JPH0256343U - - Google Patents

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JPH0256343U
JPH0256343U JP13638888U JP13638888U JPH0256343U JP H0256343 U JPH0256343 U JP H0256343U JP 13638888 U JP13638888 U JP 13638888U JP 13638888 U JP13638888 U JP 13638888U JP H0256343 U JPH0256343 U JP H0256343U
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plasma
expansion chamber
chamber
microwave
magnetic field
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一例にかかるイオン処理装置
の縦断面図。第２図は同じものの平面図。第３図
は本考案の他の例にかかるイオン処理装置の縦断
面図。第４図は同じものの平面図。第５図は特開
昭６２―７６１３７に提案されたイオン源の縦断
面図。第６図は平面図。 １……プラズマ発生室、２……マイクロ波導波
管、３……マイクロ波放電用コイル、４……電子
引出しグリツド、５……プラズマ拡張室、６……
ビーム引出電極、７……誘電体窓、８……カスプ
磁場形成用磁石、９……絶縁スペーサ、１０……
マイクロ波発生器、１６……プラズマ拡張室入口
、１７……プラズマ拡張室出口、１８……試料処
理室、１９……ガス導入口、２０……加速電極、
２１……減速電極、２２……接地電極、２５……
加速電源、２６……減速電源、２７……グリツド
電源。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空に引く事ができ導入されたガスをプラズマ
    にする空間を与えるプラズマ発生室１と、プラズ
    マ発生室１へマイクロ波導波管２を通してマイク
    ロ波を供給するマイクロ波発生器１０と、プラズ
    マ発生室１の周囲に設けられ電子のサイクロトロ
    ン周波数が前記マイクロ波の周波数にほぼ等しく
    なるような軸方向磁場を生ずるマイクロ波放電用
    コイル３と、プラズマ発生室１の出口に設けられ
    プラズマ発生室１より高電位に保たれる電子引出
    しグリツド４とからなる複数個のイオン源Ａ，Ｂ
    …と、各２つづつのイオン源Ａ，Ｂ，…を互に対
    向するよう面対称の位置に取付ける直方体形状の
    プラズマ拡張室５と、プラズマ拡張室５のイオン
    源Ａ，Ｂ，…が取りつけられていない側面壁に一
    部を残して互に極性が異なるよう設けられた多数
    のカスプ磁場形成用磁石８，８，…と、プラズマ
    拡張室５の側方であるがカスプ磁場形成用磁石８
    ，８のない方向に設けたプラズマ拡張室出口１７
    と、プラズマ拡張室出口１７に設けられたビーム
    引出電極６とよりなる事を特徴とするイオン処理
    装置。
JP13638888U 1988-10-19 1988-10-19 Pending JPH0256343U (ja)

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JPH0256343U true JPH0256343U (ja) 1990-04-24

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JP (1) JPH0256343U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012524376A (ja) * 2009-04-16 2012-10-11 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 幅広リボンビームの生成および制御のための複合型ｉｃｐおよびｅｃｒプラズマ源

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012524376A (ja) * 2009-04-16 2012-10-11 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 幅広リボンビームの生成および制御のための複合型ｉｃｐおよびｅｃｒプラズマ源

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