JPH0255328A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0255328A JPH0255328A JP63207635A JP20763588A JPH0255328A JP H0255328 A JPH0255328 A JP H0255328A JP 63207635 A JP63207635 A JP 63207635A JP 20763588 A JP20763588 A JP 20763588A JP H0255328 A JPH0255328 A JP H0255328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- smectic
- display device
- crystal display
- active matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表示の高速性、コントラスト、視角特性、階
調性に優れた、従って映像表示に適した液晶表示装置に
係るものである。
調性に優れた、従って映像表示に適した液晶表示装置に
係るものである。
従来の技術
現在、液晶映像表示装置は白黒あるいはカラーで、２′
〜１４”位いのサイズのものが、商品化ないしは試作報
告されている。これらの液晶映像表示装置は技術的には
大きくは２つに分類される。
〜１４”位いのサイズのものが、商品化ないしは試作報
告されている。これらの液晶映像表示装置は技術的には
大きくは２つに分類される。
すなわちアクティブマトリクスタイプと単純マトリクス
タイプである。前者は、第４図に示す様に薄膜トランジ
スタアレーや金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）構成の２端
子非直線抵抗素子アレー等のアクティブマトリクスアレ
ー５と対向電極３の間にライステンドネマチック（ＴＮ
）液晶８を挟み込んだものであり、アクティブマトリク
スアレーが液晶の闇値特性の不十分さを補うため高画質
の映像表示が可能である。しかしながらアクティブマト
リクスアレーの製造コスト、歩留まりの低下のため高価
になる欠点がある。後者は１対の透明帯状の電極間に液
晶を挟み込んでＸ−Ｙマトリクスを構成するもので、構
成が単純である為低コストであるが、コントラスト、視
角特性、応答特性等液晶材料の性能の制約から画質に於
いてアクティブマトリクス型に劣ると言う欠点を有して
いる。
タイプである。前者は、第４図に示す様に薄膜トランジ
スタアレーや金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）構成の２端
子非直線抵抗素子アレー等のアクティブマトリクスアレ
ー５と対向電極３の間にライステンドネマチック（ＴＮ
）液晶８を挟み込んだものであり、アクティブマトリク
スアレーが液晶の闇値特性の不十分さを補うため高画質
の映像表示が可能である。しかしながらアクティブマト
リクスアレーの製造コスト、歩留まりの低下のため高価
になる欠点がある。後者は１対の透明帯状の電極間に液
晶を挟み込んでＸ−Ｙマトリクスを構成するもので、構
成が単純である為低コストであるが、コントラスト、視
角特性、応答特性等液晶材料の性能の制約から画質に於
いてアクティブマトリクス型に劣ると言う欠点を有して
いる。
いずれにしても両者共液晶は誘電率異方性が正のネマチ
ック液晶が用いられており、通常は液晶は両基板間に、
分子軸が基板にほぼ平行に初期配向され、１方の基板か
ら他方の基板に対してほぼ９０″捻れるように構成され
るライステンドネマチック（ＴＮ）構成のものが一般的
である。ＴＮ構成の上記従来の液晶表示装置の欠点は以
下の通りである。
ック液晶が用いられており、通常は液晶は両基板間に、
分子軸が基板にほぼ平行に初期配向され、１方の基板か
ら他方の基板に対してほぼ９０″捻れるように構成され
るライステンドネマチック（ＴＮ）構成のものが一般的
である。ＴＮ構成の上記従来の液晶表示装置の欠点は以
下の通りである。
（１） ネマチック液晶を用いているため、応答速度
が遅く、特に印加電圧の低い表示部では数１０ｍ５以上
の応答を示し、表示のニジミが生しる。
が遅く、特に印加電圧の低い表示部では数１０ｍ５以上
の応答を示し、表示のニジミが生しる。
（２）階調は画素に印加された実効値電圧によって、液
晶の基板に対する傾き角を制御することによって、旋光
性を制御している。ＴＮモードでは、明と暗との電圧マ
ージンが小さく ＣＲＴに匹敵する多階調表示性は困難
なのが実状である。
晶の基板に対する傾き角を制御することによって、旋光
性を制御している。ＴＮモードでは、明と暗との電圧マ
ージンが小さく ＣＲＴに匹敵する多階調表示性は困難
なのが実状である。
（３）画素に印加された実効値電圧により液晶の基板に
対する傾き角を制御しており、コントラスト、輝度、色
度等の視角依存性が大きい難点がある。
対する傾き角を制御しており、コントラスト、輝度、色
度等の視角依存性が大きい難点がある。
最近は強誘電性液晶が応答の高速性、視角特性の広さ等
から次世代の液晶デイスプレィとして注目されている。
から次世代の液晶デイスプレィとして注目されている。
現在の強誘電性液晶デイスプレィイの開発は、メモリ性
、応答の高速性、マトリクス性等を兼ね備えている点で
カイラルスメクチックＣ相を用いるのが中心である。し
かしながらカイラルスメクチックＣ相を用いるものは、
上記利点を有するものの液晶分子の双安定性、均一配向
の困難性、液晶分子配向の温度、電界、押圧等に対する
不安定性、カイラルスメクチックＣ相を広温度範囲で示
す液晶材料の未開発、等のために未だ商品化に至ってい
ないのが実状である。
、応答の高速性、マトリクス性等を兼ね備えている点で
カイラルスメクチックＣ相を用いるのが中心である。し
かしながらカイラルスメクチックＣ相を用いるものは、
上記利点を有するものの液晶分子の双安定性、均一配向
の困難性、液晶分子配向の温度、電界、押圧等に対する
不安定性、カイラルスメクチックＣ相を広温度範囲で示
す液晶材料の未開発、等のために未だ商品化に至ってい
ないのが実状である。
また上記問題点が解決されたとしても、強誘電性液晶で
は中間調表示が困難なため、映像表示実現には更にセル
構造、ないしは駆動法等にブレークスルーを要す、カイ
ラルスメクチックＣ液晶は基本的には双安定性、闇値特
性を有する為、アクティブマトリクスを必要とせずに、
高コントラスト、高視野角の大容量表示を実現できる可
能性を有するものであり、従って低コストで期待できる
。
は中間調表示が困難なため、映像表示実現には更にセル
構造、ないしは駆動法等にブレークスルーを要す、カイ
ラルスメクチックＣ液晶は基本的には双安定性、闇値特
性を有する為、アクティブマトリクスを必要とせずに、
高コントラスト、高視野角の大容量表示を実現できる可
能性を有するものであり、従って低コストで期待できる
。
強誘電性液晶の高速性を生かすために、アクティブマト
リクスに用いる提案もあるが、カイラルスメクチックＣ
液晶では依然として階調再現を如何にして実現するかと
言う問題がある。
リクスに用いる提案もあるが、カイラルスメクチックＣ
液晶では依然として階調再現を如何にして実現するかと
言う問題がある。
−力強誘電性液晶はスメクチックＡ相に於て、電界を印
加すると分子が層に対して傾く現象すなわち電界誘起チ
ルト効果（エレクトロクリニック効果とも呼ばれている
）が１９７７年に見いだされている（Ｓ、Ｇａｒｏｆ
ｆ＆Ｒ，Ｂ、ＭｅｙｅｒＰｈｙｓ、Ｒｅｖ、ＬｅＬｔ、
、３８巻、８４８頁 １９７７年）。しかしながらメ
モリ効果、闇値特性等がない為この効果をデイスプレィ
に積極的に利用する取り組みは未開発である。
加すると分子が層に対して傾く現象すなわち電界誘起チ
ルト効果（エレクトロクリニック効果とも呼ばれている
）が１９７７年に見いだされている（Ｓ、Ｇａｒｏｆ
ｆ＆Ｒ，Ｂ、ＭｅｙｅｒＰｈｙｓ、Ｒｅｖ、ＬｅＬｔ、
、３８巻、８４８頁 １９７７年）。しかしながらメ
モリ効果、闇値特性等がない為この効果をデイスプレィ
に積極的に利用する取り組みは未開発である。
発明が解決しようとする課題
本発明が解決しようとする課題は次に通りである。
（１）従来のネマチック液晶を用いた表示装置の、応答
速度の遅さ、すなわち表示のニジミをなくする。（２）
従来のネマチック液晶を用いた表示装置の階調表示性の
制約からはなれ多階調表示を実現する。（３）従来のネ
マチック液晶を用いた表示装置の視角の狭さを改良し、
高視野角表示を実現する。
速度の遅さ、すなわち表示のニジミをなくする。（２）
従来のネマチック液晶を用いた表示装置の階調表示性の
制約からはなれ多階調表示を実現する。（３）従来のネ
マチック液晶を用いた表示装置の視角の狭さを改良し、
高視野角表示を実現する。
（４）カイラルスメクチックＣ液晶を用いた階調再現の
困難性を解決し、多階調、高速表示を実現する。
困難性を解決し、多階調、高速表示を実現する。
課題を解決するための手段
以上の課題を解決するために本発明の液晶表示装置は、
アクティブマトリクスアレーと対向電極間にスメクチッ
クＡ相をなす液晶がはさまれており、各画素に印加され
る電圧すなわち、上記スメクチックＡ液晶のチルト角を
電界によって制御することによって階調表示を可能とし
たことを特徴とするものである。
アクティブマトリクスアレーと対向電極間にスメクチッ
クＡ相をなす液晶がはさまれており、各画素に印加され
る電圧すなわち、上記スメクチックＡ液晶のチルト角を
電界によって制御することによって階調表示を可能とし
たことを特徴とするものである。
作用
本発明は上記した構成によって、スメクチックＡ液晶の
電界誘起チルト効果をアクティブマトリクスに適用する
ことにより、高速応答、高コントラスト、高視野角、広
色再現、高倍転性、等価れた映像表示を実現し得ること
になる。
電界誘起チルト効果をアクティブマトリクスに適用する
ことにより、高速応答、高コントラスト、高視野角、広
色再現、高倍転性、等価れた映像表示を実現し得ること
になる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。
。
第１図に示す如く本発明の液晶表示装置は、基本的には
アクティブマトリクスアレー５と対向電極３間にスメク
チックＡ相を有する液晶４を挟んで液晶セルが構成され
ている。複屈折モードで用いる時は、液晶セルは１対の
偏光板１．７にはさまて使用される。２色性色素をスメ
クチックＡ液晶に添加したＧＨ型モードの場合は偏光板
の１方は取り除き得る。図示は省略しであるが、アクテ
ィブマトリクスに走査信号或は映像信号を印加する信号
源、また必要に応じて光源が設けられて本発明の液晶表
示装置を構成している。
アクティブマトリクスアレー５と対向電極３間にスメク
チックＡ相を有する液晶４を挟んで液晶セルが構成され
ている。複屈折モードで用いる時は、液晶セルは１対の
偏光板１．７にはさまて使用される。２色性色素をスメ
クチックＡ液晶に添加したＧＨ型モードの場合は偏光板
の１方は取り除き得る。図示は省略しであるが、アクテ
ィブマトリクスに走査信号或は映像信号を印加する信号
源、また必要に応じて光源が設けられて本発明の液晶表
示装置を構成している。
対向電極（透過型で用いる時はアクティブマトリクスア
レー５の画素電極も）は酸化インジウム、酸化スズなど
の透明導電膜（以下ＩＴＯと略す）をガラスあるいは、
プラスチックフィルムよりなる透明基板に設けこの間に
スメクチックＡ液晶４が電極にほぼ水平になるように配
向処理されている。ここでは液晶分子を特定方向にかつ
電極面に対して適当なチルト角を有するように配向させ
る為の配向膜の図示は省略しである０分子配向処理はポ
リイミドなどの有機薄膜を電極面に塗市、乾燥後、布な
どで一方向にラビング処理したり、電極面にＳｉＯ等を
斜方蒸着したり、ディッピングなどによって分子配向剤
を基板に吸着させる等によって行われる。アクティブマ
トリクスアレー５がＴＰＴ等の３端子素子の場合Ｘ−Ｙ
マトリックスは通常アレー側に構成され、ゲートライン
に走査パルス、ソース（ないしドレイン）ラインに信号
パルスが印加される。アクティブマトリクスアレー５が
２端子の非直線抵抗素子の場合、対向電極は細帯状の電
極より構成され、アレー側と対向電極側とでＸ−Ｙマト
リックスが構成される。
レー５の画素電極も）は酸化インジウム、酸化スズなど
の透明導電膜（以下ＩＴＯと略す）をガラスあるいは、
プラスチックフィルムよりなる透明基板に設けこの間に
スメクチックＡ液晶４が電極にほぼ水平になるように配
向処理されている。ここでは液晶分子を特定方向にかつ
電極面に対して適当なチルト角を有するように配向させ
る為の配向膜の図示は省略しである０分子配向処理はポ
リイミドなどの有機薄膜を電極面に塗市、乾燥後、布な
どで一方向にラビング処理したり、電極面にＳｉＯ等を
斜方蒸着したり、ディッピングなどによって分子配向剤
を基板に吸着させる等によって行われる。アクティブマ
トリクスアレー５がＴＰＴ等の３端子素子の場合Ｘ−Ｙ
マトリックスは通常アレー側に構成され、ゲートライン
に走査パルス、ソース（ないしドレイン）ラインに信号
パルスが印加される。アクティブマトリクスアレー５が
２端子の非直線抵抗素子の場合、対向電極は細帯状の電
極より構成され、アレー側と対向電極側とでＸ−Ｙマト
リックスが構成される。
スメチック人相の電界誘起チルト効果は、たとえばＤＯ
ＢＡＭＢＣ（（Ｓ）２−メチルブチＪＬ／−Ｐ−（Ｐ−
Ｎ−テジロキシベンジリデン）アミノ）シアーＪ−メー
））、ＤＯＢＡ−１−ＭＰＣ（Ｐテジロキシベンジリデ
ンーＰ°−アミノ−１−メチルプロピルシンナメート）
等の強誘電性液晶を、水平配向処理された１対の電極間
に数ミクロンの厚さに挟み、セルを等方性液体温度から
温度降下させてスメクチックＡ相で層が電極面に平行に
なるように分子配向させる。第２図に示すように第１偏
光板の偏光軸をたとえば電圧無印加時の分子軸に一致さ
せ、第２偏光板の偏光軸を第１偏光板の偏光軸と直交さ
せておくと、電圧無印加時はセルは暗状態（ノーマリブ
ラック）であるが、セルにたとえば正の電圧を印加する
と第３図に示す通り電界誘起チルト効果により液晶分子
は層垂線に対してたとえば十〇傾く、印加電圧をより大
きくするとθが増す、−力負の電圧を印加すると液晶分
子は一〇の方向に傾く、すなわちセルに印加した電圧と
透過率の関係は第３図の様になり、光学特性は電圧の極
性に依存しない、このことはアクティブマトリクスに用
いるのにふされしい特性である。
ＢＡＭＢＣ（（Ｓ）２−メチルブチＪＬ／−Ｐ−（Ｐ−
Ｎ−テジロキシベンジリデン）アミノ）シアーＪ−メー
））、ＤＯＢＡ−１−ＭＰＣ（Ｐテジロキシベンジリデ
ンーＰ°−アミノ−１−メチルプロピルシンナメート）
等の強誘電性液晶を、水平配向処理された１対の電極間
に数ミクロンの厚さに挟み、セルを等方性液体温度から
温度降下させてスメクチックＡ相で層が電極面に平行に
なるように分子配向させる。第２図に示すように第１偏
光板の偏光軸をたとえば電圧無印加時の分子軸に一致さ
せ、第２偏光板の偏光軸を第１偏光板の偏光軸と直交さ
せておくと、電圧無印加時はセルは暗状態（ノーマリブ
ラック）であるが、セルにたとえば正の電圧を印加する
と第３図に示す通り電界誘起チルト効果により液晶分子
は層垂線に対してたとえば十〇傾く、印加電圧をより大
きくするとθが増す、−力負の電圧を印加すると液晶分
子は一〇の方向に傾く、すなわちセルに印加した電圧と
透過率の関係は第３図の様になり、光学特性は電圧の極
性に依存しない、このことはアクティブマトリクスに用
いるのにふされしい特性である。
何故なら通常時間平均してＤＣ成分を液晶に印加する事
は液晶の劣化をもたらすので避ける必要がある。アクテ
ィブマトリクスでは印加電圧の保持機能を利用するのが
低電圧駆動の為に有利であり、各フィールド時間内では
ＤＣ成分が印加されるが、隣り合うフィールドでＡＣ化
される為、液晶の劣化は防止できる。この際光学特性に
カイラルスメクチックＣ液晶のように電圧極性依存性が
あるとＤＣ成分の印加を避けるには補償パルス等印加す
る必要があり印加電圧波形とタイミングは面倒になるが
、スメクチックＡ液晶の電界誘起チルト効果は上記した
ような偏光板配置の場合には、光学特性に電圧極性依存
性がないのでフリッカ郷土じる心配はない。また電界誘
起チルト効果すなわち分子のチルト角は印加電圧の大き
さによって制御でき、従って光透過率は印加電圧の大き
さによってアナログ的に変調できる。すなわち階調表示
が可能となる。
は液晶の劣化をもたらすので避ける必要がある。アクテ
ィブマトリクスでは印加電圧の保持機能を利用するのが
低電圧駆動の為に有利であり、各フィールド時間内では
ＤＣ成分が印加されるが、隣り合うフィールドでＡＣ化
される為、液晶の劣化は防止できる。この際光学特性に
カイラルスメクチックＣ液晶のように電圧極性依存性が
あるとＤＣ成分の印加を避けるには補償パルス等印加す
る必要があり印加電圧波形とタイミングは面倒になるが
、スメクチックＡ液晶の電界誘起チルト効果は上記した
ような偏光板配置の場合には、光学特性に電圧極性依存
性がないのでフリッカ郷土じる心配はない。また電界誘
起チルト効果すなわち分子のチルト角は印加電圧の大き
さによって制御でき、従って光透過率は印加電圧の大き
さによってアナログ的に変調できる。すなわち階調表示
が可能となる。
上記した強誘電性液晶は１例であり、一般に強誘電性液
晶はアミルアルコール、２級アルコール、乳酸、アミノ
酸等を不斉源とした、シッフ塩基系、アゾ系、アゾキシ
系、ビフェニル系、アロマチ７クエステル系、フェニル
ピリミジン系、多環系等多種の分子構造のものが知られ
ている。尚スメクチックＡ液晶の電界誘起チルト効果は
低温側にカイラルスメクチックＣ相を有する液晶組成物
で見いだされている。実用的にはスメクチックＡ相がで
きるだけ室温近辺にあるものが使用し易い。
晶はアミルアルコール、２級アルコール、乳酸、アミノ
酸等を不斉源とした、シッフ塩基系、アゾ系、アゾキシ
系、ビフェニル系、アロマチ７クエステル系、フェニル
ピリミジン系、多環系等多種の分子構造のものが知られ
ている。尚スメクチックＡ液晶の電界誘起チルト効果は
低温側にカイラルスメクチックＣ相を有する液晶組成物
で見いだされている。実用的にはスメクチックＡ相がで
きるだけ室温近辺にあるものが使用し易い。
また電界誘起チルト効果は温度依存性が大きいので、場
合によっては液晶組成物（ないし液晶パネル）を温度制
御によって恒温状態に保持するなり、パネルの温度を感
知して、駆動系にフィードバックし、駆動電圧、周期等
を温度に応じて変えることが安定動作達成の為には必要
となる。
合によっては液晶組成物（ないし液晶パネル）を温度制
御によって恒温状態に保持するなり、パネルの温度を感
知して、駆動系にフィードバックし、駆動電圧、周期等
を温度に応じて変えることが安定動作達成の為には必要
となる。
発明の効果
従来の液晶パネルは、ＴＮモードが主で（１）応答速度
の遅さ、すなわち表示のニジミ。（２）階調表示性の悪
さ。（３）視野角依存性の大きさ。等の難点があり、一
方カイラルスメクチンクＣ強誘電性液晶を用いると階調
再現の困難性と言う問題点を有していた。
の遅さ、すなわち表示のニジミ。（２）階調表示性の悪
さ。（３）視野角依存性の大きさ。等の難点があり、一
方カイラルスメクチンクＣ強誘電性液晶を用いると階調
再現の困難性と言う問題点を有していた。
本発明では、それ自体ではメモリ効果はないスメクチッ
クＡ液晶の電界誘起チルト効果を用い、アクティブマト
リクスによりこの電界誘起チルトを制御することにより
階調を制御するものであり、強誘電性液晶の応答の高速
性、視角の広さ、コントラストの良さを実現できる他、
従来のカイラルスメクチックＣ液晶の双安定性配向制御
は特にセルが大きい場合は均一性の点でかなり困難が伴
ったが、スメクチックＡ液晶は配向制御は極めて容易で
あり、ラビング等量産性に優れたｌ軸性配向処理法が採
用できる為、従来のネマチック液晶を用いたアクティブ
マトリクス液晶セルとほぼ同様のセル工法が採用できる
。しかも従来のネマチック液晶を用いたアクティブマト
リクスセルに較べて応答性、コントラスト、視角特性の
広さ、階調再現の広さ等表示デバイスとして多くの利点
が生じる。またポケットＴＶ、壁掛けＴＶ等の直視型映
像表示装置の他、本、スメクチックＡ液晶のアト効果を
利用した液晶デバイスは透過型ないしは反射型で高精細
度の小型パネルを構成し、光源と光学系により、スクリ
ーン上に拡大投射する、いわゆる投射型高精細ＴＶ装置
としても有効に利用できる。
クＡ液晶の電界誘起チルト効果を用い、アクティブマト
リクスによりこの電界誘起チルトを制御することにより
階調を制御するものであり、強誘電性液晶の応答の高速
性、視角の広さ、コントラストの良さを実現できる他、
従来のカイラルスメクチックＣ液晶の双安定性配向制御
は特にセルが大きい場合は均一性の点でかなり困難が伴
ったが、スメクチックＡ液晶は配向制御は極めて容易で
あり、ラビング等量産性に優れたｌ軸性配向処理法が採
用できる為、従来のネマチック液晶を用いたアクティブ
マトリクス液晶セルとほぼ同様のセル工法が採用できる
。しかも従来のネマチック液晶を用いたアクティブマト
リクスセルに較べて応答性、コントラスト、視角特性の
広さ、階調再現の広さ等表示デバイスとして多くの利点
が生じる。またポケットＴＶ、壁掛けＴＶ等の直視型映
像表示装置の他、本、スメクチックＡ液晶のアト効果を
利用した液晶デバイスは透過型ないしは反射型で高精細
度の小型パネルを構成し、光源と光学系により、スクリ
ーン上に拡大投射する、いわゆる投射型高精細ＴＶ装置
としても有効に利用できる。
第１図は本発明の液晶表示装置の断面図、第２図は複屈
折モードで使用する場合の分子配列と偏光板配置の概念
図、第３図は本発明のカイラルスメクチックＡ液晶の電
界誘起チルト効果を用いた液晶セルの透過率−電圧特性
を示す特性図、第４図は従来のＴＮ液晶を用いたアクテ
ィブマトリクスパネルの断面図である。 １・・・・・・第１偏光板、２・・・・・・第１基板、
３・・・・・・透明電極、４・・・・・・スメクチック
Ａ液晶層、５・・・・・・アクティブマトリクスアレー
、６・・・・・・アクティブマトリクス形成第２基板、
７・・・・・・第２偏光板、８・・・・・・ＴＮ液晶層
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１−−一第
１倫光級 ２−一一第７ｔ５ 坂 ３− 違項電極 ４−−− スメクチ！りＡり一昌 ５−ｍ−アクティブマ）リフアレ− ６−ｍ−アクティブマトリクスｆ扱 ７−−−茅２傭光叛 ７−−−峯２佛光扱
折モードで使用する場合の分子配列と偏光板配置の概念
図、第３図は本発明のカイラルスメクチックＡ液晶の電
界誘起チルト効果を用いた液晶セルの透過率−電圧特性
を示す特性図、第４図は従来のＴＮ液晶を用いたアクテ
ィブマトリクスパネルの断面図である。 １・・・・・・第１偏光板、２・・・・・・第１基板、
３・・・・・・透明電極、４・・・・・・スメクチック
Ａ液晶層、５・・・・・・アクティブマトリクスアレー
、６・・・・・・アクティブマトリクス形成第２基板、
７・・・・・・第２偏光板、８・・・・・・ＴＮ液晶層
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１−−一第
１倫光級 ２−一一第７ｔ５ 坂 ３− 違項電極 ４−−− スメクチ！りＡり一昌 ５−ｍ−アクティブマ）リフアレ− ６−ｍ−アクティブマトリクスｆ扱 ７−−−茅２傭光叛 ７−−−峯２佛光扱
Claims (6)
- （１）アクティブマトリクスアレーと対向電極間にスメ
クチックＡ相をなす液晶がはさまれており、各画素に印
加される電圧すなわち、上記スメクチックＡ液晶のチル
ト角を電界によって制御することによって階調表示を可
能としたことを特徴とする液晶表示装置。 - （２）アクティブマトリクスアレーはアモルファスシリ
コン、多結晶シリコン、セレン化カドミウム、テルル等
より選ばれた半導体を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ
）アレーよりなることを特徴とする請求項（１）記載の
液晶表示装置。 - （３）アクティブマトリクスアレーはアモルファスシリ
コン、多結晶シリコン、セレン化カドミウム、テルル、
窒化シリコン、カルコゲナイト系化合物、より選ばれた
半導体より構成されるＰＮ接合素子、ＰＩＮ接合素子、
金属−半導体−金属（ＭＳＭ）素子、あるいは、酸化タ
ンタル、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化珪素等
の絶縁体を１対の金属で挟み込んだ金属−絶縁体−金属
（ＭＩＭ）構成の２端子非直線抵抗素子アレーよりなる
ことを特徴とする請求項（１）記載の液晶表示装置。 - （４）スメクチックＡ液晶はアクティブマトリクスアレ
ー基板と対向電極基板間に液晶分子層が基板にほぼ垂直
従って、分子軸が基板とほぼ水平となるように配向処理
されていることを特徴とする請求項（１）記載の液晶表
示装置。 - （５）スメクチックＡ液晶は低温側にカイラルスメクチ
ックＣ相を有することを特徴とする請求項（１）記載の
液晶表示装置。 - （６）スメクチックＡ液晶はできるだけ恒温状態に保持
される様にパネルへの温度感知系、パネルに対する温度
制御系、駆動系へのフィードバック系を有してなること
を特徴とする請求項（１）記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207635A JPH0255328A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207635A JPH0255328A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255328A true JPH0255328A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16543056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207635A Pending JPH0255328A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0255328A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04251823A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06222384A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-08-12 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH06289367A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643632A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Mitsui Petrochemical Ind | Method and element for optical modulation |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63207635A patent/JPH0255328A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643632A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Mitsui Petrochemical Ind | Method and element for optical modulation |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04251823A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06289367A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置 |
| JPH06222384A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-08-12 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20010106175A (ko) | 액정소자의 구동방법 | |
| US6636193B1 (en) | Liquid crystal device | |
| JP3466986B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶素子および液晶装置 | |
| JP4790121B2 (ja) | 単安定強誘電性アクティブマトリックスディスプレイ | |
| JPH0255328A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3311335B2 (ja) | 液晶素子及びこれを用いた表示装置、該液晶素子の駆動方法 | |
| JP4728479B2 (ja) | 単安定強誘電性アクティブマトリクスディスプレイ | |
| JP3039170B2 (ja) | 強誘電性液晶表示素子の駆動方法 | |
| CN100478768C (zh) | 液晶显示器件及液晶显示器件的制作方法 | |
| US20020041353A1 (en) | Chiral smectic liquid crystal device | |
| EP1079363A2 (en) | Driving method for liquid crystal device | |
| US20020018171A1 (en) | Liquid crystal device | |
| JP2984788B2 (ja) | 表示素子装置及び表示素子の駆動方法 | |
| JP3365587B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP2000275683A (ja) | 液晶素子、及び該液晶素子の駆動方法 | |
| KR20020011115A (ko) | 액정소자의 제조방법 및 액정소자의 구동방법 | |
| JP2003195359A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JP3530799B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶素子の製造方法および駆動方法 | |
| JP2984790B2 (ja) | 表示素子装置及び表示素子の駆動方法 | |
| JP3486616B2 (ja) | 液晶素子の製造方法、及び液晶素子の駆動方法 | |
| JP3525222B2 (ja) | 強誘電性液晶の配向制御方法およびそれを用いた表示素子 | |
| JP2001281633A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2001281631A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2000275685A (ja) | 液晶素子及びこれを備えた液晶装置 | |
| JP2000250073A (ja) | 液晶素子 |