JPH10270430A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH10270430A JPH10270430A JP9076031A JP7603197A JPH10270430A JP H10270430 A JPH10270430 A JP H10270430A JP 9076031 A JP9076031 A JP 9076031A JP 7603197 A JP7603197 A JP 7603197A JP H10270430 A JPH10270430 A JP H10270430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- generation chamber
- plasma generation
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積にわたって均一なプラズマが形成で
き、大口径の試料を均一に処理できるプラズマ処理装置
を提供する。 【解決手段】 被処理物２が載置されるステージ２６に
対向配置された第２の電極２５の大気側に周方向に同一
の極性を有するリング状の永久磁石１１を同心円状に複
数配置する。径方向に隣り合う磁石１１の極性が逆にな
るように配置する。さらに、プラズマ発生室２２を電気
的に絶縁するため、隔壁板２４と処理室２１との間に絶
縁基板２３を設け、プラズマ発生室２２にパルス的に直
流電圧を印加する。
き、大口径の試料を均一に処理できるプラズマ処理装置
を提供する。 【解決手段】 被処理物２が載置されるステージ２６に
対向配置された第２の電極２５の大気側に周方向に同一
の極性を有するリング状の永久磁石１１を同心円状に複
数配置する。径方向に隣り合う磁石１１の極性が逆にな
るように配置する。さらに、プラズマ発生室２２を電気
的に絶縁するため、隔壁板２４と処理室２１との間に絶
縁基板２３を設け、プラズマ発生室２２にパルス的に直
流電圧を印加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマ処理装
置に関し、より特定的には、プラズマを利用して被処理
物の表面に薄膜を形成したり、被処理物の表面をエッチ
ングするプラズマ処理装置に関する。
置に関し、より特定的には、プラズマを利用して被処理
物の表面に薄膜を形成したり、被処理物の表面をエッチ
ングするプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、たとえば特開平２−９４５２号
公報に記載された従来のプラズマ処理装置を示す概略断
面構成図である。図において、真空容器１０１、被エッ
チング被処理物１０２が載置された第１の電極１０３、
およびこの第１の電極１０３に対向配置された第２の電
極１０４を備えている。
公報に記載された従来のプラズマ処理装置を示す概略断
面構成図である。図において、真空容器１０１、被エッ
チング被処理物１０２が載置された第１の電極１０３、
およびこの第１の電極１０３に対向配置された第２の電
極１０４を備えている。
【０００３】真空容器１内には、ガス導入口１０５から
エッチングガスが導入され、排気口１０６から排気され
る。第１の電極１０３にはマッチング回路１０８を介在
して高周波電源１０７が接続されている。また、第２の
電極１０４の大気側には永久磁石１０９が配置されてい
る。さらに、図４において、第１の電極１０３には、冷
却機構１１０が連結されている。なお、図４中におい
て、Ｅは電界を示し、Ｂは磁石１０９により誘起される
磁界の第１の電極１０３に平行な成分である。
エッチングガスが導入され、排気口１０６から排気され
る。第１の電極１０３にはマッチング回路１０８を介在
して高周波電源１０７が接続されている。また、第２の
電極１０４の大気側には永久磁石１０９が配置されてい
る。さらに、図４において、第１の電極１０３には、冷
却機構１１０が連結されている。なお、図４中におい
て、Ｅは電界を示し、Ｂは磁石１０９により誘起される
磁界の第１の電極１０３に平行な成分である。
【０００４】次に、上記構成よりなるプラズマ処理装置
の動作について説明する。ガス導入口１０５から真空容
器１０１のプラズマ室内にエッチングガスが導入される
と、第１の電極１０３に印加された高周波電力により、
第１の電極１０３と第２の電極１０４との間にプラズマ
が生成される。
の動作について説明する。ガス導入口１０５から真空容
器１０１のプラズマ室内にエッチングガスが導入される
と、第１の電極１０３に印加された高周波電力により、
第１の電極１０３と第２の電極１０４との間にプラズマ
が生成される。
【０００５】この図４に示す装置は、マグネトロン放電
により低圧力でも高い電子密度を得ることを狙ったもの
で、第１の電極１０３表面の磁束密度が２００Ｇ程度に
なるように設定されている。
により低圧力でも高い電子密度を得ることを狙ったもの
で、第１の電極１０３表面の磁束密度が２００Ｇ程度に
なるように設定されている。
【０００６】このとき、シース領域（プラズマが第１の
電極１０３に接するところ）では、荷電粒子（電子とイ
オン）はシース電場と磁場の影響でサイクロイド運動を
しながらＥ×Ｂの方向にドリフトしていく。
電極１０３に接するところ）では、荷電粒子（電子とイ
オン）はシース電場と磁場の影響でサイクロイド運動を
しながらＥ×Ｂの方向にドリフトしていく。
【０００７】この結果、電子と中性粒子（原子、分子）
との衝突確率が増加し、電離が促進されるため低圧力で
も高密度のプラズマが生成され、高いエッチング速度が
得られる。また、この場合、永久磁石１０９による磁界
により、プラズマの損失が低減されるため、高密度プラ
ズマが維持され、被処理物１０２がエッチングされる。
との衝突確率が増加し、電離が促進されるため低圧力で
も高密度のプラズマが生成され、高いエッチング速度が
得られる。また、この場合、永久磁石１０９による磁界
により、プラズマの損失が低減されるため、高密度プラ
ズマが維持され、被処理物１０２がエッチングされる。
【０００８】一方、近年の８インチ、１０インチサイズ
の大口径被処理物を処理するには、大面積に均一なプラ
ズマを生成する必要がある。しかし、上述したプラズマ
処理装置は、永久磁石単体の配置であるため、第２の電
極１０４表面での横（電極間に平行）方向の磁束密度
は、図５に示すように、中心が小さく外に向かって一様
に増大する不均一なものとなり、被処理物近傍に均一な
強度の磁界を形成することが難しい。
の大口径被処理物を処理するには、大面積に均一なプラ
ズマを生成する必要がある。しかし、上述したプラズマ
処理装置は、永久磁石単体の配置であるため、第２の電
極１０４表面での横（電極間に平行）方向の磁束密度
は、図５に示すように、中心が小さく外に向かって一様
に増大する不均一なものとなり、被処理物近傍に均一な
強度の磁界を形成することが難しい。
【０００９】そのため、プラズマの拡散による均一化作
用があるものの、均一なプラズマを生成することが困難
である。なお、図５は、直径２００ｍｍ、高さ５０ｍｍ
で、表面磁束密度が３ｋＧですべて一様な永久磁石を配
設した場合の、磁石から３５ｍｍ離れた第２の電極１０
４表面での横方向の磁場分布を示すグラフである。縦軸
は横方向の磁場強度：Ｂ⊥（Ｇ）、横軸は中心からの距
離：ｒ（ｍｍ）を表わしている。
用があるものの、均一なプラズマを生成することが困難
である。なお、図５は、直径２００ｍｍ、高さ５０ｍｍ
で、表面磁束密度が３ｋＧですべて一様な永久磁石を配
設した場合の、磁石から３５ｍｍ離れた第２の電極１０
４表面での横方向の磁場分布を示すグラフである。縦軸
は横方向の磁場強度：Ｂ⊥（Ｇ）、横軸は中心からの距
離：ｒ（ｍｍ）を表わしている。
【００１０】また、第１の電極１０３上に置かれた被処
理物表面の磁場分布も不均一となる。荷電粒子の運動は
磁場分布に大きく影響されるため、磁場分布の不均一を
反映して被処理物表面に入射する荷電粒子のフラックス
も不均一となる。この結果、被処理物表面の電荷密度の
分布が現れ、加工したデバイスに損傷を与えるという問
題点があった。
理物表面の磁場分布も不均一となる。荷電粒子の運動は
磁場分布に大きく影響されるため、磁場分布の不均一を
反映して被処理物表面に入射する荷電粒子のフラックス
も不均一となる。この結果、被処理物表面の電荷密度の
分布が現れ、加工したデバイスに損傷を与えるという問
題点があった。
【００１１】複数の永久磁石を使用しても隣り合う磁石
の極性が同じになるように配置した場合は、磁場分布は
上記のような単一の磁石を配設した場合と同様に不均一
になるため、プラズマの拡散による均一化作用を参酌し
ても、プラズマの均一性は不十分であった。
の極性が同じになるように配置した場合は、磁場分布は
上記のような単一の磁石を配設した場合と同様に不均一
になるため、プラズマの拡散による均一化作用を参酌し
ても、プラズマの均一性は不十分であった。
【００１２】さらに、特開平２−９４５２号公報には、
図６の概略断面構成図に示すように、棒状の永久磁石を
複数個、隣り合う磁石の極性を逆にして配置することが
開示されている。磁性を交互に変化させた場合、第２の
電極１０４表面での横方向磁束密度Ｂ⊥の径方向分布は
図７に示すように波形になる。
図６の概略断面構成図に示すように、棒状の永久磁石を
複数個、隣り合う磁石の極性を逆にして配置することが
開示されている。磁性を交互に変化させた場合、第２の
電極１０４表面での横方向磁束密度Ｂ⊥の径方向分布は
図７に示すように波形になる。
【００１３】図７からわかるように、Ｂ⊥は径方向に均
一ではないが、ピークの位置は磁石間隔等を変更するこ
とによって制御できる。この磁場配位でプラズマを生成
すると、磁場の弱い部分へも拡散によってプラズマが広
がるため均一化することができ、磁石のない場合に比べ
て損失が低減できるため、高密度で均一なプラズマがで
きる。
一ではないが、ピークの位置は磁石間隔等を変更するこ
とによって制御できる。この磁場配位でプラズマを生成
すると、磁場の弱い部分へも拡散によってプラズマが広
がるため均一化することができ、磁石のない場合に比べ
て損失が低減できるため、高密度で均一なプラズマがで
きる。
【００１４】しかしながら、たとえば、図６に示すよう
に棒状の永久磁石を複数個平行配置した場合、Ｂ1 ，Ｂ
2 の磁界が形成される。そのため、被処理物近傍の
（Ａ）の領域では、電界Ｅと磁界Ｂ1 によるＥ×Ｂドリ
フトにより紙面を貫く方向に、（Ｂ）の領域では電界Ｅ
と磁界Ｂ2 により逆の方向にプラズマがドリフトして偏
在することになる。
に棒状の永久磁石を複数個平行配置した場合、Ｂ1 ，Ｂ
2 の磁界が形成される。そのため、被処理物近傍の
（Ａ）の領域では、電界Ｅと磁界Ｂ1 によるＥ×Ｂドリ
フトにより紙面を貫く方向に、（Ｂ）の領域では電界Ｅ
と磁界Ｂ2 により逆の方向にプラズマがドリフトして偏
在することになる。
【００１５】また、第２の電極１０４表面のシース部で
の荷電粒子の動きを考えると、図８の説明図に示すよう
に、Ｅ×Ｂドリフトによって隣り合う磁石間ごとにドリ
フト方向（図中矢印で示す）が異なり、ドリフト方向に
プラズマ密度の高い部分ができるために、傾斜部で表わ
される場所が高密度となる。このように、平行配置では
プラズマ密度に不均一が生じやすく、したがってエッチ
ング速度の均一性も悪くなる。このことは平行配置の根
本的な問題である。
の荷電粒子の動きを考えると、図８の説明図に示すよう
に、Ｅ×Ｂドリフトによって隣り合う磁石間ごとにドリ
フト方向（図中矢印で示す）が異なり、ドリフト方向に
プラズマ密度の高い部分ができるために、傾斜部で表わ
される場所が高密度となる。このように、平行配置では
プラズマ密度に不均一が生じやすく、したがってエッチ
ング速度の均一性も悪くなる。このことは平行配置の根
本的な問題である。
【００１６】一方、図９は、たとえば特開昭５１−８８
１８２号公報に開示されたプラズマ発生室と処理室とが
別になった従来のプラズマ処理装置を示す概略構成図で
ある。図において、処理室１２１は、主バルブ１３１を
介在して拡散ポンプ１３２と補助の回転ポンプ１３３に
より真空排気される。処理室１２１の上方にはプラズマ
発生室１２２が設けられている。プラズマ発生室１２２
には対向電極１１８、１１９が接地されており、処理室
１２１との間は複数個の孔２０を有する対向電極１１９
を隔壁として分離されている。ガス導入管１１５には原
料ガスボンベ１３４が接続されている。
１８２号公報に開示されたプラズマ発生室と処理室とが
別になった従来のプラズマ処理装置を示す概略構成図で
ある。図において、処理室１２１は、主バルブ１３１を
介在して拡散ポンプ１３２と補助の回転ポンプ１３３に
より真空排気される。処理室１２１の上方にはプラズマ
発生室１２２が設けられている。プラズマ発生室１２２
には対向電極１１８、１１９が接地されており、処理室
１２１との間は複数個の孔２０を有する対向電極１１９
を隔壁として分離されている。ガス導入管１１５には原
料ガスボンベ１３４が接続されている。
【００１７】次に、上記構造よりなるプラズマ処理装置
の動作について説明する。ガス導入管１１５からプラズ
マ発生室１２２にエッチングガスを導入すると、ガスは
プラズマ発生室１２２から処理室１２２を通って真空ポ
ンプにより排気される。このときプラズマ発生室１２２
と処理室１２１との間に設けられた孔２０のコンダクタ
ンスにより、プラズマ発生室１２２と処理室１２１とに
圧力差が生じる。
の動作について説明する。ガス導入管１１５からプラズ
マ発生室１２２にエッチングガスを導入すると、ガスは
プラズマ発生室１２２から処理室１２２を通って真空ポ
ンプにより排気される。このときプラズマ発生室１２２
と処理室１２１との間に設けられた孔２０のコンダクタ
ンスにより、プラズマ発生室１２２と処理室１２１とに
圧力差が生じる。
【００１８】従来例に示されている具体的数値によれ
ば、孔の直径０．１〜０．８ｍｍ、孔数７個、排気系の
実効排気速度１０００Ｌ／ｓｅｃ、原料ガス流量５０〜
１００ｃｃ／ｍｉｎの条件で、プラズマ発生室１２２の
圧力が１〜５×１０-1Ｔｏｒｒで、処理室圧力が１×１
０-3Ｔｏｒｒ以下に保たれる。
ば、孔の直径０．１〜０．８ｍｍ、孔数７個、排気系の
実効排気速度１０００Ｌ／ｓｅｃ、原料ガス流量５０〜
１００ｃｃ／ｍｉｎの条件で、プラズマ発生室１２２の
圧力が１〜５×１０-1Ｔｏｒｒで、処理室圧力が１×１
０-3Ｔｏｒｒ以下に保たれる。
【００１９】次に、対向電極１１８、１１９に高周波電
源１１７より高周波電力を供給すると、プラズマ発生室
１２２内にプラズマが発生する。プラズマは孔１２０を
通過して処理室１２１内に設置されたテーブル１２６に
載置される被処理物１０２をエッチングする。
源１１７より高周波電力を供給すると、プラズマ発生室
１２２内にプラズマが発生する。プラズマは孔１２０を
通過して処理室１２１内に設置されたテーブル１２６に
載置される被処理物１０２をエッチングする。
【００２０】このように構成されたプラズマ処理装置に
おいては、平行平板高周波放電によりプラズマ発生室１
２２で生成されるプラズマ密度は精々５×１０8 （個／
ｃｍ 3 ）から５×１０9 （個／ｃｍ3 ）であった。一
方、被処理物１０２の処理速度は被処理物１０２に入射
するプラズマ密度にある程度比例する。そのため、生成
されるプラズマ密度に限りがあると、高密度プラズマを
処理室１２１に導くことができず、高速で被処理物を処
理することが不可能であった。また、平行平板型の高周
波放電が維持される、プラズマ発生室１２２の圧力は、
０．１Ｔｏｒｒ程度であるので、より高真空の雰囲気で
被処理物の処理ができないという問題点があった。
おいては、平行平板高周波放電によりプラズマ発生室１
２２で生成されるプラズマ密度は精々５×１０8 （個／
ｃｍ 3 ）から５×１０9 （個／ｃｍ3 ）であった。一
方、被処理物１０２の処理速度は被処理物１０２に入射
するプラズマ密度にある程度比例する。そのため、生成
されるプラズマ密度に限りがあると、高密度プラズマを
処理室１２１に導くことができず、高速で被処理物を処
理することが不可能であった。また、平行平板型の高周
波放電が維持される、プラズマ発生室１２２の圧力は、
０．１Ｔｏｒｒ程度であるので、より高真空の雰囲気で
被処理物の処理ができないという問題点があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ処理装
置は、以上のように構成されており、たとえば図４のよ
うに単一の磁石を配設した場合は磁束密度は中心から外
方に一様に増加し、均一な磁場分布を形成することがで
きないため、プラズマ密度に不均一が生じてしまう。
置は、以上のように構成されており、たとえば図４のよ
うに単一の磁石を配設した場合は磁束密度は中心から外
方に一様に増加し、均一な磁場分布を形成することがで
きないため、プラズマ密度に不均一が生じてしまう。
【００２２】また、図６のように、複数の磁石を極性を
交互に変化させ平行に配設した場合は、隣り合う磁石間
ごとにドリフト方向が異なり、ドリフト方向にプラズマ
密度の高い部分ができ、プラズマ密度に不均一が生じ
る。そのため、大面積の被処理物を均一にエッチングで
きないという問題があった。
交互に変化させ平行に配設した場合は、隣り合う磁石間
ごとにドリフト方向が異なり、ドリフト方向にプラズマ
密度の高い部分ができ、プラズマ密度に不均一が生じ
る。そのため、大面積の被処理物を均一にエッチングで
きないという問題があった。
【００２３】さらに、図９に示すように構成されたプラ
ズマ発生室と処理室とが分離されたプラズマ処理装置に
おいては、プラズマ発生室で生成されるプラズマ密度が
低く、処理室に高密度プラズマを導くことができず、高
速で処理ができない。また、プラズマ密度を高めようと
すると高真空の雰囲気で被処理物の処理ができないとい
う問題点がある。
ズマ発生室と処理室とが分離されたプラズマ処理装置に
おいては、プラズマ発生室で生成されるプラズマ密度が
低く、処理室に高密度プラズマを導くことができず、高
速で処理ができない。また、プラズマ密度を高めようと
すると高真空の雰囲気で被処理物の処理ができないとい
う問題点がある。
【００２４】したがって、この発明は、上記問題点を解
決するためになされたもので、大面積にわたって均一な
プラズマを形成でき、大口径の被処理物を均一に処理で
きるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。ま
た、さらに他の目的は、プラズマ発生室で生成されるプ
ラズマ密度を高め、高真空雰囲気で高速処理ができるプ
ラズマ処理装置を提供することを目的とする。さらに、
第３の目的は、大面積にわたって均一で高密度なプラズ
マを生成し、高真空雰囲気で大口径被処理物の均一高速
処理ができるプラズマ処理装置を提供することにある。
決するためになされたもので、大面積にわたって均一な
プラズマを形成でき、大口径の被処理物を均一に処理で
きるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。ま
た、さらに他の目的は、プラズマ発生室で生成されるプ
ラズマ密度を高め、高真空雰囲気で高速処理ができるプ
ラズマ処理装置を提供することを目的とする。さらに、
第３の目的は、大面積にわたって均一で高密度なプラズ
マを生成し、高真空雰囲気で大口径被処理物の均一高速
処理ができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいたプラ
ズマ処理装置においては、被処理物が載置される第１の
電極が配置される処理室と、上記第１の電極に対向配置
される第２の電極を有するプラズマ発生室と、上記処理
室と上記プラズマ発生室との間に設けられ、上記プラズ
マ発生室から上記処理室に連通する孔を有する隔壁板と
を備え、上記プラズマ発生室は、上記処理室に対して電
気的に絶縁され、かつ、上記プラズマ発生室にパルス的
に電圧が印加される。
ズマ処理装置においては、被処理物が載置される第１の
電極が配置される処理室と、上記第１の電極に対向配置
される第２の電極を有するプラズマ発生室と、上記処理
室と上記プラズマ発生室との間に設けられ、上記プラズ
マ発生室から上記処理室に連通する孔を有する隔壁板と
を備え、上記プラズマ発生室は、上記処理室に対して電
気的に絶縁され、かつ、上記プラズマ発生室にパルス的
に電圧が印加される。
【００２６】また好ましくは、上記プラズマ発生室と上
記処理室との接合部分には、絶縁部材が設けられてい
る。
記処理室との接合部分には、絶縁部材が設けられてい
る。
【００２７】このように、プラズマ発生室と処理室とを
電気的に絶縁し、かつプラズマ発生室にパルス的に直流
電圧を印加することによって、プラズマ発生室と処理室
との圧力差に加え、印加電圧により、一時的にプラズマ
発生室内のプラズマが処理室へ引出される。したがっ
て、この２つの効果により、プラズマ発生室から処理室
へプラズマが効率よく引出されることになる。その結
果、被処理物の処理速度が向上するとともに、微細パタ
ーンの処理加工を高精度に行なうことが可能となる。
電気的に絶縁し、かつプラズマ発生室にパルス的に直流
電圧を印加することによって、プラズマ発生室と処理室
との圧力差に加え、印加電圧により、一時的にプラズマ
発生室内のプラズマが処理室へ引出される。したがっ
て、この２つの効果により、プラズマ発生室から処理室
へプラズマが効率よく引出されることになる。その結
果、被処理物の処理速度が向上するとともに、微細パタ
ーンの処理加工を高精度に行なうことが可能となる。
【００２８】また、好ましくは、プラズマ発生室に印加
される直流電圧のパルスに同期して、エッチングガスが
プラズマ反応室に導入される。このように、同期してエ
ッチングガスをプラズマ反応室に導入することで、効果
的にプラズマ発生室の圧力を高くすることが可能とな
り、より良好な状態で、プラズマ発生室から処理室へプ
ラズマを導くことが可能となり、効率のよい被処理物の
処理加工を行なうことが可能となる。
される直流電圧のパルスに同期して、エッチングガスが
プラズマ反応室に導入される。このように、同期してエ
ッチングガスをプラズマ反応室に導入することで、効果
的にプラズマ発生室の圧力を高くすることが可能とな
り、より良好な状態で、プラズマ発生室から処理室へプ
ラズマを導くことが可能となり、効率のよい被処理物の
処理加工を行なうことが可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、この発明のプラズマ処理装
置の実施の形態について、エッチング装置を例に図に基
づいて説明する。
置の実施の形態について、エッチング装置を例に図に基
づいて説明する。
【００３０】［実施の形態１］図１は、この発明の実施
の形態１におけるプラズマドライエッチング装置の概略
構成を示す断面構成図である。真空容器１内に、処理室
２１が設けられている。この処理室２１内には、被処理
物２を載置した第１の電極を構成するステージ２６が設
けられている。また、ステージ２６には、高周波電源２
８により高周波電力が供給されている。さらに、真空容
器１内には、処理室２１に対して隔壁板２４を介在して
プラズマ発生室２２が設けられている。隔壁板２４に
は、複数の孔２４ａが設けられている。
の形態１におけるプラズマドライエッチング装置の概略
構成を示す断面構成図である。真空容器１内に、処理室
２１が設けられている。この処理室２１内には、被処理
物２を載置した第１の電極を構成するステージ２６が設
けられている。また、ステージ２６には、高周波電源２
８により高周波電力が供給されている。さらに、真空容
器１内には、処理室２１に対して隔壁板２４を介在して
プラズマ発生室２２が設けられている。隔壁板２４に
は、複数の孔２４ａが設けられている。
【００３１】エッチングガスは、ガス導入管１５からプ
ラズマ発生室２２に供給される。プラズマ発生室２２に
供給されたエッチングガスは、隔壁板２４に設けられた
孔２４ａを通過して処理室２１に導かれる。その後、排
気口１６から外部へ排出されることになる。このエッチ
ングガスの外部への排出には、図示しない真空ポンプに
より処理室２１から真空排気される。処理室２１はプラ
ズマ発生室２２より高真空に保たれている。
ラズマ発生室２２に供給される。プラズマ発生室２２に
供給されたエッチングガスは、隔壁板２４に設けられた
孔２４ａを通過して処理室２１に導かれる。その後、排
気口１６から外部へ排出されることになる。このエッチ
ングガスの外部への排出には、図示しない真空ポンプに
より処理室２１から真空排気される。処理室２１はプラ
ズマ発生室２２より高真空に保たれている。
【００３２】プラズマ発生室２２には、隔壁板２４と対
向する位置に第２の電極２５が取付けられており、この
第２の電極２５には、高周波電源２７により高周波電力
が供給されている。また、第２の電極２５の大気側に
は、リング状の永久磁石１１が配設されている。
向する位置に第２の電極２５が取付けられており、この
第２の電極２５には、高周波電源２７により高周波電力
が供給されている。また、第２の電極２５の大気側に
は、リング状の永久磁石１１が配設されている。
【００３３】次に、上記構成よりなるプラズマドライエ
ッチング装置において、プラズマ発生室２２に導入され
たエッチングガスは、隔壁板２４の孔２４ａから処理室
２１を経て、排気口１６より排気される。
ッチング装置において、プラズマ発生室２２に導入され
たエッチングガスは、隔壁板２４の孔２４ａから処理室
２１を経て、排気口１６より排気される。
【００３４】このとき、プラズマ発生室２２の第２の電
極２５に高周波電力が印加されると、第２の電極２５近
傍に配置した永久磁石１１が作る磁界と電界によるＥ×
Ｂドリフトにより電離が促進され高密度プラズマが生成
される。プラズマ発生室２２で生成されたプラズマは、
隔壁板２４の孔２４ａから処理室２１に輸送され、ステ
ージ２６に載置された被処理物２をエッチングする。
極２５に高周波電力が印加されると、第２の電極２５近
傍に配置した永久磁石１１が作る磁界と電界によるＥ×
Ｂドリフトにより電離が促進され高密度プラズマが生成
される。プラズマ発生室２２で生成されたプラズマは、
隔壁板２４の孔２４ａから処理室２１に輸送され、ステ
ージ２６に載置された被処理物２をエッチングする。
【００３５】以下、大口径の被処理物に対応したエッチ
ングを行なう場合について、その装置構成を具体的な数
値を用いて説明する。プラズマ発生室２２の第２の電極
２５の大気側には、リング状の永久磁石１１が３個同心
円上に配置されている。これにより、第２の電極２５近
傍では、電極２５近傍に形成される電界と磁場によるＥ
×Ｂドリフトが生じるが、プラズマの偏在は生じない。
これは、永久磁石をリング状に配設しているためであ
る。第２の電極２５近傍に形成される磁場のうち、第２
の電極２５の円周方向の磁場成分が０のためである。し
たがって、大面積に均一なプラズマ生成が可能となる。
ングを行なう場合について、その装置構成を具体的な数
値を用いて説明する。プラズマ発生室２２の第２の電極
２５の大気側には、リング状の永久磁石１１が３個同心
円上に配置されている。これにより、第２の電極２５近
傍では、電極２５近傍に形成される電界と磁場によるＥ
×Ｂドリフトが生じるが、プラズマの偏在は生じない。
これは、永久磁石をリング状に配設しているためであ
る。第２の電極２５近傍に形成される磁場のうち、第２
の電極２５の円周方向の磁場成分が０のためである。し
たがって、大面積に均一なプラズマ生成が可能となる。
【００３６】次に、リング状の永久磁石１１の表面磁場
強度を３０００ガウス、リング状の永久磁石１１の各々
の間隔を５０ｍｍ、リング状の永久磁石１１から第２の
電極２５までの距離４０ｍｍ、電極２５と隔壁板２４と
の間の距離を８０ｍｍに設定する。
強度を３０００ガウス、リング状の永久磁石１１の各々
の間隔を５０ｍｍ、リング状の永久磁石１１から第２の
電極２５までの距離４０ｍｍ、電極２５と隔壁板２４と
の間の距離を８０ｍｍに設定する。
【００３７】また、プラズマ発生室２２の体積は１０リ
ットル、処理室２１の体積は５０リットル、実効真空排
気速度は１００リットル／秒、隔壁板２４の孔２４ａの
総面積は約７．０ｃｍ2 に構成する。エッチングガスと
してＣｌ2 ガスを用い、プラズマ発生室の圧力を５ｍＴ
ｏｒｒに設定すると、処理室２１の圧力は約１ｍＴｏｒ
ｒの雰囲気になる。この状態で放電を行なうとプラズマ
発生室２２のプラズマ密度は、５×１０9 （個／ｃ
ｍ3 ）から５×１０10（個／ｃｍ3 ）程度と磁場がない
ものと比べ１桁程度高密度のものが得られる。また、処
理室２１は高真空に保たれており、微細パターンが形成
できる。
ットル、処理室２１の体積は５０リットル、実効真空排
気速度は１００リットル／秒、隔壁板２４の孔２４ａの
総面積は約７．０ｃｍ2 に構成する。エッチングガスと
してＣｌ2 ガスを用い、プラズマ発生室の圧力を５ｍＴ
ｏｒｒに設定すると、処理室２１の圧力は約１ｍＴｏｒ
ｒの雰囲気になる。この状態で放電を行なうとプラズマ
発生室２２のプラズマ密度は、５×１０9 （個／ｃ
ｍ3 ）から５×１０10（個／ｃｍ3 ）程度と磁場がない
ものと比べ１桁程度高密度のものが得られる。また、処
理室２１は高真空に保たれており、微細パターンが形成
できる。
【００３８】以上のように構成したプラズマドライエッ
チング装置を用いて、半導体製造におけるゲート回路の
ポリシリコン材料のエッチングを行なったところ、６イ
ンチの大きさの被処理物２をエッチング速度１００ｎｍ
／ｍｉｎ、均一性５％で処理することができた。
チング装置を用いて、半導体製造におけるゲート回路の
ポリシリコン材料のエッチングを行なったところ、６イ
ンチの大きさの被処理物２をエッチング速度１００ｎｍ
／ｍｉｎ、均一性５％で処理することができた。
【００３９】なお、図示していないが、リング状の永久
磁石１１の同心円の中心に円柱状の永久磁石を配置する
ことにより、さらにエッチング速度の均一性を向上させ
ることができる。この場合、円柱状の永久磁石の表面磁
場強度は、リング状の永久磁石の表面磁場強度３００ガ
ウスより高く、あるいは低く設定することにより磁場の
均一性を調整することができる。その結果、均一なプラ
ズマがプラズマ発生室で生成されるので均一なエッチン
グが行なわれる。
磁石１１の同心円の中心に円柱状の永久磁石を配置する
ことにより、さらにエッチング速度の均一性を向上させ
ることができる。この場合、円柱状の永久磁石の表面磁
場強度は、リング状の永久磁石の表面磁場強度３００ガ
ウスより高く、あるいは低く設定することにより磁場の
均一性を調整することができる。その結果、均一なプラ
ズマがプラズマ発生室で生成されるので均一なエッチン
グが行なわれる。
【００４０】また、上記の装置サイズとリング状の永久
磁石１１の表面磁場強度を用いると、プラズマ発生室２
２で１００ガウス以上、処理室２１のステージ２６近傍
で２０ガウス以下の磁場強度が形成される。その結果、
プラズマ発生室２２の電極２５付近では、高磁場により
プラズマの生成が促進され高密度プラズマが維持され
て、加えて被処理物２付近は低磁場になり、高速かつエ
ッチングダメージが少ない高品質の処理が可能となる。
磁石１１の表面磁場強度を用いると、プラズマ発生室２
２で１００ガウス以上、処理室２１のステージ２６近傍
で２０ガウス以下の磁場強度が形成される。その結果、
プラズマ発生室２２の電極２５付近では、高磁場により
プラズマの生成が促進され高密度プラズマが維持され
て、加えて被処理物２付近は低磁場になり、高速かつエ
ッチングダメージが少ない高品質の処理が可能となる。
【００４１】［実施の形態２］次に、図２を参照して、
実施の形態２におけるプラズマ処理装置について説明す
る。図２は、この発明の実施の形態におけるプラズマエ
ッチング装置の概略を示す断面構成図である。
実施の形態２におけるプラズマ処理装置について説明す
る。図２は、この発明の実施の形態におけるプラズマエ
ッチング装置の概略を示す断面構成図である。
【００４２】この実施の形態におけるプラズマドライエ
ッチング装置においては、実施の形態１と同じ構成から
なり、さらに、プラズマ発生室２２と処理室２１とが、
絶縁基板２３により絶縁されている。図２において、絶
縁基板２３は、隔壁板２４と処理室２１との間に設ける
ようにしているが、プラズマ発生室２２と隔壁板２４と
の間に設けるようにしても何ら問題はない。また、プラ
ズマ発生室２２には、パルス的に直流電圧を印加するた
めの直流電圧印加装置３０が接続されている。
ッチング装置においては、実施の形態１と同じ構成から
なり、さらに、プラズマ発生室２２と処理室２１とが、
絶縁基板２３により絶縁されている。図２において、絶
縁基板２３は、隔壁板２４と処理室２１との間に設ける
ようにしているが、プラズマ発生室２２と隔壁板２４と
の間に設けるようにしても何ら問題はない。また、プラ
ズマ発生室２２には、パルス的に直流電圧を印加するた
めの直流電圧印加装置３０が接続されている。
【００４３】ここで、直流電圧印加装置３０によって印
加される直流電圧は、図３に示すように、その印加条件
は、ＯＮ時間が、繰返し時間Ｔ＝μｓｅｃ〜ｍｓｅｃの
約１０％であり、印加電圧は数十Ｖ印加される。このよ
うに、プラズマ発生室２２を処理室２１に対して電気的
に絶縁し、プラズマ発生室の電位をパルス的に変化させ
ることによって、プラズマ発生室２２のプラズマを処理
室２１へ引出すことができる。その結果、プラズマ発生
室２２と処理室２１との圧力差に加え、効率よくプラズ
マ発生室２２で発生したプラズマが処理室２１へ引出さ
れることになる。したがって、処理室２１に載置された
被処理物２の処理速度が向上するとともに、微細パター
ンの加工においても、精度よく加工を行なうことが可能
となる。
加される直流電圧は、図３に示すように、その印加条件
は、ＯＮ時間が、繰返し時間Ｔ＝μｓｅｃ〜ｍｓｅｃの
約１０％であり、印加電圧は数十Ｖ印加される。このよ
うに、プラズマ発生室２２を処理室２１に対して電気的
に絶縁し、プラズマ発生室の電位をパルス的に変化させ
ることによって、プラズマ発生室２２のプラズマを処理
室２１へ引出すことができる。その結果、プラズマ発生
室２２と処理室２１との圧力差に加え、効率よくプラズ
マ発生室２２で発生したプラズマが処理室２１へ引出さ
れることになる。したがって、処理室２１に載置された
被処理物２の処理速度が向上するとともに、微細パター
ンの加工においても、精度よく加工を行なうことが可能
となる。
【００４４】なお、プラズマ発生室２２に印加する電圧
は、正負どちらでもよく、印加電圧に対応して荷電粒子
が引出され、それにつれてプラズマも隔壁板２４に設け
られた孔２４ａから処理室２１へ引出されることにな
る。
は、正負どちらでもよく、印加電圧に対応して荷電粒子
が引出され、それにつれてプラズマも隔壁板２４に設け
られた孔２４ａから処理室２１へ引出されることにな
る。
【００４５】ここで、プラズマ発生室への電圧印加をパ
ルス的にする理由は、定常的に電圧を印加すると、プラ
ズマ電流が定常的に流れることになるため、直流電圧印
加電源の容量が大きくなってしまうためである。
ルス的にする理由は、定常的に電圧を印加すると、プラ
ズマ電流が定常的に流れることになるため、直流電圧印
加電源の容量が大きくなってしまうためである。
【００４６】また、好ましくは、プラズマ発生室２２へ
の印加電圧のパルスに同期して、プラズマ発生室２２内
へパルス的にエッチングガスを供給することにより、以
下の効果を期待することができる。エッチングガスのパ
ルス供給は、パルスバルブを用いることにより実現され
る。まず、プラズマ発生室２２の圧力はガスが供給され
た時点で一番高く、その後、次のガスが供給するまで徐
々に低くなる。一般に、プラズマの電子温度は圧力が高
いと小さく、圧力が低いと大きくなる。したがって、エ
ッチングガスの供給とプラズマ発生室２２への直流電圧
の印加とを同期させることによって、所望の電子温度の
プラズマを引出すことが可能となる。
の印加電圧のパルスに同期して、プラズマ発生室２２内
へパルス的にエッチングガスを供給することにより、以
下の効果を期待することができる。エッチングガスのパ
ルス供給は、パルスバルブを用いることにより実現され
る。まず、プラズマ発生室２２の圧力はガスが供給され
た時点で一番高く、その後、次のガスが供給するまで徐
々に低くなる。一般に、プラズマの電子温度は圧力が高
いと小さく、圧力が低いと大きくなる。したがって、エ
ッチングガスの供給とプラズマ発生室２２への直流電圧
の印加とを同期させることによって、所望の電子温度の
プラズマを引出すことが可能となる。
【００４７】ここで、プラズマの電子温度は被処理物の
エッチング形状と関連があり、エッチングガスの供給お
よび直流電圧の印加とのタイミングを変えることによっ
て、被処理物のエッチング特性を制御することが可能と
なる。
エッチング形状と関連があり、エッチングガスの供給お
よび直流電圧の印加とのタイミングを変えることによっ
て、被処理物のエッチング特性を制御することが可能と
なる。
【００４８】なお、上述した実施の形態１および２にお
いて、プラズマを生成する形式として平行平板型プラズ
マ発生装置について述べたが、必ずしもこの形式に限ら
れることなく、たとえば誘導結合方式、ＩＰＣ方式、Ｅ
ＣＲ方式、マグネトロン方式等のプラズマ発生装置を用
いても同様の作用効果を得ることができる。
いて、プラズマを生成する形式として平行平板型プラズ
マ発生装置について述べたが、必ずしもこの形式に限ら
れることなく、たとえば誘導結合方式、ＩＰＣ方式、Ｅ
ＣＲ方式、マグネトロン方式等のプラズマ発生装置を用
いても同様の作用効果を得ることができる。
【００４９】したがって、今回開示された実施の形態は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【００５０】
【発明の効果】この発明に基づいたプラズマ処理装置に
よれば、被処理物が載置される第１の電極が配置される
処理室と、上記第１の電極に対向配置される第２の電極
を有するプラズマ発生室と、上記処理室と上記プラズマ
発生室との間に設けられ、上記プラズマ発生室から上記
処理室に連通する孔を有する隔壁板とを備え、上記プラ
ズマ発生室は、上記処理室に対して電気的に絶縁され、
かつ、上記プラズマ発生室にパルス的に電圧が印加され
る。また好ましくは、上記プラズマ発生室と上記処理室
との接合部分には、絶縁部材が設けられている。
よれば、被処理物が載置される第１の電極が配置される
処理室と、上記第１の電極に対向配置される第２の電極
を有するプラズマ発生室と、上記処理室と上記プラズマ
発生室との間に設けられ、上記プラズマ発生室から上記
処理室に連通する孔を有する隔壁板とを備え、上記プラ
ズマ発生室は、上記処理室に対して電気的に絶縁され、
かつ、上記プラズマ発生室にパルス的に電圧が印加され
る。また好ましくは、上記プラズマ発生室と上記処理室
との接合部分には、絶縁部材が設けられている。
【００５１】このように、プラズマ発生室と処理室とを
電気的に絶縁し、かつプラズマ発生室にパルス的に直流
電圧を印加することによって、プラズマ発生室と処理室
との圧力差に加え、印加電圧により、一時的にプラズマ
発生室内のプラズマが処理室へ引出される。
電気的に絶縁し、かつプラズマ発生室にパルス的に直流
電圧を印加することによって、プラズマ発生室と処理室
との圧力差に加え、印加電圧により、一時的にプラズマ
発生室内のプラズマが処理室へ引出される。
【００５２】したがって、この２つの効果により、プラ
ズマ発生室から処理室へプラズマが効率よく引出される
ことになる。その結果、被処理物の処理速度が向上する
とともに、微細パターンの処理加工を高精度に行なうこ
とが可能となる。
ズマ発生室から処理室へプラズマが効率よく引出される
ことになる。その結果、被処理物の処理速度が向上する
とともに、微細パターンの処理加工を高精度に行なうこ
とが可能となる。
【００５３】また、好ましくは、プラズマ発生室に印加
される直流電圧のパルスに同期して、エッチングガスが
プラズマ反応室に導入される。このように、同期してエ
ッチングガスをプラズマ反応室に導入することで、所望
のプラズマ特性のプラズマをプラズマ反応室から処理室
へ導くことが可能となり、効率のよい被処理物の処理加
工を行なうことが可能となる。
される直流電圧のパルスに同期して、エッチングガスが
プラズマ反応室に導入される。このように、同期してエ
ッチングガスをプラズマ反応室に導入することで、所望
のプラズマ特性のプラズマをプラズマ反応室から処理室
へ導くことが可能となり、効率のよい被処理物の処理加
工を行なうことが可能となる。
【図１】 この発明の実施の形態１のプラズマドライエ
ッチング装置の概略を示す断面構成図である。
ッチング装置の概略を示す断面構成図である。
【図２】 この発明の実施の形態２のプラズマドライエ
ッチング装置の概略を示す断面構成図である。
ッチング装置の概略を示す断面構成図である。
【図３】 プラズマ発生室に印加される直流電圧の印加
条件を示す図である。
条件を示す図である。
【図４】 第１従来例のプラズマ処理装置を示す断面構
成図である。
成図である。
【図５】 図４に示すプラズマ処理装置のプラズマ密度
を示す図である。
を示す図である。
【図６】 従来例におけるプラズマのドリフト状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図７】 従来の技術におけるプラズマ処理装置の第２
の電極表面での横方向磁束密度Ｂ⊥の径方向分布を示す
図である。
の電極表面での横方向磁束密度Ｂ⊥の径方向分布を示す
図である。
【図８】 他の従来例のプラズマ処理装置におけるプラ
ズマのドリフトを説明する説明図である。
ズマのドリフトを説明する説明図である。
【図９】 従来のプラズマ処理装置のドライエッチング
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
１ 真空容器、２ 被処理物、１１ 永久磁石、１５
ガス導入管、１６ 排気口、２１ 処理室、２２ プラ
ズマ発生室、２３ 絶縁部材、２４ 隔壁板、２４ａ
孔、２５ 第２の電極、２６ ステージ、２７，２８
高周波電源、３０ 直流電源。
ガス導入管、１６ 排気口、２１ 処理室、２２ プラ
ズマ発生室、２３ 絶縁部材、２４ 隔壁板、２４ａ
孔、２５ 第２の電極、２６ ステージ、２７，２８
高周波電源、３０ 直流電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｃ (72)発明者 西川 和康 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理物が載置される第１の電極が配置
される処理室と、 前記第１の電極に対向配置される第２の電極を有するプ
ラズマ発生室と、 前記処理室と前記プラズマ発生室との間に設けられ、前
記プラズマ発生室から前記処理室に連通する孔を有する
隔壁板とを備え、 前記プラズマ発生室は、前記処理室に対して電気的に絶
縁され、かつ、前記プラズマ発生室にパルス的に電圧が
印加される、プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記プラズマ発生室と前記処理室との接
合部分には、絶縁部材が設けられる、請求項１に記載の
プラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076031A JPH10270430A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | プラズマ処理装置 |
| US09/047,935 US6167835B1 (en) | 1997-03-27 | 1998-03-26 | Two chamber plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076031A JPH10270430A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270430A true JPH10270430A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13593463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9076031A Pending JPH10270430A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6167835B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10270430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6287980B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-09-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| JP2006523934A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性気体および誘電真空槽を有するプラズマ源 |
| JP2007523459A (ja) * | 2004-02-18 | 2007-08-16 | ドライ プラズマ システムズ インコーポレーテッド | 高出力密度ダウンストリーム・プラズマ |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3555084B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2004-08-18 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体基板に対するプラズマ処理方法及び半導体基板のためのプラズマ処理装置 |
| US20030194510A1 (en) * | 2002-04-16 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Methods used in fabricating gates in integrated circuit device structures |
| DE10243406A1 (de) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Leybold Optics Gmbh | Plasmaquelle |
| US7276266B1 (en) * | 2002-12-13 | 2007-10-02 | United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration (Nasa) | Functionalization of carbon nanotubes |
| US7473436B1 (en) * | 2002-12-13 | 2009-01-06 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administrator | Functionalization of carbon nanotubes |
| US7767270B1 (en) | 2002-12-13 | 2010-08-03 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Selective functionalization of carbon nanotubes based upon distance traveled |
| JP2004281232A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ebara Corp | ビーム源及びビーム処理装置 |
| US8053700B2 (en) * | 2003-04-16 | 2011-11-08 | Mks Instruments, Inc. | Applicators and cooling systems for a plasma device |
| US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US8349128B2 (en) * | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
| US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7909961B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7969096B2 (en) | 2006-12-15 | 2011-06-28 | Mks Instruments, Inc. | Inductively-coupled plasma source |
| US9520275B2 (en) | 2008-03-21 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using |
| DE102009018912A1 (de) * | 2009-04-28 | 2010-11-18 | Leybold Optics Gmbh | Verfahren zur Erzeugung eines Plasmastrahls sowie Plasmaquelle |
| US9070760B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-06-30 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
| DE102012107282A1 (de) * | 2012-01-17 | 2013-07-18 | Reinhausen Plasma Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur plasmabehandlung von oberflächen |
| KR101495288B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2015-02-24 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324303B2 (ja) | 1975-01-31 | 1978-07-20 | ||
| DE3216823A1 (de) | 1982-05-05 | 1983-11-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von strukturen von aus metallsilizid und polysilizium bestehenden doppelschichten auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch reaktives ionenaetzen |
| KR910005733B1 (ko) * | 1986-01-17 | 1991-08-02 | 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리방법 및 장치 |
| JPH029452A (ja) | 1988-06-29 | 1990-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 排ガス浄化用触媒およびその製造法 |
| JPH0294520A (ja) | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
| DE4018954A1 (de) | 1989-06-15 | 1991-01-03 | Mitsubishi Electric Corp | Trockenaetzgeraet |
| JPH0472082A (ja) | 1990-07-10 | 1992-03-06 | Anelva Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH05283372A (ja) | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Nissin Electric Co Ltd | エッチング装置 |
| JP3294690B2 (ja) | 1993-10-20 | 2002-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置の制御方法 |
| TW296534B (ja) * | 1993-12-17 | 1997-01-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| CA2144834C (en) * | 1994-03-17 | 2000-02-08 | Masahiro Miyamoto | Method and apparatus for generating induced plasma |
| JP2942138B2 (ja) | 1994-03-22 | 1999-08-30 | 三菱電機株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH07283203A (ja) | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Toshiba Corp | 表面処理装置 |
| JPH08111402A (ja) | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
| JPH1079372A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP9076031A patent/JPH10270430A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-26 US US09/047,935 patent/US6167835B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6287980B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-09-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| JP2006523934A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性気体および誘電真空槽を有するプラズマ源 |
| JP2007523459A (ja) * | 2004-02-18 | 2007-08-16 | ドライ プラズマ システムズ インコーポレーテッド | 高出力密度ダウンストリーム・プラズマ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6167835B1 (en) | 2001-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6076483A (en) | Plasma processing apparatus using a partition panel | |
| US6861642B2 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| US6849857B2 (en) | Beam processing apparatus | |
| JPH10270430A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5133825A (en) | Plasma generating apparatus | |
| US5032205A (en) | Plasma etching apparatus with surface magnetic fields | |
| US6861643B2 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| JPH08288096A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0564407B2 (ja) | ||
| JP3561080B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US6909087B2 (en) | Method of processing a surface of a workpiece | |
| US6909086B2 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| US6858838B2 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| JPH0774115A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3177573B2 (ja) | 磁気中性線放電プラズマ処理装置 | |
| JPH10270429A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3319971B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000328269A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0221296B2 (ja) | ||
| JP2929150B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JP3884854B2 (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| JPS63318127A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JPH08209363A (ja) | 電子ビームエッチング装置 | |
| JPH01130528A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06151364A (ja) | プラズマ反応装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021112 |