JPH0816199B2 - ナフトキノンメチド系化合物 - Google Patents
ナフトキノンメチド系化合物Info
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- JPH0816199B2 JPH0816199B2 JP62056233A JP5623387A JPH0816199B2 JP H0816199 B2 JPH0816199 B2 JP H0816199B2 JP 62056233 A JP62056233 A JP 62056233A JP 5623387 A JP5623387 A JP 5623387A JP H0816199 B2 JPH0816199 B2 JP H0816199B2
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフトキノンメチド系化合物に関す
る。
る。
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存
および再生を可能とするため、近年、特にその開発がと
りすゝめられている。
および再生を可能とするため、近年、特にその開発がと
りすゝめられている。
光学記録の一例としては、光ディスクをあげることが
できる。
できる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い
記録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、
高密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照
射されたレーザー光エネルギーの吸収によつて、その個
所の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成す
ることにより行なわれる。また、記録された情報の再生
は、レーザー光により変形が起きている部分と起きてい
ない部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれ
る。
記録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、
高密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照
射されたレーザー光エネルギーの吸収によつて、その個
所の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成す
ることにより行なわれる。また、記録された情報の再生
は、レーザー光により変形が起きている部分と起きてい
ない部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれ
る。
したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエ
ネルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使
用する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこ
と、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特
定波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要と
なる。
ネルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使
用する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこ
と、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特
定波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要と
なる。
この種の光学記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。
知られている。
例えば、特開昭55−97033号公報には、基板上にフタ
ロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されてい
る。しかしながらフタロシアニン系色素が感度が低く、
また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さら
に有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布によるコ
ーティングに使用することができないという問題点も有
している。
ロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されてい
る。しかしながらフタロシアニン系色素が感度が低く、
また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さら
に有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布によるコ
ーティングに使用することができないという問題点も有
している。
また、特開昭58−83344号公報にはフェナレン系色素
を、特開昭58−224793号公報にはナフトキノン系色素を
記録層に設けたものが開示されている。しかし、このよ
うな色素は蒸着しやすいという利点の半面、反射率が低
いという問題点を有している。反射率が低いとレーザー
光により記録された部分と未記録部分との反射率に関係
するコントラストは低くなり、記録された情報の再生が
困難となる。更に、一般に有機系色素は保存安定性が劣
るという問題点を有している。
を、特開昭58−224793号公報にはナフトキノン系色素を
記録層に設けたものが開示されている。しかし、このよ
うな色素は蒸着しやすいという利点の半面、反射率が低
いという問題点を有している。反射率が低いとレーザー
光により記録された部分と未記録部分との反射率に関係
するコントラストは低くなり、記録された情報の再生が
困難となる。更に、一般に有機系色素は保存安定性が劣
るという問題点を有している。
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によ
るコーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コン
トラストが良好で保存性にすぐれているナフトキノンメ
チド系化合物を提供することを目的とするものである。
るコーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コン
トラストが良好で保存性にすぐれているナフトキノンメ
チド系化合物を提供することを目的とするものである。
本発明は、レーザー光線によつて状態変化を生ぜしめ
ることによつて記録再生を行なうための光学記録媒体の
色素として適した下記一般式〔I〕で表わされるナフト
キノンメチド系化合物をその要旨とするものである。
ることによつて記録再生を行なうための光学記録媒体の
色素として適した下記一般式〔I〕で表わされるナフト
キノンメチド系化合物をその要旨とするものである。
一般式〔I〕 (式中、RはCNまたはCONH2を表わし、Xは水素原子ま
たは、アルキル基を表わし、R1及びR2は低級アルキル基
を表わす。) 前記一般式〔I〕で示されるナフトキノンメチド系化
合物は、600〜800nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分
子吸収係数が104〜105cm-1である。
たは、アルキル基を表わし、R1及びR2は低級アルキル基
を表わす。) 前記一般式〔I〕で示されるナフトキノンメチド系化
合物は、600〜800nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分
子吸収係数が104〜105cm-1である。
本発明の一般式〔I〕で示されるナフトキノンメチド
系化合物の一般的合成は、たとえば、一般式〔II〕 (式中、R及びZは前記定義に同じ。) で表わされる化合物と一般式〔III〕 (式中、X、Y、R1及びR2は前記定義に同じ。) で表わされる化合物の塩酸塩とを酸化的縮合することに
よって製造することができる。
系化合物の一般的合成は、たとえば、一般式〔II〕 (式中、R及びZは前記定義に同じ。) で表わされる化合物と一般式〔III〕 (式中、X、Y、R1及びR2は前記定義に同じ。) で表わされる化合物の塩酸塩とを酸化的縮合することに
よって製造することができる。
本発明のナフトキノンメチド化合物を用いた光学的記
録媒体は、基本的には基板とナフトキノンメチド系化合
物を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに
必要に応じて基板上に下引き層を、また記録層上に保護
層を設けることができる。
録媒体は、基本的には基板とナフトキノンメチド系化合
物を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに
必要に応じて基板上に下引き層を、また記録層上に保護
層を設けることができる。
本発明における基板としては、使用するレーザー光に
対して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の
材質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体が上げられる
が、プラスチックが種々の点から好適である。プラスチ
ックとしては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
対して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の
材質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体が上げられる
が、プラスチックが種々の点から好適である。プラスチ
ックとしては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
光学的記録媒体における情報記録層としてナフトキノ
ンメチド系光学物を使用する際、膜厚は100Å〜5μ
m、好ましくは1000Å〜3μmである。成膜法としては
真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、
キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行なわれて
いる薄膜形成法で成膜することができる。また、必要に
応じてバインダーを使用することもできる。バインダー
としてはPVA、PVP、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネートなど既知
のものが用いられ、樹脂に対するナフトキノンメチド系
化合物の量は重量比で0.01以上あることが望ましい。ス
ピナー法による成膜の場合、回転数は500〜5000rpmが好
ましく、スピンコートの後、場合によつては、加熱ある
いは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。ま
た、記録体の安定性や耐光性向上のために、一重項酸素
クエンチャーとして遷移金属キレート化合物(たとえ
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等)を含有していてもよい。更に、必要に応
じて他の色素を併用することができる。他の色素として
は別の種類のナフトキノンメチド系色素でもよいし、ト
リアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、
スクワリリウム系色素など他系統の色素でもよい。
ンメチド系光学物を使用する際、膜厚は100Å〜5μ
m、好ましくは1000Å〜3μmである。成膜法としては
真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、
キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行なわれて
いる薄膜形成法で成膜することができる。また、必要に
応じてバインダーを使用することもできる。バインダー
としてはPVA、PVP、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネートなど既知
のものが用いられ、樹脂に対するナフトキノンメチド系
化合物の量は重量比で0.01以上あることが望ましい。ス
ピナー法による成膜の場合、回転数は500〜5000rpmが好
ましく、スピンコートの後、場合によつては、加熱ある
いは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。ま
た、記録体の安定性や耐光性向上のために、一重項酸素
クエンチャーとして遷移金属キレート化合物(たとえ
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等)を含有していてもよい。更に、必要に応
じて他の色素を併用することができる。他の色素として
は別の種類のナフトキノンメチド系色素でもよいし、ト
リアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、
スクワリリウム系色素など他系統の色素でもよい。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬
法、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成
する場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブ
ロモホルム、ジブロモエタン、エチルセロソルブ、キシ
レン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等の沸点120
〜160℃のものが好適に使用される。
法、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成
する場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブ
ロモホルム、ジブロモエタン、エチルセロソルブ、キシ
レン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等の沸点120
〜160℃のものが好適に使用される。
光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよい
し、片面だけに設けてもよい。
し、片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の
両面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束し
たレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあて
る事により行なう。レーザー光の照射された部分には、
レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等
の記録層の熱的変形が起こる。
両面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束し
たレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあて
る事により行なう。レーザー光の照射された部分には、
レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等
の記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変
形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を
読み取る事により行なう。
形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を
読み取る事により行なう。
本発明の光学的記録媒体について使用されるレーザー
光はN2、He−Cd、Ar、He−Ne、ルビー、半導体、色素レ
ーザーなどがあげられるが、特に、軽量性、取扱いの容
易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好適
である。
光はN2、He−Cd、Ar、He−Ne、ルビー、半導体、色素レ
ーザーなどがあげられるが、特に、軽量性、取扱いの容
易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好適
である。
実施例 以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、か
かる実施例は本発明を限定するものではない。
かる実施例は本発明を限定するものではない。
実施例1 (a) 製造例 水酸化ナトリウム640mgを溶解したアルカリ水溶液に
下記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩858mgとトリエチルアミン
0.3mlと下記構造式 で表わされる1−ナフチルマロノニトリル384.4mgを加
え、これらに次亜塩素酸ナトリウム水溶液14.89mlを室
温にて滴下した。滴下後10分間撹拌した後、沈殿を
別、乾燥させた。シリカゲルカラム分解(展開溶媒クロ
ロホルム)後、エタノール再結晶し、下記構造式で表わ
される化合物を得た。(収率51%) 本化合物の融点は、135〜136℃であり、可視部の吸収
スペクトル(クロロホルム中)はλmax761nm(ε3080
0)(図−1)であり、元素分析結果は、下記の通りで
あり、分析値は計算値とよく合致した。
下記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩858mgとトリエチルアミン
0.3mlと下記構造式 で表わされる1−ナフチルマロノニトリル384.4mgを加
え、これらに次亜塩素酸ナトリウム水溶液14.89mlを室
温にて滴下した。滴下後10分間撹拌した後、沈殿を
別、乾燥させた。シリカゲルカラム分解(展開溶媒クロ
ロホルム)後、エタノール再結晶し、下記構造式で表わ
される化合物を得た。(収率51%) 本化合物の融点は、135〜136℃であり、可視部の吸収
スペクトル(クロロホルム中)はλmax761nm(ε3080
0)(図−1)であり、元素分析結果は、下記の通りで
あり、分析値は計算値とよく合致した。
(b) 記録媒体例−1 前記製造例(a)で得られたナフトキノンメチド系化
合物0.15gをテトラクロロエタン10gに溶解し、0.22μの
フィルターで過し、溶解液を得た。この溶液1mlをポ
リメチルメタクリレート(PMMA)樹脂基板(52φ)の上
に滴下し、スピナー法により600rpmの回転数で塗布し
た。塗布後、60℃で10分間乾燥した。塗布膜の最大吸収
波長は770nmであり、反射率は28%(830nm)であった。
スペクトルの形状は巾広かった。図−2に塗布膜の吸収
および反射のスペクトルを示す。
合物0.15gをテトラクロロエタン10gに溶解し、0.22μの
フィルターで過し、溶解液を得た。この溶液1mlをポ
リメチルメタクリレート(PMMA)樹脂基板(52φ)の上
に滴下し、スピナー法により600rpmの回転数で塗布し
た。塗布後、60℃で10分間乾燥した。塗布膜の最大吸収
波長は770nmであり、反射率は28%(830nm)であった。
スペクトルの形状は巾広かった。図−2に塗布膜の吸収
および反射のスペクトルを示す。
(c) 光記録法−1 この塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー光を
出力4mWで照射した所、巾1.57μm、ピット深さ1267Å
(エリオニクス測定値)の輪郭の極めて明瞭なピットが
形成された。
出力4mWで照射した所、巾1.57μm、ピット深さ1267Å
(エリオニクス測定値)の輪郭の極めて明瞭なピットが
形成された。
この塗布膜は高温高湿下(60℃、80%RH)での促進テ
ストで20日以上安定であった。
ストで20日以上安定であった。
(d) 記録媒体例−2 前記製造例(a)で得られたナフトキノンメチド系化
合物0.1gをテトラクロロエタン10gに溶解し、0.22μの
フィルターで過し、溶解液を得た。この溶液5mlを深
さ700Å、幅0.7μの紫外線硬化樹脂による溝(グルー
ブ)つきPMMA樹脂基板(5インチ)上に滴下し、スピナ
ー法により800rpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で
10分間乾燥した。
合物0.1gをテトラクロロエタン10gに溶解し、0.22μの
フィルターで過し、溶解液を得た。この溶液5mlを深
さ700Å、幅0.7μの紫外線硬化樹脂による溝(グルー
ブ)つきPMMA樹脂基板(5インチ)上に滴下し、スピナ
ー法により800rpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で
10分間乾燥した。
(e) 光記録法−2 上記記録媒体を成膜した5インチのPMMA樹脂基板を4m
/sで回転させながら、中心波長830nmの半導体レーザー
光でパルス幅500nsecで照射したところ、出力6mWでC/N
比50dβを得た。保存安定性(60℃、80%RH)も良好で
あった。
/sで回転させながら、中心波長830nmの半導体レーザー
光でパルス幅500nsecで照射したところ、出力6mWでC/N
比50dβを得た。保存安定性(60℃、80%RH)も良好で
あった。
実施例2 (a) 製造例 実施例1において下記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩858mgの代わりに、下記構
造式 で表わされる化合物の塩酸塩690mgを用いた以外は実施
例1と同様に行ない、下記構造式で表わされるナフトキ
ノンメチド系化合物を得た。(収率28%) 本化合物の融点は181〜183℃であり、可視部の吸収ス
ペクトル(クロロホルム中)は、λmax722nm(ε2550
0)(図−3)であり、元素分析結果は、下記の通りで
あり、計算値とよく合致した。
造式 で表わされる化合物の塩酸塩690mgを用いた以外は実施
例1と同様に行ない、下記構造式で表わされるナフトキ
ノンメチド系化合物を得た。(収率28%) 本化合物の融点は181〜183℃であり、可視部の吸収ス
ペクトル(クロロホルム中)は、λmax722nm(ε2550
0)(図−3)であり、元素分析結果は、下記の通りで
あり、計算値とよく合致した。
(b) 記録媒体例 前記製造例(a)で得られたナフトキノンメチド系化
合物を実施例1に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板
(25φ)の上にスピナー法により塗布を行なった。
合物を実施例1に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板
(25φ)の上にスピナー法により塗布を行なった。
塗布膜の最大吸収波長は750nmであり、反射率は28%
(830nm)であった。スペクトルの形状は巾広かった。
図−4に塗布膜の吸収および反射のスペクトルを示す。
(830nm)であった。スペクトルの形状は巾広かった。
図−4に塗布膜の吸収および反射のスペクトルを示す。
(c) 光記録法 上記の塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー光
を出力4mWで照射したところ、輪郭の明瞭なピットが形
成された。
を出力4mWで照射したところ、輪郭の明瞭なピットが形
成された。
この塗布膜の保存安定性(60℃、80%RH)は良好であ
った。
った。
実施例3 実施例1の方法に準じて、一般式〔I〕で代表される
ナフトキノンメチド系化合物を合成した。
ナフトキノンメチド系化合物を合成した。
これらの化合物のクロロホルム溶媒中でのλmaxを第
1表に示す。
1表に示す。
〔発明の効果〕 本発明のナフトキノンメチド系化合物は、有機溶媒に
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あり、しかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
り且つ保存安定性にすぐれているので、光学記録媒体用
色素として極めて有用なものである。
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あり、しかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
り且つ保存安定性にすぐれているので、光学記録媒体用
色素として極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】 図−1、及び図−3は、本発明のナフトキノンメチド系
化合物2例の可視部吸収スペクトルを表わすものであ
り、縦軸は吸光度、横軸は波長(nm)を表わす。 図−2及び、図−4は、本発明のナフトキノンメチド系
化合物2例の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクト
ルを表わすものであり、縦軸は左が吸光度、右が反射率
を表わし、横軸は波長(nm)を表わす。
化合物2例の可視部吸収スペクトルを表わすものであ
り、縦軸は吸光度、横軸は波長(nm)を表わす。 図−2及び、図−4は、本発明のナフトキノンメチド系
化合物2例の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクト
ルを表わすものであり、縦軸は左が吸光度、右が反射率
を表わし、横軸は波長(nm)を表わす。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 修一 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】一般式〔I〕 (式中、RはCN、またはCONH2を表わし、Xは水素原子
またはアルキル基を表わし、R1及びR2は低級アルキル基
を表わす。) で示されるナフトキノンメチド系化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056233A JPH0816199B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ナフトキノンメチド系化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056233A JPH0816199B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ナフトキノンメチド系化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63223068A JPS63223068A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH0816199B2 true JPH0816199B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=13021385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62056233A Expired - Lifetime JPH0816199B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ナフトキノンメチド系化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816199B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2711710B2 (ja) * | 1989-03-04 | 1998-02-10 | コニカ株式会社 | 新規なシアンカプラー |
| EP0941990A3 (de) * | 1998-03-09 | 2002-07-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Azamethinen sowie Azamethine selbst |
| US7035200B2 (en) * | 2002-02-07 | 2006-04-25 | Verification Technologies, Inc. | Optical disk copy-protection using an optically changeable security material |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62056233A patent/JPH0816199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63223068A (ja) | 1988-09-16 |
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