JPH08295646A - ビス（ヒドロキシエトキシフェニル）化合物の製造方法 - Google Patents
ビス（ヒドロキシエトキシフェニル）化合物の製造方法Info
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- JPH08295646A JPH08295646A JP7102215A JP10221595A JPH08295646A JP H08295646 A JPH08295646 A JP H08295646A JP 7102215 A JP7102215 A JP 7102215A JP 10221595 A JP10221595 A JP 10221595A JP H08295646 A JPH08295646 A JP H08295646A
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- carbon atoms
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- ethylene carbonate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Furan Compounds (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 反応容易かつ安全で、高純度のビスフェノー
ル化合物を高収率で製造する方法を提供する。 【構成】 カルド型の４級炭素を有する一般式１のビス
フェノール化合物（Ａ）とエチレンカーボネート（Ｂ）
とをＡとＢのモル比が１／２〜１／５となる割合で、触
媒の存在下加熱反応せしめた後、エチレンカーボネート
を反応系外から留去せしめ、ついで再結晶する。 〔Ｒ１、Ｒ２は独立に水素、ハロゲン、Ｃ１〜６の炭化
水素基またはＣ１〜６の炭化水素オキシ基であり、Ｚは （Ｒ３〜Ｒ７、Ｒ１０は独立に水素、ハロゲン、Ｃ１〜
６の炭化水素基またはＣ１〜６の炭化水素オキシ基であ
り、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１は独立に水素、ハロゲンまたは
Ｃ１〜６の炭化水素基である。）から選ばれる１種以上
の２価の置換基である。〕
ル化合物を高収率で製造する方法を提供する。 【構成】 カルド型の４級炭素を有する一般式１のビス
フェノール化合物（Ａ）とエチレンカーボネート（Ｂ）
とをＡとＢのモル比が１／２〜１／５となる割合で、触
媒の存在下加熱反応せしめた後、エチレンカーボネート
を反応系外から留去せしめ、ついで再結晶する。 〔Ｒ１、Ｒ２は独立に水素、ハロゲン、Ｃ１〜６の炭化
水素基またはＣ１〜６の炭化水素オキシ基であり、Ｚは （Ｒ３〜Ｒ７、Ｒ１０は独立に水素、ハロゲン、Ｃ１〜
６の炭化水素基またはＣ１〜６の炭化水素オキシ基であ
り、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１は独立に水素、ハロゲンまたは
Ｃ１〜６の炭化水素基である。）から選ばれる１種以上
の２価の置換基である。〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビス（ヒドロキシエトキ
シフェニル）化合物の製造方法に関し、さらに詳しくは
カルド型の４級炭素を有するビスフェノール類のヒドロ
キシエトキシ化物の製造方法に関する。
シフェニル）化合物の製造方法に関し、さらに詳しくは
カルド型の４級炭素を有するビスフェノール類のヒドロ
キシエトキシ化物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にビス（ヒドロキシエトキシフェニ
ル）化合物の製造法としてはエチレンオキシドを用いる
方法が広く知られている。しかしながらエチレンオキシ
ドが常温で気体であるため、合成時にオートクレーブ等
の加圧反応装置が必要である。
ル）化合物の製造法としてはエチレンオキシドを用いる
方法が広く知られている。しかしながらエチレンオキシ
ドが常温で気体であるため、合成時にオートクレーブ等
の加圧反応装置が必要である。
【０００３】一方、Izv. Akad. Nauk. Gruz. SSR. Khi
m. （１９８５），１１（１），ｐ７８〜７９において
はエチレンオキシドを常圧で反応させる製造法が報告さ
れている。
m. （１９８５），１１（１），ｐ７８〜７９において
はエチレンオキシドを常圧で反応させる製造法が報告さ
れている。
【０００４】しかしながら、これらのエチレンオキシド
を用いる製造法については、エチレンオキシドの毒性や
引火性、爆発性等のため扱いが困難であるといった問題
点がある。又、ポリエチレンオキシドや未反応物等の副
生成物が生じ、かつ着色が激しいため、目的生成物の結
晶性が低い場合には、再結晶による精製が困難である。
を用いる製造法については、エチレンオキシドの毒性や
引火性、爆発性等のため扱いが困難であるといった問題
点がある。又、ポリエチレンオキシドや未反応物等の副
生成物が生じ、かつ着色が激しいため、目的生成物の結
晶性が低い場合には、再結晶による精製が困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、反応
および反応後の処理が容易で、かつ高純度の目的物を高
収率で製造できるビス（ヒドロキシエトキシフェニル）
化合物の新規な製造方法を提供することにある。
および反応後の処理が容易で、かつ高純度の目的物を高
収率で製造できるビス（ヒドロキシエトキシフェニル）
化合物の新規な製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、ビスフェノー
ル化合物にエチレンカーボネートを特定条件で溶融反応
及び後処理することにより上記目的を達成することを知
見し本発明に到達した。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、ビスフェノー
ル化合物にエチレンカーボネートを特定条件で溶融反応
及び後処理することにより上記目的を達成することを知
見し本発明に到達した。
【０００７】すなわち、本発明は、下記式（１）
【０００８】
【化３】
【０００９】［式（１）中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ
独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化
水素基または炭素数１〜６の炭化水素オキシ基である。
Ｚは実質的に下記各式
独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化
水素基または炭素数１〜６の炭化水素オキシ基である。
Ｚは実質的に下記各式
【００１０】
【化４】
【００１１】［上記式中、Ｒ3 〜Ｒ7 およびＲ10はそれ
ぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の
炭化水素基または炭素数１〜６の炭化水素オキシ基であ
り、Ｒ 8 、Ｒ9 およびＲ11はそれぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子または炭素数１〜６の炭化水素基であ
る。］で表される群から選ばれる少なくとも１種の２価
の置換基である。］で表されるカルド型の４級炭素を有
するビスフェノール化合物（Ａ）とエチレンカーボネー
ト（Ｂ）とを、ＡとＢのモル比が１／２〜１／５となる
割合で、触媒の存在下、実質的に無溶媒の条件下で加熱
反応せしめた後、過剰のエチレンカーボネートを反応系
から留去せしめ、ついで再結晶することを特徴とするビ
ス（ヒドロキシエトキシフェニル）化合物の製造方法に
よって達成される。
ぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の
炭化水素基または炭素数１〜６の炭化水素オキシ基であ
り、Ｒ 8 、Ｒ9 およびＲ11はそれぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子または炭素数１〜６の炭化水素基であ
る。］で表される群から選ばれる少なくとも１種の２価
の置換基である。］で表されるカルド型の４級炭素を有
するビスフェノール化合物（Ａ）とエチレンカーボネー
ト（Ｂ）とを、ＡとＢのモル比が１／２〜１／５となる
割合で、触媒の存在下、実質的に無溶媒の条件下で加熱
反応せしめた後、過剰のエチレンカーボネートを反応系
から留去せしめ、ついで再結晶することを特徴とするビ
ス（ヒドロキシエトキシフェニル）化合物の製造方法に
よって達成される。
【００１２】本発明に用いられるビスフェノール化合物
（Ａ）は、カルド型の４級炭素を有し、実質的に下記式
（１）で表される。
（Ａ）は、カルド型の４級炭素を有し、実質的に下記式
（１）で表される。
【００１３】
【化５】
【００１４】上記式（１）において、Ｒ1 およびＲ2 は
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６
の炭化水素基および炭素数１〜６の炭化水素オキシ基か
ら選ばれる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜６の
炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基
等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、フェニル基等が挙げられる。炭素数１〜６の炭化水
素オキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等のアル
コキシ基、シクロヘキシロキシ基等のシクロアルコキシ
基、フェノキシ基等が挙げられる。この中で水素原子が
好ましい。
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６
の炭化水素基および炭素数１〜６の炭化水素オキシ基か
ら選ばれる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜６の
炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基
等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、フェニル基等が挙げられる。炭素数１〜６の炭化水
素オキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等のアル
コキシ基、シクロヘキシロキシ基等のシクロアルコキシ
基、フェノキシ基等が挙げられる。この中で水素原子が
好ましい。
【００１５】Ｚは実質的に、下記各式で表される群から
選ばれる２価の置換基である。
選ばれる２価の置換基である。
【００１６】
【化６】
【００１７】上記式中Ｒ3 〜Ｒ7 およびＲ10はそれぞれ
独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化
水素基および炭素数１〜６の炭化水素オキシ基から選ば
れる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜６の炭化水
素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のア
ルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フ
ェニル基等が挙げられる。炭素数１〜６の炭化水素オキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基のアルコキシ
基、シクロヘキシロキシ基等のシクロアルコキシ基、フ
ェノキシ基等が挙げられる。この中で水素原子が好まし
い。
独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化
水素基および炭素数１〜６の炭化水素オキシ基から選ば
れる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜６の炭化水
素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のア
ルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フ
ェニル基等が挙げられる。炭素数１〜６の炭化水素オキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基のアルコキシ
基、シクロヘキシロキシ基等のシクロアルコキシ基、フ
ェノキシ基等が挙げられる。この中で水素原子が好まし
い。
【００１８】Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ11はそれぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子および炭素数１〜６の炭化水素
基から選ばれる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜
６の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアル
キル基、フェニル基等が挙げられる。この中で水素原子
が好ましい。
水素原子、ハロゲン原子および炭素数１〜６の炭化水素
基から選ばれる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜
６の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアル
キル基、フェニル基等が挙げられる。この中で水素原子
が好ましい。
【００１９】本発明においては、ビスフェノール化合物
（Ａ）とエチレンカーボネート（Ｂ）のモル比Ａ／Ｂが
１／２〜１／５となる割合で加熱反応させる。Ａ／Ｂが
１／２より大きい場合は未反応物が生じ、Ａ／Ｂが１／
５より小さい場合は副生成物物が生じやすくなるためで
ある。好ましい場合は、１／２〜１／３の範囲である。
（Ａ）とエチレンカーボネート（Ｂ）のモル比Ａ／Ｂが
１／２〜１／５となる割合で加熱反応させる。Ａ／Ｂが
１／２より大きい場合は未反応物が生じ、Ａ／Ｂが１／
５より小さい場合は副生成物物が生じやすくなるためで
ある。好ましい場合は、１／２〜１／３の範囲である。
【００２０】本発明においては、適当なエステル交換触
媒を用いる。このエステル交換触媒には一般に公知のも
のを用いることができるが、テトラブトキシチタン等の
チタン化合物、ジブチルすずジアセテート、ジブチルす
ずオキシド等のすず化合物、酸化ゲルマニウム等のゲル
マニウム化合物、三酸化アンチモン等のアンチモン化合
物、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウ
ム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化カ
リウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、アル
コキシナトリウム、フェノキシナトリウム等のアルカリ
触媒を例示することができる。かかる触媒の使用量とし
ては用いるビスフェノール化合物の０．００１〜１０重
量％であり、好ましくは０．０１〜１重量％である。
媒を用いる。このエステル交換触媒には一般に公知のも
のを用いることができるが、テトラブトキシチタン等の
チタン化合物、ジブチルすずジアセテート、ジブチルす
ずオキシド等のすず化合物、酸化ゲルマニウム等のゲル
マニウム化合物、三酸化アンチモン等のアンチモン化合
物、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウ
ム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化カ
リウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、アル
コキシナトリウム、フェノキシナトリウム等のアルカリ
触媒を例示することができる。かかる触媒の使用量とし
ては用いるビスフェノール化合物の０．００１〜１０重
量％であり、好ましくは０．０１〜１重量％である。
【００２１】本発明によれば上記（Ａ）、（Ｂ）および
触媒を実質的に無溶媒の条件下で加熱反応させる。この
ときの反応温度としては４０℃から３００℃が好まし
い。４０℃未満の場合エチレンカーボネートが溶融せ
ず、３００℃をこえると副生成物が増加するためであ
る。反応温度はより好ましくは１００℃から２５０℃で
ある。
触媒を実質的に無溶媒の条件下で加熱反応させる。この
ときの反応温度としては４０℃から３００℃が好まし
い。４０℃未満の場合エチレンカーボネートが溶融せ
ず、３００℃をこえると副生成物が増加するためであ
る。反応温度はより好ましくは１００℃から２５０℃で
ある。
【００２２】反応時間についてはビスフェノール化合物
の反応性、反応温度等より適宜選択することができる。
ただし、本発明においては、エチレンカーボネートと反
応させることによりビスフェノール化合物をヒドロキシ
エチルカーボネートとした後、脱炭酸反応によりヒドロ
キシエトキシ化しているため、炭酸ガスの発生がおさま
った時点を反応終了の目安とすることができる。
の反応性、反応温度等より適宜選択することができる。
ただし、本発明においては、エチレンカーボネートと反
応させることによりビスフェノール化合物をヒドロキシ
エチルカーボネートとした後、脱炭酸反応によりヒドロ
キシエトキシ化しているため、炭酸ガスの発生がおさま
った時点を反応終了の目安とすることができる。
【００２３】本発明においては、反応終了後反応系内に
残留する過剰のエチレンカーボネートをかかる反応系か
ら留去せしめることにより、高純度の目的物を高収率か
つ容易に得ることができることを見い出した。
残留する過剰のエチレンカーボネートをかかる反応系か
ら留去せしめることにより、高純度の目的物を高収率か
つ容易に得ることができることを見い出した。
【００２４】特開平３―２５５０４４号公報によれば、
エチレンカーボネートを用いてジヒドロキシベンゼンを
ヒドロキシエトキシ化する方法が記載されており、さら
に、後処理法として反応物に水を加えてスラリー化した
後濾過する方法が開示されている。しかし本発明の目的
化合物の場合にかかる方法を適用し、後処理として反応
物に水を加えると粘凋物となって、後の精製が困難にな
る。
エチレンカーボネートを用いてジヒドロキシベンゼンを
ヒドロキシエトキシ化する方法が記載されており、さら
に、後処理法として反応物に水を加えてスラリー化した
後濾過する方法が開示されている。しかし本発明の目的
化合物の場合にかかる方法を適用し、後処理として反応
物に水を加えると粘凋物となって、後の精製が困難にな
る。
【００２５】反応終了後、系内からのエチレンカーボネ
ートの留去方法は特に制限はないが、反応系を減圧下と
する方法が好ましい。これにより回収したエチレンカー
ボネートはそのまま再使用することもできるので望まし
い。
ートの留去方法は特に制限はないが、反応系を減圧下と
する方法が好ましい。これにより回収したエチレンカー
ボネートはそのまま再使用することもできるので望まし
い。
【００２６】エチレンカーボネートを留去し得られた粗
反応物をついで再結晶法により精製することにより、目
的とする高純度のビスフェノール類のヒドロキシエトキ
シ化物を得ることができる。再結晶溶媒としては特に制
限はないが、例えばメタノール、エタノール、イソプロ
パノール等のアルコール類、エーテル、ＴＨＦ等のエー
テル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
系溶媒等を挙げることができる。
反応物をついで再結晶法により精製することにより、目
的とする高純度のビスフェノール類のヒドロキシエトキ
シ化物を得ることができる。再結晶溶媒としては特に制
限はないが、例えばメタノール、エタノール、イソプロ
パノール等のアルコール類、エーテル、ＴＨＦ等のエー
テル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
系溶媒等を挙げることができる。
【００２７】再結晶の際、必要により活性炭等を用いる
ことも好ましい。また目的化合物の結晶性が低い場合に
は、予め合成した少量の該目的化合物をいわゆる種化合
物として過冷却状態の溶液に添加することも好ましく実
施できる。
ことも好ましい。また目的化合物の結晶性が低い場合に
は、予め合成した少量の該目的化合物をいわゆる種化合
物として過冷却状態の溶液に添加することも好ましく実
施できる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれは、反応および反応後の処
理が容易で、極めて安全にかつ安価に目的とする複雑な
構造を有するビスフェノール類のビス（ヒドロキシエト
キシ）化物を製造することができる。
理が容易で、極めて安全にかつ安価に目的とする複雑な
構造を有するビスフェノール類のビス（ヒドロキシエト
キシ）化物を製造することができる。
【００２９】また、カルド型の４級炭素を有する目的物
のビスフェノール化合物の如く、対称性が低く結晶化が
困難な生成物であっても反応による副生成物が少ないた
めエチレンカーボネートを系外へ除去することで再結晶
法による精製が容易となり、高純度の目的化合物を高収
率で製造することができ、その工業的意義は大きい。本
発明により製造したビスフェノール類のビス（ヒドロキ
シエトキシ）化物は、ポリエステル等の耐熱性ポリマ
ー、あるいは光学用ポリマーのジオールモノマー原料、
その他の合成原料、中間体として有用である。
のビスフェノール化合物の如く、対称性が低く結晶化が
困難な生成物であっても反応による副生成物が少ないた
めエチレンカーボネートを系外へ除去することで再結晶
法による精製が容易となり、高純度の目的化合物を高収
率で製造することができ、その工業的意義は大きい。本
発明により製造したビスフェノール類のビス（ヒドロキ
シエトキシ）化物は、ポリエステル等の耐熱性ポリマ
ー、あるいは光学用ポリマーのジオールモノマー原料、
その他の合成原料、中間体として有用である。
【００３０】
【実施例】以下実施例により本発明を詳述するが、本発
明はこれにより限定されるものではない。実施例中、
「部」は「重量部」を意味する。
明はこれにより限定されるものではない。実施例中、
「部」は「重量部」を意味する。
【００３１】元素分析は柳本製 ＣＨＮコーダー ＭＴ
―５型を用いて行った。核磁気共鳴スペクトル（1 Ｈ―
ＭＭＲ）は日本電子（株）製 ＪＮＭ―ＥＸ２７０を用
い、ＴＭＳ基準、ＣＤＣｌ3 溶媒により測定した。赤外
吸収スペクトルは（株）島津製作所製、島津赤外分光光
度系ＩＲ―４７０によりＫＢｒ法で測定した。
―５型を用いて行った。核磁気共鳴スペクトル（1 Ｈ―
ＭＭＲ）は日本電子（株）製 ＪＮＭ―ＥＸ２７０を用
い、ＴＭＳ基準、ＣＤＣｌ3 溶媒により測定した。赤外
吸収スペクトルは（株）島津製作所製、島津赤外分光光
度系ＩＲ―４７０によりＫＢｒ法で測定した。
【００３２】［実施例１］フェノールフタレイン６４重
量部とエチレンカーボネート４４重量部に触媒として
０．０２重量部の炭酸カリウムを加え、２００℃で６時
間攪拌した。炭酸ガスの生成が停止した後、０．１Ｔｏ
ｒｒ以下の減圧にして過剰のエチレンカーボネートを留
去した。
量部とエチレンカーボネート４４重量部に触媒として
０．０２重量部の炭酸カリウムを加え、２００℃で６時
間攪拌した。炭酸ガスの生成が停止した後、０．１Ｔｏ
ｒｒ以下の減圧にして過剰のエチレンカーボネートを留
去した。
【００３３】得られた粗組成物に適量のエタノールを加
えて加熱還流し溶解した後、ゆっくり室温まで放冷する
と過飽和状態の液体となった。これをさらに室温で放置
するとしだいに結晶化し、目的の３，３―ビス（４―
（ヒドロキシエトキシ）フェニル）フタリドの白色結晶
を得た。収率８０％、融点９１〜９２℃、元素分析値は
Ｃ：７０．８９％、Ｈ：５．４９％であった。
えて加熱還流し溶解した後、ゆっくり室温まで放冷する
と過飽和状態の液体となった。これをさらに室温で放置
するとしだいに結晶化し、目的の３，３―ビス（４―
（ヒドロキシエトキシ）フェニル）フタリドの白色結晶
を得た。収率８０％、融点９１〜９２℃、元素分析値は
Ｃ：７０．８９％、Ｈ：５．４９％であった。
【００３４】さらに1 Ｈ―ＮＭＲの測定結果を以下に示
す。また赤外吸収スペクトルは図１に示す。 ・２．０４ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ） ・３．９６ｐｐｍ（ｄ，ｔ，４Ｈ） ・４．０７ｐｐｍ（ｔ，４Ｈ） ・６．８６ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．２４ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．５１ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ） ・７．５４ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ） ・７．６９ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ） ・７．９３ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ）
す。また赤外吸収スペクトルは図１に示す。 ・２．０４ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ） ・３．９６ｐｐｍ（ｄ，ｔ，４Ｈ） ・４．０７ｐｐｍ（ｔ，４Ｈ） ・６．８６ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．２４ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．５１ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ） ・７．５４ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ） ・７．６９ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ） ・７．９３ｐｐｍ（ｄ，ｔ，１Ｈ）
【００３５】［実施例２］９，９―ビス（４―ヒドロキ
シフェニル）フルオレン７０重量部とエチレンカーボネ
ート４４重量部に触媒として０．０２重量部の炭酸カリ
ウムを加え、２００℃で６時間攪拌した。炭酸ガスの生
成が停止した後、０．１Ｔｏｒｒ以下の減圧にして過剰
のエチレンカーボネートを留去した。
シフェニル）フルオレン７０重量部とエチレンカーボネ
ート４４重量部に触媒として０．０２重量部の炭酸カリ
ウムを加え、２００℃で６時間攪拌した。炭酸ガスの生
成が停止した後、０．１Ｔｏｒｒ以下の減圧にして過剰
のエチレンカーボネートを留去した。
【００３６】得られた粗生成物をエタノールで再結晶し
て、目的の９，９―ビス（４―ヒドロキシエトキシ）フ
ェニル）フルオレンの白色結晶を得た。収率８６％、融
点１３８℃、元素分析値はＣ：７９．４１％、Ｈ：５．
９９％であった。
て、目的の９，９―ビス（４―ヒドロキシエトキシ）フ
ェニル）フルオレンの白色結晶を得た。収率８６％、融
点１３８℃、元素分析値はＣ：７９．４１％、Ｈ：５．
９９％であった。
【００３７】さらに1 Ｈ―ＮＭＲの測定結果を以下の通
りである。また赤外吸収スペクトルは図１に示す。 ・２．１７ｐｐｍ（ｂｒ．ｓ，２Ｈ） ・３．９１ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・４．０２ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・６．７６ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．１５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．２３〜７．３８（ｍ，６Ｈ） ・７．７５ｐｐｍ（ｄ，ｔ，２Ｈ）
りである。また赤外吸収スペクトルは図１に示す。 ・２．１７ｐｐｍ（ｂｒ．ｓ，２Ｈ） ・３．９１ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・４．０２ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・６．７６ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．１５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ） ・７．２３〜７．３８（ｍ，６Ｈ） ・７．７５ｐｐｍ（ｄ，ｔ，２Ｈ）
【００３８】［比較例１］実施例１と同様の条件で反応
を進行させ、炭酸ガスの生成が停止した後、特開平３―
２５５０４４号の後処理法にしたがって、反応物に水を
加えたところ、粘稠物が反応容器の壁や攪拌浴に付着
し、濾過やその他の処理を行なうことが困難となった。
を進行させ、炭酸ガスの生成が停止した後、特開平３―
２５５０４４号の後処理法にしたがって、反応物に水を
加えたところ、粘稠物が反応容器の壁や攪拌浴に付着
し、濾過やその他の処理を行なうことが困難となった。
【図１】実施例１および実施例２で製造したビス（ヒド
ロキシエトキシフェニル）化合物の赤外吸収スペクトル
を示す。
ロキシエトキシフェニル）化合物の赤外吸収スペクトル
を示す。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 209/46 Ｃ０７Ｄ 209/46 307/88 307/88 327/04 327/04 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (1)
- 【請求項１】 下記式（１） 【化１】 ［式（１）中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または
炭素数１〜６の炭化水素オキシ基である。Ｚは実質的に
下記各式 【化２】 ［上記式中、Ｒ3 〜Ｒ7 およびＲ10はそれぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基ま
たは炭素数１〜６の炭化水素オキシ基であり、Ｒ 8 、Ｒ
9 およびＲ11はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子または炭素数１〜６の炭化水素基である。］で表され
る群から選ばれる少なくとも１種の２価の置換基であ
る。］で表されるカルド型の４級炭素を有するビスフェ
ノール化合物（Ａ）とエチレンカーボネート（Ｂ）と
を、ＡとＢのモル比が１／２〜１／５となる割合で、触
媒の存在下、実質的に無溶媒の条件下で加熱反応せしめ
た後、過剰のエチレンカーボネートを反応系から留去せ
しめ、ついで再結晶することを特徴とするビス（ヒドロ
キシエトキシフェニル）化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7102215A JPH08295646A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | ビス（ヒドロキシエトキシフェニル）化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7102215A JPH08295646A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | ビス（ヒドロキシエトキシフェニル）化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08295646A true JPH08295646A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14321448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7102215A Pending JPH08295646A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | ビス（ヒドロキシエトキシフェニル）化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08295646A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006036648A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Osaka Gas Co Ltd | フルオレン化合物およびその製造方法 |
| JP2008222708A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-09-25 | Taoka Chem Co Ltd | フルオレン誘導体の結晶多形体およびその製造方法 |
| JP2010024248A (ja) * | 2009-11-02 | 2010-02-04 | Osaka Gas Co Ltd | フルオレン誘導体 |
| JP2010120902A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nagase Chemtex Corp | 縮環構造含有アルコール化合物 |
| JPWO2017170095A1 (ja) * | 2016-03-28 | 2019-02-07 | 本州化学工業株式会社 | 新規なジヒドロキシ化合物 |
| US11492365B2 (en) | 2020-02-07 | 2022-11-08 | Gasherbrum Bio, Inc. | Heterocyclic GLP-1 agonists |
| US12291529B2 (en) | 2023-02-16 | 2025-05-06 | Gasherbrum Bio, Inc. | Heterocyclic GLP-1 agonists |
| US12595264B2 (en) | 2020-09-10 | 2026-04-07 | Gasherbrum Bio, Inc. | Heterocyclic GLP-1 agonists |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP7102215A patent/JPH08295646A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006036648A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Osaka Gas Co Ltd | フルオレン化合物およびその製造方法 |
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| US11926643B2 (en) | 2020-02-07 | 2024-03-12 | Gasherbrum Bio, Inc. | Heterocyclic GLP-1 agonists |
| US12595264B2 (en) | 2020-09-10 | 2026-04-07 | Gasherbrum Bio, Inc. | Heterocyclic GLP-1 agonists |
| US12291529B2 (en) | 2023-02-16 | 2025-05-06 | Gasherbrum Bio, Inc. | Heterocyclic GLP-1 agonists |
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