JPH02568A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPH02568A JPH02568A JP63087946A JP8794688A JPH02568A JP H02568 A JPH02568 A JP H02568A JP 63087946 A JP63087946 A JP 63087946A JP 8794688 A JP8794688 A JP 8794688A JP H02568 A JPH02568 A JP H02568A
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- metal
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- optical recording
- dye
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D215/00—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems
- C07D215/02—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D215/16—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D215/38—Nitrogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B53/00—Quinone imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B53/00—Quinone imides
- C09B53/02—Indamines; Indophenols
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Quinoline Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、含金属インドアニリン系化合物を用いた光学
記録媒体に関する。
記録媒体に関する。
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとり
す＼められている。
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとり
す＼められている。
光学記録媒体の一例としては、光ディスクをあげること
ができる。
ができる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、／μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成する
ことにより行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー光により変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることＫより行なわれる。
録層に、／μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成する
ことにより行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー光により変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることＫより行なわれる。
したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
この葎の光学記録媒体としては、種々の構成のものが知
られている。
られている。
例えば、特開昭５よ一２７０３３号公報には、基板上に
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
また、特開昭６ｌ−４３３１１ｕ号公報にはフェナレン
系色素を、特開昭ｊＪ’−２２Ｆ７７３号公報にはナフ
トキノン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点の
反面、反射率が低いという問題点を有している。反射率
が低いとレーザー光により記録された部分と未記録部分
との反射率に関係するコントラストは低くなり、記録さ
れた情報の再生が困難となる。更に、一般に有機系色素
は保存安定性が劣るという問題点を有している。
系色素を、特開昭ｊＪ’−２２Ｆ７７３号公報にはナフ
トキノン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点の
反面、反射率が低いという問題点を有している。反射率
が低いとレーザー光により記録された部分と未記録部分
との反射率に関係するコントラストは低くなり、記録さ
れた情報の再生が困難となる。更に、一般に有機系色素
は保存安定性が劣るという問題点を有している。
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれている含金属インドアニ
リン系化合物を用いた光学記録媒体を提供することを目
的とするものである。
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれている含金属インドアニ
リン系化合物を用いた光学記録媒体を提供することを目
的とするものである。
本発明は、基板上に担持された色素を含有する記録層に
該色素に熱的変化を与える集束レーザー光を照射して、
前記記録層に部分的な変化を生ぜしめて記録を行ない、
次いで該変化部分の選択によって再生を行なう記録媒体
において、該色素として下記一般式〔Ｉ〕で表わされる
含金属インドアニリン系化合物を使用した光学記録媒体
をその要旨とするものである。
該色素に熱的変化を与える集束レーザー光を照射して、
前記記録層に部分的な変化を生ぜしめて記録を行ない、
次いで該変化部分の選択によって再生を行なう記録媒体
において、該色素として下記一般式〔Ｉ〕で表わされる
含金属インドアニリン系化合物を使用した光学記録媒体
をその要旨とするものである。
ロアルキル基を表わし、ただし、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ
４、Ｒ５とＲ６の少なくとも一方は置換されたアルキル
基を表わす。Ｑは陰イオン（ＰＦ６−を除く）を表わし
、Ｌ、 ｍ、 ｎはそれぞれＯまたは／。
４、Ｒ５とＲ６の少なくとも一方は置換されたアルキル
基を表わす。Ｑは陰イオン（ＰＦ６−を除く）を表わし
、Ｌ、 ｍ、 ｎはそれぞれＯまたは／。
ただしｔ＋ｍ＋ｎ Ｖｉ、２または３を表わす。）本発
明の光学記録媒体に用いる含金属インドアニリン系化合
物の好ましいものとして、下記一般式〔口〕で示される
ものが挙げられる。
明の光学記録媒体に用いる含金属インドアニリン系化合
物の好ましいものとして、下記一般式〔口〕で示される
ものが挙げられる。
（式中、Ｍは■族、Ｉｂ族、ｌＩｂ族、Ｉｂ族、■ａ族
、Ｖａ族、Ｖａ族、Ｖａ族の曾属原子、そのハロゲン化
物及びその酸化物を表わし、環Ａ、Ｂ％Ｃ，Ｄ％Ｅ％Ｆ
、 Ｇ、 Ｈ，■は置換基を有していてもよい。Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素原子、置換されて
いてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール
基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されてい
てもよいシフＩ Ｒ２ 一一−ｈ （式中、Ｍは■族、１ｂ族、■ｂ族、［Ｉｂ族、ｌＶａ
族、Ｖａ族、Ｖａ族、Ｖａ族の金属原子、そのハロゲン
化物およびその酸化物を表わし。
、Ｖａ族、Ｖａ族、Ｖａ族の曾属原子、そのハロゲン化
物及びその酸化物を表わし、環Ａ、Ｂ％Ｃ，Ｄ％Ｅ％Ｆ
、 Ｇ、 Ｈ，■は置換基を有していてもよい。Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素原子、置換されて
いてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール
基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されてい
てもよいシフＩ Ｒ２ 一一−ｈ （式中、Ｍは■族、１ｂ族、■ｂ族、［Ｉｂ族、ｌＶａ
族、Ｖａ族、Ｖａ族、Ｖａ族の金属原子、そのハロゲン
化物およびその酸化物を表わし。
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、ＲＩＧ、Ｒ１１、ＲＩ２、ＸＩ 、
Ｘ２、Ｘ３、ｙｌ。
Ｘ２、Ｘ３、ｙｌ。
Ｙ２、Ｙ３は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシアミノ基、
アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルスルホニルア
ミノ基を表わし、Ｒ１、Ｒ２゜Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６
は水素原子、置換されていてもよいＣ８〜２ｏのアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換されてい
てもよいアルケニル基、置換てれていてもよいシクロア
ルキル基を表わし、ただし、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、
Ｒ５とＲ６の少なくとも一方は、置換されたアルキル基
を表わす。Ｑは陰イオン（ＰＦ６−を除く）を表わし、
Ｌ、 ｍ、 ｒｌはそれぞれＯまたはｌ、ただしｔ＋ｍ
＋ｎ Ｖｉλまたは３を表わす。）前記一般式〔１〕及
び（ｎ）においてＭで表わされる金属原子として好まし
くは、Ｎ１、Ｚｎ、 Ｃｕ（１）、 Ｃｕ（１１）、Ｃ
ｏ、 Ｆｅ （１）、Ｆｅ （■）、Ｐｄ、 Ａｔ、’
ｒｉ、Ｐｔ（■）、ｐｔ （ＩＶ）、Ｖ、 Ｃ３ｒ、
Ｍｎ、 Ｉｎ （ｌ［ｌ）、Ｒｕ （Ｉｌｌ）、
Ｓｎ （Ｉｆ）等が挙げられ、その酸化物及びそのハロ
ゲン化物としてはｖｏ、 Ａｔｃｔ等が挙げられる。
ルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシアミノ基、
アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルスルホニルア
ミノ基を表わし、Ｒ１、Ｒ２゜Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６
は水素原子、置換されていてもよいＣ８〜２ｏのアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換されてい
てもよいアルケニル基、置換てれていてもよいシクロア
ルキル基を表わし、ただし、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、
Ｒ５とＲ６の少なくとも一方は、置換されたアルキル基
を表わす。Ｑは陰イオン（ＰＦ６−を除く）を表わし、
Ｌ、 ｍ、 ｒｌはそれぞれＯまたはｌ、ただしｔ＋ｍ
＋ｎ Ｖｉλまたは３を表わす。）前記一般式〔１〕及
び（ｎ）においてＭで表わされる金属原子として好まし
くは、Ｎ１、Ｚｎ、 Ｃｕ（１）、 Ｃｕ（１１）、Ｃ
ｏ、 Ｆｅ （１）、Ｆｅ （■）、Ｐｄ、 Ａｔ、’
ｒｉ、Ｐｔ（■）、ｐｔ （ＩＶ）、Ｖ、 Ｃ３ｒ、
Ｍｎ、 Ｉｎ （ｌ［ｌ）、Ｒｕ （Ｉｌｌ）、
Ｓｎ （Ｉｆ）等が挙げられ、その酸化物及びそのハロ
ゲン化物としてはｖｏ、 Ａｔｃｔ等が挙げられる。
また、一般式（１）において環Ａ、 Ｂ、 （３，Ｄ、
Ｋ、Ｆ、 Ｇ、 Ｈ１■の置換基としては一般式（Ｉ
Ｉ）のＲ１、Ｒ８、Ｒ９、ＲＩＧ 、 Ｒ１１、ＲＩ２
、ＸＩ 、 ｘ２、Ｘ３ 、ｙｌ 、ｙ２、Ｙ３に挙げ
られた基が挙げられ、好ましくは低級アルキル基、低級
アルコキシ基、低級アシルアミノ基、ハロゲン原子、低
級アルコキシカルボニルアミノ基が挙げられる。
Ｋ、Ｆ、 Ｇ、 Ｈ１■の置換基としては一般式（Ｉ
Ｉ）のＲ１、Ｒ８、Ｒ９、ＲＩＧ 、 Ｒ１１、ＲＩ２
、ＸＩ 、 ｘ２、Ｘ３ 、ｙｌ 、ｙ２、Ｙ３に挙げ
られた基が挙げられ、好ましくは低級アルキル基、低級
アルコキシ基、低級アシルアミノ基、ハロゲン原子、低
級アルコキシカルボニルアミノ基が挙げられる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６で示されるアルキ
ル基としては炭素数／ −２０のアルキル基が挙げられ
る。
ル基としては炭素数／ −２０のアルキル基が挙げられ
る。
この置換基としては、アルコキシ基、アリール基、ヒド
ロキシ基、シアノ基、テトラヒドロフリル基、アルコキ
シアルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルスルホニルアミノ基、アシルオキシ基、テ
トラヒドロフルフリルオキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシ基が挙げられる。
ロキシ基、シアノ基、テトラヒドロフリル基、アルコキ
シアルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルスルホニルアミノ基、アシルオキシ基、テ
トラヒドロフルフリルオキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシ基が挙げられる。
アリール基としてはフェニル基、トリル基が挙げられ、
アルケニル基としてはビニル基、アリル基、（ｎ−）又
は（１ｓｏ−）グロベニル基（ｎ−）、（ｉｅｏ−）ブ
テニル基が挙げられ、これらのアルケニル基、アリール
基は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、ニド。
アルケニル基としてはビニル基、アリル基、（ｎ−）又
は（１ｓｏ−）グロベニル基（ｎ−）、（ｉｅｏ−）ブ
テニル基が挙げられ、これらのアルケニル基、アリール
基は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、ニド。
基、シアノ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい。
’７りｏアルキル基としてはシクロヘキ’／）Ｌ’Ｍ、
シクロペンチル基が挙げられ、これらの基は、低級アル
キル基で置換されていてもよい。
シクロペンチル基が挙げられ、これらの基は、低級アル
キル基で置換されていてもよい。
本発明で使用する含金属インドアニＩＪン系化合物のよ
り好ましいものとして、下記一般式（Ｉｌｌ）で示すも
のが挙げられる。
り好ましいものとして、下記一般式（Ｉｌｌ）で示すも
のが挙げられる。
〔式中、ＭはＮ１、Ｃｕ、Ｃ０１Ｚｎ又はＦｅ （１１
）金属原子を表わし、Ｒ１３、ＲＩ４は水素原子、ハロ
ゲン原子又は低級アルキル基を表わし、Ｘ、Ｙは水素原
子、低級アルキル基、 Ｂｒ％Ｆ％Ｃｔ等のハロゲン原
子、Ｃ２〜８（ベンゾイルアミ、）基、ベンジルカルボ
ニルアミノ基も含む）のアシルアミノ基、０１〜４の低
級アルコキシ基又はＣ８〜、の（ベンゾイルオキ７アミ
ノ基、ベンジルカルボニルオキシアミノ基も含む）アシ
ルオキシアミノ基を衣わし、Ｒ１５、Ｒ” Ｖｉｃ、〜
、の低級アルキル基；Ｃ３〜４の低級アルコキシ基、０
３〜６のアルコキシアルコキシ基、０５〜８のアルコキ
シアルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、フェニル
基、トリル基等のアリール基、フェニルオキシ基、トリ
ルオキシ基等のアリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキ
シ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロフルフリル
オキシ基、Ｃ２〜４のアルキルスルホニルアミノ基もし
くはＣＩ〜８の（ベンゾイルオキシ基、ベンジルカルボ
ニルオキシ基も含む）アシルオキシ基によって置換され
たＣ８〜４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよいＣ
２〜８のアルケニル基を表わし、ただし、ＲＩＳＲＩＭ
の少くとも一方は置換されたアルキル基を表わす。２
は陰イオン（ＰＦ６″を除く）を表わし、ｍ及びｎは／
又は２の数を表わす。但しｍがｌのとき、ｎはコを表わ
し、ｍが１のとき、ｎは／を表す。〕 特に好ましいものとして、下記一般式（ＩＶ）で示され
るものが挙げられる。
）金属原子を表わし、Ｒ１３、ＲＩ４は水素原子、ハロ
ゲン原子又は低級アルキル基を表わし、Ｘ、Ｙは水素原
子、低級アルキル基、 Ｂｒ％Ｆ％Ｃｔ等のハロゲン原
子、Ｃ２〜８（ベンゾイルアミ、）基、ベンジルカルボ
ニルアミノ基も含む）のアシルアミノ基、０１〜４の低
級アルコキシ基又はＣ８〜、の（ベンゾイルオキ７アミ
ノ基、ベンジルカルボニルオキシアミノ基も含む）アシ
ルオキシアミノ基を衣わし、Ｒ１５、Ｒ” Ｖｉｃ、〜
、の低級アルキル基；Ｃ３〜４の低級アルコキシ基、０
３〜６のアルコキシアルコキシ基、０５〜８のアルコキ
シアルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、フェニル
基、トリル基等のアリール基、フェニルオキシ基、トリ
ルオキシ基等のアリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキ
シ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロフルフリル
オキシ基、Ｃ２〜４のアルキルスルホニルアミノ基もし
くはＣＩ〜８の（ベンゾイルオキシ基、ベンジルカルボ
ニルオキシ基も含む）アシルオキシ基によって置換され
たＣ８〜４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよいＣ
２〜８のアルケニル基を表わし、ただし、ＲＩＳＲＩＭ
の少くとも一方は置換されたアルキル基を表わす。２
は陰イオン（ＰＦ６″を除く）を表わし、ｍ及びｎは／
又は２の数を表わす。但しｍがｌのとき、ｎはコを表わ
し、ｍが１のとき、ｎは／を表す。〕 特に好ましいものとして、下記一般式（ＩＶ）で示され
るものが挙げられる。
水素原子、０１〜４の低級アルキル基、Ｂｒ、 Ｆ、
Ｃ１等のハロゲン原子、０１〜８（ベンゾイルアミ／基
、ベンジルカルボニルアミノ基も含ム）のアシルオキシ
アミノ基、ベンジルカルボニルオキシアミノ店も含む）
のアシルオキシアミノ基を表わし、ＲＩＳ 、 Ｒ１６
はＣ８〜４の低級アルキル基；Ｃ８〜４ のアルコキシ
基、Ｃ３〜６のアルコキシアルコキシ基、Ｃ５〜８のア
ルコキシアルコキシアルコキシ基、ア（式中、ＭはＮ１
、Ｃｕ、 Ｃｏ、Ｚｎ、 Ｆｅ（■）金属原子を表わし
、ＲＩ３、ＲＩ４は水素原子、ノ・ロゲン原子又はＣ，
〜４の低級アルキル基を表わし、Ｘ、 Ｙはのアリール
オキシ基、シアン基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリ
ル基、テトラヒドロフルフリルオキシ基、ＣＩ〜４のア
ルキルスルホニルアミノ基もしくは０１〜８（ベンゾイ
ルオキシ基、ベンジルカルボニルオキシ基を含む）のア
シルオキシ基によって置換されたＣＩ〜４の低級アルキ
ル基；又は０１〜４の低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアン基、ヒドロキシ基
で置換されていてもよいＣ２〜８のアルケニル基を表わ
し、ただし、ＲＩＳ、ＲＩＩＳの少くとも一方は置換さ
れたアルキル基を表わす。２は陰イオン（ＰＦ６−を除
く）を表わし、ｍ及びｎは／又はλの数を表わす。但し
ｍがｌのとき、ｎはλを表わし、ｍが２のとき、ｎはｌ
を表す。〕Ｑ及び２で表わされる陰イオンとしては、た
とえばＩ 、 Ｂｒ 、 Ｃ１、Ｆ 、 （１０４、Ｂ
Ｆ４ 、ＳＯＮ 。
Ｃ１等のハロゲン原子、０１〜８（ベンゾイルアミ／基
、ベンジルカルボニルアミノ基も含ム）のアシルオキシ
アミノ基、ベンジルカルボニルオキシアミノ店も含む）
のアシルオキシアミノ基を表わし、ＲＩＳ 、 Ｒ１６
はＣ８〜４の低級アルキル基；Ｃ８〜４ のアルコキシ
基、Ｃ３〜６のアルコキシアルコキシ基、Ｃ５〜８のア
ルコキシアルコキシアルコキシ基、ア（式中、ＭはＮ１
、Ｃｕ、 Ｃｏ、Ｚｎ、 Ｆｅ（■）金属原子を表わし
、ＲＩ３、ＲＩ４は水素原子、ノ・ロゲン原子又はＣ，
〜４の低級アルキル基を表わし、Ｘ、 Ｙはのアリール
オキシ基、シアン基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリ
ル基、テトラヒドロフルフリルオキシ基、ＣＩ〜４のア
ルキルスルホニルアミノ基もしくは０１〜８（ベンゾイ
ルオキシ基、ベンジルカルボニルオキシ基を含む）のア
シルオキシ基によって置換されたＣＩ〜４の低級アルキ
ル基；又は０１〜４の低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアン基、ヒドロキシ基
で置換されていてもよいＣ２〜８のアルケニル基を表わ
し、ただし、ＲＩＳ、ＲＩＩＳの少くとも一方は置換さ
れたアルキル基を表わす。２は陰イオン（ＰＦ６−を除
く）を表わし、ｍ及びｎは／又はλの数を表わす。但し
ｍがｌのとき、ｎはλを表わし、ｍが２のとき、ｎはｌ
を表す。〕Ｑ及び２で表わされる陰イオンとしては、た
とえばＩ 、 Ｂｒ 、 Ｃ１、Ｆ 、 （１０４、Ｂ
Ｆ４ 、ＳＯＮ 。
５ＯＩＮＨ２、ＳｂＦ’６、ＺｒＦ６２ＣＩ３ Ｒ３５
０□ 、 ＴｉＦ６ Ｃ３−Ｃｏ。
０□ 、 ＴｉＦ６ Ｃ３−Ｃｏ。
、 ＣＮ−、Ｃ，、、Ｈ３３ＣＯＯ”−１Ｂ（○）４−
１等の一価または二価の陰イオンがあげられ、好ましく
はＩ 、 Ｂｒ 、 Ｃ！１−１ｃ１ｏ；、ＢＦ「、５
ｂｖｉの陰イオンである。
１等の一価または二価の陰イオンがあげられ、好ましく
はＩ 、 Ｂｒ 、 Ｃ！１−１ｃ１ｏ；、ＢＦ「、５
ｂｖｉの陰イオンである。
含金属インドアニリン系化合物の一般的合成は、たとえ
ば、久保由治、佐々木匡子、吉田勝平；日本化学会第５
３秋期年会講演予稿集／りｒ乙、６３りの記載に準じて
行なうことができる。すなわち、一般式（Ｖ） （ＣＨ２ＣＯＣＨ２Ｃｏ（ｉ３〕 ＯＨ％ ＯＨ３すｈしりＩＪ 、 ｅｍｉｒ６（式
中、ＲＩ３、ＲＩ４は前記定義に同じ。）で示される化
合物に、下記一般式〔■〕（式中、Ｘ、 Ｙ、 Ｒ１５
、Ｒ１６は前記定義に同じ。）で示される化合物の塩と
酸化的縮合を行ないＪ記一般式〔■〕 Ｒ１３，Ｒ１４ （式中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｘ、 Ｙは
前記定義に同じ。） を得た。次いで、上記化合物と下記一般式〔■〕ｕ
（ｚ ）ｎ ・・・・・・・・・・・・〔■〕
（式中、Ｍ、 Ｚ、、ｍ及びｎは前記定義に同じ。）と
を反応させることによって製造することができる。
ば、久保由治、佐々木匡子、吉田勝平；日本化学会第５
３秋期年会講演予稿集／りｒ乙、６３りの記載に準じて
行なうことができる。すなわち、一般式（Ｖ） （ＣＨ２ＣＯＣＨ２Ｃｏ（ｉ３〕 ＯＨ％ ＯＨ３すｈしりＩＪ 、 ｅｍｉｒ６（式
中、ＲＩ３、ＲＩ４は前記定義に同じ。）で示される化
合物に、下記一般式〔■〕（式中、Ｘ、 Ｙ、 Ｒ１５
、Ｒ１６は前記定義に同じ。）で示される化合物の塩と
酸化的縮合を行ないＪ記一般式〔■〕 Ｒ１３，Ｒ１４ （式中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｘ、 Ｙは
前記定義に同じ。） を得た。次いで、上記化合物と下記一般式〔■〕ｕ
（ｚ ）ｎ ・・・・・・・・・・・・〔■〕
（式中、Ｍ、 Ｚ、、ｍ及びｎは前記定義に同じ。）と
を反応させることによって製造することができる。
本発明の光学記録媒体は、基本的には基板と含金桐イン
ドアニリン系化合物を含む記録層とから構成されるもの
であるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層をまた
記録層上に保護層を設けることができる。
ドアニリン系化合物を含む記録層とから構成されるもの
であるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層をまた
記録層上に保護層を設けることができる。
本発明における基板としては、使用するレーザー光に対
して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔
状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、
プラスチックが種々の点から好適である。プラスチック
としては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂等
が挙げられる。
して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔
状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、
プラスチックが種々の点から好適である。プラスチック
としては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂等
が挙げられる。
この中で、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成
型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
本発明の光学記録媒体における含金属インドアニリン系
化合物を含有する記録層は、膜厚／ ００ Ａ＝ｊ μ
ｍ、好ましくは１ＯＯＯＡ〜３μｍである。成膜法とし
ては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行なわ
れている薄膜形成法で成膜することができる。
化合物を含有する記録層は、膜厚／ ００ Ａ＝ｊ μ
ｍ、好ましくは１ＯＯＯＡ〜３μｍである。成膜法とし
ては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行なわ
れている薄膜形成法で成膜することができる。
また、必要に応じてバインダーを使用することもできる
。バインダーとしてはＰＶＡ％ＰＶＰ。
。バインダーとしてはＰＶＡ％ＰＶＰ。
ニトロセルロース、酢酸セルロース、ホリビニルブチラ
ール、ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、樹
脂に対する含金属インドアニリン系化合物の量は重量比
で０５０７１以上あることが望ましい。スピナー法によ
り成膜の場合、回転数は１００５−ｊｏｏｏｒｐｒｎが
好ましく、スピンコードの後、場合によっては、加熱あ
るいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。
ール、ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、樹
脂に対する含金属インドアニリン系化合物の量は重量比
で０５０７１以上あることが望ましい。スピナー法によ
り成膜の場合、回転数は１００５−ｊｏｏｏｒｐｒｎが
好ましく、スピンコードの後、場合によっては、加熱あ
るいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。
また、記録体の安定性や耐光性向上のために、−重項酸
素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（たとえ
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフエニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等）を含有していて゛もよい。
素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（たとえ
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフエニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等）を含有していて゛もよい。
本発明の光学記録媒体に用いられる含金属インドアニリ
ン系化合物は、単独で用いるか、置換基の異なる２種以
上もしくは配位数の異なる２種以上の混合物を用いても
よく、又、該化合物を製造した結果得られた色素の混合
物を用いてもよく、更に、必要に応じて他の色素を併用
することができる。他の色素としては別の種類の同系統
の化合物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ
染料、シアニン系色素、スクワリリウム系色素など他系
統の色素でもよい。
ン系化合物は、単独で用いるか、置換基の異なる２種以
上もしくは配位数の異なる２種以上の混合物を用いても
よく、又、該化合物を製造した結果得られた色素の混合
物を用いてもよく、更に、必要に応じて他の色素を併用
することができる。他の色素としては別の種類の同系統
の化合物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ
染料、シアニン系色素、スクワリリウム系色素など他系
統の色素でもよい。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブロ
モホルム、ジブロモエタン、ジアセトンアルコール、エ
チルセロソルブ、キシレン、３−ヒドロキシ−３−メチ
ル−２−ブタノン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン
等の沸点７２０〜／６０℃のものが好適に使用される。
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブロ
モホルム、ジブロモエタン、ジアセトンアルコール、エ
チルセロソルブ、キシレン、３−ヒドロキシ−３−メチ
ル−２−ブタノン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン
等の沸点７２０〜／６０℃のものが好適に使用される。
この中でも、高生産性・コスト・耐吸湿性にすぐれる射
出成型ポリカーボネート樹脂基板に対しては、該基板を
おかすことなく、好適に使用できる溶媒として特に、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶
媒；ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−）ｆ
ルー２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒が挙げら
れる。
出成型ポリカーボネート樹脂基板に対しては、該基板を
おかすことなく、好適に使用できる溶媒として特に、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶
媒；ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−）ｆ
ルー２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒が挙げら
れる。
本発明の光学記録媒体め記録層は基板の両面に設けても
よいし、片面だけに設けてもよい。
よいし、片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面または１片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。
面または１片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光は
Ｎ２ 、 Ｈａ−Ｃ！ｄ、 Ａｒ、 Ｈｅ−Ｎ３．ルビ
ー半導体、色素レーザーなどがあげられるが、特に、軽
量性、取扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導
体レーザーが好適である。
Ｎ２ 、 Ｈａ−Ｃ！ｄ、 Ａｒ、 Ｈｅ−Ｎ３．ルビ
ー半導体、色素レーザーなどがあげられるが、特に、軽
量性、取扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導
体レーザーが好適である。
以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明を限定するものではない。
る実施例は本発明を限定するものではない。
実施例１
（ａ） 製造例
下記構造式
で表わされる化合物／、０ ？ ｒを夕００．ｌのエタ
ノールに溶解したものに、Ｎ１（Ｃ１０４）２・ＡＨ２
０２，１２Ｆを水ｒ００ｍｌに溶解したものを室温で約
１時間にわたって加え、室温で弘時間攪拌した。
ノールに溶解したものに、Ｎ１（Ｃ１０４）２・ＡＨ２
０２，１２Ｆを水ｒ００ｍｌに溶解したものを室温で約
１時間にわたって加え、室温で弘時間攪拌した。
その後、−夜放置後、水冷下λ時間攪拌した。次いで得
られた沈殿を吸引濾過し、水洗乾燥し、下記構造式で表
わされる含金属インドアニリン系化合物／、３ Ｊ ？
（対理収率り０％）を得た。
られた沈殿を吸引濾過し、水洗乾燥し、下記構造式で表
わされる含金属インドアニリン系化合物／、３ Ｊ ？
（対理収率り０％）を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
は図−７に示すようにλｍａＸ ７タタｎｍ（ｔｍａｘ
／２３０００ ）であった。
は図−７に示すようにλｍａＸ ７タタｎｍ（ｔｍａｘ
／２３０００ ）であった。
ｂ）記録媒体例
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
０．／ ！； ？を３−ヒドロキシ−３−メチル−２−
ブタノン１０？に溶解し、０．２２μのフィルターで濾
過し、溶解液を得た。この溶り、！ ｍＡ！を深さ７０
０Ｘ、幅０．７μの溝（グループ）つき、射出成型ポリ
カーボネート樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナ
ー法によりｊ ００ ｒｐｍの回転数で塗布した。
０．／ ！； ？を３−ヒドロキシ−３−メチル−２−
ブタノン１０？に溶解し、０．２２μのフィルターで濾
過し、溶解液を得た。この溶り、！ ｍＡ！を深さ７０
０Ｘ、幅０．７μの溝（グループ）つき、射出成型ポリ
カーボネート樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナ
ー法によりｊ ００ ｒｐｍの回転数で塗布した。
塗布後、６０℃で７０分間乾燥した。塗布膜の最大吸収
波長は７り７ ｎｍであり、反射率は≠θ％（ｒ Ｊ
Ｏｎｍ ）であった。スペクトルの形状は巾広かった。
波長は７り７ ｎｍであり、反射率は≠θ％（ｒ Ｊ
Ｏｎｍ ）であった。スペクトルの形状は巾広かった。
図−λに塗布膜の吸収および反射のスペクトルを示す。
（Ｃ）光記録法
上記記録媒体を≠ｍ７日で回転させながら、中心波長Ｊ
’ ３０ ｎｍの半導体レーザー光でノくルス幅ｊ ０
０ ｎ５ｅｃ で照射したところ、出力りｍＷでａ／Ｎ
比ｊ Ｊ−ｄＢを得た。保存安定性（ｘｒ℃、ｔｏ％Ｒ
Ｈ）も良好であり、光学記録媒体としてきわめて優れた
ものであった。
’ ３０ ｎｍの半導体レーザー光でノくルス幅ｊ ０
０ ｎ５ｅｃ で照射したところ、出力りｍＷでａ／Ｎ
比ｊ Ｊ−ｄＢを得た。保存安定性（ｘｒ℃、ｔｏ％Ｒ
Ｈ）も良好であり、光学記録媒体としてきわめて優れた
ものであった。
実施例λ
（ａ） 製造例
下記構造式
で表わされる化合物／、／ Ｊ ｒを７４−０．１のエ
タノールに溶解したものに、Ｎ１（ＢＦ４）２の≠Ｏチ
水溶液を／、０ 夕ｆ加え室温で約１時間攪拌した。次
いで、減圧上溶媒を溜去し、乾固した。次いでエタノー
ルｘｏｍｇ、水１０ｍ１を加え沈殿を生成、そのまま約
１時間懸濁状態で攪拌した。得られた沈殿を吸引濾過し
、水洗乾燥し、下記構造式で表わされる含金属インドア
ニリン系化合物／、０２２（対理収率７ｊ％）を得た。
タノールに溶解したものに、Ｎ１（ＢＦ４）２の≠Ｏチ
水溶液を／、０ 夕ｆ加え室温で約１時間攪拌した。次
いで、減圧上溶媒を溜去し、乾固した。次いでエタノー
ルｘｏｍｇ、水１０ｍ１を加え沈殿を生成、そのまま約
１時間懸濁状態で攪拌した。得られた沈殿を吸引濾過し
、水洗乾燥し、下記構造式で表わされる含金属インドア
ニリン系化合物／、０２２（対理収率７ｊ％）を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
は図−３に示すようにλｍａｘＪ’００ｎｍ （εｍａ
ｘ ／ ２λｏｏｏ ）であった。
は図−３に示すようにλｍａｘＪ’００ｎｍ （εｍａ
ｘ ／ ２λｏｏｏ ）であった。
（１）） 記録媒体例
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
θ、／ｊノをジアセトンアルコール１０ｆに溶解し、０
．２２μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶
液５ゴを深さ７００久、幅０．７μの溝（グループ）つ
き、射出成型ポリカーボネート樹脂基板（タインチ）上
に滴下し、スピナー法により２００ｒｐｍの回転数で塗
布した。塗布後、６０℃で７０分間乾燥した。塗布膜の
最大吸収波長はｆ０３ｎｍであり、反射率はｔＡＯ％（
１３０ｎｒｎ）であった。スペクトルの形状は巾広かっ
た。
θ、／ｊノをジアセトンアルコール１０ｆに溶解し、０
．２２μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶
液５ゴを深さ７００久、幅０．７μの溝（グループ）つ
き、射出成型ポリカーボネート樹脂基板（タインチ）上
に滴下し、スピナー法により２００ｒｐｍの回転数で塗
布した。塗布後、６０℃で７０分間乾燥した。塗布膜の
最大吸収波長はｆ０３ｎｍであり、反射率はｔＡＯ％（
１３０ｎｒｎ）であった。スペクトルの形状は巾広かっ
た。
図−≠に塗布膜の吸収および反射のスペクトルを示す。
（Ｃ） 光記録法
上記記録媒体を≠ｍ／θで回転させながら、中心波長１
３０ ｎｍの半導体レーザー光でノ（ルス幅！ ００
ｎ５ｅｃ で照射したところ、出力９ ｍＷでｃ／Ｎ比
ｊ ３ ｄＢを得た。保存安定性（Ｇｊ℃、ｔｏ％ＲＨ
） も良好であり、光学記録媒体としてきわめて優れ
たものであった。
３０ ｎｍの半導体レーザー光でノ（ルス幅！ ００
ｎ５ｅｃ で照射したところ、出力９ ｍＷでｃ／Ｎ比
ｊ ３ ｄＢを得た。保存安定性（Ｇｊ℃、ｔｏ％ＲＨ
） も良好であり、光学記録媒体としてきわめて優れ
たものであった。
実施例３
（ａ） 製造例
下記構造式
時間攪拌した。その後、−夜放置後、水冷下２時間攪拌
した。次いで得られた沈殿を吸引濾過し、水洗、乾燥し
、下記構造式で表わされる含金属インドアニリン系化合
物の混合物７．２≠２を得た。
した。次いで得られた沈殿を吸引濾過し、水洗、乾燥し
、下記構造式で表わされる含金属インドアニリン系化合
物の混合物７．２≠２を得た。
で表わされる化合物ｏ３ｒ ｒおよび
下記構造式
で表わされる化合物０．６ ｊ ｒを１００ｍ１のエタ
ノールに溶解したものに、Ｎ１（ａ１ｏ４）２・ＡＨ２
０２Ｊ ２ ｆを水ｒｏＯｒｔｔｌに溶解シタモノを室
温で約１時間にわたって加え、室温で３本品の可視部の
吸収スペクトル（クロロホルム中）はλｍａＸＪ’ＯＯ
ｎｍであった。
ノールに溶解したものに、Ｎ１（ａ１ｏ４）２・ＡＨ２
０２Ｊ ２ ｆを水ｒｏＯｒｔｔｌに溶解シタモノを室
温で約１時間にわたって加え、室温で３本品の可視部の
吸収スペクトル（クロロホルム中）はλｍａＸＪ’ＯＯ
ｎｍであった。
（ｂ） 記録媒体例
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
の混合物０．／ ｊ ？をジアセトンアルコール１０？
に溶解し０５２λμのフィルターで濾過し、溶解液を得
た。この溶液ｊ ｔｎｌを深さ７００＾、幅０．７μの
溝（グループ）つき射出成型ポリカーボネート樹脂基板
（５インチ）上に滴下し、スピナー法により７００ｒｐ
ｍの回転数で塗布した。塗布後、６０℃で１０分間乾燥
した。塗布膜の最大吸収波長はｒ ００ ｎｍであり、
反射率はｐＯ％（ｒＪＯｎｍ）であった。スペクトルの
形状は一種の化合物を用いたものよりも一層巾広かった
。
の混合物０．／ ｊ ？をジアセトンアルコール１０？
に溶解し０５２λμのフィルターで濾過し、溶解液を得
た。この溶液ｊ ｔｎｌを深さ７００＾、幅０．７μの
溝（グループ）つき射出成型ポリカーボネート樹脂基板
（５インチ）上に滴下し、スピナー法により７００ｒｐ
ｍの回転数で塗布した。塗布後、６０℃で１０分間乾燥
した。塗布膜の最大吸収波長はｒ ００ ｎｍであり、
反射率はｐＯ％（ｒＪＯｎｍ）であった。スペクトルの
形状は一種の化合物を用いたものよりも一層巾広かった
。
（ＣＩ 光記録法
上記記録媒体を≠ｍ／ｓ で回転させながら、中心波長
１３０ ｎｍの半導体レーザー光でパルス幅！ ００
ｎｓθＣで照射したところ、出力９ ｍＷでＣ／ Ｎ比
ｊ ＠ ｄＢを得た。保存安定性（ｇｔ℃、ｇｏ％ＲＨ
）も良好であり、光学記録媒体としてきわめて優れたも
のであった。
１３０ ｎｍの半導体レーザー光でパルス幅！ ００
ｎｓθＣで照射したところ、出力９ ｍＷでＣ／ Ｎ比
ｊ ＠ ｄＢを得た。保存安定性（ｇｔ℃、ｇｏ％ＲＨ
）も良好であり、光学記録媒体としてきわめて優れたも
のであった。
実施例≠
実施例／において用いた化合物の代わりに第１表に示し
た化合物を使用して得た溶液を基板上に塗布したところ
、第１表に示す塗布膜の最大吸収波長をもつ光学記録媒
体を得た。このようにして得られた記録媒体に光源とし
て半導体レーザーを用いて書き込みを行なったところ、
均一かつ明瞭な形状のピットが得られたｃ ／ Ｎ比も
良好であり、保存性も良好であった。
た化合物を使用して得た溶液を基板上に塗布したところ
、第１表に示す塗布膜の最大吸収波長をもつ光学記録媒
体を得た。このようにして得られた記録媒体に光源とし
て半導体レーザーを用いて書き込みを行なったところ、
均一かつ明瞭な形状のピットが得られたｃ ／ Ｎ比も
良好であり、保存性も良好であった。
前記実施例で用いた化合物の他、本発明の光学記録媒体
に好適に使用される含金属インドア二ＩＪン系化合物の
具体例は第２表の通りである。
に好適に使用される含金属インドア二ＩＪン系化合物の
具体例は第２表の通りである。
実施例！
下記構造式
で表わされる化合物／、／ ４１’ ？を、タタチエタ
ノール５ｏｏ７に溶解したものに、Ｎ１（ｃｚｏ４）２
゜乙Ｈ２００，３７Ｆを水ｊ ００ Ｑｌに溶解したも
のを窒素雰囲気下で加え、室温で約２時間攪拌した。
ノール５ｏｏ７に溶解したものに、Ｎ１（ｃｚｏ４）２
゜乙Ｈ２００，３７Ｆを水ｊ ００ Ｑｌに溶解したも
のを窒素雰囲気下で加え、室温で約２時間攪拌した。
得られた沈殿を吸引濾過し、水洗、乾燥し、下記構造式
で表わされる含金属インドアニリン系化合物を得た。
で表わされる含金属インドアニリン系化合物を得た。
本化合物の可視部吸収スペクトル（りａｏホルム中）は
、λｍａｘ ７り７ ｎｍ （εｍａｘ ／ ６０００
０ ）であった。
、λｍａｘ ７り７ ｎｍ （εｍａｘ ／ ６０００
０ ）であった。
（１）） 記録媒体例
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
ｏ、ｔｒｔを３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノ
ンｌＯ２に溶解し、０．２λμのフィルターで濾過し、
溶解液を得た。この溶液！ ｍｅを深さ７００Ａ、幅０
．７μの溝（グループ）つき射出成形ポリカーボネート
樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナー法により７
００ ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、１０℃で１
０分間乾燥しｆＣ６塗布膜の最大吸収波長は７タタｎｍ
であり、反射率ｖＯ％（１３０ｎｍ ）であった。スペ
クトルの形状は巾広かった。
ｏ、ｔｒｔを３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノ
ンｌＯ２に溶解し、０．２λμのフィルターで濾過し、
溶解液を得た。この溶液！ ｍｅを深さ７００Ａ、幅０
．７μの溝（グループ）つき射出成形ポリカーボネート
樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナー法により７
００ ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、１０℃で１
０分間乾燥しｆＣ６塗布膜の最大吸収波長は７タタｎｍ
であり、反射率ｖＯ％（１３０ｎｍ ）であった。スペ
クトルの形状は巾広かった。
（Ｃ） 光記録法
上記記録媒体をψｍ／８ で回転させながら、中心波長
７１０ ｎｍの半導体レーザー光でパルス幅！ ００
ｎ５ｅｃ で照射したところ、出カフ ｍＷでｃ／ Ｎ
比ｊ ｊ ｄＢ を得た。保存安定性（６！℃、ｇｏ％
ＲＨ） も良好であり、光学記録媒体として優れたも
のであった。
７１０ ｎｍの半導体レーザー光でパルス幅！ ００
ｎ５ｅｃ で照射したところ、出カフ ｍＷでｃ／ Ｎ
比ｊ ｊ ｄＢ を得た。保存安定性（６！℃、ｇｏ％
ＲＨ） も良好であり、光学記録媒体として優れたも
のであった。
実施例ｔ
（ａ） 製造例
実施例ｊにおいて、Ｎ １（Ｃ１０４）ｚ・ＪＨ２００
，３７ｆ （７）代りにＺｎ（Ｃ！ｔＯ４）２ ・ＡＨ
２００，ｊ Ｊ’ ｆを用いた以外は実施例ｊと同様に
行ない、下記構造式で表わされる含金属インドアニリン
系化合物を得た。
，３７ｆ （７）代りにＺｎ（Ｃ！ｔＯ４）２ ・ＡＨ
２００，ｊ Ｊ’ ｆを用いた以外は実施例ｊと同様に
行ない、下記構造式で表わされる含金属インドアニリン
系化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
はλｍａｘ ７りｊ ｎｍであった。
はλｍａｘ ７りｊ ｎｍであった。
（ｂ）記録媒体例−ｌ
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
０．７２をテトラクロロエタン１０９に溶解し、０．２
λμのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液ｊ
ｔｕｇを深さ７ ｏ ｏ Ｘ。
０．７２をテトラクロロエタン１０９に溶解し、０．２
λμのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液ｊ
ｔｕｇを深さ７ ｏ ｏ Ｘ。
幅０．７μの紫外線硬化樹脂による溝（グループ）つき
ＰＭＭＡ樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナー法
によりり００ ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、ｔ
ｏ℃で７０分間乾燥した。
ＰＭＭＡ樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナー法
によりり００ ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、ｔ
ｏ℃で７０分間乾燥した。
（Ｃ） 光記録法−１
上記記録媒体を成膜したｊインチのＰＭＭＡ樹脂基板を
ｕ ｍ／θで回転させながら、中心波長７ ｒ Ｏｎｍ
の半導体レーザー光でパルス幅ｊ ００ ｎ８ｅｃで照
射したところ、出力ｔ ｍＷでｃ ／ Ｎ比ｊ ２ ｄ
Ｂを得た。保存安定性（Ａ（７℃、１０％ＲＨ）も良好
であった。
ｕ ｍ／θで回転させながら、中心波長７ ｒ Ｏｎｍ
の半導体レーザー光でパルス幅ｊ ００ ｎ８ｅｃで照
射したところ、出力ｔ ｍＷでｃ ／ Ｎ比ｊ ２ ｄ
Ｂを得た。保存安定性（Ａ（７℃、１０％ＲＨ）も良好
であった。
（ａ） 記録媒体例−１
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
０．／ ７ ｆをエチルセロソルブ１０？に溶解し、０
．２λμのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶
液ｊ ｍｌを板厚／、２１１０１の／ｊμｍピッチの溝
（グループ）つきポリカーボネート樹脂基板（射出成型
品、５インチ）上に滴下し、スピナー法によりＪ’ ０
０ ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、６ｏ℃で７０
分間乾燥した。
０．／ ７ ｆをエチルセロソルブ１０？に溶解し、０
．２λμのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶
液ｊ ｍｌを板厚／、２１１０１の／ｊμｍピッチの溝
（グループ）つきポリカーボネート樹脂基板（射出成型
品、５インチ）上に滴下し、スピナー法によりＪ’ ０
０ ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、６ｏ℃で７０
分間乾燥した。
（ｅ） 光記録法−２
上記記録媒体を成膜した５インチのポリカーボネー）１
１１脂基板を≠ｍ／ｅで回転させながら、中心波長７ｒ
θｎｍの半導体レーザー光でパルス幅Ｊ ００ ｎ日ｅ
ｃで照射したところ、出力Ａ ｍＷでＣ／Ｎ比！； Ｏ
ｄＢを得た。保存安定性（６０℃、ｇｏ％ＲＨ） も
良好であった。
１１脂基板を≠ｍ／ｅで回転させながら、中心波長７ｒ
θｎｍの半導体レーザー光でパルス幅Ｊ ００ ｎ日ｅ
ｃで照射したところ、出力Ａ ｍＷでＣ／Ｎ比！； Ｏ
ｄＢを得た。保存安定性（６０℃、ｇｏ％ＲＨ） も
良好であった。
実施例７
（ａ） 製造例
実施例ｊにおいて、Ｎ１（Ｃ１Ｏ４）２・ＪＨ２００，
３７ｆの代りにＣ０（Ｃ１０４）２・ＡＨ２００，３７
Ｆを用いた以外は実施例よと同様に行ない、下記構造式
で表わされる含金属インドアニリン系化合物を得た。
３７ｆの代りにＣ０（Ｃ１０４）２・ＡＨ２００，３７
Ｆを用いた以外は実施例よと同様に行ない、下記構造式
で表わされる含金属インドアニリン系化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
は、λｍａｘ ７タタｎｍであった。
は、λｍａｘ ７タタｎｍであった。
（ｂ） 記録媒体例
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
を実施例！に記載の方法に従って、溝（グループ）つき
ＰＭＭＡ樹脂基板上にスピナー法による塗布を行なった
。塗布膜の最大吸収波長は７り７ ｎｍであり、スペク
トルの形状は巾広かった。
を実施例！に記載の方法に従って、溝（グループ）つき
ＰＭＭＡ樹脂基板上にスピナー法による塗布を行なった
。塗布膜の最大吸収波長は７り７ ｎｍであり、スペク
トルの形状は巾広かった。
（ｃ）光記録法
上記のＰＭＭＡ樹脂基板をＦｍ／ｓで回転させながら、
中心波長７ ｒ Ｏｎｍの半導体レーサー光テ、パルス
幅ｊ ００ ｎ５ｅｃ で照射したところ、出力Ａ ｍ
ＷでＣ／Ｎ比！ ＯｄＢを得た。
中心波長７ ｒ Ｏｎｍの半導体レーサー光テ、パルス
幅ｊ ００ ｎ５ｅｃ で照射したところ、出力Ａ ｍ
ＷでＣ／Ｎ比！ ＯｄＢを得た。
保存安定性（１０℃、１０チＲＨ） も良好であった
。
。
実施例ｔ
（ａ） 製造例
下記構造式
で表わされる化合物仁／ＦＰを３００．ｌのエタノール
に溶解したものに、Ｎ１（ｃｔｏ４）２・ＡＨ２０ｏ３
ｏ ｔを水夕００ｍ１に溶解したものを加え、室温で
２時間攪拌した。
に溶解したものに、Ｎ１（ｃｔｏ４）２・ＡＨ２０ｏ３
ｏ ｔを水夕００ｍ１に溶解したものを加え、室温で
２時間攪拌した。
得られた沈殿を吸引濾過し、水洗、乾燥し、下記構造式
で表わされる含金属インドアニリン系化合物の混合物Ｏ
６りｊノを得た。
で表わされる含金属インドアニリン系化合物の混合物Ｏ
６りｊノを得た。
（ｂ）記録媒体例
前記製造例（ａ）で得た含金属インドアニリン系化合物
の混合物０．／ ｊ Ｐをジアセトンアルコール７０２
に溶解し０．２２μのフィルタで濾過し、溶解液を得た
。この溶液ｊ肩ｌを深さ７０ＯＡ、幅０，７μの溝（グ
ループ）つき射出成型ポリカーボネート樹脂基板（５イ
ンチ）上に滴下し、スピナー法によりＳＯＯｒｐｍの回
転数で塗布した。塗布後、ｔｏ℃で７０分間乾燥した。
の混合物０．／ ｊ Ｐをジアセトンアルコール７０２
に溶解し０．２２μのフィルタで濾過し、溶解液を得た
。この溶液ｊ肩ｌを深さ７０ＯＡ、幅０，７μの溝（グ
ループ）つき射出成型ポリカーボネート樹脂基板（５イ
ンチ）上に滴下し、スピナー法によりＳＯＯｒｐｍの回
転数で塗布した。塗布後、ｔｏ℃で７０分間乾燥した。
塗布膜の最大吸収波長はｌθθｎｍであり、反射率は４
ｔｏ％（１３０ｎｍ）であった。スペクトルの形状は一
種の化合物を用いたものよりも一層巾広かった。
ｔｏ％（１３０ｎｍ）であった。スペクトルの形状は一
種の化合物を用いたものよりも一層巾広かった。
（Ｃ） 光記録法
上記記録媒体をＶｍ／ｓで回転させながら、中心波長７
ｒ Ｏｎｍの半導体レーザー光でパルス幅ｊ ００
ｎｓθＣで照射したところ、出カフ ｍＷでｃ ／ Ｎ
比ｊ Ｆ ｄＢを得た。保存安定性（ｘｊ’ｃ、ざＯ％
ＲＨ） も良好であった。
ｒ Ｏｎｍの半導体レーザー光でパルス幅ｊ ００
ｎｓθＣで照射したところ、出カフ ｍＷでｃ ／ Ｎ
比ｊ Ｆ ｄＢを得た。保存安定性（ｘｊ’ｃ、ざＯ％
ＲＨ） も良好であった。
実施例り
実施例ｊにおいて用いた化合物の代わりに第３表に示し
た化合物を使用して得た溶液を基板上に塗布したところ
、第３表に示す塗布膜の最大吸収波長をもつ光学記録媒
体を得た。このようにして得られた記録媒体に光源とし
て半導体レーザーを用いて書き込みを行なったところ、
均一かつ明瞭な形状のピントが得られたＣ／Ｎ比も良好
であり、保存性も良好であった。
た化合物を使用して得た溶液を基板上に塗布したところ
、第３表に示す塗布膜の最大吸収波長をもつ光学記録媒
体を得た。このようにして得られた記録媒体に光源とし
て半導体レーザーを用いて書き込みを行なったところ、
均一かつ明瞭な形状のピントが得られたＣ／Ｎ比も良好
であり、保存性も良好であった。
前記実施例で用いた化合物の他、本発明の光学記録媒体
に好適に使用される含金属インドア二ＩＪン系化合物の
具体例を下記第１表及び第１表に示す。
に好適に使用される含金属インドア二ＩＪン系化合物の
具体例を下記第１表及び第１表に示す。
尚、第５表は、本発明の光学記録媒体に用いられる化合
物の具体例を下記の一般式におけるＭ、Ｒ’、Ｒ２、Ｒ
３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｑを示して表わしたものである
。
物の具体例を下記の一般式におけるＭ、Ｒ’、Ｒ２、Ｒ
３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｑを示して表わしたものである
。
℃−一一一ノ
≠
〔発明の効果〕
本発明の含金属インドアニリン系化合物は、有機溶媒に
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あり、しかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
り且つ保存安定性にすぐれているので、該化合物を用い
た光学記録媒体は極めて有用なものである。
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あり、しかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
り且つ保存安定性にすぐれているので、該化合物を用い
た光学記録媒体は極めて有用なものである。
図−／及び図−３は、本発明の含金属インドアニリン系
化合物λ例（実施例／及び実施例λ）の可視部吸収スペ
クトルをそれぞれ表わすものであり、縦軸は吸光度、横
軸は波長（ｎｍ）を表わす。 図−１及び図−≠は、本発明の含金属インドアニリン系
化合物λ例の塗布薄膜（実施例／及び実施例２）の吸収
スペクトルと反射スペクトルを表わすものであり、縦軸
は左が吸光度、右が反射率を表わし、横軸は波長（ｎｍ
）を表わす。 ロー２ 双大鴎ッ） 浪千６１ｍ） 図−３ 没長（び）
化合物λ例（実施例／及び実施例λ）の可視部吸収スペ
クトルをそれぞれ表わすものであり、縦軸は吸光度、横
軸は波長（ｎｍ）を表わす。 図−１及び図−≠は、本発明の含金属インドアニリン系
化合物λ例の塗布薄膜（実施例／及び実施例２）の吸収
スペクトルと反射スペクトルを表わすものであり、縦軸
は左が吸光度、右が反射率を表わし、横軸は波長（ｎｍ
）を表わす。 ロー２ 双大鴎ッ） 浪千６１ｍ） 図−３ 没長（び）
Claims (1)
- （１）基板上に担持された色素を含有する記録層に該色
素に熱的変化を与える集束レーザー光を照射して、前記
記録層に部分的な変化を生ぜしめて記録を行ない、次い
で該変化部分の選択によって再生を行なう記録媒体にお
いて、該色素として、下記一般式〔 I 〕で表わされる
含金属インドアニリン系化合物を使用したことを特徴と
する光学記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中、ＭはVIII族、 I ｂ族、IIｂ族、IIIｂ族、IVａ
族、Ｖａ族、VIａ族、VIIａ族の金属原子、そのハロゲ
ン化物及びその酸化物を表わし、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ
、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉは置換基を有していてもよい。Ｒ＾１
、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は水素原子
、置換されていてもよいアルキル基、置換されていても
よいアリール基、置換されていてもよいアルケニル基、
置換されていてもよいシクロアルキル基を表わし、ただ
し、Ｒ＾１とＲ＾２、Ｒ＾３とＲ＾４、Ｒ＾５とＲ＾６
の少なくとも一方は置換されたアルキル基を表わす。Ｑ
は陰イオン（ＰＦ＿６＾−を除く）を表わし、ｌ、ｍ、
ｎはそれぞれ０または１、ただしｌ＋ｍ＋ｎは２または
３を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63087946A JP2512075B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-04-09 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25665087 | 1987-10-12 | ||
| JP62-256650 | 1987-10-12 | ||
| JP63087946A JP2512075B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-04-09 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02568A true JPH02568A (ja) | 1990-01-05 |
| JP2512075B2 JP2512075B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=26429175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63087946A Expired - Lifetime JP2512075B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-04-09 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2512075B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737722A3 (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-23 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | New indoaniline metal complex, process for their production, and transparent recording medium and optical recording medium by use thereof |
-
1988
- 1988-04-09 JP JP63087946A patent/JP2512075B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737722A3 (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-23 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | New indoaniline metal complex, process for their production, and transparent recording medium and optical recording medium by use thereof |
| US5792863A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-11 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
| US5892042A (en) * | 1995-04-14 | 1999-04-06 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivative metal complexes used for transparent recording medium or optical recording medium |
| US5919928A (en) * | 1995-04-14 | 1999-07-06 | Nippon Paper Industries, Co., Ltd. | Phenanthridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2512075B2 (ja) | 1996-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |