JPH0256712A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0256712A JPH0256712A JP20731488A JP20731488A JPH0256712A JP H0256712 A JPH0256712 A JP H0256712A JP 20731488 A JP20731488 A JP 20731488A JP 20731488 A JP20731488 A JP 20731488A JP H0256712 A JPH0256712 A JP H0256712A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、更に詳述すれば、保護
層が２層構造に設けられた薄膜磁気ヘッドに関する。
層が２層構造に設けられた薄膜磁気ヘッドに関する。
（従来の技術）
従来より、薄膜磁気ヘッドは第２図（Ａ）及び（Ｂ）に
図示するように構成されており、その保護層は５ｉ０１
や＾１２０３等を用いた単層構造から成っている。
図示するように構成されており、その保護層は５ｉ０１
や＾１２０３等を用いた単層構造から成っている。
すなわち、図において、フェライト或はサファイア等の
耐摩耗性材料によって設けられる基板１上に、センダス
ト、アモルファス等により形成した複数の磁性Ｎ２、導
電性金属から成るコイル導体層３、コイル導体層３と磁
性層２間の絶縁材およびギャップ材となる絶縁層４、磁
性層２を記録媒体５の走行による摩耗から保護する保護
層６をスパッタ、電着等の方法により付着しフォトエツ
チングして所定形状に加工し、最後に接着層７を介して
保護板８を貼り合わせている。
耐摩耗性材料によって設けられる基板１上に、センダス
ト、アモルファス等により形成した複数の磁性Ｎ２、導
電性金属から成るコイル導体層３、コイル導体層３と磁
性層２間の絶縁材およびギャップ材となる絶縁層４、磁
性層２を記録媒体５の走行による摩耗から保護する保護
層６をスパッタ、電着等の方法により付着しフォトエツ
チングして所定形状に加工し、最後に接着層７を介して
保護板８を貼り合わせている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上述のような構成において、センダスト
やアモルファスのようにビッカース硬度（Ｉｌｖ）が６
００〜７００程度の材料を磁極として用いた場合、先に
述べたような材料の保護層は磁極に比較して硬いため、
磁気媒体の摺動により第２図（Ａ）中１００のような偏
摩耗を生じ、磁性層にスペーシング・ロスを発生させた
。
やアモルファスのようにビッカース硬度（Ｉｌｖ）が６
００〜７００程度の材料を磁極として用いた場合、先に
述べたような材料の保護層は磁極に比較して硬いため、
磁気媒体の摺動により第２図（Ａ）中１００のような偏
摩耗を生じ、磁性層にスペーシング・ロスを発生させた
。
一方、磁極より軟らかいか、同程度の硬度の材料を保護
層に適用した場合、保護層の摩耗がひどく、第２図（Ｂ
）中１１０のような窪みを生じて磁性粉が付着した。
層に適用した場合、保護層の摩耗がひどく、第２図（Ｂ
）中１１０のような窪みを生じて磁性粉が付着した。
本発明の目的は、上記事情に基づいて行われたもので、
磁性層に偏摩耗を生じさせずかつ摩耗速度を遅くしてヘ
ッド寿命が長い保護層を有する、薄膜磁気ヘッドを提供
することにある。
磁性層に偏摩耗を生じさせずかつ摩耗速度を遅くしてヘ
ッド寿命が長い保護層を有する、薄膜磁気ヘッドを提供
することにある。
（問題点を解決するための手段および作用）すなわち、
本発明の上記目的は、基板上に磁性層、コイル導体層お
よび絶縁層を形成し、成膜の最上層の保護層上に接着剤
層を介して保護板が貼着されてなる薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記保護層が硬度の異なる２層構造から成り、磁
性層に近接した第１の保護層が該磁性層と略同等かこれ
よりも小さい硬度を有し、第２の保護層は前記磁性層よ
りも大きい硬度を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドにより達成される。
本発明の上記目的は、基板上に磁性層、コイル導体層お
よび絶縁層を形成し、成膜の最上層の保護層上に接着剤
層を介して保護板が貼着されてなる薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記保護層が硬度の異なる２層構造から成り、磁
性層に近接した第１の保護層が該磁性層と略同等かこれ
よりも小さい硬度を有し、第２の保護層は前記磁性層よ
りも大きい硬度を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドにより達成される。
磁性層に隣接する第１の保護層の硬度を磁性層と等しい
か、これよりも小さい値に設けることにより、記録媒体
の摺動による摩耗が磁性層よりも保護層に早く及び、従
って、磁性層の偏摩耗は解消される。一方、磁性層およ
び前記第１の保護層の摩耗進行を緩く抑えるために、保
護板よりも前記磁性層および第１の保護層に近い位置に
設けた第２の保ｇＩＮにより摩耗阻止効果が高められる
。
か、これよりも小さい値に設けることにより、記録媒体
の摺動による摩耗が磁性層よりも保護層に早く及び、従
って、磁性層の偏摩耗は解消される。一方、磁性層およ
び前記第１の保護層の摩耗進行を緩く抑えるために、保
護板よりも前記磁性層および第１の保護層に近い位置に
設けた第２の保ｇＩＮにより摩耗阻止効果が高められる
。
本発明者は、種々実験を行ったところ、磁性層のビッカ
ース硬度（Ｈｖ）が例えば６００〜７００ ｋｇ／ｍｒ
ｒｆのとき、第１の保護層をＨｖ＋ ＜７００ 、第２
の保護層を７００≦Ｈｖｚ≦２０００の範囲の硬度を有
する材料でそれぞれ成膜することにより、偏摩耗がなく
かつヘッド寿命の長い好適な薄膜磁気ヘッドが得られた
。そしてこれら硬度が得られるものとして、第１の保護
層では、ＭｇＯ−３ｉＯｚ系、ＺｒＯ２，Ｚｒ０ｚ・Ｓ
ｉｎ□系、 ＭｎＯ，Ｍｎ０−５ｉＯｚ系、 Ｎｉｐ、
Ｎｉ０１ＳｉＯｚ系。
ース硬度（Ｈｖ）が例えば６００〜７００ ｋｇ／ｍｒ
ｒｆのとき、第１の保護層をＨｖ＋ ＜７００ 、第２
の保護層を７００≦Ｈｖｚ≦２０００の範囲の硬度を有
する材料でそれぞれ成膜することにより、偏摩耗がなく
かつヘッド寿命の長い好適な薄膜磁気ヘッドが得られた
。そしてこれら硬度が得られるものとして、第１の保護
層では、ＭｇＯ−３ｉＯｚ系、ＺｒＯ２，Ｚｒ０ｚ・Ｓ
ｉｎ□系、 ＭｎＯ，Ｍｎ０−５ｉＯｚ系、 Ｎｉｐ、
Ｎｉ０１ＳｉＯｚ系。
Ｆｅｄ、 Ｆｅ０９ＳｉＯｚ系、 Ｃｏｏ、 Ｃｏ０−
５ｉ０２系、 ＺｎＯ。
５ｉ０２系、 ＺｎＯ。
ＺｎＯ−Ｓｉｎ、系、 Ｇｅ０ｚ、 ＧｅＯ２−５ｉＯ
ｚ系、 ５ｎＯｚ＋ＳｎＯ，・５ｉ０２系、 Ｐｂ
Ｏ，ＰｂＯ９Ｓｉｆｔ系、 Ｔｉｅ、 ＴｉＯ２−３
ｉＯｚ系、が挙げられ、第２の保護層では前記第１の保
８！層より硬いＳｉＯ□、 Ａｌｚ（ｈ、 ＭｇＯ，Ｓ
ｉＮ、 ＢＮが挙げられる。
ｚ系、 ５ｎＯｚ＋ＳｎＯ，・５ｉ０２系、 Ｐｂ
Ｏ，ＰｂＯ９Ｓｉｆｔ系、 Ｔｉｅ、 ＴｉＯ２−３
ｉＯｚ系、が挙げられ、第２の保護層では前記第１の保
８！層より硬いＳｉＯ□、 Ａｌｚ（ｈ、 ＭｇＯ，Ｓ
ｉＮ、 ＢＮが挙げられる。
（実施例）
以下、図面により本発明の実施例を詳説する。
第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図を示しており
、本発明の薄膜磁気ヘッドをその製造プロセスに従って
説明する。
、本発明の薄膜磁気ヘッドをその製造プロセスに従って
説明する。
回において、フェライト基板１０上にスパッタ法により
Ｃｏ Ｎｂ Ｚｒ合金の強磁性体を約１５μｍ付着して
下部磁性層１１を形成した。次に絶縁層１２を形成し、
その上に巻線となる Ｃｕ、 Ａｇ等の導電体をスパッ
タ法で付着し所定形状のコイル導体Ｎ１３を形成しコイ
ル導体層１３と上部磁性層１５とを絶縁するため第２の
絶縁層１４を形成した。Ｃｏ Ｎｂ Ｚｒ合金の金属磁
性材料をスパッタ法で約１５μｍ付着し上部磁性層１５
を形成した。次に、本発明の要部である保護層１６を上
部磁性層１５上に形成した。上部磁性層１５上に隣接し
て設けられる第１の保護層１６ａはＭｇＯ・ＳｉＯ□（
ＭｇＯ・ＳｉＯ□組成： ＭｇＯ５０モル％。
Ｃｏ Ｎｂ Ｚｒ合金の強磁性体を約１５μｍ付着して
下部磁性層１１を形成した。次に絶縁層１２を形成し、
その上に巻線となる Ｃｕ、 Ａｇ等の導電体をスパッ
タ法で付着し所定形状のコイル導体Ｎ１３を形成しコイ
ル導体層１３と上部磁性層１５とを絶縁するため第２の
絶縁層１４を形成した。Ｃｏ Ｎｂ Ｚｒ合金の金属磁
性材料をスパッタ法で約１５μｍ付着し上部磁性層１５
を形成した。次に、本発明の要部である保護層１６を上
部磁性層１５上に形成した。上部磁性層１５上に隣接し
て設けられる第１の保護層１６ａはＭｇＯ・ＳｉＯ□（
ＭｇＯ・ＳｉＯ□組成： ＭｇＯ５０モル％。
５ｉＯｚ ５０モル％）から成り、スパッタ法（真空度
＝ ２ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ以下、成膜速度〜４００
人／Ｍ、陰極電力−Ｉ ＫＷ、 Ａｒガス圧＝ ３Ｘ１
０−’Ｔｏｒｒ）により最大厚が４０μｍに形成されて
ビッカース硬度Ｈν＝５９０ｋｇ ／ ｍ ｒｒｒを得
ている。更にこの第１の保護層１６ａを機械加工により
平坦化した後、第１の保護層に積層して第２の保護層１
６ｂを設けている。
＝ ２ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ以下、成膜速度〜４００
人／Ｍ、陰極電力−Ｉ ＫＷ、 Ａｒガス圧＝ ３Ｘ１
０−’Ｔｏｒｒ）により最大厚が４０μｍに形成されて
ビッカース硬度Ｈν＝５９０ｋｇ ／ ｍ ｒｒｒを得
ている。更にこの第１の保護層１６ａを機械加工により
平坦化した後、第１の保護層に積層して第２の保護層１
６ｂを設けている。
なお、平坦化は第２の保護層を成膜後、この第２の保護
層に適用してもよい。前記第２の保８ｉ層１６ｂはＳｉ
ｎ、から成り、スパッタ法（成膜条件は第１層と同じ）
により３０μｍに形成して、ビッカース硬度ｔｌｖ ＝
７５０ ｋｇ ／ ｍ ｒｒ（を得て要る。保ＳＩＪ
’Ｗ１６を成膜後、前記保護層１６上面にエポキシ樹脂
の接着剤層１７を塗布してＢａＴｉＯ３の保護板１８を
接着している。
層に適用してもよい。前記第２の保８ｉ層１６ｂはＳｉ
ｎ、から成り、スパッタ法（成膜条件は第１層と同じ）
により３０μｍに形成して、ビッカース硬度ｔｌｖ ＝
７５０ ｋｇ ／ ｍ ｒｒ（を得て要る。保ＳＩＪ
’Ｗ１６を成膜後、前記保護層１６上面にエポキシ樹脂
の接着剤層１７を塗布してＢａＴｉＯ３の保護板１８を
接着している。
以上のように構成した薄膜磁気ヘッド面に記録媒体を１
０００時間走行させて偏摩耗および摩耗量を観察した。
０００時間走行させて偏摩耗および摩耗量を観察した。
偏摩耗はオプティカルフラットにより干渉縞を観察し、
下部及び上部磁性層ＩＬ１５と第１の保護Ｎ１６ａ と
の段差を調べることにより行い、偏摩耗はＶ＆認されな
かった。
下部及び上部磁性層ＩＬ１５と第１の保護Ｎ１６ａ と
の段差を調べることにより行い、偏摩耗はＶ＆認されな
かった。
また、絶対摩耗量はデプスマーカーにより計測したとこ
ろ、１．５μｍであり、磁性粉の付着等番よ見られなか
った。
ろ、１．５μｍであり、磁性粉の付着等番よ見られなか
った。
下記表１は、前記実施例と同様の方法により、保ｉｉ層
を変えて成膜した際の偏摩耗状態と、比較のためにＳｉ
Ｏ□の単層構造の保ｉｉ層の偏摩耗状態の観察結果を示
す。
を変えて成膜した際の偏摩耗状態と、比較のためにＳｉ
Ｏ□の単層構造の保ｉｉ層の偏摩耗状態の観察結果を示
す。
表１
表１から明らかなとおり、前述したビ・ンカース硬度の
組み合せを持つ２層構造においては偏摩耗は観察されな
かった。
組み合せを持つ２層構造においては偏摩耗は観察されな
かった。
（発明の効果）
以上記載したとおり、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば
、保護層を２層構造に設け、磁性層に隣接した第１の保
護層は硬度が磁性層と略同等かこれよりも柔らかく設け
られ、かつ第２の保護層は磁性層よりも硬く設けられた
ことにより、偏摩耗の発生が防止されると共にヘッド寿
命の長い薄膜磁気ヘッドが得られる。
、保護層を２層構造に設け、磁性層に隣接した第１の保
護層は硬度が磁性層と略同等かこれよりも柔らかく設け
られ、かつ第２の保護層は磁性層よりも硬く設けられた
ことにより、偏摩耗の発生が防止されると共にヘッド寿
命の長い薄膜磁気ヘッドが得られる。
第１図は本発明に基づいて構成される薄ＩＩ！磁気ヘッ
ドの断面図、第２図は（八）及び（Ｂ）は従来構造の薄
膜磁気ヘッドの断面図である。 １０：Ｚｎ−フェライト基板 １１：下部磁性層１２：
第１の非磁性絶縁層 １３：コイル導体層１４：第２の
非磁性絶縁層 １５：上部磁性層１６ａ ：第１の保護
層 １６ｂ；第２の保護層１７：接着側層
１８：保護板第 １ 図 第２図 （Ｂ） １ｎ 手 続 ネ甫 正 書 平成１年１月 １１日
ドの断面図、第２図は（八）及び（Ｂ）は従来構造の薄
膜磁気ヘッドの断面図である。 １０：Ｚｎ−フェライト基板 １１：下部磁性層１２：
第１の非磁性絶縁層 １３：コイル導体層１４：第２の
非磁性絶縁層 １５：上部磁性層１６ａ ：第１の保護
層 １６ｂ；第２の保護層１７：接着側層
１８：保護板第 １ 図 第２図 （Ｂ） １ｎ 手 続 ネ甫 正 書 平成１年１月 １１日
Claims (1)
- 基板上に磁性層、コイル導体層および絶縁層を形成し、
成膜の最上層の保護層上に接着剤層を介して保護板が貼
着されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保護層が硬
度の異なる２層構造から成り、磁性層に近接した第１の
保護層が該磁性層と略同等かこれよりも小さい硬度を有
し、第２の保護層は前記磁性層よりも大きい硬度を有す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20731488A JPH0256712A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20731488A JPH0256712A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256712A true JPH0256712A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16537719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20731488A Pending JPH0256712A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2834375A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique et procede de fabrication de cette tete magnetique |
| US7064925B2 (en) * | 2002-12-06 | 2006-06-20 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head for reducing projection of retrieving and writing unit from float surface, and magnetic recording/retrieving apparatus using the same |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20731488A patent/JPH0256712A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2834375A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique et procede de fabrication de cette tete magnetique |
| WO2003056548A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique et procede de fabrication de cette tete magnetique |
| US7064925B2 (en) * | 2002-12-06 | 2006-06-20 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head for reducing projection of retrieving and writing unit from float surface, and magnetic recording/retrieving apparatus using the same |
| US7460335B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-12-02 | Hitachi Global Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head having first and second protective films with different coefficients of linear expansion |
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