JPH0258351B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0258351B2 JPH0258351B2 JP57162506A JP16250682A JPH0258351B2 JP H0258351 B2 JPH0258351 B2 JP H0258351B2 JP 57162506 A JP57162506 A JP 57162506A JP 16250682 A JP16250682 A JP 16250682A JP H0258351 B2 JPH0258351 B2 JP H0258351B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer film
- sputtering
- supply roll
- gun
- roll
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜を連続的にしわなく形成するこ
とを目的としたスパツタリング装置に関するもの
である。
とを目的としたスパツタリング装置に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
従来スパツタリング装置は、マグネトロン方式
により、連続的に高速で、しかも基板温度上昇を
少なく薄膜の形成が行なえるという特徴をいかし
て、高分子フイルムまたは紙等の連続した基板上
に金属膜等を連続形成することに用いられてき
た。
により、連続的に高速で、しかも基板温度上昇を
少なく薄膜の形成が行なえるという特徴をいかし
て、高分子フイルムまたは紙等の連続した基板上
に金属膜等を連続形成することに用いられてき
た。
以下図面を参照しながら、従来のスパツタリン
グ装置について説明する。
グ装置について説明する。
第１図は従来のスパツタリング装置の真空槽内
の構造を示す正面図である。図において、１は円
筒状のキヤン、２はキヤン１に巻き付けられた高
分子フイルム、３はキヤン１に対向して設置され
たスパツタガンである。
の構造を示す正面図である。図において、１は円
筒状のキヤン、２はキヤン１に巻き付けられた高
分子フイルム、３はキヤン１に対向して設置され
たスパツタガンである。
以上のようなスパツタリング装置では、キヤン
１が一定速度で回転することによつて、キヤン１
に巻き付けられた高分子フイルム２が、スパツタ
ガン３の上を一定速度で通過するとき、スパツタ
ガン３から飛び出した金属が高分子フイルム２の
上に付着することによつて、高分子フイルム２の
上に連続的に金属膜を形成することができる。
１が一定速度で回転することによつて、キヤン１
に巻き付けられた高分子フイルム２が、スパツタ
ガン３の上を一定速度で通過するとき、スパツタ
ガン３から飛び出した金属が高分子フイルム２の
上に付着することによつて、高分子フイルム２の
上に連続的に金属膜を形成することができる。
しかしながら、上記のようなスパツタリング装
置では、スパツタガン３からの輻射熱のために高
分子フイルム２が、キヤン１の回転方向つまり高
分子フイルム２の送り方向と、それに垂直な幅方
向に延びる。しかしながら高分子フイルム２には
延びてもたるまないように、供給ロールと巻き取
りロールの両方によつて張力を加えてあるため、
送り方向の延びは吸収されるが、幅方向の延び
は、吸収されず、逆に送り方向の張力によつて、
送り方向に平行、つまり高分子フイルム２の長さ
方向に平行なしわを発生させるという欠点を有し
ていた。
置では、スパツタガン３からの輻射熱のために高
分子フイルム２が、キヤン１の回転方向つまり高
分子フイルム２の送り方向と、それに垂直な幅方
向に延びる。しかしながら高分子フイルム２には
延びてもたるまないように、供給ロールと巻き取
りロールの両方によつて張力を加えてあるため、
送り方向の延びは吸収されるが、幅方向の延び
は、吸収されず、逆に送り方向の張力によつて、
送り方向に平行、つまり高分子フイルム２の長さ
方向に平行なしわを発生させるという欠点を有し
ていた。
発明の目的
本発明は、以上のような従来の問題点を解決す
るためになされたもので、従来のスパツタリング
装置のように輻射熱等によるしわが発生しないス
パツタリング装置を提供することを目的とする。
るためになされたもので、従来のスパツタリング
装置のように輻射熱等によるしわが発生しないス
パツタリング装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明による基本構成は、80〜140℃に加熱さ
れた円筒状キヤンとスパツタガンと高分子フイル
ム供給ロールと巻き取りロールとを備え、円筒状
キヤンを80〜140℃に加熱させることにより高分
子フイルムとキヤンとの接着性を良くし、高分子
フイルムを徐々に冷却させることができるように
してしわの発生を防止するとともに、更にキヤン
と高分子フイルムとの接触部分の中央より供給ロ
ール側にスパツタガンを配置することによりスパ
ツタリング後の高分子フイルムがキヤンに接触す
る時間を長くして高分子フイルムにかかる応力の
均一化および緩和を図り、しわの発生を防止する
ようにしたものである。
れた円筒状キヤンとスパツタガンと高分子フイル
ム供給ロールと巻き取りロールとを備え、円筒状
キヤンを80〜140℃に加熱させることにより高分
子フイルムとキヤンとの接着性を良くし、高分子
フイルムを徐々に冷却させることができるように
してしわの発生を防止するとともに、更にキヤン
と高分子フイルムとの接触部分の中央より供給ロ
ール側にスパツタガンを配置することによりスパ
ツタリング後の高分子フイルムがキヤンに接触す
る時間を長くして高分子フイルムにかかる応力の
均一化および緩和を図り、しわの発生を防止する
ようにしたものである。
実施例の説明
以下に本発明の一実例を図面を用いて説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例におけるスパツタリ
ング装置の真空槽内部の正面図である。80〜140
℃に保持された円筒状キヤン１１に、供給ロール
１４から送り出された、例えばポリエステルフイ
ルムからなる高分子フイルム１２が巻きつけら
れ、更に巻き取りロール１５に巻取られる。この
とき、キヤン１１の高分子フイルム１２の接触部
の中央より供給ロール側の対向部にスパツタガン
１３が１基設置されている。
ング装置の真空槽内部の正面図である。80〜140
℃に保持された円筒状キヤン１１に、供給ロール
１４から送り出された、例えばポリエステルフイ
ルムからなる高分子フイルム１２が巻きつけら
れ、更に巻き取りロール１５に巻取られる。この
とき、キヤン１１の高分子フイルム１２の接触部
の中央より供給ロール側の対向部にスパツタガン
１３が１基設置されている。
以上のように構成されたスパツタリング装置に
ついて、以下その動作を説明する。供給ロール１
４から送り出された高分子フイルム１２は、加熱
されたキヤン１１に巻きつけられ、キヤン１１が
一定速度で回転しているため、巻きつけられた高
分子フイルム１２は一定速度で送られて、巻取り
ローラに巻きとられる。このとき、高分子フイル
ム１２は、キヤン１１に対向して設置されている
スパツタガン１３の上を通過して、金属膜が連続
的に形成される。この金属膜形成後も高分子フイ
ルム１２は、キヤン１１に巻きついており、その
後、巻き取りロールに巻き取られる。
ついて、以下その動作を説明する。供給ロール１
４から送り出された高分子フイルム１２は、加熱
されたキヤン１１に巻きつけられ、キヤン１１が
一定速度で回転しているため、巻きつけられた高
分子フイルム１２は一定速度で送られて、巻取り
ローラに巻きとられる。このとき、高分子フイル
ム１２は、キヤン１１に対向して設置されている
スパツタガン１３の上を通過して、金属膜が連続
的に形成される。この金属膜形成後も高分子フイ
ルム１２は、キヤン１１に巻きついており、その
後、巻き取りロールに巻き取られる。
以上のような実施例によれば、スパツタガン１
３がキヤン１１と高分子フイルム１２との接触部
分の中央より供給ロール側に配置されているの
で、高分子フイルム１２が加熱されたキヤン１１
に長く巻きついているため、金属膜形成中のスパ
ツタガン１３の輻射熱による高分子フイルム１２
の長さ方向及び幅方向の伸びや巻き取りロール１
５の張力による、高分子フイルム１２の応力が緩
和され平均化されることになり、しわが発生する
ことなく連続的に金属膜の形成を行うことができ
る。
３がキヤン１１と高分子フイルム１２との接触部
分の中央より供給ロール側に配置されているの
で、高分子フイルム１２が加熱されたキヤン１１
に長く巻きついているため、金属膜形成中のスパ
ツタガン１３の輻射熱による高分子フイルム１２
の長さ方向及び幅方向の伸びや巻き取りロール１
５の張力による、高分子フイルム１２の応力が緩
和され平均化されることになり、しわが発生する
ことなく連続的に金属膜の形成を行うことができ
る。
また上記実施例において、キヤン１１の温度を
80〜140℃に保つているため、高分子フイルム１
２をキヤン１１に密着させることができ、冷却し
ない場合に較べて徐々に冷却させることができ、
しわの発生が全くなく、連続的に金属薄膜を形成
させることができる。
80〜140℃に保つているため、高分子フイルム１
２をキヤン１１に密着させることができ、冷却し
ない場合に較べて徐々に冷却させることができ、
しわの発生が全くなく、連続的に金属薄膜を形成
させることができる。
なお、スパツタガンは、１基と限らず、第３図
に示すように２基のスパツタガン１３Ａ，１３Ｂ
を設けてもよい。なお、第３図において、第２図
の実施例と同じ部分には同じ符号を付し、その説
明は省く。このように構成することによつて、多
層金属膜を同時にしかもしわなく形成することが
できる。
に示すように２基のスパツタガン１３Ａ，１３Ｂ
を設けてもよい。なお、第３図において、第２図
の実施例と同じ部分には同じ符号を付し、その説
明は省く。このように構成することによつて、多
層金属膜を同時にしかもしわなく形成することが
できる。
発明の効果
以上説明したように本発明は、円筒状キヤンを
80〜140℃に加熱し、供給ロールから送り出され
た高分子フイルムと円筒状のキヤンとの接触部分
の中央より供給ロール側のキヤンとの対向部にス
パツタガンを設けているため、高分子フイルムは
加熱されたキヤンに長く巻き付くことになり、ス
パツタガンの輻射熱や巻き取りロールによる張力
によつて生じる応力を長時間にわたつて徐々に均
一化及び緩和させることができ、高分子フイルム
の長さ方向に平行なしわが発生しないという優れ
た効果が得られる。
80〜140℃に加熱し、供給ロールから送り出され
た高分子フイルムと円筒状のキヤンとの接触部分
の中央より供給ロール側のキヤンとの対向部にス
パツタガンを設けているため、高分子フイルムは
加熱されたキヤンに長く巻き付くことになり、ス
パツタガンの輻射熱や巻き取りロールによる張力
によつて生じる応力を長時間にわたつて徐々に均
一化及び緩和させることができ、高分子フイルム
の長さ方向に平行なしわが発生しないという優れ
た効果が得られる。
第１図は従来のスパツタリング装置の真空槽内
部の正面図、第２図および第３図は本発明の実施
例におけるスパツタリング装置の真空槽内部の正
面図である。 １，１１……円筒状キヤン、２，１２……高分
子フイルム、３，１３，１３Ａ，１３Ｂ……スパ
ツタガン、４，１４……供給ロール、５，１５…
…巻き取りロール。
部の正面図、第２図および第３図は本発明の実施
例におけるスパツタリング装置の真空槽内部の正
面図である。 １，１１……円筒状キヤン、２，１２……高分
子フイルム、３，１３，１３Ａ，１３Ｂ……スパ
ツタガン、４，１４……供給ロール、５，１５…
…巻き取りロール。
Claims (1)
- １ 真空槽内に80〜140℃に加熱された円筒状の
キヤンを設け、供給ロールから送り出される高分
子フイルムが前記キヤンに接触し、送き取りロー
ルに巻き取られるように構成され、かつ前記キヤ
ンと高分子フイルムとの接触部の中央より供給ロ
ール側に前記キヤンに対向してスパツタガンを配
置したことを特徴とするスパツタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162506A JPS5950176A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162506A JPS5950176A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950176A JPS5950176A (ja) | 1984-03-23 |
| JPH0258351B2 true JPH0258351B2 (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=15755911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162506A Granted JPS5950176A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950176A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101663A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Olympus Optical Co Ltd | Apparatus for forming thin film |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162506A patent/JPS5950176A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5950176A (ja) | 1984-03-23 |
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