｒの値や図示
電圧V2の値を選ぶことによつて、所望の周波数
特性を得ることが可能となる。
(E) 発明の効果
以上説明した如く、本発明によればいわば増幅
回路段内部において所望の周波数特性を決定せし
めており、フイルタを外付けする場合の難点を解
決することが可能となる。
回路段内部において所望の周波数特性を決定せし
めており、フイルタを外付けする場合の難点を解
決することが可能となる。
第１図は従来の回路例、第２図および第３図は
本発明の原理を説明する説明図、第４図および第
５図は夫々本発明の一実施例を示す。 図中、３は増幅回路段、４はエミツタホロア・
トランジスタ（又はダイオードが直列に接続され
たエミツタホロア・トランジスタ）、５は次段回
路の入力段トランジスタ、６，７，８は夫々トラ
ンジスタ、Ｒは可変抵抗を表わしている。
本発明の原理を説明する説明図、第４図および第
５図は夫々本発明の一実施例を示す。 図中、３は増幅回路段、４はエミツタホロア・
トランジスタ（又はダイオードが直列に接続され
たエミツタホロア・トランジスタ）、５は次段回
路の入力段トランジスタ、６，７，８は夫々トラ
ンジスタ、Ｒは可変抵抗を表わしている。
Claims (1)
- １ 増幅段回路出力を次段回路に接続してなるト
ランジスタ回路において、上記増幅段回路の出力
端に、エミツタホロア・トランジスタ、またはダ
イオードが直列に接続されたエミツタホロア・ト
ランジスタをもうけると共に、当該エミツタホロ
ア・トランジスタの出力を上記次段回路に接続す
るよう構成し、かつ上記エミツタホロア・トラン
ジスタまたはダイオードが直列に接続されたエミ
ツタホロア・トランジスタに流れるエミツタ電流
の電流レベルを可変にすることにより、周波数帯
域を変化させるようにしたことを特徴とするトラ
ンジスタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072413A JPS60214610A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | トランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072413A JPS60214610A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | トランジスタ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214610A JPS60214610A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0254963B2 true JPH0254963B2 (ja) | 1990-11-26 |
Family
ID=13488567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072413A Granted JPS60214610A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | トランジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214610A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4703285A (en) * | 1986-04-23 | 1987-10-27 | Tektronix, Inc. | Wideband amplifier with active high-frequency compensation |
| JPH0817295B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1996-02-21 | 株式会社日立製作所 | レベルシフト回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537161A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | High-pressure-resisting integrated circuit |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072413A patent/JPS60214610A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60214610A (ja) | 1985-10-26 |
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