JPH049759B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばレーザフアクシミリなどに応
用されるレーザ光の変調用光学素子に用いて好適
な二酸化テルル単結晶の育成方法に関し、特に、
二酸化テルル単結晶を引き上げ法によつて育成す
る方法に関するものである。 〔従来の技術〕 融点733℃の二酸化テルル単結晶は、白金等の
貴金属製るつぼ内に原料を装入した後、加熱融解
し、引き上げ法により育成されている。この場
合、従来、〈110〉またはこれと等価な方向を引き
上げ軸として育成することで高品質な結晶が得ら
れている。 二酸化テルル単結晶を変調器用光学素子として
使用する場合、超音波の横波を〈110〉方向に伝
搬させる型、及び超音波の縦波を〈001〉方向に
伝搬させる型の二つの型が有用である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 これら二つの型のうち超音波の縦波を〈001〉
方向に伝搬させる型の場合、レーザ光は〈100〉
方向に伝搬させるため光学素子は（001）面と
（100）面とに囲まれた六面体である必要がある。
従来、この種の光学素子を結晶から切り出す場
合、結晶の引上げ軸方向が〈110〉軸方向である
ため、結晶の（001）面内で引上げ軸〈110〉軸に
対して45゜の方向で切り出さなければならず、結
晶から光学素子を切り出す場合の歩留りの低下を
まねいている。 本発明の目的は上述の欠点を除去し、変調器用
二酸化テルル光学素子を高歩留りで切り出せる二
酸化テルル単結晶の育成方法を提供することにあ
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明によれば、二酸化テルル単結晶を引上げ
法によつて育成する際に〈100〉軸を引上げ軸方
向とすることを特徴とする二酸化テルル単結晶の
育成方法が得られる。 〔実施例〕 以下本発明の実施例について図面を参照して説
明する。 内径、深さ共に50mmの金るつぼ内に原料を装入
した後、高周波加熱により約733℃で上記原料を
溶融した。該溶融液より引上げ速度2.0mm／Hr、
結晶回転数25rpmの育成条件の下、〈100〉軸を引
上げ軸とし、直径25mmφ長さ60mmの二酸化テルル
単結晶を育成した。その結果、結晶内部に気泡、
脈理、不純物が存在せず、従来法である〈110〉
軸引上げの結晶と同等な高品質の結晶を得た。 このようにして得られた結晶から超音波の縦波
を〈001〉方向に伝搬させる音響光学（Ａ−Ｏ）
変調器用光学素子を切り出す場合、光学素子は
（001）面、（100）面、（010）面に囲まれた六面体
である必要がある。この光学素子の寸法が例えば
〈001〉軸＝〈100〉軸＝〈010〉軸であるならば、第
１図に示したように最大17mm角の素子２が３個、
又14mm角の素子１であれば４個切り出すことがで
きる。 従来法である〈110〉軸引上げの同寸法の結晶
であれば、第２図に示したように（001）面内で
引上軸〈110〉に対して45゜の方向が〈100〉軸方
向であるため、同様の光学素子は最大14mm角の素
子１が３個しか切り出せず、又17mm角の素子は結
晶の寸法上１個も切り出すことができない。 又、表１は〈100〉軸引上げ及び〈110〉軸引上
げの二酸化テルル単結晶から〈001〉型Ａ−Ｏ変
調器用光学素子を切り出す場合の光学素子の結晶
に対する体積歩留りを示している。結晶寸法は直
径25mmφ、長さ60mm、光学素子の寸法はそれぞれ
10mm角、12mm角、14mm角とした。

〔発明の効果〕

以上述べた如く本発明によれば、二酸化テルル
単結晶を引上げ法によつて育成する際に〈100〉
軸を引上げ軸方向とすることを特徴とし、結晶内
部に光学的欠陥を持たない高品質な結晶が得ら
れ、さらに〈001〉型Ａ−Ｏ変調器用光学素子を
高歩留りで得られるという利点をもつた二酸化テ
ルル単結晶の育成方法の提供が可能となつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によつて得られた〈100〉軸引
上げ結晶を示した図、第２図は従来法によつて得
られた〈110〉軸引上げ結晶を示した図である。 図において、１；〈001〉型変調器用光学素子
（14mm角）、２；〈001〉型変調器用光学素子（17mm
角）。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 二酸化テルル単結晶を引き上げ法によつて育
   成する際に〈100〉軸を引き上げ軸方向とするこ
   とを特徴とする二酸化テルル単結晶の育成方法。