JPH0258278B2 - - Google Patents

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JPH0258278B2
JPH0258278B2 JP14130982A JP14130982A JPH0258278B2 JP H0258278 B2 JPH0258278 B2 JP H0258278B2 JP 14130982 A JP14130982 A JP 14130982A JP 14130982 A JP14130982 A JP 14130982A JP H0258278 B2 JPH0258278 B2 JP H0258278B2
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JP
Japan
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oxaazaphosphorinane
oxide
lower alkyl
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phenyl
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JP14130982A
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Tadao Sato
Hitoshi Tone
Takashi Ueda
Kazuyuki Nakagawa
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Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
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Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
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【発明の詳細な説明】 本発明は新規な1,3,2−オキサアザホスホ
リナン−2−オキシド誘導体に関する。
本発明の1,3,2−オキサアザホスホリナン
−2−オキシド誘導体は、下記一般式〔1〕で表
わされる。
〔式中R1はフエニル環上に置換基として低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子か
ら選ばれた基の1〜3個を有することのあるフエ
ニル基、フエニル環上に低級アルコキシ基を1〜
3個有することのあるフエニル低級アルキル基、
シクロ低級アルキル基、ハロゲン原子を3個有す
ることのある低級アルキル基、低級アルケニル
基、フリル低級アルキル基又はチエニル低級アル
キル基を示す。R2はハロゲン原子又は
NHCH2CH2X(Xはハロゲン原子を示す)基を示
す。ただしR2がハロゲン原子のとき、R1はフエ
ニル環上に低級アルコキシ基を1〜3個有するこ
とのあるα−フエニル低級アルキル基であつては
ならない。〕 上記一般式中R1及びR2で定義される各基の具
体例を夫々次に例示する。
フエニル環上に置換基として低級アルキル基、
低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれた
基の1〜3個を有することのあるフエニル基とし
ては、フエニル、2−、3−もしくは4−クロロ
フエニル、2−、3−もしくは4−フルオロフエ
ニル、2−、3−もしくは4−ブロムフエニル、
2−、3−もしくは4−ヨードフエニル、3,5
−ジクロロフエニル、2,6−ジクロロフエニ
ル、3,4−ジクロロフエニル、3,4−ジフル
オロフエニル、3,5−ジブロムフエニル、2
−、3−もしくは4−メチルフエニル、2−、3
−もしくは4−エチルフエニル、3−イソプロピ
ルフエニル、4−ヘキシルフエニル、3,4−ジ
メチルフエニル、2,5−ジメチルフエニル、2
−、3−もしくは4−メトキシフエニル、2−、
3−もしくは4−エトキシフエニル、4−イソプ
ロポキシフエニル、4−ヘキシルオキシフエニ
ル、3,4−ジメトキシフエニル、3,4−ジエ
トキシフエニル、2,5−ジメトキシフエニル、
3−メチル−4−クロロフエニル、2−クロロ−
6−メチルフエニル、2−メトキシ−3−クロロ
フエニル、3,4,5−トリメトキシフエニル、
3,4,5−トリメチルフエニル、3,4,5−
トリクロロフエニル基などを例示できる。
フエニル環上に低級アルコキシ基を1〜3個有
することのあるフエニル低級アルキル基として
は、ベンジル、2−フエニルエチル、1−フエニ
ルエチル、3−フエニルプロピル、4−フエニル
ブチル、1,1−ジメチル−2−フエニルエチ
ル、5−フエニルペンチル、6−フエニルヘキシ
ル、2−メチル−3−フエニルプロピル、2−も
しくは3−メトキシベンジル、2−(4−メトキ
シフエニル)エチル、2−エトキシベンジル、1
−(3−エトキシフエニル)エチル、3−(4−エ
トキシフエニル)プロピル、6−(4−イソプロ
ポキシフエニル)ヘキシル、4−(4−ヘキシル
オキシフエニル)ブチル、1,1−ジメチル−2
−(3,4−ジメトキシフエニル)エチル、5−
フエニルペンチル、5−(3,4−ジエトキシフ
エニル)ペンチル、6−(3,4,5−トリメト
キシフエニル)ヘキシル、2−メチル−3−(2,
5−ジメトキシフエニル)プロピル基などを例示
できる。
シクロ低級アルキル基としては、シクロプロピ
ル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロヘプチル、シクロオクチル基などを
例示できる。
ハロゲン原子を3個有することのある低級アル
キル基としては、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、tert−ブチル、ペンチル、
ヘキシル、トリフルオロメチル、トリヨードメチ
ル、トリブロモメチル、トリクロロメチル、2−
トリフルオロエチル、1−トリブロモエチル、3
−トリクロロプロピル、2−トリブロモイソプロ
ピル、4−トリフルオロブチル、5−トリブロモ
ペンチル、6−トリフルオロヘキシル、2−ジブ
ロモ−1−クロロエチル、2−フルオロ−1−ジ
クロロエチル、4−フルオロ−3−ジフルオロブ
チル基などを例示できる。
低級アルケニル基としては、ビニル、アリル、
2−ブテニル、3−ブテニル、1−メチルアリ
ル、2−ペンテニル、2−ヘキセニル基などを例
示できる。
フリル低級アルキル基としては、フルフリル、
2−(2−フリル)エチル、1−(3−フリル)エ
チル、3−(2−フリル)プロピル、4−(2−フ
リル)ブチル、1,1−ジメチル−2−(2−フ
リル)エチル、5−(3−フリル)ペンチル、6
−(2−フリル)ヘキシル、2−メチル−3−(3
−フリル)プロピル基などを例示できる。
チエニル低級アルキル基としては、2−チエニ
ルメチル、2−(2−チエニル)エチル、1−(2
−チエニル)エチル、3−(3−チエニル)プロ
ピル、4−(2−チエニル)ブチル、1,1−ジ
メチル−2−(3−チエニル)エチル、5−(2−
チエニル)ペンチル、6−(2−チエニル)ヘキ
シル、2−メチル−3−(2−チエニル)プロピ
ル基などを例示できる。
またハロゲン原子としては、沃素、臭素、塩
素、弗素原子等を例示できる。
低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、
tert−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキ
シ基などを例示できる。
本発明の上記一般式〔1〕で表わされる誘導体
は、本発明者らが別途に開発した制ガン剤として
有用な2−〔(N−ニトロソ)−2−ハロゲノエチ
ルアミノ〕−1,3,2−オキサアザホスホリナ
ン−2−オキシド誘導体の合成中間体として有用
である。
以下本発明誘導体の製造方法につき詳述する。
本発明誘導体は、例えば下記反応行程式−1及
び−2に示す方法により製造される。
〔式中R1は前記に同じ。X1はハロゲン原子を示
す。〕 一般式〔2〕及び〔3〕で表わされる各化合物
は公知であり、これ等の反応は、適当な溶媒中、
塩基性化合物の存在下又は不存在下に行なうこと
ができる。溶媒としては、反応に悪影響を与えな
いものであればいずれも使用でき、例えば塩化メ
チレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタ
ン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類;ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−
ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム等
のエーテル類;n−ヘプタン、n−ヘキサン、シ
クロヘキサン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素
類;酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類等を
例示できる。塩基性化合物としては、反応に悪影
響を与えない各種のもの、例えばトリエチルアミ
ン、トリプロピルアミン、N,N−ジメチルアニ
リン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、
キノリン、1,5−ジアザビシクロ〔4,3,
0〕ノネン−5(DBN)、1,5−ジアザビシク
ロ〔5,4,0〕ウンデセン−5(DBU)、1,
4−ジアザビシクロ〔2,2,2〕オクタン
(DABCO)等の有機塩基、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリ
ウム等の無機塩基を例示できる。一般式〔2〕の
化合物に対する一般式〔3〕の化合物の使用量
は、特に限定されず広い範囲から適宜選択するこ
とができるが、通常前者に対して後者を等モル〜
3倍モル量、好ましくは等モル〜1.5倍モル量用
いるのがよい。塩基性化合物の使用量としては、
特に限定されず、広範囲から適宜選択すればよい
が一般式〔2〕の化合物に対して通常2〜5倍モ
ル量、好ましくは2〜3倍モル量とするのがよ
い。反応温度は、通常−70℃〜100℃、好ましく
は−10℃〜50℃とされる。反応は10分〜5時間で
終了する。
〔式中R1、X及びX1は前記に同じ。〕 一般式〔1a〕の化合物と一般式〔4〕の化合
物(2−ハロゲノエチルアミン又はその塩)との
反応は、適当な溶媒中、塩基性化合物の存在下又
は不存在下で行なうことができる。使用される溶
媒としては、反応に悪影響を与えない各種のも
の、例えば塩化メチレン、クロロホルム、1,2
−ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭
化水素類;ジエチルエーテル、1,2−ジメトキ
シエタン、ジグライム、トリグライム、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;
酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類;N,N
−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸
トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等を例示で
きる。使用される塩基性化合物としては、例えば
トリエチルアミン、トリプロピルアミン、N,N
−ジメチルアニリン、ピリジン、4−ジメチルア
ミノピリジン、キノリン、DBN、DBU、
DABCO等の有機塩基、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム
等の無機塩基を例示できる。一般式〔1a〕の化
合物に対する一般式〔4〕の2−ハロゲノエチル
アミン又はその塩の使用割合は、特に限定されず
適宜に選択できるが、一般に前者に対して後者を
等モル〜5倍モル量、好ましくは等モル〜3倍モ
ル量とすればよい。塩基性化合物の使用割合とし
ては、一般式〔1a〕の化合物に対して、通常等
モル〜10倍モル量、好ましくは等モル〜5倍モル
量を採用できる。反応は一般に−30℃〜100℃、
好ましくは0℃〜50℃にて30分〜30時間を要して
行なわれる。
一般式〔1a〕の化合物と式〔5〕のアジリジ
ンとの反応は、適当な溶媒中又は溶媒の不存在
下、塩基性化合物の存在下又は不存在下に行なう
ことができる。溶媒及び塩基性化合物としては前
記一般式〔1a〕の化合物と一般式〔4〕の化合
物との反応において例示したものと同様のものを
いずれも使用できる。一般式〔1a〕の化合物に
対する式〔5〕のアジリジンの使用割合は、一般
に等モル〜10倍モル量、好ましくは等モル〜3倍
モル量とされるのがよい。塩基性化合物の使用割
合は、一般式〔1a〕の化合物に対して通常等モ
ル〜5倍モル量、好ましくは等モル〜3倍モル量
とされるのがよく、反応は通常−50℃〜70℃、好
ましくは−30℃〜50℃の温度条件下に10分〜10時
間を要して行なわれる。
引続く一般式〔6〕の化合物と一般式〔7〕の
ハロゲン化炭化水素との反応は、上記で得られる
一般式〔6〕の化合物を単離後又は単離すること
なく実施される。該反応は適当な溶媒中で行なわ
れる。溶媒としては、反応に悪影響を与えない各
種のもの、例えば塩化メチレン、クロロホルム、
1,2−ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲ
ン化炭化水素類;ジエチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ジグ
ライム、トリグライム、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン等のエーテル類;ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類等を例示できる。
ハロゲン化炭化水素〔7〕の使用割合は、一般式
〔6〕の化合物に対して通常等モル〜大過剰量、
好ましくは等モル〜5倍モル量とされるのがよ
い。反応は通常−50℃〜50℃、好ましくは−30℃
〜室温付近の温度条件下に10分〜5時間を要して
行なわれる。
かくして得られる各々の行程での目的化合物
は、通常の分離手段により容易に単離精製するこ
とができる。該分離手段としては、例えば溶媒抽
出法、希釈法、再結晶法、カラムクロマトグラフ
イー、プレパラテイブ薄層クロマトグラフイー等
を例示できる。
尚、本発明は光学異性体も当然に包含するもの
である。
本発明の上記一般式〔1b〕で表わされる1,
3,2−オキサアザホスホリナン−2−オキシド
誘導体は、下記反応行程式−3に示す方法により
制御ガン剤として有用な2−〔(N−ニトロソ)−
2−ハロゲノエチルアミノ〕−1,3,2−オキ
サアザホスホリナン−2−オキシド誘導体に導く
ことができる。
〔式中R1及びXは前記に同じ。〕 一般式〔1b〕の化合物のニトロソ化反応には、
通常のN−ニトロソ化反応に採用される条件を広
く採用することができる。該反応は、例えば適当
な溶媒中、酸又は塩基性化合物の存在下でニトロ
ソ化剤を使用して実施することができる。使用さ
れる溶媒としては、ニトロソ化反応に慣用される
もの、例えば水、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等の低級アルコール類;ジクロロメ
タン、クロロホルム、ジクロロエタン、四塩化炭
素等のハロゲン化炭化水素類;酢酸等の脂肪族カ
ルボン酸類;無水酢酸等の脂肪族酸無水物類;ピ
リジン、キノリン等の芳香族アミン類等を例示で
きる。使用される酸としては、例えば塩酸、硝
酸、臭化水素酸、硫酸等の鉱酸類;酢酸、蟻酸等
の有機酸類を例示できる。使用される塩基性化合
物としては、例えばピリジン、キノレン、酢酸ナ
トリウム等の有機塩基及び炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム等の無機塩基を例示できる。使用されるニトロ
ソ化剤としては亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウ
ム等のアルカリ金属の亜硝酸塩、N2O3、N2O4
の窒素酸化物、ニトロシルクロライド等を例示で
きる。反応温度としては、通常−60℃〜15℃付
近、好ましくは−20℃〜7℃付近を採用でき、反
応は5分〜16時間で終了する。ニトロソ化剤の使
用割合としては、一般式〔1b〕の化合物に対し
て少なくとも等モル、好ましくは等モル〜8倍モ
ルとされる。酸又は塩基の使用量は、一般式
〔1b〕の化合物に対して少なくとも等モル量、好
ましくは大過剰量とするのがよい。
以下に、本発明を更に詳述するため本発明化合
物の製造例を実施例として挙げ、また本発明化合
物からの制御ガン剤有効成分化合物の製造例を参
考例として挙げる。
実施例 1 オキシ塩化リン6.45gを塩化メチレン60mlに溶
かし、氷冷撹拌下にN−(3−ヒドロキシプロピ
ル)−アニリン6.04gとトリエチルアミン8.5gと
を塩化メチレン50ml溶かした溶液を滴下し、同温
度で1.5時間反応させた。反応混合物を5%塩酸、
水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。塩化メチレンを減圧留去して、2−クロロ−
3−フエニル−1,3,2−オキサアザホスホリ
ナン−2−オキシドの粗結晶8.3gを得た。本品
を塩化メチレン−ヘキサンより再結晶して純品の
無色針状晶7.8gを得た。融点113.5〜115℃ 元素分析値(C9H11ClNO2Pとして) C(%) H(%) N(%) 計算値 46.67 4.79 6.04 実測値 46.64 4.69 6.01 実施例 2 実施例1と同様にして、N−(3−ヒドロキシ
プロピル)−p−トルイジン8.75gをオキシ塩化
リン7.98gと反応させて2−クロロ−(3−p−
メチルフエニル)−1,3,2−オキサアザホス
ホリナン−2−オキシドの無色針状晶10.4gを得
た。
融点130〜132℃。
元素分析値(C10H13ClNO2Pとして) C(%) H(%) N(%) 計算値 48.89 5.33 5.70 実測値 48.85 5.22 5.69 実施例 3 オキシ塩化リン7.84gをトルエン100mlに溶か
し、氷冷撹拌下にN−(3−ヒドロキシプロピル)
シクロヘキサン12.5gとトリエチルアミン21gと
をトルエン50mlに溶かした溶液を滴下し、同温度
で1時間反応させた。反応混合物を5%塩酸、水
及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。トルエンを減圧留去して得た残
渣を、シリカゲル300g〔クロロホルム溶出〕で
カラムクロマト精製して、2−クロロ−3−シク
ロヘキシル−1,3,2−オキサアザホスホリナ
ン−2−オキシドの無色油状物18gを得た。これ
はIRにより同定された。
IR νmax(neat)、cm-1: 2950、2860、1450、1300、1245、1109、1090、
1050、1015、920、820、750 上記いずれかの実施例と同様にして、適当な出
発原料を用いて以下の各化合物を得た。
Γ2−クロロ−3−ベンジル−1,3,2−オキ
サアザホスホリナン−2−オキシド 融点 69〜70.5℃ (酢酸エチル−ヘキサン) 無色針状晶 Γ2−クロロ−3−(3,4−ジメトキシベンジ
ル)−1,3,2−オキサアザホスホリナン−
2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.53〜2.33(m、2H) 2.70〜3.20(m、2H) 3.23〜3.70(m、2H) 3.83(s、6H) 4.20〜4.76(m、2H) 6.70〜6.97(m、3H) Γ2−クロロ−3−シクロペンチル−1,3,2
−オキサアザホスホリナン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.30〜2.43(m、10H) 2.87〜3.47(m、2H) 3.73〜4.70(m、3H) Γ2−クロロ−3−シクロヘプチル−1,3,2
−オキサアザホスホリナン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.13〜2.38(m、14H) 2.87〜3.92(m、3H) 4.07〜4.67(m、2H) Γ2−クロロ−3−シクロオクチル−1,3,2
−オキサアザホスホリナン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.27〜2.33(m、16H) 2.90〜3.45(m、2H) 3.56〜4.03(m、1H) 4.13〜4.57(m、2H) Γ2−クロロ−3−n−ブチル−1,3,2−オ
キサアザホスホリナン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 0.67〜3.57(m、13H) 4.13〜4.70(m、2H) Γ2−クロロ−3−n−ヘキシル−1,3,2−
オキサアザホスホリナン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 0.60〜3.57(m、17H) 4.13〜4.70(m、2H) Γ2−クロロ−3−アリル−1,3,2−オキサ
アザホスホリナン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.60〜2.50(m、2H) 2.80〜3.53(m、2H) 3.60〜4.73(m、4H) 5.03〜5.40(m、2H) 5.47〜6.03(m、1H) Γ2−クロロ−3−フルフリル−1,3,2−オ
キサアザホスホリナン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.57〜2.51(m、2H) 2.87〜3.57(m、2H) 3.83〜4.67(m、4H) 6.23〜6.37(m、2H) 7.33(t、1H、J=1.5Hz) Γ2−クロロ−3−(2−チエニルメチル)−1,
3,2−オキサアザホスホリナン−2−オキシ
ド NMR δppm(CDCl3): 1.57〜2.43(m、2H) 2.80〜3.50(m、2H) 3.83〜4.87(m、4H) 6.80〜7.07(m、2H) 7.17〜7.30(m、1H) Γ2−クロロ−3−(p−メトキシフエニル)−
1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オ
キシド 融点:127〜130℃ 無色針状晶(CH2Cl2−n−ヘキサン) Γ2−クロロ−3−(p−フルオロフエニル)−
1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オ
キシド 融点:132〜134℃ 無色プリズム状晶(CH2Cl2−n−ヘキサン) Γ2−クロロ−3−(m−トリフルオロメチルフ
エニル)−1,3,2−オキサアザホスホリナ
ン−2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.67〜2.67(m、2H) 3.00〜4.00(m、2H) 4.20〜4.80(m、2H) 7.23〜7.67(m、4H) Γ2−クロロ−3−(3,4−ジクロロフエニル)
−1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−
オキシド 融点:114〜116℃ 淡黄色板状晶(CH2Cl2−n−ヘキサン) 実施例 4 2−クロロ−3−フエニル−1,3,2−オキ
サアザホスホリナン−2−オキシド4.63gと2−
クロロエチルアミン塩酸塩2.9gとを塩化メチレ
ン50ml中氷冷下に撹拌し、トリエチルアミン5.1
gを塩化メチレン30ml溶かした溶液を滴下し、室
温で20時間攪拌した。反応混合物を5%塩酸、水
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を減圧留去して、2−(2−クロロエチ
ルアミノ)−3−フエニル−1,3,2−オキサ
アザホスホリナン−2−オキシドの粗結晶4.9g
を得た。本品を酢酸エチルより再結晶して純品の
無色針状晶4.5gを得た。
融点:113〜115℃ 元素分析値(C11H16N2O2PClとして) C(%) H(%) N(%) 計算値 48.10 5.87 10.20 実測値 47.98 5.74 10.31 実施例 5 2−クロロ−3−(p−メトキシフエニル)−
1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オキ
シド5.25gを塩化メチレン50ml溶かし、アジリジ
ン1gを塩化メチレン10mlに溶かした溶液を滴下
し、室温で2時間反応させた。次いで氷冷攪拌下
に過剰の乾燥塩化水素ガスを吹き込み、同温度で
30分攪拌した。反応混合物を水洗し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して、2−
(2−クロロエチルアミノ)−3−(p−メトキシ
フエニル)−1,3,2−オキサアザホスホリナ
ン−2−オキシドの粗結晶6gを得た。本品を酢
酸エチルより再結晶して純品の無色針状晶5.7g
を得た。
融点:123〜124℃ 元素分析値(C12H18N2O3PClとして) C(%) H(%) N(%) 計算値 47.30 5.95 9.19 実測値 47.34 5.85 9.25 実施例 6 2−クロロ−3−ベンジル−1,3,2−オキ
サアザホスホリナン−2−オキシド4.9gとβ−
クロロエチルアミン塩酸塩2.6gとを塩化メチレ
ン60ml中氷冷下に攪拌し、トリエチルアミン4.5
gを塩化メチレン20mlに溶かした溶液を滴下し、
次いで室温で20時間攪拌した。反応混合物を5%
塩酸、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。塩化メチレンを減圧留去
して、2−(2−クロロエチルアミノ)−3−ベン
ジル−1,3,2−オキサアザホスホリナン−2
−オキシドの粗結晶5.6gを得た。本品を酢酸エ
チル−エーテルより再結晶して純品の無色針状晶
5.3gを得た。
融点:90〜92℃ 元素分析値(C12H18N2O2PClとして) C(%) H(%) N(%) 計算値 48.92 6.28 9.70 実測値 49.88 6.13 9.75 実施例4、5又は6のいずれかと同様にして、
適当な出発原料を用いて以下の各化合物を得た。
Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−シクロヘ
キシル−1,3,2−オキサアザホスホリナン
−2−オキシド 融点:102〜103.5℃ 無色針状晶(酢酸エチル) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−(3,4
−ジメトキシベンジル)−1,3,2−オキサ
アザホスホリナン−2−オキシド 融点:111〜113℃ 無色針状晶(エーテル−n−ヘキサン) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−シクロペ
ンチル−1,3,2−オキサアザホスホリナン
−2−オキシド 融点:100〜102℃ 無色針状晶(酢酸エチル) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−シクロヘ
プチル−1,3,2−オキサアザホスホリナン
−2−オキシド 融点:95〜96℃ 無色針状晶(n−ヘキサン−エーテル) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−シクロオ
クチル−1,3,2−オキサアザホスホリナン
−2−オキシド 融点:80〜81℃ 無色針状晶(n−ヘキサン−エーテル) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−n−ブチ
ル−1,3,2−オキサアザホスホリナン−2
−オキシド NMR δppm(CDCl3): 0.73〜2.07(m、9H) 2.53〜3.67(m、9H) 3.87〜4.53(m、2H) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−n−ヘキ
シル−1,3,2−オキサアザホスホリナン−
2−オキシド NMR δppm(CDCl3): 0.67〜2.03(m、13H) 2.53〜4.43(m、11H) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−アリル−
1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オ
キシド NMR δppm(CDCl3): 1.60〜2.50(m、2H) 2.80〜4.73(m、11H) 6.03〜5.40(m、2H) 5.47〜6.03(m、1H) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−フルフリ
ル−1,3,2−オキサアザホスホリナン−2
−オキシド NMR δppm(CDCl3): 1.60〜2.10(m、2H) 2.80〜4.67(m、11H) 6.03〜6.30(m、2H) 7.17〜7.30(m、1H) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−(2−チ
エニルメチル)−1,3,2−オキサアザホス
ホリナン−2−オキシド 融点:108〜109.5℃ 無色針状晶(酢酸エチル−n−ヘキサン) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−(p−メ
チルフエニル)−1,3,2−オキサアザホス
ホリナン−2−オキシド 融点:104〜106℃ 無色針状晶(酢酸エチル) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−(p−フ
ルオロフエニル)−1,3,2−オキサアザホ
スホリナン−2−オキシド 融点:84〜85℃ 無色針状晶(酢酸エチル) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−(m−ト
リフルオロメチルフエニル)−1,3,2−オ
キサアザホスホリナン−2−オキシド 融点:89〜91℃ 無色針状晶(酢酸エチル−n−ヘキサン) Γ2−(2−クロロエチルアミノ)−3−(3,4
−ジクロロフエニル)−1,3,2−オキサア
ザホスホリナン−2−オキシド 融点:101〜103℃ 無色針状晶(塩化メチレン−n−ヘキサン) 参考例 1 2−(2−クロロエチルアミノ)−3−フエニル
−1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オ
キシド1.31gを90%蟻酸13mlに溶かし、食塩−氷
浴中冷却下に内温−10℃〜0℃にて亜硝酸ナトリ
ウム1gを水10mlに溶かした溶液を滴下し、同温
度で10分間攪拌した。反応液をエーテル50mlに添
加し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、
飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムに
て乾燥した。エーテルを減圧下に室温以下で留去
し、残渣をエーテル−ヘキサンにて結晶化させて
2−〔(N−ニトロソ)−2−クロロエチルアミノ〕
−3−フエニル−1,3,2−オキサアザホスホ
リナン−2−オキシドの淡黄色結晶の1.2gを得
た。本品をエーテル−ヘキサンより再結晶して純
品の淡黄色プリズム状晶1gを得た。
融点:47〜48℃(分解) IR νmax(KBr): 1600、1480、1280、1180、1010cm-1 元素分析値(C11H15ClN3O3Pとして) C(%) H(%) N(%) 計算値 43.51 4.98 13.84 実測値 43.32 4.91 13.81 参考例 2 2−(2−クロロエチルアミノ)−3−ベンジル
−1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オ
キシド1.16gを90%蟻酸12mlに溶かし、食塩氷浴
中冷却攪拌下に亜硝酸ナトリウム830mgを水10ml
に溶かした溶液を滴下し、同温度で10分間攪拌し
た。反応混合物にエーテル50mlに添加し、冷水、
冷飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、冷水で順次洗
浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。エーテ
ルを減圧下に室温以下で留去し、残渣をエーテル
−ヘキサンにて結晶化させて2−〔(N−ニトロ
ソ)−2−クロロエチルアミノ〕−3−ベンジル−
1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オキ
シドの淡黄色結晶950mgを得た。
融点:53〜54℃(分解)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中R1はフエニル環上に置換基として低級ア
    ルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子か
    ら選ばれた基の1〜3個を有することのあるフエ
    ニル基、フエニル環上に低級アルコキシ基を1〜
    3個有することのあるフエニル低級アルキル基、
    シクロ低級アルキル基、ハロゲン原子を3個有す
    ることのある低級アルキル基、低級アルケニル
    基、フリル低級アルキル基又はチエニル低級アル
    キル基を示す。R2はハロゲン原子又は
    NHCH2CH2X(Xはハロゲン原子を示す)基を示
    す。ただしR2がハロゲン原子のとき、R1はフエ
    ニル環上に低級アルコキシ基を1〜3個有するこ
    とのあるα−フエニル低級アルキル基であつては
    ならない。〕 で表わされる1,3,2−オキサアザホスホリナ
    ン−2−オキシド誘導体。
JP14130982A 1982-08-13 1982-08-13 1,3,2−オキサアザホスホリナン−2−オキシド誘導体 Granted JPS5931787A (ja)

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