JPH0255903A - Measuring method and device for position of object to be tested - Google Patents

Measuring method and device for position of object to be tested

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JPH0255903A
JPH0255903A JP20717788A JP20717788A JPH0255903A JP H0255903 A JPH0255903 A JP H0255903A JP 20717788 A JP20717788 A JP 20717788A JP 20717788 A JP20717788 A JP 20717788A JP H0255903 A JPH0255903 A JP H0255903A
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JP
Japan
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light
mirror
rotating polygon
laser spot
lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP20717788A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Koo
猛 小尾
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TSUBOSAKA DENKI KK
Original Assignee
TSUBOSAKA DENKI KK
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Filing date
Publication date
Application filed by TSUBOSAKA DENKI KK filed Critical TSUBOSAKA DENKI KK
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Publication of JPH0255903A publication Critical patent/JPH0255903A/en
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To measure the position in X and Y directions at the same time and to improve an efficiency by deflecting a laser beam within the range of a specified angle in the manner of rotating a rotary polygonal mirror and making a reflection mirror to move on the optical axis of an image formation lens. CONSTITUTION:The laser beam is deflected within the specified angle range by rotating the rotary polygonal mirror 10, and the lead end surface of a semiconductor device 22 is scanned with a laser spot by making the reflection mirror M1 to move on the optical axis of the image formation lens 20. A light reflected from the lead end surface is received by a photosensor 28, and the received light signal is amplified by an amplifier 32 and inputted to a comparator 34, then if the signal with the level more than a reference level is found, rising and falling edges of the reflected light are stocked in a memory 36 as pulse signals fro a counter 38 and taken-out to a CPU, wherein arithmetically processed. The position in the X direction of the object to be measured is made to be the position corresponding to a middle point of the rising and falling edges on each lead.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は被検体の位置測定方法およびその装置に関し、
特に半導体装置のリードの曲がりや浮きを計測するのに
好適な被検体の位置測定方法およびその装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method and apparatus for measuring the position of a subject;
In particular, the present invention relates to a method and apparatus for measuring the position of a subject suitable for measuring bending and floating of leads of semiconductor devices.

(従来の技術とその問題点) 半導体素子は高集積化の一途を辿り、したがってこれを
パッケージに組み込んで形成された半導体素子も外部と
の電気的導通をとるための多数本のリードを有している
。また半導体装置自体は実装密度を高めるため小型化の
要請が強く、したがってリード幅、リード間隔が必然的
に小さくなってきている。例えば昨今においてはリード
幅が200μm、リード間隔が300μm程度のものが
出現している。
(Prior art and its problems) Semiconductor devices are becoming more and more highly integrated, and therefore semiconductor devices formed by incorporating them into packages also have a large number of leads for electrical continuity with the outside. ing. Furthermore, there is a strong demand for miniaturization of semiconductor devices themselves in order to increase packaging density, and therefore lead widths and lead spacings are inevitably becoming smaller. For example, in recent years, devices with a lead width of about 200 μm and a lead spacing of about 300 μm have appeared.

これら半導体装置ははんだ付けや、ソケットに差し込ま
れることにより基板上に電気的導通をとって実装される
のであるが、リードに曲がりや浮きが生じていると、は
んだ付けの障害となったり、実装不良となり信頼性の高
い実装基板が得られない。
These semiconductor devices are mounted on a board by soldering or by being inserted into a socket to establish electrical continuity on the board, but if the leads are bent or loose, it may interfere with soldering or mount the device. This results in defects and a highly reliable mounting board cannot be obtained.

そこで、これら半導体装置を自動の実装装置へ組み込む
前に計測装置により、リードの曲がりや浮きを検出し、
不良品を排除する必要がある。
Therefore, before incorporating these semiconductor devices into automatic mounting equipment, we use a measuring device to detect bent or loose leads.
It is necessary to eliminate defective products.

従来、上記の計測装置としては、カメラを組み込んだ映
像認識装置が知られおり、映像処理をすることによって
リードの曲がりや浮きを検出するようにしている。
Conventionally, as the above-mentioned measuring device, a video recognition device incorporating a camera is known, and the bending or floating of the lead is detected by performing video processing.

(発明が解決しようとする課題) しかるにカメラによる映像処理によるときは次のような
問題点がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, when image processing is performed using a camera, there are the following problems.

すなわち、リードの曲がりや浮き、つまりXYの両方向
の計測を行うには2台のカメラが必要となり、装置が大
型化する。例えばリードが四方に延出するクアドタイプ
の半導体装置の場合には合計8台のカメラが必要となる
のである。
That is, two cameras are required to measure lead bending and floating, that is, in both X and Y directions, which increases the size of the device. For example, in the case of a quad-type semiconductor device in which leads extend in all directions, a total of eight cameras are required.

またカメラによる映像解析にはカメラの分解能上からの
限界があり、上述のようにリード幅、リード間隔が小さ
くなっている半導体装置にあっては、精度のよい計測が
行えず、また計測が不能となる事態も生じる。
Furthermore, image analysis using a camera has a limit due to the resolution of the camera, and as mentioned above, for semiconductor devices with small lead widths and lead spacing, accurate measurements cannot be performed or measurements cannot be made. A situation may also occur.

さらには映像処理時間も2.5sec程の長時間を要す
る。
Furthermore, the video processing time also requires a long time of about 2.5 seconds.

そこで本発明は上記問題点を解決すべくなされたもので
あり、その目的とするところは、装置の小型化が可能で
あり、また分解能も高く、精度のよい測定が行える計測
装置を提供するにある。
Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to provide a measuring device that can be miniaturized, has high resolution, and can perform accurate measurements. be.

(課題を解決するための手段) 上記目的は以下の手段によって達成される。(Means for solving problems) The above objective is achieved by the following means.

すなわち、レーザースポットを被検体面上に走査線が所
定間隔があくように平行に高速で走査させ、受光素子に
より被検体面からの反射光を受光すると共に、位置検出
センサーによりレーザースポットの被検体面への入光位
置を検出し、前記受光素子による受光信号および位置検
出センサーによる位置検出信号に基づいて演算制御装置
により被検体面のX方向位置とこれに垂直なX方向位置
とを算出することを特徴とする。
In other words, a laser spot is scanned parallel to the object surface at high speed so that the scanning lines are spaced apart at a predetermined interval, a light receiving element receives the reflected light from the object surface, and a position detection sensor detects the laser spot on the object surface. The position of light incident on the surface is detected, and the arithmetic and control unit calculates the X-direction position of the object surface and the X-direction position perpendicular thereto based on the light reception signal from the light receiving element and the position detection signal from the position detection sensor. It is characterized by

また、レーザー装置と、該レーザー装置からのレーザー
光を反射させて、この反射光を一平面内で振らす回転多
面鏡と、この回転多面鏡からの反射光を被検体面にレー
ザースポットとして結像させるレンズと、該レンズの光
路内に配置され、前記回転多面鏡からの反射光を前記レ
ンズの光軸外に導いて被検体面に入光させる反射ミラー
およびハーフミラ−と、被検体面へ入光する光を前記回
転多面鏡によって振られる面と垂直な面内でも振らすべ
く、前記反射ミラーおよび/またはハーフミラ−をその
入光光線に対して一定の角度を保って移動させる移動手
段と、前記ハーフミラ−の後方に配置され、被検体面か
らの反射光を受光する受光素子と、被検体面の近くに配
置され、被検体面上を走査されるレーザースポットの入
光位置を検出する位置検出センサーと、前記受光素子に
よる受光信号および前記位置検出センサーによる位置検
出信号に基づいて被検体面のX方向位置とX方向位置を
算出する演算制御装置とを具備することを特徴とする。
In addition, there is a laser device, a rotating polygon mirror that reflects the laser light from the laser device and swings the reflected light within one plane, and a rotating polygon mirror that focuses the reflected light from the rotating polygon mirror on the surface of the object to be examined as a laser spot. a reflecting mirror and a half mirror arranged in the optical path of the lens to guide the reflected light from the rotating polygon mirror outside the optical axis of the lens to enter the object surface; moving means for moving the reflecting mirror and/or half mirror while maintaining a constant angle with respect to the incident light beam so as to deflect the incident light in a plane perpendicular to the plane deflected by the rotating polygon mirror; , a light-receiving element placed behind the half mirror to receive reflected light from the object surface; and a light receiving element placed near the object surface to detect the incident position of a laser spot scanned on the object surface. The present invention is characterized by comprising a position detection sensor, and an arithmetic and control device that calculates the X-direction position and the X-direction position of the subject surface based on the light reception signal from the light receiving element and the position detection signal from the position detection sensor.

(作用) 被検体面上にレーザースポットを走査させて、受光素子
により被検体面上からの反射光を検出する。この反射光
が得られている時間およびレーザースポットの走査速度
等から、被検体の幅(X方向)、位置などの位置情報を
算出することができる。このレーザースポットの走査は
高速で回転する回転多面鏡によって行うことができる。
(Function) A laser spot is scanned on the surface of the object to be examined, and the light reflected from the surface of the object is detected by the light receiving element. Positional information such as the width (X direction) and position of the subject can be calculated from the time during which this reflected light is obtained and the scanning speed of the laser spot. This laser spot can be scanned by a rotating polygon mirror that rotates at high speed.

一方、レーザースポットを走査線が所定間隔をあくよう
に平行に被検体面上を走査させて、このレーザースポッ
トの入光位置を位置検出センサーによって検出すること
によって、被検体の高さ方向(X方向)の位置、厚みな
どの位置情報を算出することができる。このレーザース
ポットの走査は、回転多面鏡からの反射光の光路内に反
射ミラ、ハーフミラ−をおいて、この反射ミラーおよび
/またはハーフミラ−をその入光光線に対して一定の角
度を保ったまま移動することによって行うことができる
。これにより、走査線は被検体面上を斜めに走査するこ
とになり、幅方向、高さ方向の位置情報を同時に算出す
ることができるのである。
On the other hand, by scanning the laser spot parallel to the surface of the object so that the scanning lines are spaced at a predetermined interval, and detecting the incident position of the laser spot with a position detection sensor, the laser spot can be scanned in the height direction (X) of the object. Positional information such as the position (direction) and thickness can be calculated. This laser spot scanning is performed by placing a reflecting mirror and/or half mirror in the optical path of the reflected light from the rotating polygon mirror, and keeping the reflecting mirror and/or half mirror at a constant angle with respect to the incident light beam. This can be done by moving. As a result, the scanning line obliquely scans the surface of the subject, and position information in the width direction and height direction can be calculated simultaneously.

回転多面鏡を用いる際は、解像力が10μI程度となり
、半導体装置のリードの曲がりや浮き等を精度よく、し
かも高速に計測することが可能となった。
When a rotating polygon mirror is used, the resolution is approximately 10 μI, making it possible to measure bending, floating, etc. of leads of semiconductor devices with high precision and at high speed.

(実施例) 以下本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
(Embodiment) A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

第1図、第2図において、10は回転多面鏡であり、本
実施例では六面鎮を用いている。この回転多面鏡10は
回転軸12を中心として7600PPM程度の一定の高
速度で回転される。なお回転装置は図示を省略した。
In FIGS. 1 and 2, 10 is a rotating polygon mirror, and in this embodiment, a six-sided mirror is used. This rotating polygon mirror 10 is rotated about a rotating shaft 12 at a constant high speed of about 7600 PPM. Note that the rotation device is not illustrated.

14は半導体レーザー装置であり、回転多面鏡10の側
方に配置されていて、コリメータ16を介して回転多面
鏡10の鏡面にレーザービームを照射する。したがって
回転多面鏡10が高速回転されることによってその鏡面
で反射されたレーザービームは所定の角度範囲内を鏡面
ごとに振られて走行することになる。
A semiconductor laser device 14 is placed on the side of the rotating polygon mirror 10, and irradiates a laser beam onto the mirror surface of the rotating polygon mirror 10 via a collimator 16. Therefore, when the rotating polygon mirror 10 is rotated at high speed, the laser beam reflected by the mirror surface travels within a predetermined angular range while being swung from one mirror surface to another.

18はフォトセンサで、上記のレーザービームが振られ
る範囲内の端部に配置されていて、レーザービームが受
光された際後述の信号処理系をリセットするリセット信
号を発する。
Reference numeral 18 denotes a photosensor, which is placed at the end of the range where the laser beam is radiated, and when the laser beam is received, it issues a reset signal to reset the signal processing system, which will be described later.

20は結像用のレンズで、反射レーザービームの走行範
囲内に配置されて、レーザービームを計測すべき半導体
装置22のリード端面上に直径約30μ−程度のレーザ
ースポットとして結像させる。
Reference numeral 20 denotes an imaging lens, which is disposed within the travel range of the reflected laser beam and forms an image of the laser beam onto the lead end face of the semiconductor device 22 to be measured as a laser spot with a diameter of approximately 30 μm.

すなわち半導体装置22は結像レンズ20の焦点面上に
位置決めして配置される。
That is, the semiconductor device 22 is positioned and placed on the focal plane of the imaging lens 20.

Mlは反射ミラーで、結像レンズ20から出たレーザー
ビームを直角方向に反射させる。Mlはハーフミラ−で
反射ミラーM1からの反射光をさらに直角方向に反射さ
せて半導体装i22のリード端面上に導くものである。
Ml is a reflecting mirror that reflects the laser beam emitted from the imaging lens 20 in the right angle direction. Ml is a half mirror that further reflects the reflected light from the reflecting mirror M1 in the right angle direction and guides it onto the lead end face of the semiconductor device i22.

反射ミラーM1は結像レンズ20の光軸上を一定速度で
往復移動しうるようになっている。この移動装置は、例
えばサーボモータによって精確に駆動されるネジ杆によ
り反射ミラーM1を往復動させるようにして構成できる
(図示せず)。反射ミラーM1の移動距離は被検体の大
きさによって異なる。被検体が半導体装置22のリード
のような小面積のものであれば、前後4+nm位に亘っ
て移動できるようにすれば充分である。移動速度は、4
IIlffiの距離を0.5秒程度で移動するようにし
た。
The reflecting mirror M1 is capable of reciprocating on the optical axis of the imaging lens 20 at a constant speed. This moving device can be configured to reciprocate the reflecting mirror M1 by means of a screw rod that is precisely driven by a servo motor, for example (not shown). The moving distance of the reflecting mirror M1 varies depending on the size of the subject. If the object to be examined has a small area, such as a lead of the semiconductor device 22, it is sufficient to be able to move it forward and backward by about 4+ nm. Movement speed is 4
The distance of IIlffi was made to move in about 0.5 seconds.

このように反射ミラーM1が結像レンズ20の光軸上を
前後動することによって、反射ミラーM1からの反射光
がハーフミラ−Mlへ入射する位置が第1図上紙面の上
下方向へ変動する。これにより半導体装置22のリード
端面へ導入されるレーザースポットも第1図上紙面の上
下方向、つまりリードの厚み方向に振られることがわか
る。
As the reflecting mirror M1 moves back and forth on the optical axis of the imaging lens 20 in this manner, the position at which the reflected light from the reflecting mirror M1 enters the half mirror Ml changes in the vertical direction of the plane of the drawing in FIG. As a result, it can be seen that the laser spot introduced to the lead end face of the semiconductor device 22 is also swayed in the vertical direction of the top page of FIG. 1, that is, in the thickness direction of the lead.

24は位置検出センサーであり、被検体である半導体装
置22の側方に配置され、ハーフミラ−Mlからの光が
図示しない反射ミラーで反射されて入光されることによ
り、上記のようにリードの厚み方向に走行するレーザー
スポットの位置を検出し、位置信号を出力する。
Reference numeral 24 denotes a position detection sensor, which is placed on the side of the semiconductor device 22, which is the object to be tested, and allows the light from the half mirror Ml to be reflected by a reflection mirror (not shown) and enters the lead, as described above. Detects the position of the laser spot traveling in the thickness direction and outputs a position signal.

26はハーフミラ−M2の後方に配置された集光レンズ
であり、半導体装置22のリード端面で反射されてハー
フミラ−M2を経た反射光を集光してフォトセンサー2
8に入光させる。
Reference numeral 26 denotes a condenser lens disposed behind the half mirror M2, which condenses the reflected light reflected from the lead end face of the semiconductor device 22 and passed through the half mirror M2, and outputs the light to the photosensor 2.
Let the light enter at 8.

続いて動作について説明する。Next, the operation will be explained.

回転多面鏡10を回転してレーザービームを所定角度範
囲内で振らせ、また反射ミラーM+を結像レンズ20の
光軸上で移動させることにより、レーザースポットが半
導体装置22のリード端面上を走査する。すなわち、回
転多面鏡10が回転するごとにより、レーザースポット
は第1図上紙面に垂直な方向、つまり、リードの列置方
向(X方向とする)に走行し、また反射ミラーM1の移
動により前記したようにリードの厚み方向(Y方向とす
る)に走行する。したがって、第3図に示すようにリー
ド30の列置方向(X方向)に走行する速度をSX、リ
ードの厚み方向(Y方向)に走行する速度をsyとすれ
ば、 θ=jan −’ SY / Sxの角度でレーザービ
ームがリード端面上を斜めに走行することになる。
By rotating the rotating polygon mirror 10 to swing the laser beam within a predetermined angle range, and by moving the reflecting mirror M+ on the optical axis of the imaging lens 20, the laser spot scans the lead end face of the semiconductor device 22. do. That is, each time the rotating polygon mirror 10 rotates, the laser spot travels in the direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. It runs in the thickness direction of the lead (referred to as the Y direction) as shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 3, if the speed at which the leads 30 travel in the arrangement direction (X direction) is SX, and the speed at which the leads travel in the thickness direction (Y direction) is sy, then θ=jan -' SY The laser beam will travel obliquely on the lead end face at an angle of /Sx.

しかし、回転多面鏡10は7600RPMで回転すると
すれば、回転多面鏡10で反射されたレーザースポット
のリード端面上を走行する1回の走査時間は約1.3m
5ecで、この間に数cII+の距離を走行するわけで
あるから極めて高速である。例えば走行距離を5co+
とすればSx #3846cn+/secとなる。
However, if the rotating polygon mirror 10 rotates at 7600 RPM, the time for one scan of the laser spot reflected by the rotating polygon mirror 10 to travel on the lead end face is approximately 1.3 m.
It takes 5ec, and it travels a distance of several cII+ during this time, so it is extremely fast. For example, the mileage is 5co+
Then, Sx #3846cn+/sec.

一方、反射ミラーM1が移動する時間は前記したように
約0.5secであり、この間にレーザースポットは4
Il111程度走行するのであるから低速であり、SY
 = 0.8cm/seeとなる。
On the other hand, the time for the reflection mirror M1 to move is approximately 0.5 seconds, as described above, and during this time the laser spot is
Since it runs about Il111, it is slow, and SY
= 0.8 cm/see.

したがって、θ= jan−’ 0.8/3846#0
.01度。
Therefore, θ= jan-'0.8/3846#0
.. 01 degrees.

したがってレーザースポットはほとんど角度をもたずに
リード端面をリード面とほぼ平行に横切るとしてよい。
Therefore, the laser spot may traverse the lead end face almost parallel to the lead surface with almost no angle.

なお、レーザースポットは、リードの厚み方向に1回走
行する0、5秒間に、リードの列置方向に約385回走
行することになる。
Note that the laser spot travels approximately 385 times in the direction in which the leads are arranged in 0.5 seconds when it travels once in the thickness direction of the leads.

また正確には、レーザースポットの走行軌跡は極めて緩
いサインカーブとなるが、はとんど直線とみてよい。
To be more precise, the trajectory of the laser spot is an extremely gentle sine curve, but it can be seen as a straight line.

反射ミラーM1を移動させると、レーザースポット焦点
位置がリード端面から僅かにずれるが、リードの厚みは
0.2〜0 、3mm位なので、スポット径の変化は無
視できる。
When the reflecting mirror M1 is moved, the laser spot focal position shifts slightly from the lead end face, but since the lead thickness is about 0.2 to 0.3 mm, the change in spot diameter can be ignored.

前記第3図はリード端面をレーザースポットが走行する
例を示す模式図である。X方向へ走行する走査線のY方
向間隔は約10μmとなる。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example in which a laser spot travels on a lead end face. The interval in the Y direction between the scanning lines running in the X direction is approximately 10 μm.

リード端面からの反射光はフォトセンサ28によって受
光され、受光信号が増幅132(第4図)により増幅さ
れてコンパレータ34に入力され、基準レベル以上の信
号があった場合に、メモリ(FIFO)  36に反射
光の立上りエツジ、立下がりエツジがカウンター38の
パルス信号としてストックされ、CPUに取り出されて
演算処理される。
The reflected light from the lead end face is received by the photosensor 28, and the received light signal is amplified by the amplifier 132 (FIG. 4) and input to the comparator 34. If there is a signal above the reference level, the signal is sent to the memory (FIFO) 36. The rising edges and falling edges of the reflected light are stored as pulse signals in the counter 38, taken out by the CPU, and subjected to arithmetic processing.

第5図はタイムチャートを示す。FIG. 5 shows a time chart.

同図(a)はフォトセンサ28での反射光の受光状態を
示す。
FIG. 2A shows a state in which reflected light is received by the photosensor 28. FIG.

同図(b)はフォトセンサ18からのリセット信号を示
す。
FIG. 2B shows a reset signal from the photosensor 18.

同図(c)、(d)はメモリ36a、36bにストック
される、反射光の立上りエツジ、立下りエツジに対応す
るカウンター38のパルス信号を示す。
Figures (c) and (d) show pulse signals of the counter 38, which are stored in the memories 36a and 36b, and correspond to the rising and falling edges of the reflected light.

標準となるリードの足位置情報はメモリ内に記憶させて
おく。
Standard lead foot position information is stored in memory.

被検体のリードのX方向位置は、各リードにおける立上
りエツジと立下りエツジの中点に対応する位置とする。
The position of the lead of the subject in the X direction corresponds to the midpoint between the rising edge and the falling edge of each lead.

すなわちa点の位置とb点の位置の中点を第1のり一ド
30の位置、C点の位置とd点の位置の中点を第2のり
一ド30の位置とするのである。この中点位置は走査線
の数ラインの平均処理を行って決定する。この各リード
の位置情報とあらかじめメモリに記憶されている標準と
なるリードの足位置情報との差が算出されてリードの曲
がりが検出される。このリードの曲がりが許容範囲内で
あれば良品と判定され、許容範囲外であれば不良品と判
定される。
In other words, the midpoint between the positions of point a and point b is the position of the first beam gate 30, and the midpoint between the position of point C and point d is the position of the second beam gate 30. This midpoint position is determined by averaging several scanning lines. The difference between the position information of each lead and the foot position information of a standard lead stored in the memory in advance is calculated to detect bending of the lead. If the bending of the lead is within the allowable range, it is determined to be a good product, and if it is outside the allowable range, it is determined to be a defective product.

なおある基準となる位置からの各リードの実際の位置は
、レーザースポットのX方向速度と立上りエツジ、立下
がりエツジの時間情報から容易に算出される。この基準
位置はどこに設定してもよい。
Note that the actual position of each lead from a certain reference position can be easily calculated from the X-direction velocity of the laser spot and the time information of the rising edge and falling edge. This reference position may be set anywhere.

なお各リードの幅は容易に算出することができる。Note that the width of each lead can be easily calculated.

リードのY方向位置は、位置検出センサー24によって
検出される。すなわち、レーザースポットの走査線は前
記したように約10μmの間隔で上昇する。そして各リ
ードにおける最初に発生した反射光位置を足底と設定す
ることによってリードのY方向位置を容易に検出しうる
。位置検出センサー24には種々のものがあるが、例え
ば両端の端子から受光電流を出力するものであって、端
子間のどこに受光したかによってそれぞれの端子からの
出力電流が変化するものを用い、両端子間電圧を比較す
ることによって受光位置、すなわちリードのY方向位置
を検出することができる。
The position of the lead in the Y direction is detected by the position detection sensor 24. That is, the scanning line of the laser spot rises at intervals of about 10 μm as described above. By setting the position of the first reflected light generated on each lead as the sole of the foot, the position of the lead in the Y direction can be easily detected. There are various types of position detection sensors 24, but for example, one that outputs a received light current from terminals at both ends, and the output current from each terminal changes depending on where the light is received between the terminals, is used. By comparing the voltage between both terminals, the light receiving position, that is, the position of the lead in the Y direction can be detected.

ある基準点からの実際のY方向位置は、基準点から反射
光を得られた点までの所用時間をΔt、X方向速度をS
×とすると、 Δ■=Δt−3x tan θによって算出できる。
The actual position in the Y direction from a reference point is determined by the time required from the reference point to the point where the reflected light is obtained, Δt, and the speed in the X direction, S.
When ×, it can be calculated by Δ■=Δt−3x tan θ.

これはCPUによって演算処理されて算出される。This is calculated through arithmetic processing by the CPU.

リードの厚みも容易に算出できる。The thickness of the lead can also be easily calculated.

またリード端面が矩形とすれば、この端面の面積も容易
に算出モきる。
Further, if the lead end face is rectangular, the area of this end face can be easily calculated.

上記の回転多面鏡10を用いた場合の分解能は約10μ
mであり、きわめて高精度に位置測定が行える。また信
号容処理時間も0.4sec程でよく、効率よく位置測
定が行える。
The resolution when using the above rotating polygon mirror 10 is approximately 10μ
m, and position measurement can be performed with extremely high precision. Further, the signal processing time is only about 0.4 seconds, and position measurement can be performed efficiently.

本発明における位置とは、基準点からの位置、幅、高さ
(J!Xみ)、面積などを全て含む概念とする。
The term "position" in the present invention is a concept that includes all of the position from the reference point, width, height (J!X), area, etc.

なお上記実施例では、半導体装置あり一ドの位置測定を
例として説明したが、これに限られないことはもちろん
である。
In the above embodiment, the position measurement of a semiconductor device has been described as an example, but it is needless to say that the present invention is not limited to this.

以上本発明につき好適な実施例を挙げて説明したが、本
発明は上記実施例に限られないことはもちろんであり、
例えば、ハーフミラ−M2を移動させてもよいなど発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を行うことができ
る。
Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments.
For example, the half mirror M2 may be moved, and many other modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

(発明の効果) 以上のように本発明方法および装置によれば、被検体の
X方向、Y方向位置を同時に測定することができ、効率
のよい位置測定を行うことができる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the method and apparatus of the present invention, the position of the subject in the X direction and the Y direction can be measured simultaneously, and efficient position measurement can be performed.

また回転多面鏡を用い、さらにハーフミラ−1反射ミラ
ーの移動手段を設けることによって、簡易な装置で容易
にレーザースポットを被検体面上に斜めに走査させるこ
とができ、上記の効率よい位置測定を行えると同時に、
分解能もよく、半導体装置のリード位置検出など、微少
な被検体の位置測定を精度よく行えるという著効を奏す
る。
In addition, by using a rotating polygon mirror and providing a means for moving the half mirror 1 reflecting mirror, the laser spot can be easily scanned diagonally on the surface of the object with a simple device, and the above-mentioned efficient position measurement can be achieved. At the same time as you can
It has good resolution and is effective in accurately measuring the position of minute objects, such as detecting the lead position of semiconductor devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第2図は本発明装置の一例を示す模式図、第3
図はリード端面上をレーザースポットが走査する状態を
示す模式図、第4図は信号処理系のm要を示す説明図、
第5図はタイムチャートを示す。 10・・・回転多面鏡、 12・・・回転軸、  14・・・半導体レーザー装置
、 16・・・コリメータ、 18・・・フォトセンサ
ー、 20・・・結像用のレンズ、22・・・半導体装
置、 24・・・位置検出センサー  26・・・集光
レンズ、  28・・・フォトセンサー  30・・・
リード、32・・・増幅器、34・・・コンパレータ、
36・・・メモリ、 36a、36b・・・メモリ、 38・・・カウンター
FIGS. 1 and 2 are schematic diagrams showing an example of the device of the present invention, and FIG.
The figure is a schematic diagram showing the laser spot scanning on the lead end face, and Figure 4 is an explanatory diagram showing the essentials of the signal processing system.
FIG. 5 shows a time chart. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Rotating polygon mirror, 12... Rotating shaft, 14... Semiconductor laser device, 16... Collimator, 18... Photo sensor, 20... Lens for imaging, 22... Semiconductor device, 24... Position detection sensor 26... Condensing lens, 28... Photo sensor 30...
Lead, 32...Amplifier, 34...Comparator,
36...Memory, 36a, 36b...Memory, 38...Counter

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、レーザースポットを被検体面上に走査線が所定間隔
があくように平行に高速で走査させ、受光素子により被
検体面からの反射光を受光すると共に、位置検出センサ
ーによりレーザースポットの被検体面への入光位置を検
出し、前記受光素子による受光信号および位置検出セン
サーによる位置検出信号に基づいて演算制御装置により
被検体面のX方向位置とこれに垂直なY方向位置とを算
出することを特徴とする被検体の位置測定方法。 2、レーザー装置と、 該レーザー装置からのレーザー光を反射さ せて、この反射光を一平面内で振らす回転多面鏡と、 この回転多面鏡からの反射光を被検体面に レーザースポットとして結像させるレンズと、該レンズ
の光路内に配置され、前記回転多 面鏡からの反射光を前記レンズの光軸外に導いて被検体
面に入光させる反射ミラーおよびハーフミラーと、 被検体面へ入光する光を前記回転多面鏡に よって振られる面と垂直な面内でも振らすべく、前記反
射ミラーおよび/またはハーフミラーをその入光光線に
対して一定の角度を保って移動させる移動手段と、 前記ハーフミラーの後方に配置され、被検 体面からの反射光を受光する受光素子と、 被検体面の近くに配置され、被検体面上を 走査されるレーザースポットの入光位置を検出する位置
検出センサーと、 前記受光素子による受光信号および前記位 置検出センサーによる位置検出信号に基づいて被検体面
のX方向位置とY方向位置を算出する演算制御装置と を具備することを特徴とする被検体の位置 測定装置。 3、被検体が半導体装置のリード足位置である請求項2
記載の被検体の位置測定装置。
[Claims] 1. A laser spot is scanned parallel to the surface of the object at high speed so that the scanning lines are spaced apart by a predetermined distance, and a light receiving element receives the reflected light from the surface of the object. The incident position of the laser spot on the object surface is detected, and the arithmetic and control unit determines the X direction position of the object surface and the Y direction perpendicular to this based on the light reception signal from the light receiving element and the position detection signal from the position detection sensor. 1. A method for measuring the position of a subject, characterized in that the directional position is calculated. 2. A laser device, a rotating polygon mirror that reflects the laser light from the laser device and swings the reflected light within one plane, and a rotating polygon mirror that focuses the reflected light from the rotating polygon mirror on the surface of the object to be examined as a laser spot. a reflecting mirror and a half mirror disposed in the optical path of the lens to guide the reflected light from the rotating polygon mirror outside the optical axis of the lens to enter the surface of the object to be examined; a moving means for moving the reflecting mirror and/or the half mirror while maintaining a constant angle with respect to the incident light beam in order to deflect the incident light in a plane perpendicular to the plane deflected by the rotating polygon mirror; , a light-receiving element that is placed behind the half mirror and receives reflected light from the object surface; and a light receiving element that is placed near the object surface and detects the incident position of a laser spot scanned on the object surface. The object is characterized by comprising a position detection sensor, and an arithmetic control device that calculates an X-direction position and a Y-direction position of the object surface based on a light reception signal from the light receiving element and a position detection signal from the position detection sensor. Specimen position measuring device. 3. Claim 2, wherein the object to be inspected is a lead leg position of a semiconductor device.
The object position measuring device described above.
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