JPH0258215A - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0258215A JPH0258215A JP20902888A JP20902888A JPH0258215A JP H0258215 A JPH0258215 A JP H0258215A JP 20902888 A JP20902888 A JP 20902888A JP 20902888 A JP20902888 A JP 20902888A JP H0258215 A JPH0258215 A JP H0258215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- compound semiconductor
- semiconductor thin
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- GHPYJLCQYMAXGG-WCCKRBBISA-N (2R)-2-amino-3-(2-boronoethylsulfanyl)propanoic acid hydrochloride Chemical compound Cl.N[C@@H](CSCCB(O)O)C(O)=O GHPYJLCQYMAXGG-WCCKRBBISA-N 0.000 description 1
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は化合物半導体薄膜の選択的成長方法に関する。
［従来の技術１
従来のＧａＡｓ、Ａ氾ＧａＡｓ等のＩｌｌ −Ｖ族化合
物半導体薄膜の選択的成長方法は、ジャーナル・才ブ・
クリスタル・グロウス（Ｊｏｕｒ口ａｌ ｏｆＣｒｙｓ
ｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ） Ｖｏ １． ７３
． （１９８５）Ｐ７３〜Ｐ７６に見られるように
、有機金属を原料とする化学気相成長法（以下ＭＯＣＶ
Ｄ法と記す）による場合には、ＧａＡＳ単結晶基板上に
５ｆＮｘ等の誘電体膜をパターン状に形成し、反応圧力
が低（、基板温度の高い条件で得られるものであった。
物半導体薄膜の選択的成長方法は、ジャーナル・才ブ・
クリスタル・グロウス（Ｊｏｕｒ口ａｌ ｏｆＣｒｙｓ
ｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ） Ｖｏ １． ７３
． （１９８５）Ｐ７３〜Ｐ７６に見られるように
、有機金属を原料とする化学気相成長法（以下ＭＯＣＶ
Ｄ法と記す）による場合には、ＧａＡＳ単結晶基板上に
５ｆＮｘ等の誘電体膜をパターン状に形成し、反応圧力
が低（、基板温度の高い条件で得られるものであった。
また、ＩｎＰ等のＩｌｌ −Ｖ族化合物半導体薄膜の選
択的成長方法は、アプライド・フィジックス・レタース
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） Ｖ ｏ ｌ 。
択的成長方法は、アプライド・フィジックス・レタース
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） Ｖ ｏ ｌ 。
４７ （１９８５）ＰＩ １２７〜Ｐ１１２９に見られ
るようにクロライド気相成長法ｃ以下りロライドＶＰＥ
法と記す）を用い、ＩｎＰ単結晶基板上に５ｉＯ＝等の
誘電体膜をパターン状に形成し、得られるものであった
。
るようにクロライド気相成長法ｃ以下りロライドＶＰＥ
法と記す）を用い、ＩｎＰ単結晶基板上に５ｉＯ＝等の
誘電体膜をパターン状に形成し、得られるものであった
。
またＺｎ５ｅ等のＩＩ −Ｖｌ族化合物半導体薄膜の選
択的成長法は、応用物理学会講演予稿集（昭和６２年秋
季、１８ａ−ｘ−９）に見られるようにＭＯＣＶＤ法を
用いＧａＡｓ単結晶基板上にＳｉＯ□等の誘電体膜をパ
ターン状に形成し、反応圧力が低く、基板温度の高い条
件で得られるものであった。
択的成長法は、応用物理学会講演予稿集（昭和６２年秋
季、１８ａ−ｘ−９）に見られるようにＭＯＣＶＤ法を
用いＧａＡｓ単結晶基板上にＳｉＯ□等の誘電体膜をパ
ターン状に形成し、反応圧力が低く、基板温度の高い条
件で得られるものであった。
［発明が解決しようとする課題１
しかし、前述の従来技術ではＧａＡｓの選択成長の場合
、６５０℃以上の高い基板温度を必要とし、半導体レー
ザや光電気集積回路（以下０ＥＩＣと記す）に応用する
場合、他の機能素子や活性層の特性を劣化させるという
問題点を有していた。またＡｆｆＧａＡｓの選択成長の
場合には７００℃以上の高い基板温度を必要とし更に、
ＡＩ２オＧ ａ ＋ −ｘ Ａ ｓのＡｆｉ組成Ｘが０
．３５以上の選択成長は得られないという問題点を有し
ていた。
、６５０℃以上の高い基板温度を必要とし、半導体レー
ザや光電気集積回路（以下０ＥＩＣと記す）に応用する
場合、他の機能素子や活性層の特性を劣化させるという
問題点を有していた。またＡｆｆＧａＡｓの選択成長の
場合には７００℃以上の高い基板温度を必要とし更に、
ＡＩ２オＧ ａ ＋ −ｘ Ａ ｓのＡｆｉ組成Ｘが０
．３５以上の選択成長は得られないという問題点を有し
ていた。
ＡＲ組成の大きい薄膜が選択成長できないために、任意
にエネルギーギャップ（以下Ｅｇと記す）の異なる薄膜
を得られないため、応用範囲が制限されるという問題点
を有している。
にエネルギーギャップ（以下Ｅｇと記す）の異なる薄膜
を得られないため、応用範囲が制限されるという問題点
を有している。
また、ＩｎＰ等の選択成長においては、クロライドＶＰ
Ｅを用いるためｙ Ａ Ｉ Ｉ ｎ Ｐ等のＡｆｆを含
む化合物半導体薄膜が成長できず、大きなＥｇを有し且
つ発光特性のある薄膜成長が不可能であるという問題点
を有していた。
Ｅを用いるためｙ Ａ Ｉ Ｉ ｎ Ｐ等のＡｆｆを含
む化合物半導体薄膜が成長できず、大きなＥｇを有し且
つ発光特性のある薄膜成長が不可能であるという問題点
を有していた。
またＺｎ５ｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体の選択成長
においても、６００℃以上の高い基板温度を必要とし、
ＧａＡｓ基板とＺｎ５ｅ薄膜の界面にはＺｎの拡散等の
不安定性が生じ、基板上に形成した他の機能素子の特性
を劣化させるという問題点を有していた。
においても、６００℃以上の高い基板温度を必要とし、
ＧａＡｓ基板とＺｎ５ｅ薄膜の界面にはＺｎの拡散等の
不安定性が生じ、基板上に形成した他の機能素子の特性
を劣化させるという問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、＋１１−Ｖ族及びＩＩ−Ｖｌ族
化合物半導体薄膜を、自由な組成比において、低い基板
温度の条件のもとてエピタキシャル成長させ得る製造方
法を提供するところにある。
の目的とするところは、＋１１−Ｖ族及びＩＩ−Ｖｌ族
化合物半導体薄膜を、自由な組成比において、低い基板
温度の条件のもとてエピタキシャル成長させ得る製造方
法を提供するところにある。
〔課題を解決するための手段１
本発明の化合物半導体薄膜の製造方法は、半導体基板上
に選択的に化合物半導体薄膜を製造する方法において前
記半導体基板上の一部にマスクを形成する手段と前記マ
スクの形成された半導体基板上に化合物半導体薄膜をエ
ピタキシャル成長する手段と前記エピタキシャル成長中
に光照射する手段を含むことを特徴としている。
に選択的に化合物半導体薄膜を製造する方法において前
記半導体基板上の一部にマスクを形成する手段と前記マ
スクの形成された半導体基板上に化合物半導体薄膜をエ
ピタキシャル成長する手段と前記エピタキシャル成長中
に光照射する手段を含むことを特徴としている。
〔作 用１
本発明の上記の構成によれば、エピタキシャル成長中に
光照射を行なうことにより、マスク上では堆積物が形成
される前に、光エネルギーを吸着分子が吸収し、ガス雰
囲気中に再度蒸発してしまいマスク上にには堆積が起こ
らない、マスクに覆われていない半導体基板表面におい
ては、光照射によって、低温においても、良好な特性を
有する結晶層が成長する。従って低い基板温度において
選択的成長が可能となる。また照射する光の波長を適当
に選べば、ＡｆｆＧａＡｓ、Ａｊ２ＩｎＰ等の混晶薄膜
の形成の際にも、マスク上の吸着分子を再蒸発させるこ
とができ、任意の組成を持つ混晶薄膜の選択的成長が可
能となる。
光照射を行なうことにより、マスク上では堆積物が形成
される前に、光エネルギーを吸着分子が吸収し、ガス雰
囲気中に再度蒸発してしまいマスク上にには堆積が起こ
らない、マスクに覆われていない半導体基板表面におい
ては、光照射によって、低温においても、良好な特性を
有する結晶層が成長する。従って低い基板温度において
選択的成長が可能となる。また照射する光の波長を適当
に選べば、ＡｆｆＧａＡｓ、Ａｊ２ＩｎＰ等の混晶薄膜
の形成の際にも、マスク上の吸着分子を再蒸発させるこ
とができ、任意の組成を持つ混晶薄膜の選択的成長が可
能となる。
［実 施 例］
本発明を実施例に基づきさらに詳述する。
第１図は本発明の実施例におけるＧａＡｓ薄膜の選択成
長法を示した製造工程図である。１０１のＧａＡｓ単結
晶基板上に１０２の誘電体膜を形成する（第１図（ａ）
、（ｂ））、次に１０２を任意の形状に残して、エツチ
ング除去する（第１図（ｃ））、次に、この基板上に１
０５のＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるが、この
時、同時に１０４の光照射を基鈑全面に行なう（第１図
（ｄ））、これによって、マスクの誘電体膜を除去した
ＧａＡｓ基板表面上１こはエピタキシャル成長が起こり
、１０３のパターニングした誘電体膜上では、いかなる
堆積物も得られなかった６もしも１０４の光照射を行な
わない場合には、１０３の上には多結晶のＧａＡｓある
いは粒状のＧａＡｓが成長してしまい、デバイスへの応
用が困難となる。同様の現象は、ＡＲＧａＡｓ、ＩｎＰ
。
長法を示した製造工程図である。１０１のＧａＡｓ単結
晶基板上に１０２の誘電体膜を形成する（第１図（ａ）
、（ｂ））、次に１０２を任意の形状に残して、エツチ
ング除去する（第１図（ｃ））、次に、この基板上に１
０５のＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるが、この
時、同時に１０４の光照射を基鈑全面に行なう（第１図
（ｄ））、これによって、マスクの誘電体膜を除去した
ＧａＡｓ基板表面上１こはエピタキシャル成長が起こり
、１０３のパターニングした誘電体膜上では、いかなる
堆積物も得られなかった６もしも１０４の光照射を行な
わない場合には、１０３の上には多結晶のＧａＡｓある
いは粒状のＧａＡｓが成長してしまい、デバイスへの応
用が困難となる。同様の現象は、ＡＲＧａＡｓ、ＩｎＰ
。
Ｚｎ５ｅ、ＺｎＳ等の種々の化合物半導体の成長時にも
起こり、良好な選択成長が可能であった。
起こり、良好な選択成長が可能であった。
第２図は本発明の実施例におけるＡεＧａＡＳ薄膜の選
択成長の場合のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成
図を示す。２０６の反応管には２０８の石英窓が設置さ
れており、２０３の光照射が可能なようになっている。
択成長の場合のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成
図を示す。２０６の反応管には２０８の石英窓が設置さ
れており、２０３の光照射が可能なようになっている。
２０５のサセプター上に２０４のＧａＡｓ単結晶基板を
設置し、２０７の高周波発振器により基板温度を保持す
る。Ｇａ及びＡ９．の原料は、トリメチルガリウム（以
下ＴＭＧと記す）及びトリメチルアルミニウム（以下Ｔ
ＭＡと記す）を用い、２１６．２１７のシリンダー中の
各原料が水素ガスをキャリアとして反応管中に導入され
る。２０９のボンベからアルシン（以下Ａ ｓ Ｈｓと
記す）ガスを反応管中に導入し、２０４の基板上にエピ
タキシャル成長させる。その時、同時に２０１のエキシ
マ−レーザからの紫外光が２０２の光学系を通して平行
ビームとなり基板全面に一様に照射する。ＧａＡＳ基板
の表面には、ＳｉＯ□膜がパターン状に形成されており
、第１図（ｄ）に示したように、ＧａＡＳの面が露出し
た部分にだけＡβＧａＡｓ結晶薄膜の成長が可能であっ
た。基板温度は３００℃〜６００℃の低温で選択成長し
、低温成長においても、バンド端発光の強い結晶性の良
好な結晶を得ることができた。第３図は本発明の実施例
におけるＧａＡｓ薄膜の選択成長の場合の有機金属を原
料とする分子線エピタキシー法（以下ＭＯＭＢＥ法と記
す）による成長装置の基本構成図を示す。
設置し、２０７の高周波発振器により基板温度を保持す
る。Ｇａ及びＡ９．の原料は、トリメチルガリウム（以
下ＴＭＧと記す）及びトリメチルアルミニウム（以下Ｔ
ＭＡと記す）を用い、２１６．２１７のシリンダー中の
各原料が水素ガスをキャリアとして反応管中に導入され
る。２０９のボンベからアルシン（以下Ａ ｓ Ｈｓと
記す）ガスを反応管中に導入し、２０４の基板上にエピ
タキシャル成長させる。その時、同時に２０１のエキシ
マ−レーザからの紫外光が２０２の光学系を通して平行
ビームとなり基板全面に一様に照射する。ＧａＡＳ基板
の表面には、ＳｉＯ□膜がパターン状に形成されており
、第１図（ｄ）に示したように、ＧａＡＳの面が露出し
た部分にだけＡβＧａＡｓ結晶薄膜の成長が可能であっ
た。基板温度は３００℃〜６００℃の低温で選択成長し
、低温成長においても、バンド端発光の強い結晶性の良
好な結晶を得ることができた。第３図は本発明の実施例
におけるＧａＡｓ薄膜の選択成長の場合の有機金属を原
料とする分子線エピタキシー法（以下ＭＯＭＢＥ法と記
す）による成長装置の基本構成図を示す。
超高真空容器３０５には石英窓３０３が設置され、内部
に３０７の基板加熱用ヒーターが設置されている。３１
３，３１４のガス供給源からＴＭＧ、ＡＳＨ３を３０５
内に導入し３０６のＧａＡｓ基板上にＧａＡＳのエピタ
キシャル成長を行なうものであるが、その時３０１のエ
キシマ−レーザから発する紫外光を３０２の光学系を通
して３０６の基板表面上に照射する。３０６の基板には
、第１図（ｃ）のように、Ｓ ｉ ０２膜がパターン状
に形成されている。第１図（ｄ）に示したように、Ｇａ
Ａｓの面が露出した部分にだけＧａＡｓ結晶薄膜の成長
が可能であった。基板温度は３００℃〜６００℃の低温
で選択成長し、低温成長においても、バンド端発光の強
い結晶性の良好な結晶を得ることができた。前述と同様
の方法によって、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系のＩＩＩ −Ｖ
族化合物半導体のエピタキシャル成長可能なあらゆる組
み合せの混晶においても、低い基板温度において選択成
長が可能であり、またＺｎ５ｅ、ＺｎＳ等の！Ｉ −Ｖ
ｌ族化合物半導体のエピタキシャル成長可能なあらゆる
組み合せの混晶においても、低い基板温度において選択
成長が可能であった。
に３０７の基板加熱用ヒーターが設置されている。３１
３，３１４のガス供給源からＴＭＧ、ＡＳＨ３を３０５
内に導入し３０６のＧａＡｓ基板上にＧａＡＳのエピタ
キシャル成長を行なうものであるが、その時３０１のエ
キシマ−レーザから発する紫外光を３０２の光学系を通
して３０６の基板表面上に照射する。３０６の基板には
、第１図（ｃ）のように、Ｓ ｉ ０２膜がパターン状
に形成されている。第１図（ｄ）に示したように、Ｇａ
Ａｓの面が露出した部分にだけＧａＡｓ結晶薄膜の成長
が可能であった。基板温度は３００℃〜６００℃の低温
で選択成長し、低温成長においても、バンド端発光の強
い結晶性の良好な結晶を得ることができた。前述と同様
の方法によって、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系のＩＩＩ −Ｖ
族化合物半導体のエピタキシャル成長可能なあらゆる組
み合せの混晶においても、低い基板温度において選択成
長が可能であり、またＺｎ５ｅ、ＺｎＳ等の！Ｉ −Ｖ
ｌ族化合物半導体のエピタキシャル成長可能なあらゆる
組み合せの混晶においても、低い基板温度において選択
成長が可能であった。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、次のような効果を有
する。
する。
（１）化合物半導体薄膜の選択成長が低い基板温度で可
能なために、光デバイスあるいは０ＥＩＣ等に用いれば
、他の機能素子や活性層の特性を劣化させることなくデ
バイスの平坦化等の重要なプロセスを実行できる。
能なために、光デバイスあるいは０ＥＩＣ等に用いれば
、他の機能素子や活性層の特性を劣化させることなくデ
バイスの平坦化等の重要なプロセスを実行できる。
（２）光照射により、はとんど任意の組み合せの混晶薄
膜の選択成長が可能であるため、Ｅｇを制御して、任意
の形状に成長できる。そのため、短波長発光材料を埋め
込み成長に用い、低損失先導波路の形成や、短波長半導
体レーザを用いた０ＥＩＣ等の実現が可能となる。
膜の選択成長が可能であるため、Ｅｇを制御して、任意
の形状に成長できる。そのため、短波長発光材料を埋め
込み成長に用い、低損失先導波路の形成や、短波長半導
体レーザを用いた０ＥＩＣ等の実現が可能となる。
（３）光照射により、エピタキシャル成長した薄膜の結
晶性は、従来の低温成長した薄膜より向上し、そのまま
、機能素子を形成することが可能である。従って光デバ
イスや０ＥＩＣのプロセスを簡略化し、信頼性も向上さ
せるという効果を有する。
晶性は、従来の低温成長した薄膜より向上し、そのまま
、機能素子を形成することが可能である。従って光デバ
イスや０ＥＩＣのプロセスを簡略化し、信頼性も向上さ
せるという効果を有する。
（４）ＭＯＣＶＤ法やＭＯＭＢＥ法を用いることができ
、大面積に均一な膜厚で選択成長が可能である。
、大面積に均一な膜厚で選択成長が可能である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の化合物半導体薄膜の製
造方法の一実施例を示す製造工程図。 第２図は本発明の化合物半導体薄膜の製造方法の一実施
例を示す製造装置の基本構成図。 第３図は本発明の化合物半導体薄膜の製造方法の一実施
例を示す製造装置の基本構成図。 １０１・・・・・・・・・・単結晶半導体基板１０２・
・・・・・・・・・誘電体膜 １０３・・・・・・・・・・パターン状に残った誘電体
膜 １０４・・・・・・・・・・照射光 １０５・・・・・・・・・・化合物半導体薄膜２０１．
３０１・・・・・・紫外光光源２０２．３０２・・・・
・・光学系 ２０３．３０４・・・・・・紫外光 ２０４．３０６・・・・・・基板 ２０５・・・・・・・・・・サセプター２０６・・・・
・・・・・・反応管 ２０７・・・・・ ・・・・高周波電源２０８．３０３
・・・・・・石英窓 ２０９．２１０．３１４．３１３ ・・・・原料源 ２１１〜２１５，３１１〜３１２ ・・・・マスフローコント ローラ ２１６．２１７・・・・・・有接金属 ２１８〜２２３，２２８，２２９ ・・・・バルブ ２２４．３０９・・・・・・ターボ分子ポンプ２２５．
２２６．３１０・・ロークリポンプ２２７・・・・・・
・・・・除害装置 ３０５・・・・・・・・・・反応炉 ３０７・・・・・・・・・・基板加熱ピーク以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
造方法の一実施例を示す製造工程図。 第２図は本発明の化合物半導体薄膜の製造方法の一実施
例を示す製造装置の基本構成図。 第３図は本発明の化合物半導体薄膜の製造方法の一実施
例を示す製造装置の基本構成図。 １０１・・・・・・・・・・単結晶半導体基板１０２・
・・・・・・・・・誘電体膜 １０３・・・・・・・・・・パターン状に残った誘電体
膜 １０４・・・・・・・・・・照射光 １０５・・・・・・・・・・化合物半導体薄膜２０１．
３０１・・・・・・紫外光光源２０２．３０２・・・・
・・光学系 ２０３．３０４・・・・・・紫外光 ２０４．３０６・・・・・・基板 ２０５・・・・・・・・・・サセプター２０６・・・・
・・・・・・反応管 ２０７・・・・・ ・・・・高周波電源２０８．３０３
・・・・・・石英窓 ２０９．２１０．３１４．３１３ ・・・・原料源 ２１１〜２１５，３１１〜３１２ ・・・・マスフローコント ローラ ２１６．２１７・・・・・・有接金属 ２１８〜２２３，２２８，２２９ ・・・・バルブ ２２４．３０９・・・・・・ターボ分子ポンプ２２５．
２２６．３１０・・ロークリポンプ２２７・・・・・・
・・・・除害装置 ３０５・・・・・・・・・・反応炉 ３０７・・・・・・・・・・基板加熱ピーク以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体基板上に選択的に化合物半導体薄膜を製造する方
法において前記半導体基板上の一部にマスクを形成する
手段と前記マスクの形成された半導体基板上に化合物半
導体薄膜をエピタキシャル成長する手段と前記エピタキ
シャル成長中に、光照射する手段を含むことを特徴とす
る化合物半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20902888A JPH0258215A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20902888A JPH0258215A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258215A true JPH0258215A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16566067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20902888A Pending JPH0258215A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258215A (ja) |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20902888A patent/JPH0258215A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62232919A (ja) | 結晶成長方法 | |
| EP1038056B1 (en) | A method of growing a buffer layer using molecular beam epitaxy | |
| JPH01103982A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0794494A (ja) | 化合物半導体デバイスの作製方法 | |
| JP3399642B2 (ja) | 半導体発光素子層の形成方法 | |
| JPH0258215A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0267721A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP3577880B2 (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| KR20220066610A (ko) | h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판 및 이의 제조방법 | |
| JPS62214616A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP2794506B2 (ja) | 化合物半導体ヘテロエピタキシャル成長方法 | |
| JP3047523B2 (ja) | 選択エピタキシャル成長方法 | |
| JP2793939B2 (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPH0431391A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPS63182299A (ja) | ３−５族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH0744154B2 (ja) | 光照射型低温ｍｏｃｖｄ方法および装置 | |
| JP2687862B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH0267723A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS5965434A (ja) | 化合物半導体の気相エツチング方法 | |
| JPS62172714A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2603121B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の形成方法 | |
| JP2729866B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0243720A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| Henie et al. | In situ selective-area etching and MOVPE regrowth of GaInAs-InP on InP substrates | |
| JPH01102919A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |