JPH025718B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH025718B2 JPH025718B2 JP56154368A JP15436881A JPH025718B2 JP H025718 B2 JPH025718 B2 JP H025718B2 JP 56154368 A JP56154368 A JP 56154368A JP 15436881 A JP15436881 A JP 15436881A JP H025718 B2 JPH025718 B2 JP H025718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tellurium dioxide
- gold
- single crystal
- crucible
- growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は二酸化テルル単結晶の育成方法に関す
る。
る。
従来、二酸化テルル（TeO2）は大きな光偏向
係数をもつ酸化物光学材料として知られ、それを
利用して作られたレーザー光の変調器がレーザー
フアクシミリなどに応用され、実用化されてい
る。この材料は単結晶化したものが使用される
が、単結晶は主として溶融原料からの引上げ法に
よつて育成される。原料である二酸化テルルは融
点が約740℃なのでその保持のためには通常、他
の酸化物光学材料にならつて白金製のるつぼが用
いられている。しかしながら、二酸化テルルは白
金を浸食する性質があり、浸食の結果遊離した白
金が黒味を帯びた薄い膜状となつて融液表面に浮
くのが観察される。この遊離白金は単結晶育成の
最初の段階である種子結晶と溶融原料の接触、即
ち種子付け（seeding）において種子結晶にまと
い付く。これをそのままにして単結晶育成を行な
うとその付着部分から多結晶となるかあるいは結
晶中にとりこまれて光の散乱原因となつたりす
る。従つて、単結晶育成において遊離白金のよう
な異物が種子結晶に付着することは厳に避けなけ
ればならないことであるが、従来の育成方法では
種子結晶に異物が付着するのを避けることは難し
く、異物を付着した場合にこれを除去する方法が
なかつたため、良好な二酸化テルル単結晶を得る
ことが難しいという欠点があつた。
係数をもつ酸化物光学材料として知られ、それを
利用して作られたレーザー光の変調器がレーザー
フアクシミリなどに応用され、実用化されてい
る。この材料は単結晶化したものが使用される
が、単結晶は主として溶融原料からの引上げ法に
よつて育成される。原料である二酸化テルルは融
点が約740℃なのでその保持のためには通常、他
の酸化物光学材料にならつて白金製のるつぼが用
いられている。しかしながら、二酸化テルルは白
金を浸食する性質があり、浸食の結果遊離した白
金が黒味を帯びた薄い膜状となつて融液表面に浮
くのが観察される。この遊離白金は単結晶育成の
最初の段階である種子結晶と溶融原料の接触、即
ち種子付け（seeding）において種子結晶にまと
い付く。これをそのままにして単結晶育成を行な
うとその付着部分から多結晶となるかあるいは結
晶中にとりこまれて光の散乱原因となつたりす
る。従つて、単結晶育成において遊離白金のよう
な異物が種子結晶に付着することは厳に避けなけ
ればならないことであるが、従来の育成方法では
種子結晶に異物が付着するのを避けることは難し
く、異物を付着した場合にこれを除去する方法が
なかつたため、良好な二酸化テルル単結晶を得る
ことが難しいという欠点があつた。
本発明は上記欠点を除き、遊離白金などの異物
が種子結晶に付着することなく良好な単結晶が得
られる二酸化テルル単結晶の育成方法を提供する
ものである。
が種子結晶に付着することなく良好な単結晶が得
られる二酸化テルル単結晶の育成方法を提供する
ものである。
本発明の二酸化テルル単結晶の育成方法は、金
製のるつぼまたは高融点金属製容器の内面に金メ
ツキをして得られる金メツキるつぼに二酸化テル
ル原料を入れて溶融する工程と、前記溶融された
二酸化テルルに種子結晶を種子付けして引上げ法
により単結晶を成長させる工程とを含んで構成さ
れる。
製のるつぼまたは高融点金属製容器の内面に金メ
ツキをして得られる金メツキるつぼに二酸化テル
ル原料を入れて溶融する工程と、前記溶融された
二酸化テルルに種子結晶を種子付けして引上げ法
により単結晶を成長させる工程とを含んで構成さ
れる。
金は融点が1064℃で二酸化テルルの融点約740
℃よりも高く、溶融二酸化テルルに浸食されない
ので、金は二酸化テルル単結晶の育成に最適の材
料である。従つて、金製のるつぼまたは金を内面
にメツキしたるつぼを用いると良好な二酸化テル
ル単結晶を育成することができる。
℃よりも高く、溶融二酸化テルルに浸食されない
ので、金は二酸化テルル単結晶の育成に最適の材
料である。従つて、金製のるつぼまたは金を内面
にメツキしたるつぼを用いると良好な二酸化テル
ル単結晶を育成することができる。
金メツキしたるつぼを作る場合、るつぼの素材
となる容器は二酸化テルルの融点より高い融点を
有する金属を用いる。容器材料としては、例えば
白金、モリブデン等を用いることができる。
となる容器は二酸化テルルの融点より高い融点を
有する金属を用いる。容器材料としては、例えば
白金、モリブデン等を用いることができる。
次に、本発明の実施例について説明する。内径
50mm、深さ50mm、厚さ1.5mmの白金製容器をるつ
ぼ素材として、これの内面に厚さ30μｍの金メツ
キを施して金メツキるつぼとする。このるつぼ内
に二酸化テルル原料を入れて溶融し、種子付け
し、引上げ法により二酸化テルル学結晶の育成を
行つた。
50mm、深さ50mm、厚さ1.5mmの白金製容器をるつ
ぼ素材として、これの内面に厚さ30μｍの金メツ
キを施して金メツキるつぼとする。このるつぼ内
に二酸化テルル原料を入れて溶融し、種子付け
し、引上げ法により二酸化テルル学結晶の育成を
行つた。
種子付けに際し、遊離白金のような浮遊異物が
溶融二酸化テルル表面に現われることはなかつ
た。
溶融二酸化テルル表面に現われることはなかつ
た。
得られた直径約20mmの単結晶を厚さ10mmに輪切
りにして、両端面を鏡面研磨した後、He−Neレ
ーザー光を通過させて光の散乱を調べたが、光の
散乱は認められず、散乱の原因となる異物あるい
は多結晶が存在しないことが確められた。また螢
光Ｘ線分析によつても金は検出されなかつた。従
つて、金は二酸化テルル融液に浸食されていない
ことが確認された。
りにして、両端面を鏡面研磨した後、He−Neレ
ーザー光を通過させて光の散乱を調べたが、光の
散乱は認められず、散乱の原因となる異物あるい
は多結晶が存在しないことが確められた。また螢
光Ｘ線分析によつても金は検出されなかつた。従
つて、金は二酸化テルル融液に浸食されていない
ことが確認された。
上記実施例では金メツキの厚さを30μｍとした
が、金メツキは下地材料が露出しなければ良い厚
さで良い。
が、金メツキは下地材料が露出しなければ良い厚
さで良い。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
融液からの引上げによる二酸化テルル単結晶育成
において、異物付着あるいは多結晶の混入がな
く、光を散乱させない良好な二酸化テルル単結晶
を育成することができるのでその効果は大きい。
融液からの引上げによる二酸化テルル単結晶育成
において、異物付着あるいは多結晶の混入がな
く、光を散乱させない良好な二酸化テルル単結晶
を育成することができるのでその効果は大きい。
Claims (1)
- １ 金製のるつぼまたは高融点金属製容器の内面
に金メツキをして得られる金メツキるつぼに二酸
化テルル原料を入れて溶融する工程と、前記溶融
された二酸化テルルに種子結晶を種子付けして引
上げ法により単結晶を成長させる工程とを含むこ
とを特徴とする二酸化テルル単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154368A JPS5855400A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 二酸化テルル単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154368A JPS5855400A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 二酸化テルル単結晶の育成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855400A JPS5855400A (ja) | 1983-04-01 |
| JPH025718B2 true JPH025718B2 (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=15582627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154368A Granted JPS5855400A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 二酸化テルル単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855400A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62233386A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-13 | 株式会社 間組 | 免震システム用減衰装置 |
| JP4591219B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2010-12-01 | Ｔｄｋ株式会社 | 単結晶育成用ルツボ |
| FR2887263B1 (fr) * | 2005-06-17 | 2007-09-14 | Centre Nat Rech Scient | Procede de preparation d'un monocristal de paratellurite |
| CN101851783B (zh) | 2009-04-03 | 2012-08-08 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP56154368A patent/JPS5855400A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5855400A (ja) | 1983-04-01 |
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