JPH0257680A - 窒化アルミニウム薄膜回路基板 - Google Patents
窒化アルミニウム薄膜回路基板Info
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- JPH0257680A JPH0257680A JP20860288A JP20860288A JPH0257680A JP H0257680 A JPH0257680 A JP H0257680A JP 20860288 A JP20860288 A JP 20860288A JP 20860288 A JP20860288 A JP 20860288A JP H0257680 A JPH0257680 A JP H0257680A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、窒化アルミニウム（Ａ）Ｎ）薄膜回路基板に
関する。
関する。
（従来の技術）
従来、半導体モジュールに使用される薄膜回路基板の基
材としては、アルミナが主に用いられている。しかしな
がら、実装される能動素子の性能向上に伴って稼働時の
素子からの発熱量が増大する傾向にあり、アルミナの熱
伝導率では能動素子の実装個数が制約されるという問題
があった。
材としては、アルミナが主に用いられている。しかしな
がら、実装される能動素子の性能向上に伴って稼働時の
素子からの発熱量が増大する傾向にあり、アルミナの熱
伝導率では能動素子の実装個数が制約されるという問題
があった。
このようなことから、アルミナに代わり高熱伝導率をも
つＢｅＯを基材とした薄膜回路基板が使用されてきたが
、かかるＢｅＯは製造時、研磨時の毒性が強いため、基
材としての応用範囲が限定される。このため、代替材料
として／ｌ’Ｎが広く用いられている。このＡノＮは、
無害であり、製造、部品化、廃棄の制約がないという利
点を持ち、特に熱伝導率が７０〜２８０ Ｗ／ ｍ−に
の広い範囲、つまり放熱性がアルミナの３．５倍から場
合によってはＢｅＯより優れたレベルまで調製可能であ
るため、アルミナ基材を用いた薄膜回路基板に比べて高
い実装密度を実現できるはかりか、能動素子の高密度化
に合せて所望の熱伝導性を付与できる利点を有する。か
かるＡノＮ基材を用いた薄膜回路基板の薄膜導体は、従
来よりＡｕ／Ｐｔ／ＴＩ、Ａｕ ／Ｐｄ ／Ｔｉ 、Ａ
ｕ ／Ｐｔ ／Ｃｒ等が一般に使用されている。しかし
ながら、これらの導体を前記ＡノＮ基材上に形成するに
は王水、弗酸等の腐蝕性の強いエラチントを用いて選択
エツチングする手法が採用されるため、該ＡノＮ基材も
エツチングされるという問題があった。即ち、ＡＪＮ材
料はアルミナやＳｔに比べて強酸、強アルカリに対する
耐食性が低く、容易に分解するため、前記エツチングに
よる導体の形成時に該導体周辺のＡ、＆Ｎ基材表面にビ
ットやトレンチを生じ、導体を安定的な形状でかつ信頼
性よく形成することが困難となる。
つＢｅＯを基材とした薄膜回路基板が使用されてきたが
、かかるＢｅＯは製造時、研磨時の毒性が強いため、基
材としての応用範囲が限定される。このため、代替材料
として／ｌ’Ｎが広く用いられている。このＡノＮは、
無害であり、製造、部品化、廃棄の制約がないという利
点を持ち、特に熱伝導率が７０〜２８０ Ｗ／ ｍ−に
の広い範囲、つまり放熱性がアルミナの３．５倍から場
合によってはＢｅＯより優れたレベルまで調製可能であ
るため、アルミナ基材を用いた薄膜回路基板に比べて高
い実装密度を実現できるはかりか、能動素子の高密度化
に合せて所望の熱伝導性を付与できる利点を有する。か
かるＡノＮ基材を用いた薄膜回路基板の薄膜導体は、従
来よりＡｕ／Ｐｔ／ＴＩ、Ａｕ ／Ｐｄ ／Ｔｉ 、Ａ
ｕ ／Ｐｔ ／Ｃｒ等が一般に使用されている。しかし
ながら、これらの導体を前記ＡノＮ基材上に形成するに
は王水、弗酸等の腐蝕性の強いエラチントを用いて選択
エツチングする手法が採用されるため、該ＡノＮ基材も
エツチングされるという問題があった。即ち、ＡＪＮ材
料はアルミナやＳｔに比べて強酸、強アルカリに対する
耐食性が低く、容易に分解するため、前記エツチングに
よる導体の形成時に該導体周辺のＡ、＆Ｎ基材表面にビ
ットやトレンチを生じ、導体を安定的な形状でかつ信頼
性よく形成することが困難となる。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、導体形成のためのバターニングに際してのエツチ
ング時にＡＩ！Ｎ基材表面へのエツチングを抑制して安
定した形状で信頼性の高い導体を実現でき、かつ該導体
のＡｉＮ基材への密着性を向上したＡ、＆Ｎ薄膜回路基
板を提供しようとするものである。
ので、導体形成のためのバターニングに際してのエツチ
ング時にＡＩ！Ｎ基材表面へのエツチングを抑制して安
定した形状で信頼性の高い導体を実現でき、かつ該導体
のＡｉＮ基材への密着性を向上したＡ、＆Ｎ薄膜回路基
板を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、平均線表面粗さが１５０ ｎｏ＋以下の窒化
アルミニウム基材上に７１層、Ｎ１層及びＡｕ層をこの
順序で積層した三層構造の導体を形成したことを特徴と
する窒化アルミニアム薄膜回路基板である。
アルミニウム基材上に７１層、Ｎ１層及びＡｕ層をこの
順序で積層した三層構造の導体を形成したことを特徴と
する窒化アルミニアム薄膜回路基板である。
上記ＡノＮ基材の平均線表面粗さ（Ｒａ ）を１５０
ｒｖ以下に限定した理由は、その表面粗さが１５ｏ ｎ
Ｔｉを越えると導体の断線や、該導体を形成するための
バターニング工程において幅が不均一となり、更に導体
のＡ、ｆ？Ｎ基材に対する密着性が低下して薄膜回路基
板の信頼性を低下させるからである。このような表面粗
さに調整するには、サブミロンのＡノＮ粒子原料を用い
た焼結操作や焼結基材の研磨により達成できる。
ｒｖ以下に限定した理由は、その表面粗さが１５ｏ ｎ
Ｔｉを越えると導体の断線や、該導体を形成するための
バターニング工程において幅が不均一となり、更に導体
のＡ、ｆ？Ｎ基材に対する密着性が低下して薄膜回路基
板の信頼性を低下させるからである。このような表面粗
さに調整するには、サブミロンのＡノＮ粒子原料を用い
た焼結操作や焼結基材の研磨により達成できる。
上記ＡノＮ基材の結晶粒径は、０．５〜２０μｍの範囲
にすることが望ましい。この理由は、結晶粒径を０．５
μｍ未満にするとＡｉＮ基材の熱伝導率の向上化が望め
なくなるばかりか、焼結時のうねりや反りが大きくなっ
て導体形成工程でのマスク露光精度を低下させる恐れが
あり、一方結晶粒径が２０μｍを越えると基材表面の研
磨の際、結晶粒の脱落などにより表面のＲａが１５０
ｎｍ以下の基材を得ることが困難となる恐れがあるから
である。
にすることが望ましい。この理由は、結晶粒径を０．５
μｍ未満にするとＡｉＮ基材の熱伝導率の向上化が望め
なくなるばかりか、焼結時のうねりや反りが大きくなっ
て導体形成工程でのマスク露光精度を低下させる恐れが
あり、一方結晶粒径が２０μｍを越えると基材表面の研
磨の際、結晶粒の脱落などにより表面のＲａが１５０
ｎｍ以下の基材を得ることが困難となる恐れがあるから
である。
」１記導体の構成材料であるＡ、ｌｌ’Ｎ基材側に配置
される下層のＴｉ層は該基材に対する密着性を高める作
用をなし、中間に配置されるＮ１層は下層のＴｉ層が上
層のＡｕ層に拡散するのを防止するバリアとして作用し
、上層のＡｕ層は導体そのものの特性である低抵抗性を
付与する機能を有する。
される下層のＴｉ層は該基材に対する密着性を高める作
用をなし、中間に配置されるＮ１層は下層のＴｉ層が上
層のＡｕ層に拡散するのを防止するバリアとして作用し
、上層のＡｕ層は導体そのものの特性である低抵抗性を
付与する機能を有する。
かかる導体を構成する各金属層の厚さについては、’Ｉ
Ｎ層を１０〜２０Ｏｎ＋＋、 Ｎ １層を１００ ｎｌ
−１ｐｍ。
Ｎ層を１０〜２０Ｏｎ＋＋、 Ｎ １層を１００ ｎｌ
−１ｐｍ。
Ａｕ層を５０ｎｃ〜４μｍにすることが望ましい。
上記１ｔ’Ｎ基材と導体のＴｉ層の間には、酸素を０．
０２〜３０ ａｔ＋＋＋％含む少なくともＡｉＮの構成
材料（Ａ）、Ｎ等）及びＴｉからなる化合物層を介在さ
せることが望ましい。かかる化合物層中の酸素量を限定
した理由は、その量を０．０２ ａｔｍ％未満にすると
導体をＡＩ！Ｎ基材に対して充分な強度で密着させるこ
とが困難となり、かといって酸素の量が３０ ａｔＴｉ
％を越えると基材と導体間の熱膨張係数の差、格子歪み
等により導体が基材表面から剥離するからである。
０２〜３０ ａｔ＋＋＋％含む少なくともＡｉＮの構成
材料（Ａ）、Ｎ等）及びＴｉからなる化合物層を介在さ
せることが望ましい。かかる化合物層中の酸素量を限定
した理由は、その量を０．０２ ａｔｍ％未満にすると
導体をＡＩ！Ｎ基材に対して充分な強度で密着させるこ
とが困難となり、かといって酸素の量が３０ ａｔＴｉ
％を越えると基材と導体間の熱膨張係数の差、格子歪み
等により導体が基材表面から剥離するからである。
次に、本発明のＡノＮ薄膜回路基板の製造方法を簡単に
説明する。
説明する。
まず、所望の熱伝導率を有し、表面のＲａが１５０ ｎ
ｍ以下のＡノＮ基材を用意する。つづいて、この基材上
に蒸着法、スパッタリング法等の一般的な成膜技術によ
りＴｉ層、Ｎｉ層及びＡｕ層を順次成膜する。この時、
必要に応じて基材温度、雰囲気、真空度、パワー密度、
ボート電流を調整し、脱ガスが不充分な場合には所望の
温度に基材を加熱して基材表面を清浄な状態とする。ま
た、７１層の成膜に先だって基材表面をプラズマにより
エツチングして表面の活性化を高める。更に、ＩＪ’Ｎ
基材と７１層の界面に前述した化合物層を形成するため
に酸素を蒸着雰囲気中に供給する。
ｍ以下のＡノＮ基材を用意する。つづいて、この基材上
に蒸着法、スパッタリング法等の一般的な成膜技術によ
りＴｉ層、Ｎｉ層及びＡｕ層を順次成膜する。この時、
必要に応じて基材温度、雰囲気、真空度、パワー密度、
ボート電流を調整し、脱ガスが不充分な場合には所望の
温度に基材を加熱して基材表面を清浄な状態とする。ま
た、７１層の成膜に先だって基材表面をプラズマにより
エツチングして表面の活性化を高める。更に、ＩＪ’Ｎ
基材と７１層の界面に前述した化合物層を形成するため
に酸素を蒸着雰囲気中に供給する。
次いで、前記三層をレジストを用いたフォトエツチング
技術によりバターニングしてＡ、ｌ？Ｎ基材上に三層構
造の導体を形成してＡｉＮ薄膜回路基板を製造する。こ
のフォトエツチング時には、Ａｕ層はＫＩ＋１２＋脱イ
オン水、Ｎｉ層はＣｕ ＳＯ４＋ＨＣ，ｉ’＋エチルア
ルコール＋脱イオン水、Ｈ（，１７＋Ｆθｃｚ２＋エチ
ルアルコール＋脱イオン水、ＣｕＳＯ４＋脱イオン水等
、ＴｉはＨＦ十脱イオン水等、のエッチャントを用いて
行なう。
技術によりバターニングしてＡ、ｌ？Ｎ基材上に三層構
造の導体を形成してＡｉＮ薄膜回路基板を製造する。こ
のフォトエツチング時には、Ａｕ層はＫＩ＋１２＋脱イ
オン水、Ｎｉ層はＣｕ ＳＯ４＋ＨＣ，ｉ’＋エチルア
ルコール＋脱イオン水、Ｈ（，１７＋Ｆθｃｚ２＋エチ
ルアルコール＋脱イオン水、ＣｕＳＯ４＋脱イオン水等
、ＴｉはＨＦ十脱イオン水等、のエッチャントを用いて
行なう。
（作用）
本発明によれば、平均線表面粗さが１５０ ｎｍ以下の
Ａ、１７Ｎ基材を用いることによって、該基材上に形成
される導体の断線、該導体をバターニングする工程での
導体幅の不均一化を防止できると共に、導体の基材に対
する密着力を向上できる。
Ａ、１７Ｎ基材を用いることによって、該基材上に形成
される導体の断線、該導体をバターニングする工程での
導体幅の不均一化を防止できると共に、導体の基材に対
する密着力を向上できる。
また、導体をＴｉ層、Ｎ１層及びＡｕ層をこの順序で積
層した三層構造とすることによって、該導体（特にＮ１
層）のバターニングに際して既述した組成を有し、Ａ、
１７Ｎ基材に対して腐蝕性の低いエッチャントを用いる
ことができるため、安定した形状をもつ高信頼性の導体
をＡＩ！Ｎ基材表面に形成することができる。即ち、Ａ
ノＮ基材としては既述したように導体のパターン精度を
向上するために表面を鏡面状態にしている。しかしなが
ら、この鏡面とはマクロ的なレベルの表現であり、ミク
ロ的には第１図に示すように導体１が形成される１Ｊ７
Ｎ基材２は結晶粒子３の粒界及び粒界相などの異相界面
４、不純物等の原因による凹凸が生じ、各結晶粒子３の
研磨位置は不連続な表面（段差）５が形成されている。
層した三層構造とすることによって、該導体（特にＮ１
層）のバターニングに際して既述した組成を有し、Ａ、
１７Ｎ基材に対して腐蝕性の低いエッチャントを用いる
ことができるため、安定した形状をもつ高信頼性の導体
をＡＩ！Ｎ基材表面に形成することができる。即ち、Ａ
ノＮ基材としては既述したように導体のパターン精度を
向上するために表面を鏡面状態にしている。しかしなが
ら、この鏡面とはマクロ的なレベルの表現であり、ミク
ロ的には第１図に示すように導体１が形成される１Ｊ７
Ｎ基材２は結晶粒子３の粒界及び粒界相などの異相界面
４、不純物等の原因による凹凸が生じ、各結晶粒子３の
研磨位置は不連続な表面（段差）５が形成されている。
従来のようにｌｔ’Ｎ基材に与える影響の大きなエッチ
ャントを用いて導体薄層をバターニングすると、該エッ
チャントは配向面で異なるエツチング性を有する各結晶
粒子のエツチング速度差を助長して前述した不連続面４
の段差度合を拡大し、結果的には安定した形状の導体を
信頼性よく形成することが困難となる。これに対し、前
述したＴｉ層、Ｎｉ層及びＡｕ層からなる三層構造の導
体は、腐蝕性の小さいエッチャントによるバターニング
が可能となり、ＡｉＮ基材表面のエツチング（特に不連
続面での段差度合のエツチングによる拡大）を防止でき
るため、安定した形状をもつ高信頼性の導体をＡ、ｉ？
Ｎ基材表面に形成することができる。
ャントを用いて導体薄層をバターニングすると、該エッ
チャントは配向面で異なるエツチング性を有する各結晶
粒子のエツチング速度差を助長して前述した不連続面４
の段差度合を拡大し、結果的には安定した形状の導体を
信頼性よく形成することが困難となる。これに対し、前
述したＴｉ層、Ｎｉ層及びＡｕ層からなる三層構造の導
体は、腐蝕性の小さいエッチャントによるバターニング
が可能となり、ＡｉＮ基材表面のエツチング（特に不連
続面での段差度合のエツチングによる拡大）を防止でき
るため、安定した形状をもつ高信頼性の導体をＡ、ｉ？
Ｎ基材表面に形成することができる。
更に、Ａ、／Ｎ基材と導体のＴｉ層の間に酸素を０．０
２〜ｓｏ ａｔｍ％含む少なくともＡノＮの構成材料（
Ａ、ｆ？、Ｎ等）及びＴｉからなる化合物層を介在する
ことによって、導体の基材に対する密着強度を著しく向
上できる。即ち、従来のアルミナ基材では導体の間に酸
化物層が存在し、導体をアルミナ基材表面に良好に密着
できる。しかしながら、ＡノＮ基材では導体との間に酸
化物単体を介在させても充分な密着強度を得ることが困
難で、それら部材間での熱膨脹係数の差等により導体が
剥離し易い問題がある。これに対し、１Ｊ７Ｎ基材と導
体のＴｉ層の間に特定量の酸素を含む少なくともＡ、ｆ
？Ｎの構成材料（ＡＩ、Ｎ等）及びＴＩからなる化合物
層を介在することによって、導体の基材に対する密着強
度を著しく向上でき、基材とＴＩとの間の熱膨脹係数の
差等による導体の剥離を防止できる。
２〜ｓｏ ａｔｍ％含む少なくともＡノＮの構成材料（
Ａ、ｆ？、Ｎ等）及びＴｉからなる化合物層を介在する
ことによって、導体の基材に対する密着強度を著しく向
上できる。即ち、従来のアルミナ基材では導体の間に酸
化物層が存在し、導体をアルミナ基材表面に良好に密着
できる。しかしながら、ＡノＮ基材では導体との間に酸
化物単体を介在させても充分な密着強度を得ることが困
難で、それら部材間での熱膨脹係数の差等により導体が
剥離し易い問題がある。これに対し、１Ｊ７Ｎ基材と導
体のＴｉ層の間に特定量の酸素を含む少なくともＡ、ｆ
？Ｎの構成材料（ＡＩ、Ｎ等）及びＴＩからなる化合物
層を介在することによって、導体の基材に対する密着強
度を著しく向上でき、基材とＴＩとの間の熱膨脹係数の
差等による導体の剥離を防止できる。
従って、本発明によれば微細線幅を有する導体がＡＩ！
Ｎ、基板に対して高い密着強度で設けられ、能動素子等
の高密度実装が可能な半導体モジュールに宵月な高信頼
性のＡノＮ薄膜回路基板を得ることができる。
Ｎ、基板に対して高い密着強度で設けられ、能動素子等
の高密度実装が可能な半導体モジュールに宵月な高信頼
性のＡノＮ薄膜回路基板を得ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１
まず、熱伝導率２８０Ｗ／ｍ−にのＡＩ！Ｎ基材を平均
線表面粗さが１５０ ｒｖとなるようにラッピング、ポ
リッシングを行なった。つづいて、Ａ、ｆＮ基材表面を
３００Ｗのパワーにて０．５ ｖｏ１％の酸素を含むＡ
「ガスのプラズマエツチングを行なってＡノＮ基材表面
に酸素を供給した後、ＲＦスパッタ法によりＴｉ層、Ｎ
ｉ層及びＡｕ層を下記第１表に示す条件で成膜した。次
いで、最上層のＡｕ層に写真蝕刻法により７μｍ幅のレ
ジストパターンを形成した後、該パターンをマスクとし
てＡｕ層をＫＩ＋１２＋脱イオン水のエッチャント、Ｎ
１層をＣｕＳＯ４＋ＨＣノ＋エチルアルコール＋脱イオ
ン水のエッチャント、Ｔｉ層をＨＦ十脱イオン水のエラ
チントにより順次エツチングして三層構造の導体を形成
し、Ａ’、ｌｌ’Ｎ薄膜回路基板を製造した。
線表面粗さが１５０ ｒｖとなるようにラッピング、ポ
リッシングを行なった。つづいて、Ａ、ｆＮ基材表面を
３００Ｗのパワーにて０．５ ｖｏ１％の酸素を含むＡ
「ガスのプラズマエツチングを行なってＡノＮ基材表面
に酸素を供給した後、ＲＦスパッタ法によりＴｉ層、Ｎ
ｉ層及びＡｕ層を下記第１表に示す条件で成膜した。次
いで、最上層のＡｕ層に写真蝕刻法により７μｍ幅のレ
ジストパターンを形成した後、該パターンをマスクとし
てＡｕ層をＫＩ＋１２＋脱イオン水のエッチャント、Ｎ
１層をＣｕＳＯ４＋ＨＣノ＋エチルアルコール＋脱イオ
ン水のエッチャント、Ｔｉ層をＨＦ十脱イオン水のエラ
チントにより順次エツチングして三層構造の導体を形成
し、Ａ’、ｌｌ’Ｎ薄膜回路基板を製造した。
実施例２
実施例１と同様、ラッピング、ボリシング処理、酸素を
含むＡｒガスプラズマ処理を施したＡｉＮ基材表面にＲ
Ｆスパッタ法により７１層、Ｎ１層及びＡｕ層を下記第
１表に示す条件で成膜し、つづいてこれらの層を実施例
１と同様にバターニングして三層構造の導体を有するＡ
Ｉ！Ｎ薄膜回路基板を製造した。
含むＡｒガスプラズマ処理を施したＡｉＮ基材表面にＲ
Ｆスパッタ法により７１層、Ｎ１層及びＡｕ層を下記第
１表に示す条件で成膜し、つづいてこれらの層を実施例
１と同様にバターニングして三層構造の導体を有するＡ
Ｉ！Ｎ薄膜回路基板を製造した。
比較例１
まず、熱伝導率２０Ｗ／ｍ−にのＡノＮ基材を平均線表
面粗さが１５０ ｎｍとなるようにラッピング、ポリッ
シングを行なった。つづいて、ＲＦスパッタ法によりＴ
ｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層を下記第１表に示す条件で成膜
した。次いで、最上層のＡｕ層に写真蝕刻法により７μ
ｍ幅のレジストパターンを形成した後、該パターンをマ
スクとしてＡｕ層をＫＩ＋Ｉ２＋脱イオン水のエッチャ
ント、Ｐｔ層をＨＣ，ｇ十ＨＮＯ３のエッチャント、Ｔ
ｉ層をＨＦ十脱イオン水のエラチントにより順次エツチ
ングして三層構造の導体を形成し、ＡｉＮ薄膜回路基板
を製造した。
面粗さが１５０ ｎｍとなるようにラッピング、ポリッ
シングを行なった。つづいて、ＲＦスパッタ法によりＴ
ｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層を下記第１表に示す条件で成膜
した。次いで、最上層のＡｕ層に写真蝕刻法により７μ
ｍ幅のレジストパターンを形成した後、該パターンをマ
スクとしてＡｕ層をＫＩ＋Ｉ２＋脱イオン水のエッチャ
ント、Ｐｔ層をＨＣ，ｇ十ＨＮＯ３のエッチャント、Ｔ
ｉ層をＨＦ十脱イオン水のエラチントにより順次エツチ
ングして三層構造の導体を形成し、ＡｉＮ薄膜回路基板
を製造した。
比較例２
まず、熱伝導率２０Ｗ／ｍ−にのＡノＮ基材を平均線表
面粗さが１５Ｏｎ１Ｉｌとなるようにラッピング、ポリ
ッシングを行なった。つづいて、ＡノＮ基材表面を３０
０ Ｗのパワーにて５０ ｖｏ１％の酸素を含むＡ「ガ
スのプラズマエツチングを行なってＡ、ｆｆＮ基材表面
に酸素を供給した後、ＲＦスパッタ法により７１層、Ｐ
ｔ層及びＡｕ層を下記第１表に示す条件で成膜した。次
いで、最上層のＡｕ層に写真蝕刻法により７μｍ幅のレ
ジストパターンを形成した後、該パターンをマスクとし
て比較例１と同様な方法によりＡｕ層、ｐｔ層及び７１
層を順次エツチングして三層構造の導体を形成し、Ａノ
Ｎ薄膜回路基板を製造した。
面粗さが１５Ｏｎ１Ｉｌとなるようにラッピング、ポリ
ッシングを行なった。つづいて、ＡノＮ基材表面を３０
０ Ｗのパワーにて５０ ｖｏ１％の酸素を含むＡ「ガ
スのプラズマエツチングを行なってＡ、ｆｆＮ基材表面
に酸素を供給した後、ＲＦスパッタ法により７１層、Ｐ
ｔ層及びＡｕ層を下記第１表に示す条件で成膜した。次
いで、最上層のＡｕ層に写真蝕刻法により７μｍ幅のレ
ジストパターンを形成した後、該パターンをマスクとし
て比較例１と同様な方法によりＡｕ層、ｐｔ層及び７１
層を順次エツチングして三層構造の導体を形成し、Ａノ
Ｎ薄膜回路基板を製造した。
しかして、本実施例１．２及び比較例１．２の薄膜回路
基板についてＡ、ｌ？Ｎ基材に対する導体（７１層）の
接合強度、導体の断線の有無を調べた。その結果を同第
１表に併記した。
基板についてＡ、ｌ？Ｎ基材に対する導体（７１層）の
接合強度、導体の断線の有無を調べた。その結果を同第
１表に併記した。
第１表から明らかなように本実施例１．２の薄膜回路基
板は比較例１．２の薄膜回路基板に比べて導体のＡノＮ
基材に対する密着強度が著しく高く、しかも断線のない
信頼性が極めて高いものであることがわかる。
板は比較例１．２の薄膜回路基板に比べて導体のＡノＮ
基材に対する密着強度が著しく高く、しかも断線のない
信頼性が極めて高いものであることがわかる。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によれば導体形成のためのパ
ターニングに際してのエツチング時にＡｉＮ基材表面へ
のエツチングを抑制して微細かつ安定した形状で信頼性
の高い導体を実現でき、かつ該導体のＡＩ！Ｎ基材への
密着性を向上でき、ひいては能動素子等の高密度実装が
可能な半導体モジュールに有用な高信頼性のＡ、ｆ？Ｎ
薄膜回路基板を提供できる。
ターニングに際してのエツチング時にＡｉＮ基材表面へ
のエツチングを抑制して微細かつ安定した形状で信頼性
の高い導体を実現でき、かつ該導体のＡＩ！Ｎ基材への
密着性を向上でき、ひいては能動素子等の高密度実装が
可能な半導体モジュールに有用な高信頼性のＡ、ｆ？Ｎ
薄膜回路基板を提供できる。
第１図は、導体が形成されたｌｆ？Ｎ基材表面をミクロ
的に見た状態を示す模式図である。 ■・・・導体、２・・・ＡノＮ基材、３・・・結晶粒子
、４・・・異相界面、５・・・不連続面。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
的に見た状態を示す模式図である。 ■・・・導体、２・・・ＡノＮ基材、３・・・結晶粒子
、４・・・異相界面、５・・・不連続面。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (2)
- （１）．平均線表面粗さが１５０ｎｍ以下の窒化アルミ
ニウム基材上にＴｉ層、Ｎｉ層及びＡｕ層をこの順序で
積層した三層構造の導体を形成したことを特徴とする窒
化アルミニアム薄膜回路基板。 - （２）．窒化アルミニウム基材と導体のＴｉ層の間に酸
素を０．０２〜３０ａｔｍ％含む少なくとも窒化アルミ
ニウムの構成材料及びＴｉからなる化合物層を介在させ
たことを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム薄
膜回路基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20860288A JP2703276B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 窒化アルミニウム薄膜回路基板 |
| US07/300,944 US4963701A (en) | 1988-01-25 | 1989-01-24 | Circuit board |
| EP89101189A EP0326077B1 (en) | 1988-01-25 | 1989-01-24 | Circuit board |
| DE68922118T DE68922118T2 (de) | 1988-01-25 | 1989-01-24 | Schaltungsplatte. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20860288A JP2703276B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 窒化アルミニウム薄膜回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0257680A true JPH0257680A (ja) | 1990-02-27 |
| JP2703276B2 JP2703276B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=16558926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20860288A Expired - Lifetime JP2703276B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-08-23 | 窒化アルミニウム薄膜回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2703276B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03292791A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-24 | Toshiba Corp | 配線基板 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20860288A patent/JP2703276B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03292791A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-24 | Toshiba Corp | 配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2703276B2 (ja) | 1998-01-26 |
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