JPH0256356B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、下記式(1) 式中、Ｒは−CH₂OHを意味し、この時はR¹は
１乃至４個の炭素原子を有するアルキル基を表わ
し、或いはＲは を意味し、この時はR¹およびR²は互いに独立に
メチルまたはエチルを表わし、或いはＲは を意味し、この時はR¹およびR³は各々乃至４個
の炭素原子を有するアルキル基を表わし、或い
は、 式中、ＲおよびR¹は一緒になつて を意味し、ここにＡは

【式】なる基を表わ す、 で表わされる新規な環状炭酸誘導体の製造法に関
する。 新規な該炭酸誘導体のうちで最も重要なのは下
記のものである： ａ） トリメチロールプロパンモノカーボネート ｂ） ジ−（トリメチロールプロパン）ジカーボネ
ート ｃ） ジ−（トリメチロールプロパンカーボネート）
カーボネート ｄ） ２，４，７，９−テトラオキサ−スピロ−
〔５，５〕−ウンデカン−３，８−ジオンもしく
はスピロービス−（ジメチレンカーボネート）、
および ｅ） ２，４，７−トリオキサースピロ−〔３，５〕
−ノナン−３−オンもしくはオキシエタン−
３，３−ジメチレンカーボネート。 上記ｅ）の化合物は、式(1)においてＡが酸素を
表わす場合の炭酸誘導体であるから、本発明の対
象外である。しかし、以下の記述においては、本
発明との関連上、Ａが酸素を表わす場合にも随時
言及するものとする。 本発明によれば、下記式（） 式中、Ｒは−CH₂OHを意味し、この時はR¹は
１乃至４個の炭素原子を有するアルキル基を表わ
し、或いはＲは を意味し、この時はR¹およびR²は互いに独立に
メチルまたはエチルを表わし、或いはＲは を意味し、この時はR¹およびR³は各々１乃至４
個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、或い
は、 式中、ＲおよびR¹は一緒になつて を意味し、ここにＡは

【式】なる基を表 わす、 で表わされる新規な環状炭酸誘導体の製造法とし
て、下記式（） 式中、R⁴は−CH₂OHを意味し、この時はR⁵は
１乃至４個の炭素原子を有するアルキル基を表わ
すかまたは−CH₂OHを表わし、或いはR⁴は を意味し、この時はR⁵およびR⁶は互いに独立に
メチルまたはエチルを表わす、 で表わされるポリオールをホスゲン、クロロカー
ボネート、ジアルキルカーボネートおよびジアリ
ールカーボネートから成る群から選ばれた炭酸誘
導体と触媒の存在下に反応させて可溶性のポリカ
ーボネートを生成させ、該触媒は、R⁴が−
CH₂OHを表わしR⁵が１乃至４個の炭酸原子を有
するアルキル基を表わす場合またはR⁴が なる基を表わす場合は強塩基性化合物であつて可
溶性ポリカーボネートを与える反応の後に除去さ
れ、そしてR⁴が−CH₂OHを表わしR⁵が−
CH₂OHを表わす場合は弱塩基性化合物であつて
可溶性ポリカーボネートを与える反応の後に除去
され、次いでこの可溶性ポリカーボネートを、場
合によつては弱塩基性触媒の存在下で高温および
減圧のもとで架橋不溶性ポリカーボネートに転換
したのち、高温および減圧下で解重合させ、そし
てこの方法で生成された式（）の新規な炭酸誘
導体を分離し去ることを特徴とする方法が提供さ
れる。 式中Ｒ＝−CH₂OHおよびR¹＝C₁乃至C4−アル
キルである式（）の新規な炭酸誘導体の製造に
おいては、手順は好ましくは下記の如く行う：可
溶性ポリカーボネートを、下記式（） 式中、R⁷＝C₁乃至C4−アルキル で表わされるトリメチロールアルカンおよび等モ
ル量のホスゲン、クロロカーボネート、ジアルキ
ルカーボネートおよびジアリールカーボネートか
ら成る群から選ばれた炭酸誘導体から、強塩基性
触媒を加えて製造し、使用済触媒、その副生成物
および／または他の余分な化合物を除去し、こう
して前処理された可溶性ポリカーボネートを重合
を解くのに適当な温度にまで加熱し、そしてこの
方法で生成された式（）でＲ＝−CH₂OHかつ
R¹＝C₁乃至C₄−アルキルである炭酸誘導体を分
離し去る。 この方法では、トリメチロールエタンまたはト
リメチロールプロパンを好ましくはトリメチロー
ルアルカンとして使用し、即ちR⁷は式（）に
おいて好ましくはメチルまたはエチルとする。強
塩基性触媒は、例えば、水酸化ナトリウムもしく
はカリウム、炭酸ナトリウムもしくはカリウム、
またはナトリウムもしくはカリウムフエノレート
とすることができる。触媒、その副生成物およ
び／または他の余分な化合物の除去は種々の方法
で行ない得る。 この目的のためには、ポリカーボネートを、好
ましくは、好適な溶媒、例えばメチレンクロリ
ド、メチレンクロリドおよびジオキサン、または
トルエンの中に最初に溶解させる。生成するポリ
カーボネート溶液は、そこで、例えば水、殊に蒸
留水もしくは脱イオン水を用いて、例えば２乃至
５回洗浄し得る。 この方法では、ポリカーボネート溶液は、水で
洗浄する前に希酸、例えば20重量％までの塩酸ま
たは流酸水溶液で処理するのが好ましい。ポリカ
ーボネートの製造に用いた触媒、これらの触媒の
副生成物および／または他の存在する余分な化合
物の除去もまたポリカーボネート溶液をイオン交
換体で処理することによつて行なうことができ、
アセトンまたはジオキサンの如き水と混じり合う
溶媒の中のポリカーボネートの溶液もまたこの目
的に好適である。酸で活性化させた粘土（アルカ
リ金属カチオンをプロトンで置き換えるために鉱
酸で処理したモントモリロナイト又はベントナイ
トから誘導された粘土）および／またはスルホン
化された架橋ポリスチレンを好ましくはこの目的
に使用する。一般にポリカーボネートの製造に使
用した触媒、これらの触媒の副生成物および／ま
たは他の余分な化合物の除去に用いた助剤（例え
ば水、溶媒、酸および／またはイオン交換体）
を、重合を解く前にできるだけ完全に除去するの
が好都合である。 こうして前処理したポリカーボネートの解重合
を次に加熱することによつて行なう。この目的に
は150乃至240℃の範囲内の温度が一般に必要であ
る。解重合は好ましくは160乃至220℃の範囲内の
温度で行なう。 解重合の間に生成した式（）でＲ＝−
CH₂OHかつR¹＝C₁乃至C₄−アルキルである環状
カーボネートは、好ましくは、これらのものが生
成する速度で除去する。これは、例えば解重合を
真空中で行なうことによつて達成し得る。この目
的のためには、生成する環状カーボネートが留去
し、冷却後は受器の中に捕集され得るように真空
を選ぶのが有利である。生成する環状カーボネー
トの揮発性に依存して、用いる圧力は、例えば、
0.001乃至25mbarの範囲内とすることができる。
しかし、生成する環状カーボネートは、また、例
えば不活性ガスを、例えば0.001乃至25mbarの圧
力で、重解合の起る容器の中に通し、そして解重
合容器から出る気流から、生成された環状カーボ
ネートを分離し去ることによつて除去し得る。こ
の目的の好適な不活性ガスの例は、窒素、二酸化
炭素または貴ガスである。 式（）Ｒ＝−CH₂OHかつR¹＝C₁乃至C₄−ア
ルキルである環状カーボネートは、この解重合で
は、一定の温度で且つ認知し得る程の分解（脱カ
ルボキシル化）を起すことなく経過し、そして冷
却後は結晶性モノマーとして良好な収率で単離し
得る。解重合すべきポリカーボネートは解重合の
間にゲル化する傾向があるが、この状態であつて
も困難なく殆ど完全に解重合させることができ
る。 多くの場合、解重合で製造された式（）のＲ
＝−CH₂OH且つR¹＝C₁乃至C₄−アルキルである
環状カーボネートは、既に、以後の使用に対して
十分純粋である。しかし、これらのものは、望ま
しければ更に精製し得る。この精製は、例えば、
好適な溶媒（例えばエチルアセテート、トルエ
ン、シクルヘキサン、ジエチルエーテルまたは四
塩化炭素）からの再結晶により或いは減圧下での
蒸留によつて行なうことができる。 式中（）のＲおよびR¹が一緒になつて 式中、Ａは

【式】なる基または酸素を 表わす、 を表わす新規な炭酸誘導体の製造においては、本
方法は、好ましくは下記の如く行なう； ａ） ペンタエリスリトールをホスゲン、クロロ
カーボネート、ジアルキルカーボネートおよび
ジアリールカーボネートから成る群から選ばれ
た炭酸誘導体と、場合により塩基性化合物の存
在下で反応させて可溶性の前駆体を生成させ、 ｂ） 塩基性化合物を然る後にもし適当ならば除
去し、 ｃ） 可溶性の前駆体から１乃至140mbarの範囲
内の圧力のもとでこのものを100乃至250℃まで
加熱することによつて架橋ポリカーボネートを
製造し、 ｄ） 場合により触媒の存在下で200乃至300℃に
おいて0.001乃至1mbarの範囲内の圧力のもと
で架橋ポリカーボネートを解重合させ、そして ｅ） 段階ｄ）で昇華し或いは留去する、式
（）のＲおよびR¹が一緒になつて 式中、Ａは

【式】なる基または酸素 を表わす、 を表わす二環式炭酸誘導体を捕集し、そしても
し適当ならば分離する。 この方法の段階ａ）で行なわれるベきペンタエ
リスリトールの反応は、原理的には、ホスゲン、
クロロカーボネート、ジアルキルカーボネートま
たはジアリールカーボネートを用いて達成し得
る。生態学的理由でジアルキルカーボネートまた
はジアリールカーボネートとの反応が好ましく、
その理由で実質的にこの手順を以下に記載する。
本分野に熟達した人ならば、ホスゲンまたはクロ
ロカーボネートを用いて相当の反応を行なわせる
のに何の困難にも遭わないだろう。 段階ａ）で必須の点は、反応が可溶性前駆体を
導き、不溶性の強く架橋したポリマーを生じない
という点である。このことは、例えば、大過剰の
ジアルキルまたはジアリールカーボネート、例え
ばペンタエリスリトール１モルあたり４乃至10モ
ルのカーボネートを使用することによつて達成し
得る。 カーボネートとの反応は、好ましくは、エステ
ル交換触媒の存在下で行なう。次のものをそのよ
うなエステル交換触媒の例として挙げることがで
きる：アルカリ金属殊にナトリウムおよびカリウ
ム並びにアルミニウム、タリウムまたは鉛の酸化
物、水酸化物、アルコラート、カルボキシレート
および炭酸塩であり、これらのものは、例えば、
ペンタエリスリトール１モルあたり0.1乃至２ｇ
の量で使用し得る。 カーボネートおよびペンタエリスリトールの間
の反応は、例えば、成分を混合し、１種またはそ
れ以上のエステル交換触媒を加え、この混合物を
例えば120乃至140℃の範囲の温度にまで加熱し、
そして生成するアルコールをもし適当ならば減圧
下で、そしてもし適当ならばカラム上で留去させ
ることによつて行ない得る。ジエチルカーボネー
トをカーボネートとして使用する時は、反応混合
物を、例えば、約120乃至130℃の温度で還流下で
煮沸することができ、そして生成するエチルアル
コールはカラム上で約78乃至80℃で分離し去るこ
とができる。 もし、カーボネートのかわりに、反応をホスゲ
ンまたはクロロカーボネート類、例えばフエニル
クロロカーボネートを用いて行なわせる場合は、
反応は溶媒、例えばエチルアセテート、および酸
結合剤、例えばジメチルアニリンの存在下で、例
えば20乃至80℃の温度で行なわせるのが好まし
い。この場合は、反応の終了後、溶媒および酸結
合剤から生成された塩は、例えば、水で洗浄し溶
媒を減圧下で取り去ることによつて除去せねばな
らない。 もし、段階ａ）で、塩基性化合物を例えばエス
テル交換触媒として使用した場合は、もしスピロ
ービス−（ジメチレンカーボネート）（式（）参
照）を製造すべき場合は、これらの化合物は段階
ｂ）で除去せねばならない。もしオキシエタン−
３，３−ジメチレンカーボネート（式（）を参
照）を製造すべき場合は、そのような塩基性化合
物は段階ａ）で製造された前駆体中に残存するこ
ともでき、或いは除去することもできる。 塩基性化合物の除去は種々の方法で行ない得
る。手順は、好ましくは、式（）のＲ＝−
CH₂OHかつR₁＝C₁乃至C₄−アルキルである炭酸
誘導体の製造に関して記載の如く行なう。 一般に、出来るだけ完全に、段階ｃ）を実行す
る前に、塩基性化合物の除去に使用した助剤（例
えば水、酸、溶媒およびまたはイオン交換体）を
除去するのが有効である。 段階ｃ）では、もし適当ならば前駆体を好まし
くは100乃至250℃まで好ましくは１乃至140mbar
の範囲の圧力のもとで加熱することによつて塩基
性化合物を無くした可溶性前駆体から、架橋ポリ
カーボネートを次に製造する。この段階は、殊に
好ましくは、140乃至210℃の範囲の温度で５乃至
50mbarの範囲の圧力のもとで行なう。この段階
では、圧力および温度条件は、一般に、ペンタエ
リスリトール誘導体は全く留去または昇華せず、
過剰の出発材料、例えばジエチルカーボネートお
よび／または架橋ポリカーボネートの生成の際に
生ずる生成物、例えばジエチルカーボネートまた
は段階ａ）でフエニルクロロカーボネートが使用
される場合はフエノールだけが留去または昇華す
るように、所与の限界内に調節せねばならない。
段階ｃ）を遂行させた後は、生成された架橋ポリ
カーボネートは残渣として残る。 或る環境のもとでは、例えば、ペンタエリスリ
トールを段階ａ）でジアルキルカーボネートと反
応させ、そして塩基性化合物を段階ｂ）で分離し
去つてしまい、そして段階ｃ）を行なわせる時に
触媒が全く存在せずそして非常に低い圧力、例え
ば0.1mbar以下の圧力を用いる場合は、急速な蒸
留によつて、ペンタエリスリトールモノカーボネ
ートビス−アルキルカーボネート（式（）参
照）およびペンタエリスリトールテトラキス−ア
ルキルカーボネート（式（）参照）の如き非二
環式ペンタエリスリトール誘導体を分離し去るこ
とが可能である。 式（）のＲおよびR¹が一緒になつて 式中、Ａは

【式】なる基または酸素を 表わす、 を表わす化合物は、式（）および（）に相当
する化合物から、これらの化合物をプロセス段階
ｃ）、ｄ）およびｅ）に供することによつて得る
ことができる。 段階ｄ）では、架橋ポリカーボネートを、好ま
しくは200乃至300℃、殊に好ましくは220乃至280
℃の範囲の温度および好ましくは0.001乃至
1mbar、殊に好ましくは0.01乃至0.1mbarの範囲
の圧力で解重合させる。この段階では、式（）
に相当するＲおよびR¹が一緒になつて 式中、Ａは

【式】なる基または酸素を 表わす、 を表わす化合物が留去し或いは昇華する。所与の
温度および圧力の限界内で、その条件下では式
（）に相当するＲおよびR¹が一緒になつて 式中、Ａは

【式】なる基または酸素を 表わす、 を表わす化合物が昇華するような条件を選ぶのが
好ましい。 スピロービス−（ジメチレンカーボネート）（式
（）参照）および／またはオキシエタン−３，
３−ジメチレンカーボネート（式（）参照）が
反応生成物として得られるかどうかは、本発明に
従う方法の段階ｄ）において触媒が存在するか或
いは存在しないかに依存する。触媒の無い場合
は、或いは弱い触媒の存在下では、実質的に排外
的にスピロービス−（ジメチレンカーボネート）
が得られ、一方、強い触媒の存在下では二酸化炭
素が分離し去り実質的に排外的にオキシエタン−
３，３−ジメチレンカーボネートが得られる。弱
い触媒の例は、スズ（）ジオクトエート、スズ
（）ジラウレート、ジブチルスズジラウレート、
チタンテトラブチレート、チタンテトライソオク
チレートまたはチタンテトラドデシレートの如
き、２価もしくは４価のスズまたは４価のチタン
の有機化合物である。弱い触媒は、ポリカーボネ
ートの量に対して例えば0.01乃至１重量％、好ま
しくは0.01乃至0.1重量％の量だけ使用し得る。
触媒の無い手順と比較して弱い触媒を添加する
と、スピロービス−（ジメチレンカーボネート）
の生成を導くエステル交換が促進され、これによ
つて段階ｄ）で反応時間を短くすることができ且
つ／或いは反応温度を下げることができるという
利点を有する。 より強い触媒の例は、段階ａ）でペンタエリス
リトールとカーボネートとの反応に使用し得るも
のであり、即ち、例えば、アルカリ金属、殊にナ
トリウムおよびカリウム、並びにアルミニウム、
タリウムまたは鉛の、酸化物、水酸化物、アルコ
ラート、カルボキシレートおよび炭酸塩である。
より強い触媒は、ポリカーボネートの量に対し
て、例えば0.001乃至0.5重量％、好ましくは0.01
乃至0.1重量％の量だけ使用し得る。 もし、段階ｄ）で、反応を触媒の存在下で行な
うべき場合は、触媒の添加はプロセスの進行する
間の種々の時刻に行ない得る。もし、より強い方
の触媒を段階ａでペンタエリスリトールとカーボ
ネートとの反応に既に使用した場合は、これらの
触媒は全プロセスの間残存し得る。弱い触媒およ
びより強い触媒は、例えば、段階ｂ）の後、およ
び／または段階ｃ）の後に加えることができる。
もし、段階ｄ）で、反応を触媒の無い状態で行な
わせるべき時は、本方法の段階ｂ）を省くことは
できない。 段階ｅ）で捕集され、式（）のＲおよびR¹
が一緒になつて 式中、Ａは

【式】なる基または酸素を 表わす、 を表わす炭酸誘導体は、一般に、未だ完全に純粋
ではない。もし望ましければ、これらのものは例
えば再結晶または昇華によつて精製し得る。ジオ
キサン、ジエチルカーボネートまたはエチルアセ
テートは、例えば、スピロービス−（ジメチレン
カーボネート）の再結晶に好適であり、そしてエ
チルアセテートは、例えば、オキシエタン−３，
３−ジメチルカーボネートの再結晶に好適であ
る。 上記の如く、本方法の段階ｄ）は、式（）ま
たは（）に相当する２種の化合物のうちの実質
的に一方だけが各々の場合に得られるような方法
で行なわせることができる。しかし、もし段階
ｄ）の記述の中で与えた触媒およびパラメータ
が、最適には維持或いは選択されていなければ、
式（）および（）に相当する化合物の混合物
もまた段階ｅ）で捕集され得る。そのような混合
物は、オキシエタン−３，３−ジメチレンカーボ
ネート（式（）参照）がメチレンクロリドに容
易に溶け、スピロービス−（ジメチレンカーボネ
ート）（式（）参照）がメチレンクロリドに実
質的に不溶性であるので、簡単な方法で分離し得
る。 式（）の、Ｒ＝ 式中、R¹およびR²は互いに独立にメチルまた
はエチルである、 である新規な炭酸誘導体の製造においては、本方
法は好ましくは下記の如く行なう；下記式（XII） 式中、R⁸およびR⁹は同種のものまたは異種の
ものとすることができ、そしてメチルまたはエチ
ル基を表わす、 のジトリメチロールアルカンを、 ａ） ホスゲン、クロロカーボネート、ジアルキ
ルカーボネートおよびジアリールカーボネート
から成る群から選ばれた炭酸誘導体とを反応さ
せて可溶性の前駆体を生成させ、 ｂ） もし、段階ａ）で、反応が塩基性化合物の
存在下で行なわれた時は、これらの塩基性化合
物を除去し、 ｃ） 可溶性前駆体から、触媒の無い状態或いは
弱いエステル交換触媒の存在下で、好ましくは
150乃至240℃の範囲の温度好ましくは0.001乃
至10mbarの範囲の圧力のもとで加熱すること
によつて架橋ポリカーボネートを製造し、そし
て ｄ） 架橋ポリカーボネートを好ましくは240乃
至320℃の温度および好ましくは0.001乃至
2mbarの範囲の圧力で解重合させ、そして、通
過する式（）のＲ＝ であつてR¹およびR²が互いに独立にメチルま
たはエチルである二環式エーテルカーボネート
を、冷却した受器の中に捕集する。 ジ−トリメチロールアルカン類、例えばジ−
（トリメチロールエタン）（式XII、R⁸およびR⁹＝
メチル）またはジー（トリメチロールプロパン）
（式XII、R⁸およびR⁹＝エチル）は、本発明に従う
方法で使用すべきものであるが、トリメチロール
アルカン類の大規模な工業的製造において製造さ
れる副生成物である。 本発明に従う方法の段階ａ）で行なわせるべき
上記の炭酸誘導体のうちの１つのものとの反応
は、原理的に、ホスゲン、クロロカーボネート、
ジアルキルカーボネートまたはジアリールカーボ
ネートを用いて行なわせることができる。生態学
的理由で、ジアルキルカーボネートまたはジアリ
ールカーボネートを用いる反応が好ましく、この
理由で、実質的にこの手順を以下に記載する。本
分野に熟達した人ならば、ホスゲンまたはクロロ
カーボネートを用いて相当する反応を行なわせる
際し何の困難も経験するまい。 段階ａ）の必須な点は、反応が可溶性の生成物
を導き、不溶性の強く架橋したポリマーを導かな
いという点である。このことは、例えば、大過剰
のジアルキルカーボネートまたはジアリールカー
ボネート、例えば式（XII）の化合物１モルあたり
４乃至10モルのカーボネートを使用することによ
つて達成することができる。 カーボネートとの反応は、好ましくは、反応の
速度を高めるため、エステル交換触媒の存在下で
行なわせる。次のものをそのようなエステル交換
触媒の例として挙げることができる：アルカリ金
属、殊にナトリウムおよび／またはカリウム、並
びにアルミニウム、タリウムまたは鉛の酸化物、
水酸化物、アルコラート、カルボキシレートおよ
び炭酸塩であり、これらのものは、例えば、式
（XII）の化合物１モルあたり0.2乃至４ｇの量だけ
使用し得る。 カーボネートおよび式（XII）の化合物の間の反
応は、例えば、成分を混合し、１種またはそれ以
上のエステル交換触媒を加え、この混合物を例え
ば120乃至140℃の範囲の温度まで加熱し、そして
生成するアルコールを、もし適当なら減圧下で、
そしてもし適当ならばカラム上で留去させる方法
で行ない得る。ジエチルカーボネートをカーボネ
ートとして使用する時は、反応混合物を、例え
ば、130℃までの温度で還流下で煮沸することが
でき、そして生成するエチルアルコールはカラム
上で約78乃至80℃で分離し去ることができる。 もし、カーボネートのかわりに、反応をホスゲ
ンまたはクロロカーボネート類、例えばフエニル
クロロカーボネートを用いて行なわせる場合は、
反応は、好ましくは、溶剤、例えばエチルアセテ
ート、および酸結合剤、例えばジメチルアニリン
の存在下で、例えば20乃至80℃の温度で行なわせ
る。この場合、反応が終了した後、溶媒および酸
結合剤から生成された塩は、例えば水で洗浄し溶
媒を減圧下で取り去ることによつて除去せねばな
らない。 もし段階ａ）で塩基性化合物を例えばエステル
交換触媒として或いは酸結合剤として使用した場
合は、これらの化合物は段階ｂ）で除去しなけれ
ばならない。塩基性化合物の除去は種々の方法で
行なわせることができる。手順は、好ましくは、
この場合もまた、式（）のＲ＝−CH₂OH且つ
R¹＝C₁乃至C₄−アルキルである炭酸誘導体の製
造の際に記載した如くに行なう。 一般に、出来るだけ完全に、段階ｃ）を実行す
る前に、塩基性化合物の除去に使用した助剤（例
えば水、酸、溶媒および／またはイオン交換体）
を除去するのが有利である。イオン交換体は、例
えば過によつて或いは好適なカラムを使用する
ことによつて除去することができ、溶媒は、例え
ば減圧下で取り去ることによつて除去し得る。 段階ｃ）では、前駆体を好ましくは150乃至240
℃まで好ましくは0.001乃至10mbarの範囲の圧力
のもとで加熱することによつて塩基性化合物を無
くした可溶性前駆体から、架橋ポリカーボネート
を次に製造する。この段階で、依然として存在す
る物質あるいは生成されつつある物質で式（）
のＲ＝ で且つR¹およびR²が互いに独立にメチルまたは
エチルである化合物よりも更に容易に揮発し得る
物質、例えばジエチルカーボネートが留去し得
る。段階ｃ）が実行された後、生成された架橋ポ
リカーボネートが残渣として残る。 本発明に従う方法の段階ｃ）は、触媒の無い状
態で、或いは弱いエステル交換触媒の存在下で行
なわれる。弱いエステル交換触媒の例はスズ
（）ジオクトエート、スズ（）ジラウレート、
ジブチルスズジラウレート、スズ（）ジアセテ
ート、チタンテトラブチレート、チタンテトライ
ソオクチレートまたはチタンテトラドデシレート
の如き、２価もしくは４価のスズまたは４価のチ
タンの有機化合物である。そのような弱いエステ
ル交換触媒は、ポリカーボネートの量に対して例
えば0.001乃至0.5重量％、好ましくは0.01乃至0.1
重量％の量だけ使用し得る。触媒の無い場合の手
順と比較して、弱いエステル交換触媒を添加する
と、より高い収率のジカーボネートを得ることが
できるという利点がある。 段階ｄ）では架橋ポリカーボネートを好ましく
は240乃至320℃で、殊に好ましくは250乃至280℃
の範囲の温度で、好ましくは0.001乃至2mbar、
殊に好ましくは0.05乃至0.2mbarの範囲の圧力の
もとで解重合させる。この階段で、式（）に相
当するＲ＝ で且つR¹およびR²が互いに独立にメチルまたは
エチルである化合物が留去或いは昇華する。所与
の温度および圧力の限界内で、これらの条件は、
その条件下では式（）に相当するＲ＝ で且つR¹およびR²が互いに独立にメチルまたは
エチルである化合物が留去するように選ぶのが好
ましい。これらの化合物は、所与の条件下で窒
素、二酸化炭素または貴ガスの如き不活性ガス
を、解重合の起る容器の中を通過させることによ
つて、経過させ或いは更に容易に経過するように
することもできる。 段階ｄ）で経過してくる化合物は、冷却した受
器の中で捕集し得る。これらの化合物は、次に、
一般に、結晶化する塊として製造される。望まし
ければ、これらの化合物は、例えば再結晶または
繰り返し行なう蒸粒によつて更に精製し得る。ト
ルエンは再結晶用の好適な溶媒の１つの例であ
る。 式（）のＲ＝ でありR¹およびR³は各々C₁乃至C₄−アルキルで
ある新規な炭酸誘導体の製造は、好ましくは、式
（）のＲ＝−CH₂OHで且つR¹＝C₁乃至C₄−ア
ルキルである新規な炭酸誘導体の製造に関して上
に記載した如く行ない、続いて生ずる生成物とホ
スゲンとの塩基性化合物、例えばピラジンの存在
下での反応を行なうことによつて実行される。 下記式（） 式中、R¹⁰およびR¹¹は同種のものまたは異種
のものとすることができ、C₁乃至C₄−アルキル
またはフエニルを表わすか、或いは 式中、R¹⁰およびR¹¹は共に CH₂ ‐− CH₂ ‐ または CH₂ ‐− CH ‐−CH₃なる基を表わす、 で表わされるカーボネートは、好ましくは、本発
明に従う、ホスゲン、クロロカーボネート、ジア
ルキルカーボネートおよびジアリールカーボネー
トから成る群から選ばれた炭酸誘導体を用いて式
（）のポリオールの反応に使用される。生態学
的理由で、ジエチルカーボネートを使用するが殊
に好ましい（式（）、R¹⁰およびR¹¹がエチ
ル）。 J.A.O.S.79、3455（1957）によれば、トリメチ
ロールプロパンのカーボネートは脱カルボキシル
化およびヒドロキシメチルオキシエタンの生成を
伴つて180乃至200℃で既に分解するので、本発明
に従つて式（）の環状カーボネートを製造し単
離するのが可能であるということは極めて驚くべ
きことである。 本発明の方法で製造される化合物、すなわち、
下記式（） 式中、Ｒは−CH₂OHを意味し、この時はR¹は
１乃至４個の炭素原子を有するアルキル基を表わ
し、或いはＲは を意味し、この時はR¹およびR²は互いに独立に
メチルまたはエチルを表わし、或いはＲは を意味し、この時はR¹およびR³は各々１乃至４
個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、或い
は、 式中、ＲおよびR¹は一緒になつて を意味し、ここにＡは

【式】なる基また は酸素を表わす、 で表わされる環状炭酸誘導体は、ポリカーボネー
トの製造の共重合成分として使用することができ
る。 例えば、融かすことのできない不溶性の透明な
ポリマーが、式（）の化合物から、もしこれを
他の有機カーボネート、例えばネオペンチルグリ
コールカーボネートと共に、高められた温度で塩
基性触媒を用いて重合させると得られる。 この反応はそれ自体は公知である方法で行ない
得る。即ち、最初に、重合によつて、即ち泡を形
成する物質や環境を汚染する物質を排出すること
なく、熱硬化性のポリカーボネート（デユーロマ
ー）を製造することが可能である。不飽和ポリエ
ステルおよびスチレンに基づく公知のデユーロマ
ーと対照的に、このデユーロマーは驚くほど高い
切欠衝撃強度を有し、従つて、一般に、これらの
ものはガラス繊維で強化する必要がない。 実施例 １ トリメチロールプロパン268ｇ（２モル）、ジエ
チルカーボネート236ｇ（２モル）および炭酸カ
リウム１ｇを、1mの充填カラム中で、内部温度
が130℃に上昇してしまうまで頂部経由で78℃で
エタノールを留去させながら、還流下で攪拌しな
がら加熱し、そしてエタノール86ｇを分離し去つ
た。圧力を30mbarまで従々に下げることによつ
て、残る量のエタノールを留去させ、全体で164
ｇ（＝４モル）とした。室温では殆ど流動しない
樹脂である反応生成物を700mlのメチレンクロリ
ド／ジオキサン（１：１）の中に溶かし、イオン
交換体、即ちスルホン化された架橋ポリスチレン
のビーズポリマーの上に走らせた。溶媒を減圧下
で除去し312ｇの残渣を得た。155℃まで加熱され
た滴下漏斗を用いて、粗製生成物を、220℃まで
予備加熱された攪拌されたフラスコから、170℃
で0.02mbarの圧力のもとで100分費して蒸留し
た。メタノール／ドライアイスで冷却させたコー
ルドトラツプおよび液体窒素で冷却させたコール
ドトラツプをこの目的に使用した。室温で結晶化
する無色の蒸留液292ｇ（理論の91％）が得られ
た。融点は31乃至32℃であつた。ジエチルエーテ
ルから再結晶の後は、融点は40乃至41℃であつ
た。 元素分析： C₇H₁₂O₄（160.1） Ｃ計算：52.51 実測：52.68 Ｈ計算： 7.56 実測： 7.41 Ｏ計算：39.98 実測：39.67 生成物はトリメチロールプロパンモノカーボネ
ート（式参照）であり、これはフエニルイソシ
アネートとの反応により融点112℃（トルエンか
ら）のフエニルウレタンを形成した。 実施例 ２ 実施例１に従つて得られた、ピリジン50ｇ中の
トリメチロールプロパンモノカーボネート32ｇ
（0.2モル）の溶液の中へホスゲン10.5ｇ（0.106モ
ル）を室温で通み、混合物を60℃に１時間保持し
た。次にこの混合物をメチレンクロリドで希釈
し、2Nの塩酸を振とうすることによつて過剰の
ピリジンを抽出し、残る溶液を硫酸ナトリウム上
で乾燥させそして溶液を減圧下で除去した。融点
248乃至254℃の残渣30.2ｇが得られた（エチルア
セテートから再結晶）。この化合物は、次の式
（） で表わされるジ−（トリメチロールプロパンカー
ボネート）カーボネートである。 元素分析： C₁₅H₂₂O₉（346.3） Ｃ計算：52.02 実測：52.31 Ｈ計算： 6.41 実測： 6.28 Ｏ計算：41.58 実測：41.30 実施例 ３ ネオペンチルグリコールカーボネート９ｇ、実
施例２に従つて得られたジ−（トリメチロールプ
ロパンカーボネート）カーボネート１ｇ、および
粉砕炭酸カリウム0.1ｇを130℃まで加熱した。温
度の上昇とともに重合が起り、融かすことができ
ず溶媒に不溶性で且つ大きなかたさ、レジリエン
スおよび強度を有する不透明な反応生成物が得ら
れた。 実施例 ４ トリメチロールエタン240ｇ（２モル）、ジエチ
ルカーボネート260ｇ（2.2モル）およびナトリウ
ムメチラート１ｇを、攪拌しながら、実施例１と
同じ方法で、1mの充填カラムの中で反応させた。
２時間45分後、エタノール185ｇが分離し去られ
た。残りの粘稠性の樹脂をメチレンクロリド600
mlに溶かし、溶液をイオン交換体、即ちスルホン
化された架橋ポリスチレンの上に走らせた。溶液
は減圧下で除去し、残渣286ｇが得られた。この
残渣40ｇを、攪拌しながら、内部温度210℃およ
び経過温度160乃至180℃で、クライゼンフラスコ
から蒸留した。融点93乃至94℃の結晶化された蒸
留液32ｇが得られた（エーテルから再結晶）。こ
の化合物はトリメチロールエタンモノカーボネー
ト（式参照）であつた。 元素分析： C₆H₁₀O₄（146.1） Ｃ計算：49.32 実測：49.28 Ｈ計算： 6.90 実測： 6.98 Ｏ計算：43.81 実測：43.62 実施例 ５ ペンタエリスリトール136ｇ（１モル）、ジエチ
ルカーボネート708ｇ（６モル）、炭酸タリウム
100mgおよびナフテン酸鉛200mgを、90cmの充填カ
ラムの中で、エチルアルコールをカラムの頂部か
ら78乃至80℃で取り去りながら、還流下で加熱し
た（126〜128℃）。反応時間14時間後、計算量の
エチルアルコールが分離し去られた（184ｇ＝４
モル）。僅かに雲つた無色の液体（628ｇ）である
残渣物70ｇを、昇華装置の一部である広口フラス
コの中で、過剰のジエチルカーボネート（48ｇ）
を分離し去るために、20mbarの圧力のもとで３
時間かけて200℃まで加熱した。残つた粘稠性の
樹脂（25ｇ）を次に0.03乃至0.05mbarの圧力下で
200乃至230℃の昇華温度に保つた。1.5時間後毎
に、昇華生成物をかき取つた。10時間の間に、融
点110乃至122℃の昇華生成物11ｇが得られた。エ
チルアセテートからの再結晶の後、融点135乃至
136℃の無色の結晶８ｇが得られた。この化合物
は下記式（） で表わされるオキシエタン−３，３−ジメチレン
カーボネートであつた。 元素分析： C₆H₈O₄（144.1） Ｃ計算：50.00 実測：49.78 Ｈ計算： 5.99 実測： 5.49 Ｏ計算：44.40 実測：44.63 ¹H−NMRスペクトルは、標準として用いた
TMS（δ＝0ppm）に対して測定し、4.65ppmに
唯一つの信号を示した。 ¹³C−NMR分析では４種の異なる型の炭素原
子が示された。 IRスペクトルでは、1740cm−¹のCOパンドおよ
びオキシエタン環の980cm−¹のバンドが特徴であ
る。 この物質はエーテル性塩酸と熱を出しながら反
応する。 実施例 ６ ペンタエリスリトール340ｇ（2.5モル）、ジエ
チルカーボネート1770ｇ（15モル）および炭酸タ
リウム2.5ｇを、1mの充填カラム中で、エタノー
ルをカラムの頂部から78乃至80℃で取り去りなが
ら、還流下で加熱した。４時間後、蒸留液475ｇ
が分離し去られた。反応生成物をメチレンクロリ
ドで吸収し、そして2N塩酸10ml、および水200ml
と２回振とうすることによつて、触媒を除去する
ために抽出を行なつた。溶液を硫酸ナトリウム上
で乾かした後、このものを濃縮して、減圧下150
℃／14mbarで過剰のジエチルカーボネートを無
くした。残渣物は819ｇであつた。スズジラウレ
ート50mgを梨型フラスコ中でこの残渣物150ｇに
加え、そしてこの混和物を、架橋ポリ縮合体が生
成するまで、1mbarの圧力のもとで１時間かけて
210乃至240℃の浴温からロータリ−エバポレータ
ー中で加熱した。結晶性の物質42ｇが、昇華装置
の一部である梨型フラスコから220乃至250℃およ
び0.03mbarで12時間の間に昇華された；この物
質は下記式（） で表わされるスピロービス−（ジメチレンカーボ
ネート）であつた。この物質の融点は222乃至228
℃であつた（気体の発生）。この物質はメチレン
クロリドには実質的に不溶であることが判明し、
ジオキサンまたはジエチルカーボネートから再結
晶し得る。 元素分析： C₇H₈O₆（118.1） Ｃ計算：44.69 実測：44.31 Ｈ計算： 4.28 実測： 4.38 Ｏ計算：51.03 実測：50.91 ¹H−NMRスペクトルは4.65ppmの唯一つの信
号を示し、そしてIRスペクトルは1741cm^-1にCO
バンドを示した。 オキシエタンに典型的な980cm^-1のバンドは消
失している。エーテル性塩酸とは熱の発生は全く
起らない。 実施例 ７ ネオペンチルグリコールカーボネート９ｇ、ス
ピロービス−（ジメチレンカーボネート）（実施例
６に従つて入手）１ｇおよび粉砕炭酸カリウム
0.01ｇを130℃まで加熱した。温度が150℃まで急
激に上昇して重合が起り、触かすことができず溶
媒に不溶性である透明なポリマーを与えた。この
ポリマーは大きな硬度、高い切欠衝撃強度および
レジリエンスが特徴である。 実施例 ８ 微粉砕ペンタエリスリトール34ｇ（0.25モル）、
乾燥エチルアセテート200mlおよびジメチルアニ
リン60.5ｇ（0.5モル）の懸濁液の中へ、攪拌し
ながら、フエニルクロロカーボネート78.3ｇ
（0.5モル）を滴り走らせ、そしてこの混合物を60
℃まで1/2時間加熱した。この混合物が冷却した
後、このものを水と振とうすることによつて２回
抽出し、有機相を硫酸ナトリウム上で乾かし、そ
して溶媒を減圧下で除去した。残渣物（65ｇ）は
実質的にペンタエリスリトールビスフエニルカー
ボネートから成つた。このものを、フエノールが
完全に分離し去られるまで（31ｇ）、17mbarで
150乃至200℃に加熱した。残渣物10ｇを昇華装置
の中で0.02mbarで230℃まで加熱した。融点220
乃至230℃（気体の発生）の結晶１ｇが得られ
た；これらの結晶はスピロービス−（ジメチレン
カーボネート）（式参照）であつた。 実施例 ９ ペンタエリスリトール134ｇ（１モル）、ジエチ
ルカーボネート710ｇ（６モル）、炭酸タリウム
100mgおよびナフテン酸鉛200mgを、１ｍの充填カ
ラムの中で、エタノールを頂部から78乃至80℃留
去させながら、還流下で加熱した（125〜130℃）。
18.5時間後、エタノール183ｇが通過した。残渣
物（640ｇ）を市販の酸活性さらし粉20ｇと共に
100℃で１時間攪拌した。固体成分を圧力フイル
ターを用いて分離し去り、そして液を20mbar
の圧力のもとで内部温度150℃まで加熱し、それ
によつて過剰のジエチルカーボネート（326ｇ）
を無くした。残渣物を190乃至192℃で0.07mbar
において高真空中で蒸発させることにより無色の
粘稠性の液体255ｇを得た。この液体をトルエン
に溶かし、溶液を冷却した時に融点91乃至92℃の
結晶86ｇが沈殿された。この化合物はペンタエリ
スリトールモノカーボネートビス−エチルカーボ
ネート（式（）参照）であつた。濃縮された
母液をメタノールでつき砕き、そして融点55乃至
57℃の結晶153ｇを得た。この化合物はペンタエ
リスリトールテトラキスーエチルカーボネートで
あつた。（式参照）。 二環式ペンタエリスリトールカーボネートは、
これら２種のペンタエリスリトールの誘導体か
ら、減圧下での昇華によつて下記の如く製造され
た： ａ） ペンタエリスリトールモノカーボネートビ
ス−エチルカーボネート（）２ｇをジブチ
ルスズジラウレート２mgと共に220℃まで加熱
した。約７ｇのジエチルカーボネートが受器の
中へ蒸留した。残留物は架橋された。このもの
を昇華装置の中で0.03mbarで220乃至260℃ま
で加熱した。融点210乃至230℃（気体の発生）
の結晶0.63ｇが昇華生成物から得られた。この
化合物はスピロービス−（ジメチレンカーボネ
ート）であつた。（式参照）。 ｂ） ペンタエリスリトールテトラキス−エチル
カーボネート（）４ｇをスズジラウレート
２mgと共に180乃至220℃まで加熱した。ジエチ
ルカーボネート２ｇが受器の中に集まつた。架
橋された残渣物を昇華装置の中で0.02mbarで
220乃至250℃まで加熱した。結晶性昇華生成物
をエチルアセテートから再結晶させた。融点
220乃至230℃（気体の発生）の結晶0.8ｇが得
られた。この化合物はスピロービス−（ジメチ
レンカーボネート）であつた（式参照）。 実施例 10 触媒の除去後に実施例６に従つて得られた粗製
生成物20ｇを、メタノール中に溶かされた水酸化
ナトリウム10mgと混合し、そしてこの混合物を
20mbarで200℃まで加熱し、1.3ｇのジエチルカ
ーボネートを経過させた。220乃至240℃および
0.05mbarで加熱を継続し、150乃至180℃で通過
してくる、主として固化して結晶となる蒸留液が
得られる。（4.5ｇ）。エチルアセテートからの再
結晶後、融点は128乃至130℃であつた。化合物は
オキシエタンー３，３−ジメチレンカーボネート
であつた（式参照）。 実施例 11 ジ−（トリメチロールプロパン）125ｇ（0.5モ
ル）、ジエチルカーボネート295ｇ（2.5モル）お
よび粉砕炭酸カリウム0.5ｇを、１ｍの充填カラ
ムの中で、エタノールを頂部から78℃で留去させ
ながら還流下で加熱した。2.5時間後、エタノー
ル90ｇが分離し去られた。底の温度はこの方法で
は130℃を超えなかつた。反応生成物をメチレン
クロリド600ml中に吸収し、そしてこうして得ら
れた溶液を、スルホン化された架橋ポリスチレン
から成るイオン交換体200ｇを充填した管に導入
した。90℃までの温度および15mbarにおいて溶
液を濃縮した後、残留物211ｇが得られた。 攪拌しながらスズジラウレート100mgを加えた
後、この残留物86ｇを１時間かけて0.01mbarで
160から230℃へ加熱した。然る後僅かにして存在
する高架橋ポリカーボネートを0.01mbarで260乃
至290℃の温度とすると、間の期間内にポリカー
ボネートが再び液体となり、一方、冷たい時には
結晶化する粘稠性の蒸留液60ｇが250乃至265℃で
経過した。ドライアイスを装荷した。蒸留液の捕
集容器の下流に位置するコールドトラツプ内に24
ｇのジエチルカーボネートが捕集され、そして液
体窒素で冷却された更に今一つのコールドラツプ
内に１ｇの二酸化炭素が捕集された。得られた蒸
留液をトルエン250mlから再結晶させた。化合物
は式（）のジ−（トリメチロールプロパン）ジ
カーボネートであり、理論の79％に相当する収量
49ｇで得られた。再結晶後、融点は102乃至103℃
であつた。 元素分析： C₁₄C₂₂O₇（302.3） Ｃ計算：55.62 実測：55.33 Ｈ計算： 7.34 実測： 7.51 Ｏ計算：37.50 実測：37.30 実施例 12 ネオペンチルグリコールカーボネート９ｇ、ジ
−（トリメチロールプロパン）ジカーボネート１
ｇ（実施例11に従つて入手）および炭酸カリウム
0.1ｇを130℃まで加熱した。温度の上昇を伴つて
重合が起り、融かすことができず、溶媒に不溶性
で、且つ高い粘度および大きな硬度およびレジリ
アンスを有する透明なポリマーが得られた。 実施例 13 イオン交換体による処理および溶液の濃縮まで
を含めて、実施例11の如く手順を実行した。こう
して得られた残留物90ｇを、触媒を加えないで
180乃至220℃に1.5時間加熱した。この過程の間
に26ｇのジエチルカーボネートがドライアイスを
装荷した受器の中に集まつた。実際の反応生成物
は、0.01mbarのもとで内部温度250乃至295℃お
よび蒸留温度260乃至280℃で留去させた。結晶化
する塊62ｇが得られ、トルエンから再結晶させる
と、この時に融点100乃至102℃の結晶48ｇが製造
された。収率は理論の74％である。実施例11と同
じ化合物が得られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記式 （式中、Ｒは−CH₂OHを意味し、この時はR¹は
   １乃至４個の炭素原子を有するアルキル基を表わ
   し、或いはＲは を意味し、この時はR¹およびR²は互いに独立に
   メチルまたはエチルを表わし、或いは Ｒは を意味し、この時はR¹およびR³は各々１乃至４
   個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、或い
   は、 式中、ＲおよびR¹は一緒になつて を意味し、ここにＡは【式】なる基を表 わす） で表わされる環状炭酸誘導体の製造法にして、下
   記式 （式中、R⁴は−CH₂OHを意味し、この時はR⁵は
   １乃至４個の炭素原子を有するアルキル基を表わ
   すかまたは−CH₂OHを表わし、或いはR⁴は を意味し、この時はR⁵およびR⁶は互いに独立に
   メチルまたはエチルを表わす） で表わされるポリオールを、ホスゲン、クロロカ
   ーボネート類、ジアルキルカーボネート類および
   ジアリ−ルカーボネート類から成る群から選ばれ
   た炭酸誘導体と触媒の存在下に反応させて可溶性
   のポリカーボネートを生成させ、該触媒は、R⁴
   が−CH₂OHを表わしR⁵が１乃至４個の炭素原子
   を有するアルキルを表わす場合またはR⁴が なる基を表わす場合は強塩基性化合物であつて可
   溶性ポリカーボネートを与える反応の後に除去さ
   れ、そしてR⁴が−CH₂OHを表わしR⁵が−
   CH₂OHを表わす場合は弱塩基性化合物であつて
   可溶性ポリカーボネートを与える反応の後に除去
   され、次いでこの可溶性ポリカーボネートを高温
   および減圧下で解重合させ、そしてこの方法で生
   成された環状炭酸誘導体を分離し去ることを特徴
   とする上記の方法。 ２ 下記式 （式中、Ｒは を意味し、この時はR¹およびR²は互いに独立に
   メチルまたはエチルを表わす） で表わされる環状炭酸誘導体の製造法にして、下
   記式 （式中、R⁴は を意味し、この時はR⁵およびR⁶は互いに独立に
   メチルまたはエチルを表わす） で表わされるポリオールを、ホスゲン、クロロカ
   ーボネート類、ジアルキルカーボネート類および
   ジアリールカーボネート類から成る群から選ばれ
   た炭酸誘導体と強塩基性触媒の存在下に反応させ
   て可溶性のポリカーボネートを生成させ、触媒を
   除去し、この可溶性ポリカーボネートを弱塩基性
   触媒の存在下に高温および減圧のもとで架橋不溶
   性ポリカーボネートに転換し、次いでこれを高温
   および減圧下で解重合させ、そしてこの方法で生
   成された環状炭酸誘導体を分離し去ることを特徴
   とする上記の方法。 ３ Ｒが−CH₂OHを表わしR¹がC₁乃至C₄−アル
   キルを表わす環状炭酸誘導体を、下記式 （式中、R⁷＝C₁乃至C₄−アルキル） で表わされるトリメチロールアルカンおよび等モ
   ル量のホスゲン、クロロカーボネート類、ジアル
   キルカーボネート類およびジアリールカーボネー
   ト類から成る群から選ばれた炭酸誘導体から、強
   塩基性触煤を加えて可溶性ポリカーボネートを製
   造し、使用済触媒、その副生成物および／または
   他の余分な化合物を除去し、こうして前処理され
   た可溶性ポリカーボネートを解重合に十分な温度
   にまで加熱し、そしてこの方法で生成された環状
   炭酸誘導体を分離し去ることから成る手順によつ
   て製造すること特徴とする、特許請求の範囲第１
   項記載の方法。 ４ 可溶性ポリカーボネートを、150乃至240℃の
   範囲の温度まで0.001乃至10mbarの範囲の圧力の
   もとで加熱することによつて架橋ポリカーボネー
   トを製造し、そして架橋ポリカーボネートを240
   乃至320℃の温度および0.001乃至2mbarの範囲の
   圧力で解重合させ、そして通過してくる二環式エ
   ーテルカーボネートを、冷却した受器の中に捕集
   することから成る手順によつて製造することを特
   徴とする、特許請求の範囲第２項記載の方法。 ５ 下記式 （式中、Ｒは を意味し、この時はR¹およびR³は各々１乃至４
   個の炭素原子を有するアルキル基を表わす） で表わされる環状炭酸誘導体の製造法にして、下
   記式 （式中、R⁷＝C₁乃至C₄−アルキル） で表わされるトリメチロールアルカンおよび等モ
   ル量のホスゲン、クロロカーボネート類、ジアル
   キルカーボネート類およびジアリールカーボネー
   ト類から成る群から選ばれた炭酸誘導体から、強
   塩基性触媒を加えて可溶性ポリカーボネートを製
   造し、使用済触媒、その副生成物および／または
   他の余分な化合物を除去し、こうして前処理され
   た可溶性ポリカーボネートを解重合に十分な温度
   にまで加熱し、ついで生成する生成物を塩基性化
   合物の存在下でホスゲンと反応させることを特徴
   とする上記の方法。