JPH0256894A - 薄膜エレクトロルミネッセンスパネル - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンスパネルInfo
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- JPH0256894A JPH0256894A JP63209105A JP20910588A JPH0256894A JP H0256894 A JPH0256894 A JP H0256894A JP 63209105 A JP63209105 A JP 63209105A JP 20910588 A JP20910588 A JP 20910588A JP H0256894 A JPH0256894 A JP H0256894A
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- thin film
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- panel
- sodium ions
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜エレクトロルミネッセンスパネルの改良
に関する。
に関する。
一般に、二重絶縁型の薄膜エレクトロルミネッセンスパ
ネル（以下、薄膜ＥＬパネルと記す）は、透明基板の上
に透明電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層、背面電
極からなるＥＬ素子を積層して形成した構造を有する。
ネル（以下、薄膜ＥＬパネルと記す）は、透明基板の上
に透明電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層、背面電
極からなるＥＬ素子を積層して形成した構造を有する。
このような構造の薄膜ＥＬパネルにおいては、透明基板
としてガラス基板を用いるのが普通であるが、ソーダガ
ラスのように可動性のナトリウムイオンを多く含むもの
を使用すると以下に述べるような問題があるため、ナト
リウムイオンを殆ど含まないアルミナホウ珪酸ガラス等
を使用することが多い。
としてガラス基板を用いるのが普通であるが、ソーダガ
ラスのように可動性のナトリウムイオンを多く含むもの
を使用すると以下に述べるような問題があるため、ナト
リウムイオンを殆ど含まないアルミナホウ珪酸ガラス等
を使用することが多い。
即ち、ソーダガラス基板を使用する場合は、その内部に
多く含まれる可動性のナトリウムイオンがＥＬ素子側へ
浸透、拡散するため、ナトリウムイオンの影響を受けて
比較的短期間のうちに発光輝度の低下及び発光しきい電
圧の低下を招き、動作安定性が損なわれ゛て、デイスプ
レィ等として使用不能になるという問題がある。
多く含まれる可動性のナトリウムイオンがＥＬ素子側へ
浸透、拡散するため、ナトリウムイオンの影響を受けて
比較的短期間のうちに発光輝度の低下及び発光しきい電
圧の低下を招き、動作安定性が損なわれ゛て、デイスプ
レィ等として使用不能になるという問題がある。
このような問題は、ナトリウムイオンを殆ど含まないア
ルミナホウ珪酸ガラス基板を使用することによって一応
解決されるが、このアルミナホウ珪酸ガラスはソーダガ
ラスに比べると這かに高価であるため、製造コストが増
大し、経済的に不利になるという問題がある。
ルミナホウ珪酸ガラス基板を使用することによって一応
解決されるが、このアルミナホウ珪酸ガラスはソーダガ
ラスに比べると這かに高価であるため、製造コストが増
大し、経済的に不利になるという問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、製造コストが安く、しかも長期にわたっ
て安定動作する薄膜ＥＬパネルを提供することにある。
するところは、製造コストが安く、しかも長期にわたっ
て安定動作する薄膜ＥＬパネルを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、透明基板上に少な
（とも発光層を含むＥＬ素子を積層して形成した薄膜Ｅ
Ｌパネルにおいて、その透明基板として、上面に燐珪酸
ガラスのコーティング層を形成したソーダガラス基板を
使用したことを特徴とする。
（とも発光層を含むＥＬ素子を積層して形成した薄膜Ｅ
Ｌパネルにおいて、その透明基板として、上面に燐珪酸
ガラスのコーティング層を形成したソーダガラス基板を
使用したことを特徴とする。
本発明の薄膜ＥＬパネルでは、ソーダガラス基板上面の
燐珪酸ガラスのコーティング層が、ソーダガラス基板か
らＥＬ素子側へ浸透、拡散しようとするナトリウムイオ
ンを捕獲、固定して安定化させるため、ナトリウムイオ
ンのＥＬ素子側への浸透、拡散を生じない。そして、こ
の燐珪酸ガラスによるナトリウムイオンのゲッタリング
作用は、単にナトリウムイオンの通過を阻止するだけの
バリア作用を持った酸化珪素のコーティング層を形成す
る場合に比べると、蟲かに有効なものである。
燐珪酸ガラスのコーティング層が、ソーダガラス基板か
らＥＬ素子側へ浸透、拡散しようとするナトリウムイオ
ンを捕獲、固定して安定化させるため、ナトリウムイオ
ンのＥＬ素子側への浸透、拡散を生じない。そして、こ
の燐珪酸ガラスによるナトリウムイオンのゲッタリング
作用は、単にナトリウムイオンの通過を阻止するだけの
バリア作用を持った酸化珪素のコーティング層を形成す
る場合に比べると、蟲かに有効なものである。
しかもこのゲッタリング作用は、燐珪酸ガラスのコーテ
ィング層の厚み方向のみならず横方向にも行われるので
、たとえコーティング層にピンホル等が存在しても、ナ
トリウムイオンを逃がすことは少ない。
ィング層の厚み方向のみならず横方向にも行われるので
、たとえコーティング層にピンホル等が存在しても、ナ
トリウムイオンを逃がすことは少ない。
以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳述する。
図面は本発明の一実施例に係る薄膜ＥＬパネルの断面図
であって、１は透明基板を示しており、この透明基板１
は燐珪酸ガラスのコーティング層１ｂを上面に形成した
ソーダガラス基板１ａより成る。このコーティング層１
ｂは、ソーダガラス基板１ａの耐熱温度を考慮して、温
度条件が穏やかなプラズマＣＶＤ （ケミカルベイパー
デポジション）法やフォｌ−ＣＶＤ法により薄膜形成す
ることが望ましい。また、このコーティング層１ｂの厚
みがあまり薄すぎると、ピンホールが多くなってナトリ
ウムイオンのゲッタリング作用が不充分となる恐れがあ
るので、その厚みについては少なくとも０．５μｍ以上
、好ましくは１〜２μｍの範囲内に調節するのが適当で
ある。
であって、１は透明基板を示しており、この透明基板１
は燐珪酸ガラスのコーティング層１ｂを上面に形成した
ソーダガラス基板１ａより成る。このコーティング層１
ｂは、ソーダガラス基板１ａの耐熱温度を考慮して、温
度条件が穏やかなプラズマＣＶＤ （ケミカルベイパー
デポジション）法やフォｌ−ＣＶＤ法により薄膜形成す
ることが望ましい。また、このコーティング層１ｂの厚
みがあまり薄すぎると、ピンホールが多くなってナトリ
ウムイオンのゲッタリング作用が不充分となる恐れがあ
るので、その厚みについては少なくとも０．５μｍ以上
、好ましくは１〜２μｍの範囲内に調節するのが適当で
ある。
この透明基板ｌの上には、透明電極２、第一絶縁層３、
発光層４、第二絶縁層５、背面電極６が順次積層され、
ＥＬ素子７が形成されている。透明電極２は例えば１．
Ｔ、Ｏ，等より成るもので、Ｘ−Ｙ方向のいずれか一方
向にのびるストライブ状の電極群にパターン形成されて
いる。また、第一絶縁層３と第二絶縁層５は、例えばス
パッタリング等の手段で形成された五酸化タンタル等よ
りなる薄膜層であり、これらの絶縁層３．５間の発光層
４は、例えば電子ビーム蒸着等の手段で形成された硫化
亜鉛：マンガン等よりなる薄膜層である。また、背面電
極６はアルミニウム等よりなるもので、前記透明電極２
と直交する方向にのびるストライプ状の電極群にパター
ン形成されている。
発光層４、第二絶縁層５、背面電極６が順次積層され、
ＥＬ素子７が形成されている。透明電極２は例えば１．
Ｔ、Ｏ，等より成るもので、Ｘ−Ｙ方向のいずれか一方
向にのびるストライブ状の電極群にパターン形成されて
いる。また、第一絶縁層３と第二絶縁層５は、例えばス
パッタリング等の手段で形成された五酸化タンタル等よ
りなる薄膜層であり、これらの絶縁層３．５間の発光層
４は、例えば電子ビーム蒸着等の手段で形成された硫化
亜鉛：マンガン等よりなる薄膜層である。また、背面電
極６はアルミニウム等よりなるもので、前記透明電極２
と直交する方向にのびるストライプ状の電極群にパター
ン形成されている。
従って、この背面電極６と上記透明電極２のそれぞれの
電極群に電界を選択的に印加すると、その直交する部分
の発光層４が発光する。８はＥＬ素子７を保護するガラ
ス製の保護カバーであり、その内部には乾燥気体あるい
はシリコンオイル等の絶縁性保護流体が充填される。
電極群に電界を選択的に印加すると、その直交する部分
の発光層４が発光する。８はＥＬ素子７を保護するガラ
ス製の保護カバーであり、その内部には乾燥気体あるい
はシリコンオイル等の絶縁性保護流体が充填される。
このような構成の薄膜ＥＬパネルは、透明基板１として
、上面に燐珪酸ガラスのコーティング層１ｂを形成した
安価なソーダガラス基Ｆｉ、１ａを使用するため、高価
なアルミナホウ珪酸ガラス基板を使用する場合に比べる
と、かなり安価に製造することができる。しかも、この
燐珪酸ガラスのコーティング層１ｂが、ソーダガラス基
板１ａからＥＬ素子７側へ浸透、拡散しようとする可動
性のナトリウムイオンをゲッタリングするため、ナトリ
ウムイオンのＥＬ素子７側への浸透、拡散は殆ど生じな
い。従ってこの薄膜ＥＬパネルは、長期にわたって輝度
の低下や発光しきい電圧の低下を生じることなく安定動
作するので、寿命が長く優れた表示品質を維持すること
ができる。
、上面に燐珪酸ガラスのコーティング層１ｂを形成した
安価なソーダガラス基Ｆｉ、１ａを使用するため、高価
なアルミナホウ珪酸ガラス基板を使用する場合に比べる
と、かなり安価に製造することができる。しかも、この
燐珪酸ガラスのコーティング層１ｂが、ソーダガラス基
板１ａからＥＬ素子７側へ浸透、拡散しようとする可動
性のナトリウムイオンをゲッタリングするため、ナトリ
ウムイオンのＥＬ素子７側への浸透、拡散は殆ど生じな
い。従ってこの薄膜ＥＬパネルは、長期にわたって輝度
の低下や発光しきい電圧の低下を生じることなく安定動
作するので、寿命が長く優れた表示品質を維持すること
ができる。
以上、一実施例をあげて本発明の薄膜ＥＬパネルを説明
したが、本発明はこの実施例のみに限定されるものでは
なく、例えば保護カバー８に代えてエポキシ樹脂等の保
護膜でＥＬ素子７を被覆する等、種々の設計的変更を許
容し得るものである。
したが、本発明はこの実施例のみに限定されるものでは
なく、例えば保護カバー８に代えてエポキシ樹脂等の保
護膜でＥＬ素子７を被覆する等、種々の設計的変更を許
容し得るものである。
以上の説明から明らかなように、本発明の薄膜ＥＬパネ
ルは、透明基板として上面に燐珪酸ガラスのコーティン
グ層を形成したソーダガラス基板を使用したため、安価
に製造でき、長期にわたり安定動作して優れた表示品質
を維持できるといった効果を奏する。
ルは、透明基板として上面に燐珪酸ガラスのコーティン
グ層を形成したソーダガラス基板を使用したため、安価
に製造でき、長期にわたり安定動作して優れた表示品質
を維持できるといった効果を奏する。
図面は本発明の一実施例に係る薄膜ＥＬパネルの断面図
である。 １・・・透明基板、 １ａ・・・ソーダガラス基板、 １ｂ・・・燐珪酸ガラスのコーティング層、２・・・透
明電極、 ３・・・第一絶縁層、 ４・・・発光層、 ５・・・第二絶縁層、 ６・・・背面電極、 ７・・・ＥＬ素子。
である。 １・・・透明基板、 １ａ・・・ソーダガラス基板、 １ｂ・・・燐珪酸ガラスのコーティング層、２・・・透
明電極、 ３・・・第一絶縁層、 ４・・・発光層、 ５・・・第二絶縁層、 ６・・・背面電極、 ７・・・ＥＬ素子。
Claims (1)
- （１） 透明基板上に少なくとも発光層を含むＥＬ素子
を積層して形成した薄膜エレクトロルミネッセンスパネ
ルにおいて、 前記透明基板として、上面に燐珪酸ガラスのコーティ
ング層を形成したソーダガラス基板を使用したことを特
徴とする薄膜エレクトロルミネッセンスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209105A JPH0256894A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209105A JPH0256894A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256894A true JPH0256894A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16567373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209105A Pending JPH0256894A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256894A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04171698A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示板 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63209105A patent/JPH0256894A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04171698A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示板 |
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